Materiales electrocerámicos

Introducción

La complejidad de los materiales electrocerámicos no se puede cubrir exhaustivamente en el presente

capítulo corto; en cambio, solo se proporcionará información básica sobre los diversos efectos
dieléctricos. Se darán ejemplos de materiales cerámicos y monocristalinos, y sus propiedades y
aplicaciones que están destinadas a ser pars pro toto para la integridad de la información.

Muchos materiales cerámicos de óxido muestran propiedades que conducen a importantes aplicaciones
técnicas modernas como sensores, actuadores, condensadores, termistores, varistores, electrolitos
sólidos, conductores iónicos, superconductores, imanes permanentes con características suaves y duras,
persianas optoelectrónicas y muchos otros. Con frecuencia, estas cerámicas tienen estructuras de
perovskita o espinela distorsionadas que imparten propiedades “inteligentes” ferro, piezo o piroeléctricas
(Newnham y Ruschau, 1991). Los "férroicos" son cerámicas de óxido con paredes de dominio móviles que
se pueden desplazar en respuesta a gradientes eléctricos, magnéticos, de temperatura y de campo de
tensión. Incluyen ferrimagnética (Y 3 Fe 5 O 12, YIG), ferroeléctricos (BaTiO 3), superconductores (YBa 2
Cu 3 O 7 - δ), piezoeléctricos (Pb (Zr, Ti) O 3, PZT), termistores PTC (( Ba, La) TiO 3), materiales
ferrimagnéticos duros (permanentes) (BaFe 12 O 19, magnetoplumbita), imanes ferrimagnéticos
(transformadores) blandos ((Mn, Zn) Fe 2 O 4), electroóptica no lineal [(Pb, La ) (Zr, Ti) O3; PLZT], cerámica
electrostrictiva [(Pb (Mg, Nb) O 3; PMN], y muchos otros. La cuota de mercado mundial actual estimada
de estos materiales es de aproximadamente US $ 25 mil millones (ver Capítulo 6).

En contraste con la cerámica policristalina materiales con propiedades ferroicas, existen piezoeléctricos
monocristalinos no ferroicos como α-q uartz o materiales con estructura de germenato de alcio galio ac
(CGG), así como piroeléctricos monocristalinos con estructura de perovskita como equivalente de litio
(LiTaO 3)

Definición y propiedades de materiales ferroicos, inteligentes e inteligentes

La cerámica policristalina más avanzada descrita en este capítulo pertenece a los llamados "materiales
ferroicos" con paredes de dominio móvil 1) (ver Sección 8.2). Las fuerzas impulsoras (parámetros de
entrada o estímulos) para la realineación de las paredes del dominio pueden ser eléctricas (materiales
ferroeléctricos), magnéticas (materiales ferro / ferromagnéticos), campo de tensión (materiales ferro
elásticos) o gradientes de temperatura (materiales piroeléctricos que son simultáneamente
ferroeléctricos). Los cambios en estos gradientes provocan respuestas lineales o no lineales (salidas),
como la generación de cargas eléctricas, magnetización, deformación o temperatura, mediante las cuales
los parámetros de entrada y salida se acoplan por efectos físicos, como se muestra en la Tabla 8 .1. Las
respuestas de los materiales "triviales" se organizan a lo largo de la diagonal de la matriz, mientras que
los efectos fuera de la diagonal son características de los materiales "inteligentes" o incluso "inteligentes"
(Newnham y Ruschau, 1 991, 1993). Con frecuencia, un efecto y su efecto inverso se utilizan en
aplicaciones acopladas de sensor - actuador, por ejemplo, efecto piezoeléctrico (sensor) y efecto
piezoeléctrico inverso o electrostática (cuadrática), efectos piroeléctricos y electrocalóricos, o efectos
fotovoltaicos y electroópticos. Como se muestra en la Tabla 8 .1, estos efectos están dispuestos
simétricamente a la diagonal de la matriz. Es importante afirmar que la combinación de un sensor y un
actuador imita dos funciones muy básicas y únicas de un organismo vivo: ser consciente de su
funcionamiento.

1) Los cristales férricos poseen dos o más estados o dominios de orientación, y bajo una fuerza
impulsora elegida adecuadamente, las paredes del dominio se mueven, cambiando el cristal de
un estado de dominio a otro (Newman, 2 005).Las paredes de dominio se definen como solitones
topológicos, es decir, membranas 2D formadas rompiendo espontáneamente una simetría
discreta en una transición de fase.

redondeo (detección) y poder responder mediante el movimiento a la sensación recibida (actuación).

Sin embargo, un material inteligente no es simplemente un sensor que recibe un estímulo y responde
con una señal. Tampoco es simplemente un actuador que produce un movimiento útil. Los materiales
inteligentes funcionan en ambos sentidos: como sensor y como actuador. Algunos materiales muy
inteligentes tienen un sistema de control; es decir, analizan la señal de detección recibida y eligen qué
tipo de respuesta generar. En particular, ajustan sus propiedades en el tiempo y el espacio para
optimizar el comportamiento futuro y, por lo tanto, se mueven a lo largo de una curva de aprendizaje.
Tales materiales activamente inteligentes pueden ser llamados inteligentes (Dry, 1993; Rogers, 1995).
Pueden imitar sistemas biológicos que evolucionan en formas de vida complejas al depender del
desequilibrio persistente para optimizar el comportamiento dinámico (Kelly, 1 994; Newnham, 2 000).
Este desequilibrio desencadena respuestas rápidas que permiten que el material ferroico opere cerca
de una inestabilidad y que cruce fácilmente el límite de la fase morfotrópica (ver Sección 8 .3.2). La
distinción entre materiales inteligentes e inteligentes es esencialmente una entre propiedades
lineales y no lineales, y esta última se ajusta mediante campos de sesgo o fuerzas para controlar la
respuesta (Newnham y Ruschau, 1 991).
Aquí hay cuatro familias principales de materiales inteligentes, ejemplificadas por: Pzo piezoeléctrico
(Zr, Ti) O 3 (PZT); Pb electroestrictivo (Mg 1/3 Nb 2/3) O 3 (PMN); y materiales magnetorestrictivos
(Tb, Dy) Fe 2 (Terfenol ™), 2) así como aleaciones con memoria de forma como NiTi (Nitinol ™)
(Newnham, 2000). Las aleaciones con memoria de forma tienen una transición de fase amplia de una
estructura similar a CsCl parcialmente ordenada (austenítica) a una fase martensítica de menor
simetría. En PMN, existe una transición de fase difusa similar desde un estado de alta temperatura
paraeléctrico parcialmente ordenado a un estado de relajación ferroeléctrico de baja temperatura.
En este sentido, PMN es un análogo ferroeléctrico al ferinolástico Nitinol ™. En PZT, que podría decirse
que es el material del actuador más importante, hay cambios similares en la simetría (consulte la
Sección 8.3.2). A alta temperatura, PZT es paraeléctrico con una simetría cúbica que cambia a fases
romboédricas y tetragonales ferroeléctricas a temperatura más baja (ver Figura 8 .16). Actuadores
útiles basados en PZT operan cerca del límite de la fase morfotrópica (MPB), donde se pueden esperar
las máximas propiedades ferroeléctricas y piezoeléctricas. Terfenol ™ es el análogo magnético del
ferroeléctrico PZT. Materiales magnetocalóricos como el Gd metálico y el Gd 5 (Si 4 - x Ge x) tienen
aplicaciones potenciales interesantes en refrigeración magnética (Gscheidner, 2008).

Todos estos materiales tienen al menos dos transiciones de fase que se pueden describir en términos
de funciones termodinámicas con dos parámetros de orden (ver Apéndice B). Los materiales ferroicos
se operan cerca de una inestabilidad para hacer que las paredes de dominio con sus dipolos y cepas
asociados se puedan mover, como se encuentra en PZT o Terfenol ™. Por otro lado, un segundo tipo
de material implica una fase parcialmente ordenada, como en PMN o las aleaciones con memoria de
forma. Estos materiales se operan cerca de una transición de fase difusa con dos fases coexistentes,
una fase de austenita de alta temperatura y una fase de martensita de baja temperatura. Un tercer
tipo de inteligente.

El material involucra materiales compuestos con transformaciones de fase acopladas que pueden
combinar materiales poliméricos con transiciones de fase, causando grandes cambios en las
propiedades elásticas y la cerámica ferroeléctrica con una inestabilidad asociada de las propiedades
dieléctricas. Otros materiales cerámicos ferroicos típicos son ferromagnéticos como Fe 3 O 4,
ferrimagnéticos como Fe 2 O 3 dopado ("ferritas"), ferroeléctricos como BaTiO 3, piezoeléctricos
como zirconato de plomo / titanato de plomo (PZT) y ferroelásticos como Pb 3 [O / GeO 4] (Otto,
1979; véase también Müller - Lierheim et al., 1977). Los materiales ferroeléctricos son dieléctricos,
cuya polarización espontánea, causada por desequilibrios de carga dentro de la celda unitaria de la
estructura cristalina, puede alterarse mediante la aplicación de un campo eléctrico externo (ver
Sección 8.3). Los piroeléctricos están confinados a los 10 grupos de puntos cristalográficos con ejes
polares (ver Tabla 8 .3) que imponen polarización espontánea (ver Sección 8 .4.1). Los materiales
piezoeléctricos están confinados a los grupos de 20 puntos sin un centro de simetría (ver Sección
8.4.2); En estos casos, una tensión mecánica causa polarización a través del desplazamiento de las
cargas, mientras que la aplicación de un campo eléctrico induce una deformación mecánica
(deformación) (ver Tabla 8.1). B oth, los materiales electrocerámicos ferroicos y no ferroicos tienen
importantes aplicaciones industriales, algunas de las cuales se resumen en la Tabla 8.2 (se
proporcionan más detalles a continuación). El campo muy amplio de la cerámica ferrimagnética
(ferritas) no se describirá en este tratado; Para esta información, se remite al lector a literatura más
especializada (Krupicka, 1973; Goldman, 2006).
Desarrollo histórico de la cerámica dieléctrica.

El desarrollo histórico de la cerámica dieléctrica, y en particular para aplicaciones como

condensadores eficientes, se muestra en la Figura 8 .1 (véase también la Tabla 8 .4). Los primeros
condensadores dieléctricos basados en titania fueron inventados durante la década de 1920 por
Siemens en Alemania, y desarrollados durante la década de 1930. Al mismo tiempo, los
condensadores basados en titanato de magnesio y silicato (esteatita) se investigaron y utilizaron hasta
la década de 1940, cuando se inició el desarrollo de ferroeléctricos como el titanato de bario. El BaTiO
3 estequiométrico puro es un material excelente para la construcción de condensadores, debido a su
constante dieléctrica muy alta (ε> 7000). En este momento, BaTiO 3 era el epítome de un dieléctrico
y, por lo tanto, en Alemania recibió el nombre comercial "Epsilon". Desafortunadamente, BaTiO 3 no
es aplicable a dispositivos electrónicos de moda que requieren estabilidad de temperatura, ya que el
coeficiente de temperatura de la frecuencia de resonancia ( τ f) tiene un gran valor negativo. Además,
dado que su modo de polarización se basa en la polarización dipolar espontánea producida por la
distorsión del octaedro de coordinación de oxígeno que rodea el ion de titanio, la dispersión de ε
ocurre en la región de microondas con una reducción sustancial concomitante del factor de calidad
eléctrica ("Q") ( ver secciones 8.2.1 y 8.2.2).

Mucho después, se descubrió que los titanatos de bario con un gran excedente de TiO 2 en la red,
como BaTi 4 O 9 y Ba 2 Ti 9 O 20, tienen buenas propiedades como microondas dieléctricos (ver
Sección 8 .4), a pesar de que ya no son ferroeléctricos. Hasta la fecha, el titanato de bario dopado con
óxidos de estroncio, bismuto, neodimio, samario y tungsteno, así como los perovskitas complejos de
óxido de bario - zinc - tántalo, cumplen los requisitos dieléctricos en términos de permitividad, factor
Q y coeficientes de temperatura. de la frecuencia de resonancia y la permitividad en gran medida. La
permitividad dieléctrica gigante se descubrió inesperadamente en CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO; Ramirez et
al., 2000; Whangbo y Subramanian, 2006; Barbier et al., 2008), con valores de ε superiores a 10 4 a
baja frecuencia. Sin embargo, existe cierta evidencia de que este efecto puede no estar relacionado
con la ferro electricidad verdadera, sino que puede implicar la existencia de modos de relajación
altamente polarizables con una energía de separación característica de 28 m eV. También se invocó
el modelo de capacitancia de capa de barrera interna (I BLC) para explicar el hecho observado
experimentalmente de que ε aumenta con el tiempo de sinterización de CCTO, debido a la
incorporación de una fase de CuO intergranular en la estructura de CCTO (Romero et al., 2009).
Física de materiales dieléctricos.

8.2.1 Efectos dieléctricos

Los materiales eléctricos pueden subdividirse según sus efectos físicos (Kleber, 1998). Los dieléctricos
normales sufren polarización en respuesta a un campo eléctrico externo; es decir, un cambio de
portadores de carga en relación con sus posiciones de equilibrio. Los piroeléctricos son materiales en
los que un gradiente de temperatura crea una polarización espontánea macroscópica como resultado
de singular; es decir, ejes polares en la estructura cristalina (ver Sección 8 .5.1). Todas las piroeléctricas
también son piezoeléctricas (ver más abajo). Un caso especial de piroelectricidad (no lineal) es la
ferroelectricidad, cuya orientación de polarización espontánea se puede revertir mediante la
aplicación de un campo eléctrico externo. Dentro de los cristales ferroeléctricos, se están
estableciendo dominios en los que la orientación de la polarización de los cristalitos individuales es
idéntica pero diferente de la de los dominios vecinos. Los dominios están separados por paredes que,
por definición, son solitones topológicos, es decir, membranas bidimensionales (2 - D) formadas
porruptura espontánea de una simetría discreta en una transición de fase (ver Sección 8.3). Mientras
que en la ferroeléctrica los dipolos eléctricos dentro de un dominio apuntan todos en la misma
dirección, los antiferroeléctricos se caracterizan por una interpenetración de subredes de matrices
antiparalelas ordenadas de dipolos eléctricos. Como los momentos dipolares adyacentes se cancelan
entre sí, la polarización espontánea macroscópica es cero, pero existen anomalías dieléctricas (Dalal
y Bussmann - Holder, 2007). Otro caso especial de piroelectricidad es la ferroelasticidad. En estos
materiales, la dirección de la polarización espontánea se puede cambiar aplicando una tensión
mecánica. En algunos cristales como el molibdato de gadolinio [Gd 2 (MoO 4) 3; OMG] el efecto
ferroelástico se combina con un efecto ferroeléctrico (Bohm y Kür ten, 1 973). Los piezoeléctricos son
materiales en los que una tensión mecánica da como resultado un desplazamiento de los portadores
de carga y, por lo tanto, una polarización (consulte la Sección 8 .5.2). El requisito básico de la
piezoelectricidad es la existencia de una estructura cristalina que carece de un centro de simetría. Por
el contrario, esta asimetría causa una tensión que es linealmente proporcional a la fuerza del campo
eléctrico, un efecto denominado efecto piezoeléctrico inverso. En un cristal simétrico, la deformación
es proporcional al cuadrado de la fuerza del campo eléctrico, conocido como efecto de deformación
electroestrictiva. Las cerámicas ferroeléctricas y piezoeléctricas, en particular, desempeñan un papel
cada vez más importante como materiales para aplicaciones eléctricas y electrónicas que incluyen
condensadores multicapa (MLC), condensadores de derivación, resonadores dieléctricos para la
estabilización de frecuencia de circuitos de microondas, osciladores de bajo ruido y bajo ruido. filtros
de paso de banda de pérdida de inserción para componentes de comunicación de microondas,
resonadores de guía de onda dieléctrica, transductores piezoeléctricos y sensores, actuadores
piezomecánicos y motores, termistores PTC y una gran variedad de nuevas aplicaciones emergentes.
Algunas de estas aplicaciones se describen más adelante en el capítulo (consulte la Sección 8 .7).

Polarización eléctrica en materiales dieléctricos.

Las propiedades de acoplamiento dieléctrico y electromecánico de la cerámica generalmente

dependen de tres cifras de mérito: (i) la permitividad dieléctrica ε; (ii) el factor de calidad (eléctrico)
Q = (tan ô) - 1, donde ô = d ie ángulo de pérdida eléctrica; y (iii) los coeficientes de temperatura de
ambas frecuencias de resonancia r y permitividad dieléctrica,τ ε (para una descripción más detallada,
vea la Sección 8 .2.3). Estos parámetros a su vez dependen de manera crucial de la pureza de fase, el
contenido de impurezas y dopantes, respectivamente, y el tamaño de grano (ver Figura 8.7), y la
distribución del tamaño de grano del polvo de partida de cerámica utilizado para fabricar dispositivos
monolíticos. La síntesis de polvo se logra habitualmente mediante rutas de procesamiento cerámicas
clásicas, como las reacciones de estado sólido de los óxidos, carbonatos o nitratos constituyentes. Sin
embargo, se están empleando métodos cada vez más sofisticados para evitar los pasos repetidos de
mezcla, molienda y calcinación que se sabe que introducen impurezas. Esto implica sintetizar las
composiciones deseadas y frecuentemente nanométricas (ver Sección 12.5) a partir de soluciones
verdaderas o cuasi homogéneas mediante la coprecipitación de hidróxidos o catecolatos (Maison et
al., 2003), transición de fase solitaria (Kirby, 1 988) , o métodos hidrotermales (Phanichphant y
Heimann, 2004).

A diferencia de los metales, con sus conductividades eléctricas y térmicas típicamente altas, la
cerámica y la mayoría de los materiales poliméricos son dieléctricos. Mientras que en los metales, los
electrones se deslocalizan y se distribuyen aleatoriamente dentro de la red cristalina (el modelo de
"nube de electrones") y, por lo tanto, pueden moverse libremente en respuesta a un campo eléctrico
externo, en cerámicas unidas predominantemente covalentes e iónicas, los electrones están
fuertemente unidos al núcleo atómico. Por lo tanto, en un material dieléctrico ideal no hay transporte
de largo alcance de portadores de carga, sino solo un desplazamiento de electrones, iones o dipolos
en relación con sus posiciones de equilibrio en la red. En consecuencia, en cerámica la conductividad
electrónica ocupa un segundo lugar distante a la conductividad iónica. El grado de desplazamiento
corresponde a la fuerza de restauración ejercida por el campo eléctrico exterior que se puede
comparar en un análogo mecánico con la fuerza de restauración de un resorte extendido. Como las
cargas positivas y negativas se desplazarán en direcciones opuestas, el cristal adquiere un momento
dipolar p; el momento dipolar macroscópico por unidad de volumen es la polarización.

PE = ε χ 0 e, (8.1)

con la permitividad dieléctrica del vacío ε 0 [= 8.854 × 10 - 12 As / (Vm)], la susceptibilidad dieléctrica χ

e, y la fuerza del campo eléctrico macroscópico en el dieléctrico, E. La susceptibilidad es una constante
de material anisotrópico, y une los dos vectores P y E. Por lo tanto, puede describirse mediante un
tensor simétrico (polar) de segundo rango (χχ ij e ji e =).

En el sistema de cristal triclínico, el tensor de la susceptibilidad dieléctrica tiene seis componentes

independientes. Con el aumento de la simetría de los cristales, este número se reduce y muestra para
cristales tetragonales, romboédricos o hexagonales, solo dos componentes tensoriales
independientes (χ 11 e y χ 33 e). La polarización y la susceptibilidad pueden determinarse midiendo y
comparando las capacidades C de un condensador con un dieléctrico (C) y un condensador vacío (C 0,
en vacío). La relación C / C 0 determina la permitividad dieléctrica relativa ε r = ε / ε 0, donde ε es la
permitividad del dieléctrico y ε 0 es la constante dieléctrica absoluta del vacío. Para el caso isotrópico,
la susceptibilidad χ e y la permitividad dieléctrica relativa ε r están relacionados por

Hence, ambos

ε son tensores de segundo rango y unen el vector de la fuerza de campo eléctrico E y el vector de
desplazamiento dieléctrico D por

DEE == ε ε ε 0 r (8.3a)

y con las ecuaciones (8.1) y (8.2)

DEP = + ε 0 . (8.3b)

De la ec. (8.3a) se deduce que el desplazamiento dieléctrico D y, por lo tanto, la polarización P se

reducen a cero cuando desaparece el campo eléctrico. Sin embargo, hay cristales que muestran una
polarización espontánea llamada P s ya en ausencia de un campo eléctrico, causada por la presencia
de direcciones singulares (polares) en sus estructuras cristalinas. Esto sucede en los diez grupos de
simetría 1, m,2, mm2, 3, 3m, 4, 4 mm, 6 y 6 mm (Tabla 8.3). Es importante para cualquier otro
Consideraciones a tener en cuenta que la polarización espontánea también puede ocurrir en
cerámicas policristalinas con un grupo de simetría polar si existe una disposición orientada de
cristalitos alineados por una textura preferida para producir una función de distribución de
polarización (Jones, 2010).

La magnitud de la polarización espontánea depende de la temperatura.

dd Pp s = ∗ T, (8.4)

donde p * es el coeficiente piroeléctrico "verdadero". El cambio de polarización espontánea provoca

un desplazamiento de carga en respuesta al cambio de temperatura; es decir, los extremos opuestos
de un eje polar tendrán una carga diferente, un fenómeno denominado "efecto piroeléctrico". La
verdadera pirolectricidad (ver Sección 8.5.1) ocurre en cristales que carecen de un centro de simetría
y tienen ejes polares únicos, como se observa en los diez grupos de puntos en la parte inferior de la
Tabla 8 .3.

Por otro lado, todos los grupos de puntos sin un centro de simetría muestran el efecto piezoeléctrico,
con la excepción de 432, cuya alta simetría general parece evitar la deslocalización de la carga. Los 20
grupos de puntos piezoeléctricos están encerrados por una línea continua (ver Tabla 8 .3).

Algunos piroeléctricos tienen una propiedad adicional, ya que la dirección de la polarización

espontánea se puede cambiar aplicando un campo eléctrico externo o una tensión mecánica. Los
primeros materiales se denominan ferroeléctricos, y los últimos ferroelásticos. A este respecto, tanto
la ferro electricidad como la ferroelasticidad son casos especiales de piroelectricidad.

Los cambios en las direcciones de polarización pueden explicarse invocando el concepto de

polarización, α, de iones. Esta cantidad relaciona el momento dipolar p con la fuerza de campo local
E L que está asociada con la deformación de las capas orbitales de electrones de iones individuales:

pE = ⋅ α L (8.4a)

Según Heywang (1951), la polarizabilidad efectiva en cristales de estructura de perovskita (cúbica)

puede expresarse mediante

α α α α γ α = + + + A B O O 3, (8.5)

donde los subíndices A, B y O se refieren, respectivamente, a las polarizaciones electrónicas y de

desplazamiento combinadas de los iones A, B y oxígeno. El factor complejo γ (factor de Lorentz)
considera las interacciones de Coulomb a largo plazo en estructuras con un entorno no cúbico, y
contiene los factores de escala p = 0,69 y q = 2.39 para producir

γ = + () [] () + [] ++ () qp pqpp B * O * -A * [O * -O * B * A * O * 3 2 2 3 1 222, (8.6)

con A * = α A / ε 0 v, B * = α B / ε 0 v, y O * = α O / ε 0 v (donde v es el volumen de la celda unitaria).

Para estructuras con entornos cúbicos, la interacción está dada por la conocida ecuación de Clausius
- Mosotti.

Debido al alto valor de q, la polarización de los iones B, combinada con la alta polarización del oxígeno,
los iones contribuyen en gran medida a la polarización efectiva (total) α. Para el caso del titanato de
bario, A * = 0 .20 conduce a γ = 1 .38 y

ε r (0) = 2 6.6. Sin embargo, un A * muy ligeramente mayor = 0 .21 rinde γ = 1.73 y por lo tanto ε r (0)
→ ∞; es decir, una catástrofe de polarización asociada con una transición de fase ferroeléctrica -
paraeléctrica de segundo orden (“λ” - tipo) en T C (ver Figura 8.2). Este comportamiento se verá
incrementado por el desplazamiento de iones de oxígeno, causando una covalencia dinámica. Esto
último ocurre cuando los sitios B son reemplazados por pequeños iones de metales de transición con
d-rbitales no llenos que "se atornillan" dentro del poliedro de coordinación de oxígeno "c age". Esto
conducirá a enfoques asimétricos de los B-i para iones de oxígeno, y por lo tanto un aumento en la
proporción de la fuerza de enlace covalente. El sistema reacciona a esa situación mediante una
transferencia de carga parcial y, en consecuencia, aparece un momento dipolar adicional, lo que hace
que los B-i se muevan en una estructura de pozo de energía de doble potencial (Figura 8.3), lo que
conduce a un desorden de orden (OD).

transición de fase En los perovskitas basadas en Ti, un campo eléctrico aplicado permite que los iones
Ti 4+ superen la barrera de energía superficial “joroba” entre los dos estados de energía equivalentes
y, en consecuencia, se muevan de un pozo al otro pozo, invirtiendo así la dirección de polaridad. en
esta región reticular. Mediante el acoplamiento cooperativo, se reducirá el incremento de energía
requerido para que una celda unitaria vecina haga la misma transición, y eventualmente todo el
dominio cambiará a la nueva dirección en el paso de bloqueo. Dentro de un dominio, la dirección de
la polarización espontánea es idéntica, pero difiere de un dominio a otro.

Como la orientación de los dominios se puede deducir de la simetría (más alta) de la fase para eléctrica
"un ristotipo", los dominios están estructuralmente relacionados entre sí por planos gemelos
(dominios) que obedecen a las leyes gemelas apropiadas, generalmente dominios de 180 ° (Figura
8.4) . En algunos materiales ferroeléctricos (especialmente titanato de bario), existen también
dominios de 90 ° que se originan a partir de la tensión mecánica asociada con la transición de fase por
el movimiento del dominio, y por lo tanto son inducidos por el efecto ferro elástico (Nord, 1994). No
solo la alta polarización de los iones B, sino también una mayor polarización de los A-i favorecen un
comportamiento ferroeléctrico. Por ejemplo, la temperatura de Curie de PbTiO 3 es
considerablemente más alta (T C = 490 ° C; ver Figura 8.16) que la de BaTiO 3 (T C = 130 ° C), ya que α
A (Pb) = 1.4 α A (Ba). La anarmonicidad de la red de perovskita conduce a una disminución de la
polarización con el aumento de la temperatura (δ ε / δ T <0) y, a su vez, a la desaparición de la
ferroelectricidad a la temperatura de Curie (Figura 8.2). El material se vuelve paraeléctrico, de modo
que la permitividad dieléctrica relativa ε r obedece la ley lineal de Curie-Wiss, ε r = C / (T - T C). El
hecho de que un campo eléctrico puede revertir la dirección de la polarización espontánea por el
movimiento cooperativo de las paredes de dominio, es decir, el ordenamiento colectivo de los
momentos dipolares locales, r equivale a una contribución de energía que el material dieléctrico toma
del campo eléctrico circundante. En un a.c. oscilante campo, la fase .

El cambio entre corriente y voltaje en ausencia de un dieléctrico es exactamente 90 ° (ver Figura 8 .8).
La presencia de un material ferroeléctrico da como resultado un desplazamiento de fase ligeramente
menor de 90 ° - δ, donde δ es el ángulo de pérdida dieléctrica, y 1 / tan δ ≡ Q, el factor de calidad
"eléctrico". El factor Q juega un papel importante en la resonancia eléctrica, ya que la nitidez de la
sintonización aumenta al aumentar el factor Q al disminuir la función de amortiguación. La aplicación
de un fuerte campo eléctrico estático a una cerámica ferroeléctrica policristalina a una temperatura
elevada puede fijar permanentemente la dirección de la orientación del dominio 180 °, es decir, la
dirección de polarización. Este proceso se denomina "poling". La existencia de dominios de 180 ° es
una consecuencia de minimizar la energía electrostática mediante el hermanamiento (ver Figura 8.4).
Por otro lado, un estado multidominio se puede transformar en un estado de dominio único d
aplicando un campo paralelo a una de las direcciones polares; es decir, [100] en el grupo de puntos
tetragonales 4 mm, [110] en el grupo de puntos ortorrómbicos 2 mm, y [111] en el grupo de puntos
trigonales 3 m (ver Figura 8.15). Si se superpone una tensión mecánica en el campo eléctrico, se
pueden crear dominios de 90 ° en materiales tetragonales, y dominios de 71 ° y 109 ° en materiales
romboédricos que reducen la tensión interna. Por el contrario, el campo externo aplicado afectará la
orientación del dominio y, por lo tanto, la tensión interna, para producir un efecto ferroelástico. La
eliminación del polvo puede lograrse elevando la temperatura muy por encima del punto de Curie,
seguido de un enfriamiento rápido sin un campo presente. Al trazar la polarización contra la fuerza
del campo eléctrico se obtiene el ciclo de histéresis típico de un material ferroeléctrico (Figura 8.5;
véase también la Figura 8.10). Después de apagar el campo, se mantendrá una parte de la orientación
del dominio preferencial (polarización remanente). Para eliminar esta polarización remanente, una
electrica inversa se debe aplicar un campo con una fuerza coercitiva E C para reproducir la orientación
original (estadística) del dominio (P = 0). Este comportamiento es análogo al circuito de histéresis de
magnetización (B) - fuerza de campo magnético (H) de materiales ferromagnéticos, y de hecho fue la
razón original para que Valasek (1924) acuñara el término “ferroelectricidad.

Las porciones casi verticales del asa en la Figura 8 .5 corresponden a la inversión de la polarización
espontánea cuando los dominios opuestos de 180 ° se nuclean y crecen. Las porciones horizontales
cercanas a h representan estados saturados de un solo dominio. La polarización remanente (E = 0)
mostrada es de aproximadamente 0.27 C m - 2, la fuerza del campo coercitivo (P = 0) es (-) 0.1 MV m
- 1.

La facilidad con la que se puede combinar la cerámica ferroeléctrica sugiere solo estados estructurales
débilmente estables que permiten transiciones de fase distorsionadas de ferroeléctrico de baja
temperatura a paraeléctrico de alta temperatura, o antiferroeléctrico a estados paraeléctricos
(Carpenter, 1992). En cristales individuales como LiTaO 3, la transición de fase desplazable puede
describirse mecánicamente como un movimiento oscilante del pequeño ion B a través del plano de
los cuatro átomos de oxígeno en el centro del poliedro de coordinación de oxígeno en la red de
perovskita (ver Figura 8. 13)

Aunque, SrTiO 3 per se no es ferroeléctrico incluso a bajas temperaturas, está muy cerca del umbral
ferroeléctrico, por lo que un reemplazo isotópico de oxígeno (16 O → 18 O) o una sustitución parcial
de cationes reduce las fluctuaciones cuánticas y hace que el material sea ferroeléctrico ( Itoh et al.,
1999; Choudhury et al., 2008).

Por lo tanto, la dinámica del fonón en función de la temperatura se discutirá utilizando SrTiO 3 como
sustancia modelo. La frecuencia de los fonones en modo “s oft” (= baja f f) disminuye al acercarse a
la temperatura de transición y “congelarse” a la temperatura de Curie en una configuración polar, es
decir, ferroeléctrica (Figura 8.6).

Como se muestra en la Figura 8 .6, los modos antiferrodistortivos consisten en una rama A 1g no
degenerada y una rama E g doblemente degenerada. Estas ramas colapsan a energía cero en la
transición de fase desde la fase antiferroeléctrica de baja temperatura a la fase paraeléctrica de alta
temperatura cerca de 106 K. En contraste con esto, los modos ferroeléctricos consisten en una rama
A 2u no degenerada y una rama E u doblemente degenerada que están muy juntos en frecuencia.
Estos modos ferroeléctricos se acercan a la frecuencia cero a medida que la temperatura disminuye a
cero Kelvin, pero permanecen finitos ya que el titanato de estroncio puro permanece paraeléctrico a
todas las temperaturas, de modo que su temperatura de Curie extrapolada es inferior a cero (Scott y
Ledbetter, 1 997).

Las altas polarizabilidades de los octaedros de TiO 6 dan como resultado valores anormalmente altos
de las permitibilidades dieléctricas (ver Figura 8.2), así como los coeficientes de acoplamiento
electroóptico, óptico no lineal, piezoeléctrico y electromecánico (Cross, 1 993). Esta es la esencia de
la aplicación técnica de los materiales ferroeléctricos como osciladores ultrasónicos, multiplicadores
de frecuencia acústica y óptica, amplificadores dieléctricos, moduladores de frecuencia acústica y
óptica, interruptores, sensores, actuadores y muchos más. Para cuentas detalladas sobre estas
aplicaciones, ver Uchino (1994, 1996), Cross (1993) y Heywang et al. (2009)

Existe evidencia experimental de que el tamaño de grano de una cerámica ferroeléctrica policristalina
influye fuertemente en las propiedades dieléctricas cruciales, como la permitividad coeficiente de
acoplamiento electromecánico (es decir, la eficiencia de conversión de energía mecánica en energía
eléctrica y viceversa) y, en particular, el comportamiento electroóptico. La figura 8.7 a muestra un
ejemplo de la dependencia de la permitividad dieléctrica relativa ε r de BaTiO 3 en el tamaño de grano
entre 1 y 50 μm. Claramente, Se ve que ε r aumenta fuertemente con la disminución del tamaño de
grano en TC, y también aumenta en la vecindad de la transición de fase tetragonal-o orthorombica
(MPB) alrededor de 0 ° C, elevando así el nivel de permitividad por debajo de T C. Para cristales muy
pequeños, sin embargo, el TC disminuye (Kniepkamp y Heywang, 1954; Anliker et al., 1952). Para
lograr tamaños de grano pequeños durante la sinterización convencional de polvo sólido, el dopaje
juega un papel importante, ya que la sustitución con iones de valencia más altos (por ejemplo, La 3+
para Ba 2+ y Nb 5+ para Ti 4+) inhibe el crecimiento del grano. La Figura 8.7 b muestra que la
tetragonalidad (c / a) de BaTiO 3 disminuye al disminuir el tamaño de partícula hasta cerca de 100
nm, cuando la fase cúbica es estable y la ferro electricidad deja de existir.

Parámetros dieléctricos característicos

Las propiedades útiles de un material cerámico dieléctrico, es decir, sus cifras de mérito, y en
particular para aplicaciones de microondas (consulte la Sección 8.4), se pueden describir mediante:

• la permitividad dieléctrica, expresada por la constante dieléctrica ε;

• el ángulo de pérdida dieléctrica ô, expresado por el factor de calidad ("Q") (Q = 1 / tan ô); y

• el coeficiente de temperatura de la frecuencia de resonancia τ f.

La pérdida eléctrica es causada por la interacción de un campo eléctrico externo con el material
cerámico dieléctrico. La inversión de la dirección de polarización espontánea por un movimiento
cooperativo de las paredes del dominio requiere una contribución de energía que el material
dieléctrico toma del campo eléctrico circundante. En un a.c. oscilante campo, el cambio de fase entre
la corriente I y el voltaje U en ausencia de un dieléctrico es exactamente 90 ° (Figura 8.8). La presencia
de un material dieléctrico da como resultado un desplazamiento de fase ligeramente menor de (90 °
- δ), donde δ es el ángulo de pérdida dieléctrica, y 1 / tan δ ≡ Q. El factor Q juega un papel importante
en la resonancia eléctrica, ya que la nitidez de la sintonización aumenta al aumentar el factor Q al
disminuir la función de amortiguación.

Una cerámica dieléctrica deseable debe tener:

• una constante dieléctrica alta superior a ε = 100, ya que el tamaño requerido de un resonador es
proporcional a 1 ε (Figura 8 .36); es decir, un alto valor de ε conduce a una miniaturización del
dispositivo;

• un actor de alto Q-f; es decir, una baja pérdida dieléctrica; y

• un coeficiente de temperatura cero de la frecuencia de resonancia para lograr la estabilidad de

temperatura del dispositivo.

Cuando se aplica un campo eléctrico a un material cerámico dieléctrico, las cargas eléctricas dentro
del material cambiarán y se induce una polarización que es proporcional a la fuerza del campo
eléctrico. Dependiendo del tamaño de la región afectada, se pueden distinguir cinco modos diferentes
de polarización: polarización de electrones, e; polarización de iones, ε i; polarización dipolo, ε d;
polarización de carga espacial y de superficie, ε s; y polarización de orientación, ε o. Mientras que los
primeros cuatro modos de polarización son invariables por temperatura, la magnitud de la
polarización de orientación, es decir, la alineación de los dipolos en la dirección de un campo eléctrico
es inversamente proporcional a la temperatura.

En presencia de una corriente alterna, la polarización del material puede seguir los cambios del campo
eléctrico solo en la región de frecuencia más baja. A medida que aumenta la frecuencia, la polarización
ya no puede seguir los cambios del campo y, en consecuencia, se produce una dispersión de la
permitividad dieléctrica con una frecuencia creciente (Figura 8.9).

8.3 Cerámica ferroeléctrica

El fenómeno físico de la ferroelectricidad, inicialmente denominado electricidad Seignette, se

descubrió primero en el tetrahidrato de tartrato de sodio y potasio (sal de Rochelle o Seignette), y
más tarde en analogía con el comportamiento ferromagnético de la ferroelectricidad acuñada por
Valasek (1924). Su historia se enumera en la Tabla 8.4, que muestra el cambio impresionante de una
propiedad aislada curiosa a un material de ingeniería cerámica extendido y económicamente
enormemente importante y prometedor (Cross y Newnham, 1987).

Los intensos esfuerzos de investigación y desarrollo llevados a cabo durante los últimos cincuenta
años han revelado cuatro tipos principales de estructura con propiedades ferroeléctricas:

• Estructuras octaédricas que arman las esquinas (perovskitas verdaderas como BaTiO 3, BT; Pb
(ZrxTi1 - x) O3, PZT; Pb (Mg 1/3 Nb 2/3) O 3, PMN; estructuras de tipo bronce de tungsteno, como
PbNb 2 O 6; estructuras de capa de óxido de bismuto (fases de Aurivillius) tales como Bi 4 Ti 3 O 12 y
PbBi 2 Nb 2 O 9; y estructuras relacionadas con perovskite como LiNbO 3 y LiTaO 3.

• Compuestos que contienen radicales unidos por hidrógeno, como KH 2 PO 4 (KDP), sulfato de
riglicina (T GS) y sal de Rochelle.

• Polímeros orgánicos, como el fluoruro de polivinilideno [PVDF; (CH 2 CF 2) n] y sus copolímeros con
trifluoroetileno.

• Compuestos de polímeros cerámicos (ver Newnham et al., 1980; Janas y Safari, 1995). Las
estructuras cristalinas y los principios funcionales de estos materiales ferroeléctricos han sido
descritos por Safari et al. (1996)

Por definición, los ferroeléctricos, es decir, los materiales que muestran una o más fases
ferroeléctricas en un rango realizable de presión y temperatura, son materiales en los que, en la fase
ferroeléctrica, el cristal se polariza espontáneamente eléctricamente y la polarización tiene más de
una posible. orientación de equilibrio que da como resultado una estructura de dominio. Para
establecer la verdadera ferroelectricidad en un material, debe confirmarse que la polarización puede
reorientarse entre los diferentes estados de orientación (dominio) mediante un campo eléctrico
realizable.

La realineación de dominios por un campo eléctrico externo se acompaña de una deformación. El eje
principal de deformación es paralelo al campo; es decir, una varilla de cristal muestra un alargamiento
en un pequeño porcentaje paralelo y un acortamiento perpendicular a la dirección del campo. La
aplicación de un campo eléctrico fuerte a una cerámica ferroeléctrica policristalina da como resultado
la reorientación del dominio. Sin embargo, después de retirar el campo, una parte de la orientación
preferencial será retenida por el material (polarización remanente), un efecto que es completamente
análogo a la magnetización remanente de un material ferromagnético; en otras palabras, existe un
ciclo de histéresis (Figura 8.10). Para eliminar la orientación del dominio, se debe aplicar un campo
inverso con una fuerza de campo coercitivo E c que reproduzca la orientación del dominio original
(estadística) y reduzca la polarización a P = 0.

La deformación total S = Δ l / l de un material ferroeléctrico sometido a un ciclo de histéresis puede

describirse mediante el denominado "ciclo de vuelo completo" (Figura 8.11). A fuerzas de campo altas
E hay saturación; es decir, los dominios ferroeléctricos muestran una orientación máxima y, por lo
tanto, saturación, polarización P s.

La aplicación de un d.c. muy fuerte El campo a temperatura elevada, tal como se observó durante el
poling, indujo propiedades piezoeléctricas en la cerámica ferroeléctrica policristalina al fijar
permanentemente la dirección de polarización. El cambio de deformación asociado con la inversión
del dominio en una cerámica ferroeléctrica se muestra esquemáticamente en la Figura 8 .12, donde
las flechas delinean la dirección de polarización. Cabe señalar que después de un bucle completo de
1 a 5, la dirección de polarización de los dominios individuales se ha invertido exactamente.

Recientemente, se han realizado extensas investigaciones con el objetivo de desarrollar materiales

cerámicos ferroeléctricos y piezoeléctricos sin plomo; Esto fue en respuesta a la legislación
introducida por varios países para eliminar PZT y otras cerámicas basadas en plomo. Por ejemplo,
<001> - texturado (K x Na 1 -x) NbO 3 (KNN) con una estructura de perovskita muestra una
deformación inducida en el campo comparable a la del actuador típico PZT, con una alta constante
piezoeléctrica de hasta d 33 = 416 pC N - 1 (Saito et al., 2004). La adición de ayudas de sinterización
como K 5. 4 Cu 1.3 Ta 10 O 29 a KNN da como resultado un material con Q m> 6 80, un coeficiente de
acoplamiento electromecánico kp = 0.45, d 33 = 160 pC N - 1, y un TC alrededor de 420 ° C (Matsubara
et al. , 2 005). El dopaje de KNN con Li, Sb, Ta, Ag, Sr, Ba y Ca permite adaptar las propiedades
dieléctricas y el rendimiento electromecánico.

Titanato de bario (B T)

Muchas cerámicas ferroeléctricas importantes se basan en la estructura de perovskita (pseudo)

cúbica con la fórmula general ABX 3 (Figura 8.13), con X = O (oxígeno). Esta estructura consiste en
grandes cationes tipo A con baja valencia (K +, Na +, Ca 2+, Sr 2+, Ba 2+, Pb 2+, La 3+, Bi 3+ y otros)
situados en las esquinas de la celda unitaria cúbica y pequeños cationes tipo B altamente cargados
(Nb 5+, Ta 5+, Ti 4+, Zr 4+, Sn 4+, Ga 3+ y otros) en el centro de la celda unitaria cúbica, rodeados
octaédricamente por seis iones de oxígeno que ocupan los centros de las caras de la celda unitaria
cúbica. En las perovskitas de titanato, los octaedros [TiO 6] forman cadenas paralelas a la dirección z
cristalográfica (Figura 8.14), mientras que los sitios A y B pueden estar ocupados por cationes de
diferentes valencias, lo que conduce a perovskitas complejas. Por ejemplo, la sustitución del catión B-
s ite Ti 4+ por 1 / 3Mg 2+ + 2 / 3Nb 5+ y el catión del sitio A por Pb 2+ conduce al importante relajante
cerámico ferroeléctrico PMN (niobato de magnesio y plomo; ver Sección 8 .3.3). Por otro lado, las
posiciones A pueden ser compartidas por iones diferentes como Na + y Bi 3+, produciendo el complejo
de relajación ferroeléctrica cerámica B NT (titanato de sodio ismuth b) (Hosono et al., 2001;
Pookmanee et al., 2001; Pookmanee et al., 2003; ver Sección 8.3.3).

La estabilidad de la estructura del perovskita depende del factor de tolerancia de Goldschmidt r r r r

A O B O + () + () 2, con 0.7 <t <1 .2. Para los factores de tolerancia fuera de este rango, la estructura
no perovskita es estable, incluidas las estructuras de tipo pirocloro A 2 B 2 X 6 Z, las fases de Aurivillius
(Aurivillius, 1949) o las estructuras de tipo tetragonal de bronce de tungsteno (TTB) Ba 2 MTi 2 X 3 O
15 (M = Ln, Bi; X = Nb, Ta) (Stennett et al., 2005). A fases de urivillius del tipo Bi 2 A n- 1 B n O 3 n +3
(n = 1 - 5) son óxidos de bismuto en capas que pueden describirse estructuralmente como
crecimientos de capas de fluoruro tipo (Bi 2 O 2) 2+ con perovskita (A norte - 1 B n O 3 n +3) 2 - capas
(Blake et al., 1 997). Ejemplos típicos son Bi 2 WO 6 (n = 1), Bi 2 SrTa 2 O 9 (n = 2) y Bi 4 Ti 3 O 12 (n =
3).

A s es evidente a partir de la Figura 8 .14b, el desplazamiento de la B-acción desde el centro del

octaedro de oxígeno en la dirección z-d a una temperatura inferior a TC introduce una distribución de
carga asimétrica dentro del poliedro de coordinación, y por lo tanto induce polarización espontánea,
cuya dirección puede ser invertida por un campo eléctrico exterior.

La figura 8.15 muestra las relaciones de simetría dependientes de la temperatura del titanato de bario,
una de las cerámicas ferroeléctricas más investigadas. Desplazamiento del ion Ti 4+ desde el centro
del poliedro de coordinación en dirección z-d <001> provoca una distorsión de la simetría cúbica
original mm 3 (grupo espacial Pm m 3, No. 221) a una simetría tetragonal de 4 mm (grupo espacial
P4mm, No. 99) por debajo de 130 ° C (ver Figura 8.14 b). Sin embargo, aún se han observado otras
transiciones de fase en BaTiO 3. A aproximadamente 0 ° C, la distorsión a lo largo de la diagonal de la
cara <110> cambia el grupo de simetría a ortorrómbico (pseudo-monoclínico) 2 mm (grupo espacial
A2mm, No. 38), mientras que a - 90 ° C la distorsión a lo largo de la diagonal del espacio <111> cambia
el grupo de simetría general a romboédrica 3m (grupo espacial R3m, No. 160). Dado que los grupos
espaciales mencionados son subgrupos de Pm m 3 (el "aristotipo" según Megaw, 1973), surge un
llamado "árbol genealógico" perovskita (B ä rnighaus, 1979). La naturaleza eléctrica de la fase cúbica
de alta temperatura con una simetría de mm 3 por encima de T C = 130 ° C es paraeléctrica.

Circonato de plomo / Titanato de plomo (P ZT)

Las relaciones estructurales en cerámica ferroeléctrica se pueden explicar más claramente utilizando
el sistema de solución sólida ferroeléctrica (y piezoeléctrica) de Pb (Zrx Ti 1 -x) O3
Cúbico (titanato de circonato de plomo, PZT). Los dos miembros finales son: PbTiO 3, que
experimenta, a 490 ° C, una transición de fase simple de una fase cúbica paraeléctrica a una fase
tetragonal ferroeléctrica; y PbZrO 3, que se comporta de una manera más compleja, teniendo una
transición de fase cúbica a una fase ortorrómbica antiferroeléctrica. La sustitución de Zr por Ti
produce fases ferroeléctricas romboédricas de baja y alta temperatura. La figura 8 .16 muestra el
diagrama de fase del sistema de solución sólida Pb (Zrx Ti 1 -x) O 3. Debajo de T C, el campo de fase
de los estados ferroeléctricos está separado por una línea casi vertical, el MPB.

El término "orofotropismo" fue introducido por el cristalogógrafo alemán Ritter von Groth ya en 1870,
y se ha definido como un cambio estructural introducido por la sustitución química (von Groth, 1870).
El diagrama de fase morfotrópica que se muestra en la Figura 8 .16 pertenece al tipo IV (Heaney, 2
000), en el que los grupos espaciales de las fases ferroeléctricas de baja temperatura son subgrupos
de la fase paraeléctrica de alta temperatura. Amplios estudios han confirmado que, en las
proximidades del MPB, propiedades como la susceptibilidad eléctrica χ e - y, por lo tanto, la
permitividad dieléctrica ε - alcanzan valores anormalmente altos (véase la Figura 8.2). Esto
generalmente se explica por la gran cantidad de posibles direcciones de polarización. Mientras que,
en la región de la estructura tetragonal ferroeléctrica solo existen seis posibles orientaciones de
dominio (que se ajustan a las seis direcciones <100>) y en la región de la estructura romboédrica
existen ocho orientaciones proporcionales a las ocho direcciones <111>, cerca del MPB los dominios
ferroeléctricos adoptan catorce orientaciones (6 + 8) para la alineación durante el sondeo (Heywang,
1965; Heywanget al. , 2 009). Dado que, en los límites de fase, existe una tendencia natural a la
atómico reordenamiento, los materiales ferroeléctricos interactuarán fuertemente con un campo
eléctrico externo, de modo que los valores máximos de las propiedades ferroeléctricas y
piezoeléctricas se obtienen a lo largo del MPB (ver más abajo).

Cerámica Ferroeléctrica Relajante

En contraste con la ferroeléctrica clásica, con una transición de fase aguda en TC y a lo largo del MPB,
las cerámicas relajantes respectivamente se caracterizan por una transición de fase OD difusa sin
ningún cambio en la simetría macroscópica, un bucle de histéresis delgado (a diferencia de la
histéresis amplia en la clásica ferroeléctricos; véanse las Figuras 8.5 y 8 .10), y los pequeños campos
coercitivos asociados EC, así como las pequeñas polarizaciones remanentes (PR) y espontáneas (PS).
Lo más importante es que la polarización de la cerámica de relajación no se desvanece a T C, sino que
conserva valores finitos hasta una temperatura más alta, denominada temperatura de quemaduras
(T B), como se muestra esquemáticamente en la figura 8 .17. La permitividad dieléctrica de las
cerámicas relajantes alcanza un valor máximo a una temperatura T max para una frecuencia particular
y, a medida que esta frecuencia aumenta, T max también aumenta. La dependencia de la temperatura
de ε R no obedece la ley de Curie-Weiss justo por encima de T max, sino solo más allá de T B donde T
B> T max. A diferencia de la transformación de fase desplazante en la ferroeléctrica clásica, la
transición difusa en la cerámica de relajación no implica ningún cambio en la simetría macroscópica,
y no es ni de primer orden ni de segundo orden.

La razón de estas diferencias se atribuye a la existencia de dominios de tamaño nanométrico

(denominadas "regiones polares") en las que, de hecho, se puede observar un ciclo de histéresis y
cambios de simetría. En las perovskitas de tipo ABO 3, la sustitución de iones de diferentes valencias,
tamaños y polarizaciones en los sitios A y B produce una variedad de efectos dipolares que pueden
introducir un grado de desorden suficientemente alto. Este trastorno rompe la simetría de transición
y por lo tanto evita la formación de estados de dominio ordenados a largo plazo.

Por ejemplo, en el relajante típico de cerámica, plomo, niobato de magnesio (PMN; Pb [Mg 1/3 Nb
2/3] O 3), el trastorno se genera por las diferencias en valencia, radios iónicos, y electronegatividades
de los cationes del sitio B Mg y Nb. Esto da como resultado dominios nanométricos de naturaleza
químicamente diferente. Debido a los movimientos térmicos cercanos a la transición de fase de OD
ferroeléctrica difusa, también existen fluctuaciones de polarización entre estos dominios. Dado que
los dipolos estrechamente acoplados dentro de los dominios nanosio ricos en niobio actúan como
superparaeléctricos, su reorientación bajo la influencia de las variaciones de temperatura, causadas
por el campo eléctrico circundante, produce grandes permisos dieléctricos y grandes efectos
electroestrictivos. Este es un sello distintivo de la cerámica de relajación ferroeléctrica. Igualmente,
en los relajantes de titanato de circonato de lantano y plomo (PLZT), la sustitución de La 3+ por Pb 2+
en los sitios A produce vacantes de Pb 2+ distribuidas al azar. En el titanato de bismuto y sodio (BNT;
[BiNa] Ti 2 O 6), el reemplazo de Bi 3+ por Na + crea desequilibrios de carga y vacantes. Cerámica con
composiciones Ba 1 -x Na x Ti 1 - x Nb x O 3 son ferroeléctricos clásicos (para 0 ≤ x ≤ 0.075),
ferroeléctricos o antiferroeléctricos (para 0.055 ≤ x ≤ 1) o ferroeléctricos relajantes (para 0.075 ≤ x ≤
0 .055) con una temperatura de transición difusa sin ninguna frecuencia dispersión. El
comportamiento de los relajantes aumenta con el aumento de la desviación compositiva de BaTiO 3
y NaNbO 3 (Khemahem et al., 2000)

En conclusión, las cerámicas relajantes complejas de perovskita se caracterizan por un rango muy
difuso de la transición de fase ferroeléctrica-p araeléctrica OD, debido a las fluctuaciones
composicionales nanoscópicas. El tamaño de dominio mínimo que aún mantiene fenómenos
cooperativos que conducen al comportamiento ferroeléctrico es la llamada región de Känzig (Kän zig,
1 951), y es del orden de 10 a 100 nm en PMN. A diferencia de las cerámicas ferroeléctricas normales,
las cerámicas relajantes muestran una dependencia de la frecuencia de la permitividad dieléctrica, así
como de la tangente de pérdida dieléctrica, que presumiblemente es causada por la estructura
localmente desordenada que crea pozos múltiples y poco profundos. Las propiedades del material
relajante ferroeléctrico BNT, (BiNa) Ti 2 O 6 se describen con más detalle a continuación. Este material
es de gran interés, ya que el reemplazo de electrocerámicas que contienen plomo constituiría una
ventaja ambiental. Además, aliviaría la necesidad de controlar la presión parcial de óxido de plomo
durante la síntesis de óxido mixto de perovskitas a base de plomo como PMN o PZN (Moulson y
Herbert, 2003). Sin embargo, estas ventajas están limitadas por la alta fuerza de campo coercitivo E C
de 73 kV cm - 1 (Nagata y Takenaga, 1997) que se sabe que causa problemas durante el sondeo
(Herabut y Safari, 1997). También hay una fuerte tendencia a que el compuesto se descomponga
durante la sinterización por pérdidas por evaporación de los componentes volátiles de Na y Bi (ver
más abajo). Los análisis de difracción de rayos X en polvo de polvos BNT sintetizados
hidrotermalmente (Pookmanee et al., 2 004) han revelado una fase de perovskita romboédrica con
un grupo de simetría R3m (Pookmanee et al., 2 003). Los patrones de difracción del polvo BNT sin
dopar sinterizado a 1000 ° C durante 1, 2 y 3 h se muestran en la Figura 8 .18 (trazas a, byc,
respectivamente), y los de BNT dopado con 1 a% La 2 a% La sinterizado a 1000 ° C durante 3 h en la
Figura 8 .19 (trazas d y e, respectivamente). La sinterización causó una descomposición sustancial del
BNT sin dopar por la evaporación térmica de Na 2O y Bi 2 O 3 de acuerdo con:
(BiNa)Ti O →Bi Ti O + BiNaTi O + Na O↑ + 2Bi2O3 ↑

De hecho, la sinterización durante 3 ha 1000 ° C destruye completamente la perovskita ferroeléctrica.

fase (BiNa) Ti 2 O 6, y el producto muestra solo los espacios interplanar de fase de pirocloro
paraeléctrico Bi 2 Ti 2 O 7 y el óxido de titanio "relleno" BiNaTi 6 O 14 (Figura 8.18, traza c). En
contraste, el dopaje de BNT con 1 en% La parece estabilizar la fase de perovskita. La traza d en la
figura 8.19 muestra una mezcla de romboédrica ferroeléctrico y tetragonal antiferroeléctrico (BiNa)
Ti 2 O 6 fases, con la este último aparece en el ángulo de ángulo bajo de los espacios interplanar de la
romboédrica fase. Sin embargo, una muestra dopada con 2 en% La reveló adicionalmente pequeña
(pero notable) cantidades de BiNaTi 6 O 14 (traza e en la Figura 8.19), indicando el aparición de
descomposición térmica.

La figura 8.20 a muestra la variación de temperatura de la permitividad dieléctrica de muestras de

BNT sin dopar (curvas a - c), así como de BNT dopado con 1 en% La (curva d) y 2 en% La (curva e),
todos sinterizados a 1000 ° C. Para esto, la frecuencia de medición fue de 10 kHz. Las permitividades
dieléctricas de las muestras no dopadas variaron aproximadamente linealmente con la temperatura,
y por lo tanto siguió el Curie – Weissley. Los bajos valores de permitividad dieléctrica y su variación
casi lineal con temperatura, podría asignarse a la desviación de la perovskita ferroeléctrica
composición, y la creciente presencia de contribuciones paraeléctricas de

Los productos de descomposición que causan un aumento de la conductividad eléctrica. En por otro
lado, en concurrencia con la transición difusa de fase OD desde el antiferroelectrico a la fase
paraelectrica en T C, la permitividad dielectrica de las muestras dopadas con La alcanzaron un máximo
a 350 ° C. La permitividad dieléctrica de BNT dopado con lantano fue más del doble que el de BNT sin
dopar, y fue mayor para 1 en% La (∼ 2300) que para 2 en% La (∼ 2000). El valor más bajo en un se
suponía que la concentración de La más alta estaba relacionada con la superposición de una
deformación creciente de la red romboédrica de BNT hacia a (pseudo) simetría cúbica con
concentración creciente de dopante y el inicio de la temperatura descomposición, produciendo
pequeñas cantidades de BiNaTi 6 O 14 paraeléctrico (como se confirmó por traza e en la Figura 8.19).
Los iones La 3+ ligeramente más grandes (radio iónico 101 pm) fueron sustituyendo iones Bi 3+ (radio
iónico 96 pm) en los sitios A de la red de perovskita para producir un compuesto del tipo (BiNa) 1 -
(3/2) x La 2 x Ti 2 O 6 (0.01 <x <0.02). Más allá de un concentración de dopante de 2 a% La, la estructura
ferroeléctrica romboédrica fue visto para transformarse en una estructura paraeléctrica (pseudo)
cúbica, debido al aumento cepa de celosía (Nagata y Takenaga, 1997). La figura 8.20 b muestra el
dieléctrico.

Tangente de pérdida de las muestras medidas a una frecuencia de 10 kHz. Para los no dopados BNT
sinterizado durante 1 y 2 h (curvas ayb), la tangente de pérdida aumentó algo con temperaturas
superiores a 350 ° C. Sin embargo, la tangente de pérdida aumentó fuertemente durante BNT sin
dopar sinterizado durante 3 h (curva c), en concurrencia con un aumento térmico descomposición
que condujo a la desaparición de la fase ferroeléctrica según a la ecuación (8.7). Por otro lado, las
tangentes de pérdida de BNT dopadas con La (curvas d y e en la Figura 8.20 b) y sinterizado a 1000 °
C por hasta 3 h se mantuvo bajo, lo que indica Una estabilización estructural de la fase de perovskita
ferroeléctrica.Se puede obtener información reciente más detallada sobre la cerámica del relajante
ferroeléctrico obtenido de Ye (2008). Cerámica sin plomo BaFe 0.5 Nb 0.5 O 3 con propiedades
multiferroicas fueron desarrollados por Bochenek et al. (2009)

Cerámica de microondas

Ingeniería de Límites de Granos

Sin excepción, las cerámicas dieléctricas son semiconductores, lo que significa que posee una alta
resistencia dentro de la región límite del grano pero una baja resistencia dentro de los granos de
cristal. Cuando se aplica un campo externo, la mayor parte se concentrará en la región de alta
resistencia; por lo tanto, los límites de grano controlan el movimiento de electrones, con la
consecuencia de que cualquier alteración de la composición y la microestructura de la región límite
del grano es muy importante ya que puede conducen a cerámica dieléctrica con permisos mejorados,
factores Q, constantes de tiempo, y coeficientes de temperatura tanto de la permisividad como de la
resonancia frecuencia.

La figura 8.21 muestra una microestructura cerámica típica (a) con impurezas y poros. Dentro del
grano de microcristales y a lo largo de los límites de grano, así como el límite de grano depósitos
divididos (b). Límite de grano: depósitos divididos de espesor entre 20 Å y aproximadamente 1 μ m
consisten en una estratificación iónica de impurezas separadas a lo largo del límite del grano. Como
las impurezas se disuelven fácilmente en los límites del grano, la composición y las fases cristalinas,
respectivamente, en el límite del grano son muy diferentes de las dentro del grano de cristal. Cuando
la cantidad de impurezas aumenta más allá del límite de solución sólida, una fase cristalina separada
precipita en el límite del grano Dichos depósitos difusos tienen espesores de entre 100 Å y 10 μ m, y
son formado por la sinterización de fase líquida (LPS), que ocurre cuando el punto de fusión de El
precipitado es más bajo que la temperatura de sinterización del grano a granel. Finalmente, si la
cantidad de impurezas excede la concentración de saturación de la solución sólida por un amplio
margen, entonces las impurezas particuladas precipitarán en forma granular depósitos entre los
granos (Figura 8.21 b). La figura 8.22 muestra la segregación de impurezas en los límites de grano, la
región con mayor energía que proporciona la fuerza impulsora para la reacción de segregación.

A baja concentración, las impurezas "X" se disuelven en una solución sólida en la matriz. fase "M"
(Figura 8.22 a); sin embargo, al aumentar la concentración, la solubilidad se excederá el límite para
que exista una segunda (o tercera) fase en los límites del grano (Figura 8.22 byc). Un ejemplo
temprano típico de ingeniería de límite de grano ha sido proporcionado por dopaje de tipo n de la
parte interna de los cristalitos de BaTiO 3 con Sb, Nb, La o Bi; y dopaje tipo p de sus capas superficiales
con Cu, Co, Ni, Fe o Mn. Además TiO 2 - capa intermedia rica que separa los cristalitos dopados
conduce a un condensador cerámica (SIBATIT H ™, Siemens) con constante de tiempo mejorada,
resistencia a altas fuerza del campo eléctrico y reproducibilidad (Kniepkamp y Heywang, 1954;
Schmelz y Schwaen, 1978).

Diseño de cerámica de microondas

Para diseñar osciladores de bajo ruido y filtros de microondas de banda estrecha con bajas pérdidas
de inserción, el material del resonador debe tener un alto valor Q (detalles de esto se proporciona en
la Sección 8.7.1). Mientras que el factor Q de los resonadores coaxiales (ver Figura 8.36) generalmente
se limita a valores de menos de 1500, debido a la finita conductividad del electrodo de plata o paladio
- rodio, sustancialmente Se pueden lograr factores Q más altos con resonadores de línea sólida o de
banda usando cerámica materiales con altos valores Q intrínsecos. Hay un enigma, sin embargo, en
que mientras que la permitividad dieléctrica permanece constante con respecto a la frecuencia en la
región de microondas (ver Figura 8.9), tan ô aumenta con el aumento de la frecuencia; es decir, Q
disminuye. Una consecuencia de esto es que el producto de Q y f es aproximadamente Una constante
en la banda de microondas.

Desafortunadamente, dos relaciones fundamentales trabajan en contra de la existencia de un

Cerámica dieléctrica de microondas "ideal":

• La relación inversa ε - Q; es decir, si ε aumenta, Q disminuye rápidamente (Figura 8.23). Esto está
relacionado con el hecho de que Q no es solo una constante de material genérico pero depende en
gran medida de la microestructura que, a su vez, es una función de la tamaño de grano del polvo
cerámico precursor y el procesamiento de la cerámica. Las impurezas a menudo forman fases límite
de grano y defectos en la red que aumentan las pérdidas dieléctricas a través de una relajación de la
polarización de carga espacial en los límites de grano de la cerámica dieléctrica multifásica (Figura
8.24 a), o dispersión de fonones por anarmónico 3: acoplamiento de fonones que implica la
descomposición de una óptica transversal (TO) en dos fonones acústicos térmicos (TA) en un solo -
materiales de fase (Figura 8.24 b),

• La conocida relación de Cockbain (Cockbain y Harrop, 1968) entre ε y τ ε; es decir, a medida que ε
aumenta el coeficiente de temperatura de la permitividad dieléctrica disminuye a valores
fuertemente negativos. Por lo tanto, se requieren estrategias para equilibrar ε, τ ε y Q mediante
ingeniería de límite de grano. Varias rutas hacia materiales con dieléctrico característico mejorado Los
parámetros se describen en la Sección 8.4.1 (véase también Wersing, 1996).

Como se indica en la Sección 8.2.2 y se muestra en la Figura 8.24, ocurren pérdidas dieléctricas en
cerámica simple y multifásica por dispersión de fonones y una relajación de La polarización de carga
espacial en los límites de grano, respectivamente. Un significante La disminución de las pérdidas por
dispersión se puede lograr mediante una reducción del tamaño de grano, como así como la porosidad
de la cerámica policristalina mediante tecnologías apropiadas como precipitación de sol - gel,
prensado isostático en caliente (HIP), deposición de película delgada, o mediante la adición de ayudas
de sinterización junto con una optimización de la sinterización temperatura, presión y tiempo. Por
ejemplo, perovskitas complejas como Ba (Zn 1/3 Ta 2/3) O 3 cuando se dispara a 1350 ° C durante 120
h desarrolla un factor Q de 15 000 pero un valores muy bajos de Q cuando se fijan por solo 2 h. Esto
es causado por el hecho de que el Zn y los átomos de Ta en los sitios B de la red de perovskita forman
una super red que requiere tiempo de desarrollo mediante difusión en estado sólido
comparativamente lenta. En el otro mano, sinterizar a 1650 ° C durante solo 5 minutos conduce a una
estructura perfectamente ordenada con un factor Q extremadamente alto de 35 000 a 10 GHz
(Kawashima et al., 1983).

Dado que los defectos de vacante de oxígeno también tienden a disminuir el factor Q, la atmósfera
de disparo y el recocido posterior al anillo debe considerarse cuidadosamente. Esto es una
reminiscencia de los graves problemas de procesamiento de los superconductores de alta
temperatura (ver Sección 9.7). De hecho, la pérdida dieléctrica en cerámica es análoga a la resistencia.
experimentado por la penetración de flujo en superconductores tipo II.

Se hicieron intentos para mejorar los parámetros dieléctricos ε, Q, τ f y τ ε mediante añadiendo TiO 2
a BaTiO 3 para producir BaTi 4 O 9 y Ba 2 Ti 9 O 20 (Figura 8.25). Las permitividades dieléctricas ε r
están en el rango de 35 a 40, con Q alrededor de 9000 a una frecuencia de resonancia de 4 GHz. Sin
embargo, existe un grave inconveniente en que los coeficientes de temperatura de la permitividad
dieléctrica τ ε son aproximadamente 50 ppm ° C – 1 para BaTi 4 O 9 y 40 ppm ° C - 1 para Ba 2 Ti 9 O
20, y aumentar aún más con el aumento Contenido de TiO 2 a valores positivos muy altos. En
contraste, los factores Q tienden a disminuir a aproximadamente 5000, mucho más bajo que los de
las perovskitas complejas desarrolladas durante la década de 1980. Los coeficientes de temperatura
de la frecuencia de resonancia τ f fueron 20 ppm ° C - 1 para BaTi 4 O 9 (Masse et al., 1971) y 2 ppm °
C - 1 para Ba 2 Ti 9 O 20 (O 'Bryan y Thomson, 1974). Ingeniería de límites de grano dopando BaTi 4 O
9 con tan solo 2% en moles de tungsteno el óxido (WO 3) produce cerámicas con coeficientes de
temperatura de la resonancia frecuencia τ f cerca de cero (Figura 8.26), acompañada de una ligera
disminución en el permitividad dieléctrica y el factor Q (Nishigaki et al., 1988). Microestructural los
estudios revelaron que para 0 <y <0.02 (donde y es la fracción molar de WO 3), el las fases BaTi 4 O 9,
Ba 2 Ti 9 O 20 y BaWO 4 coexisten, mientras que para 0.02 <y <0.04 Ba 2 Ti 9 O 20, BaWO 4 y TiO 2
existen; esto indica que el dopante WO 3 no se disuelve en el estructura de titanato de bario, sino que
forma depósitos de grano de bario tungstate, BaWO 4. Aparentemente, el gran coeficiente de
temperatura positivo de la la frecuencia de resonancia de BaTi 4 O 9 (+20 ppm ° C - 1) será compensada
por la gran valores negativos de τ f de BaWO 4 (- 33 ppm ° C - 1). Esto se expresa por la excelente
correspondencia de los coeficientes medidos con los calculados después de un volumen relación regla
de mezcla τ f = Σ v i · τ fi.

Otro ejemplo instructivo de preocupaciones exitosas de ingeniería de límites de granos el dopaje de

BaTiO 3 con óxidos de estroncio y samario. La figura 8.27 a muestra el diagrama de fase ternario BaTiO
3 - Sm 2 TiO 5 - TiO 2 con el área de interés resaltada; se muestran dos compuestos ternarios
estequiométricos, BaO · Sm 2 O 3 · 3TiO 2 y BaO · Sm 2 O 3 · 5TiO 2. A lo largo del conode entre estas
dos fases, una composición se ha encontrado (Kawashima et al., 1985) correspondiente a (Ba 1 - x Sr
x) O · Sm 2 O 3 · 4.7TiO 2 (x = 0.05) con τ f = 0, ε = 80 y Q = 3700 a una frecuencia de resonancia de 3
GHz (Figura 8.27 b). La microestructura de esta fase no muestra ninguna segregación de estroncio,
sino más bien una solución sólida de Sr en una fase BaSm 2 Ti 5 O 14 con pequeñas cantidades de TiO
2 secundario y Ba 2 Ti 9 O 20. La introducción de neodimio en titanato de bario conduce a un producto
con un alta permitividad dieléctrica de 80, que se atribuye a un BaNd 2 Ti 5 O 14 monofásico (NBT),
análogo a la fase descrita anteriormente en el samario - bario dopado titanato Para mejorar τ ε y bajar
la temperatura de sinterización, titanato de bismuto generalmente se agrega, lo que resulta en una
estructura de dos fases con un bismuto rico y una fase rica en titanio en la interfaz de los granos NBT
(Kolar et al., 1981; Wersing, 1991). Mediante la sustitución de Bi por Ti, dos iones Ti en BaTiO 3 serán
reemplazados por uno de tres - valent y uno de cinco - valent Bi ion para producir Ba 2 [Bi 3+ Bi 5+] O
6 que separa como la fase rica en Bi en los límites de grano junto con TiO 2. Este dopaje resulta en
una disminución sustancial del coeficiente de temperatura de la frecuencia de resonancia se encontró
que alcanzaba ε f ≈ 0 para un grado de sustitución x = 0.34 (Wersing, 1991). Varias estrategias para el
diseño de cerámicas dieléctricas de microondas con alta permitividades, factores Q altos y un
coeficiente de temperatura cercano a cero del frecuencia de resonancia, se enumeran en la Tabla 8.5.

Para permisos> 25, el factor Q más alto se puede obtener con un pedido parcial perovskitas complejas
como Ba (Mg 1/3 Ta 2/3) O 3. Monofásico (ZrTiSn) O 2, así como Las soluciones sólidas como (Ca, Sr)
ZrO 3 o (Ca, Sn) (Li, Nb, Ti) O 3, tienen Q · f - mucho más bajo valores pero τ f valores de cero. Mezclas
de fases con grandes τ f negativas y positivas valores como CaTiO 3 y BaZrO 3, o LaAlO 3 y BaZrO 3
tienen altas permitividades y τ f valores cercanos a cero, pero redujeron drásticamente los factores
Q. Antiferroeléctrico PbZrO 3 dopado con CeO 2 (τ f = - 1100 ppm K - 1) laminado con SrTiO 3
paraeléctrico dopado con NiO y Nb 2 O 5 (τ f = +890 ppm K - 1) produce un material dieléctrico
compuesto con ε = 170, τ f = +87 ppm K - 1, y Q = 1300 a 3 GHz. Los desarrollos futuros se centrarán
en la tecnología de procesamiento de cerámica mejorada para aumentar el factor de calidad, así como
en el desarrollo de sistemas de cristales mixtos en lugar de sistemas homogéneos. Las pérdidas de
inserción de los filtros también pueden ser Drásticamente reducido por la aplicación de tecnología de
película delgada, incluida la superconducción HT películas que funcionan a temperaturas de nitrógeno
líquido (consulte la Sección 9.8.6).

Cerámica piroeléctrica y piezoeléctrica

Los efectos piroeléctricos y piezoeléctricos se pueden visualizar mediante la interacción de energías

térmica y eléctrica, y energías cinética y eléctrica, respectivamente (Figura 8.28). Aquí, el lado que
conecta las esquinas de energía eléctrica y térmica representa el efecto piroeléctrico y no produce
energía cinética, mientras que el lado conectar las esquinas de energía cinética y eléctrica representa
la piezoeléctrica efecto y no produce calor (Figura 8.28, izquierda). Tanto el comportamiento
piezoeléctrico como el piroeléctrico solo son posibles en ferroeléctrico cerámica, o en materiales
polares que se depositan como películas delgadas con textura.

Otros materiales piezoeléctricos requieren su utilización como corte de rodajas de cristal único en
relación fija con los ejes eléctricos, como en el cuarzo α (Bradaczek et al., 1990) y langasita (Bohm et
al., 1999), o como capas depositadas epitaxialmente en sustratos adecuados (Heywang et al., 2009).

Cerámica piroeléctrica

La pirolectricidad es una propiedad inherente a los cristales con ejes polares únicos que son, en
consecuencia, sin un centro de simetría. Sin embargo, a diferencia de la piezoelectricidad no todos los
grupos de simetría (grupos de puntos) que carecen de un centro de simetría son piroeléctrico,
mientras que todos los piroeléctricos también son piezoeléctricos. La mayoría de los piroeléctricos
pertenecen a los dieléctricos lineales ya que la polarización depende linealmente de la campo
eléctrico. Sin embargo, algunos, por ejemplo, KDP y sal Seignette, son no lineales piroeléctricos, es
decir, son ferroeléctricos. Como se muestra en la Tabla 8.3 arriba de los 21 grupos de puntos sin un
centro de simetría solo los 10 grupos 1, 2, m, mm2, 3, 3m, 4, 4 mm, 6 y 6 mm son piroeléctricos. Los
El prototipo de un cristal piroeléctrico es la turmalina con el grupo de puntos 3m, la dirección c de los
cuales es la dirección del eje polar. La figura 8.29 muestra un ditrigonal pirámide como la forma
general {hkil} del grupo de puntos 3m (izquierda) y un cristal de turmalina (derecha). El
comportamiento piroeléctrico como se muestra en la turmalina se caracteriza por el desarrollo de
cargas opuestas en ambos extremos del eje polar durante calentamiento o enfriamiento del cristal
(ver Tabla 8.1), por lo que el poste se vuelve eléctricamente positivo durante el calentamiento se
llama polo análogo, y el otro antilogo polo. La razón de este comportamiento se puede explicar de la
siguiente manera. Un elemento de volumen individual de los espectáculos de cristal de turmalina,
incluso en el ausencia de un campo eléctrico, una polarización eléctrica espontánea debido a la polar
eje. Esta polarización crea cargas superficiales aparentes en los extremos opuestos de la eje polar que,
sin embargo, son compensados por una película de agua adsorbida (y el conductividad del aire
circundante), de modo que a temperatura ambiente estas polarizaciones - no se pueden observar
cargas superficiales inducidas. Cambiando la temperatura cambia también el estado de polarización
[ver Ec. (8.4)] y, a su vez, el desplazamiento densidad de las cargas superficiales aparentes. Solo si el
cambio de temperatura es tan rápido que el saldo de la carga por cargas gratuitas se retrasa (la
película de agua y el aire están mala conducción) se puede observar la separación de carga.

Mientras que los cristales de los grupos de 10 puntos sin un centro de simetría y únicos los ejes polares
se denominan piroeléctricos "verdaderos", existe el fenómeno de "falso" piroelectricidad en la cual
los cristales que no pertenecen a uno de los 10 grupos de puntos pueden desarrollar separación de
carga durante el calentamiento o enfriamiento. Por ejemplo, en calentamiento rápido enfriamiento,
debido a los cristales con el grupo de puntos 32 (como el α-cuarzo piezoeléctrico) ante la ausencia de
un centro de simetría, generar tensiones elásticas dentro del cristal que a su vez producen cargas
piroeléctricos.

Como se describió anteriormente en la Sección 8.2.1, los casos especiales de pirolectricidad incluyen
ferroelectricidad ("Pirolectricidad no lineal") y ferroelasticidad; algunas piroeléctricas demostrar la
propiedad adicional, que la dirección de la polarización espontánea se puede cambiar aplicando un
campo eléctrico exterior o un campo mecánico estrés. Los primeros materiales se denominan
ferroeléctricos, y los últimos ferroelásticos. UNA La correlación entre el comportamiento
ferroeléctrico y piroeléctrico puede ser, por ejemplo, observado en titanato de circonato de plomo
(PZT, Pb (Zr, Ti) O 3) que es ferroeléctrico con un polarización espontánea por debajo de la
temperatura de Curie a 490 ° C (Figura 8.16), como así como piezoeléctrico.

Como la polarización P S depende de la temperatura (ver Figura 8.2), incluso cambios sutiles en la
temperatura pueden ser detectados por cambios igualmente sutiles en voltaje Según este principio,
se pueden diseñar detectores de infrarrojos pasivos (PIR) para detección remota de temperatura por
satélite o avión para la vigilancia ambiental de áreas terrestres y oceánicas, para mediciones de
concentraciones de CO y SO 2 en el aire, para aplicaciones médicas tales como mediciones de piel sin
contacto y cáncer detección y detección remota de temperatura en condiciones adversas como como
campos de alta radiación encontrados en reactores nucleares, así como infrarrojos (IR) alarmas
antirrobo. Como los voltajes registrados son muy bajos, la resistencia del los dispositivos deben ser
de 10 12 Ω o más, para detectar pequeños cambios de intensidad de radiación IR que se destacan
contra un fondo muy ligeramente diferente. Dichos dispositivos son muy sensibles y permiten la
detección de potencia de radiación IR. hasta aproximadamente 10-11 W.

Actualmente se están realizando estudios para desarrollar transductores funcionales para

transformar Energía térmica en energía eléctrica con una potencia de varios W cm - 3 de trabajo
volumen y una eficiencia de> 20%. Los materiales modernos de detección piroeléctrica incluyen
nitruro de galio, nitrato de cesio o equivalente de litio, así como compuestos orgánicos como la
ftalocianina de cobalto o fluoruro de polivinilideno (PVDF) (Lang, 2005). Sensores de desplazamiento
basados en PZT (Lozinski et al., 1998; De Cicco et al., 1999) o PLZT (circonato de lantano y plomo
titanato) (Kongtaweelert et al., 2004) muestran alta sensibilidad y baja pérdida dieléctrica, combinado
con permitividad moderada pero un coeficiente piroeléctrico grande, p *. Mientras muchos
materiales piroeléctricos son monocristales, ferroeléctricos policristalinos delgados las películas
también pueden poseer propiedades de sensor piroeléctrico.

El efecto inverso, es decir, la dependencia de la temperatura de un sistema eléctrico externo. campo

(Δ T = q · E; donde q es el coeficiente electrocalórico) - se usa hoy en día en dispositivos para
enfriamiento electrostático para alcanzar temperaturas cercanas a la temperatura absoluta, según
sea necesario para los experimentos realizados en el Gran Colisionador de Hadrones.

Modelo semicuantitativo de piezoelectricidad

A los hermanos Jacques y Pierre Curie se les atribuye el descubrimiento de la piezoelectricidad. en

varios cristales hemiedric (Curie y Curie, 1880). Hoy, piezoeléctricos se utilizan en acousto -
dispositivos electrónicos y sensores basados en masa y ondas acústicas de superficie, sensores
piezomecánicos para controlar la presión, la potencia y aceleración, como actuadores para
dispositivos de microposicionamiento, filtros de paso de banda con baja pérdidas de inserción, como
dispositivos electroópticos para memorias ópticas, pantallas para alta - televisores de definición, y
posiblemente como membranas de altavoces piezoeléctricas transparentes así como
transformadores y motores piezoeléctricos miniaturizados. Como el clásico piezoeléctrico el material
es α - cuarzo, las relaciones básicas se detallan a continuación utilizándolo como estructura modelo
Más detalles sobre las propiedades piezoeléctricas del cuarzo y de sus La historia, el descubrimiento
y la utilización están disponibles en otros lugares (Ballato, 2009).

Como se muestra en la Tabla 8.1, el efecto piezoeléctrico provoca la creación de cargas en un material
dieléctrico y ferroico, respectivamente, en respuesta a un campo de tensión aplicado. El efecto
opuesto, es decir, la inducción de tensión (deformación) mediante la aplicación de un campo eléctrico
externo: se denomina efecto piezoeléctrico inverso. Piezoelectricidad requiere que no existe un
centro de simetría en la estructura cristalina. Las propiedades piezoeléctricas. de los materiales
cerámicos se describen mediante cuatro parámetros: (i) el desplazamiento dieléctrico D; (ii) la fuerza
del campo eléctrico E; (iii) la tensión aplicada X; y (iv) la cepa (deformación) x. Estos están relacionados
por dos ecuaciones que se aplican a la piezoeléctrica (directa) efecto: D = e · x y E = h · x, y dos
ecuaciones que se aplican a la inversa efecto piezoeléctrico: x = g * · D yx = d * · E. Los cuatro
coeficientes e, h, g * yd * e denominan coeficientes piezoeléctricos.

Los coeficientes de efecto directo están definidos por las derivadas (δ D / δ X) = d (piezoeléctrico
coeficiente de deformación), (δ D / δ x) = e, - (δ E / δ X) = g (constante de tensión piezoeléctrica) y - (δ
E / δ x) = h. Los coeficientes de efecto inverso están definidos por las derivadas (δ x / δ E) = d *, (δ x /
δ D) = g *, - (δ X / δ E) = e *, y - (δ X / δ D) = h *. Como los coeficientes piezoeléctricos son tensores de
rango superior, su tratamiento matemático es bastante tedioso. Por suerte, en cristales simétricos
superiores, el número de componentes tensoriales será reducido drásticamente debido a
restricciones de simetría. Un ejemplo se muestra a continuación. Los materiales dependientes de los
méritos de la cerámica piezoeléctrica son:

• La tensión piezoeléctrica constante d (para actuadores): x = d · E

• La tensión piezoeléctrica constante g (para sensores): E = g · X (g = d / ε, donde ε = permisividad

dieléctrica)

• El factor de acoplamiento electromecánico k (= mecánico o eléctrico almacenado energía / energía

eléctrica o mecánica de entrada), con k 2 = d 2 / ε · ε 0 · s, donde s = cumplimiento elástico)

El coeficiente de transmisión de energía λ (= salida de energía mecánica o eléctrica / energía eléctrica

o mecánica de entrada), con λ ≤ (1/3 - 1/4) · k 2

• La eficiencia η (= energía mecánica o eléctrica de salida / energía eléctrica consumida o energía

mecánica), y

• La impedancia acústica Z, con Z = ρ · v s, donde ρ es la densidad y v s es la velocidad de sonido, o

transferencia de energía acústica Z = (ρ · c) 1/2, donde c es la rigidez elástica, con c = 1 / s.

• La impedancia mecánica Z m = F / v, donde F es la fuerza y v es la velocidad. El titanato de bario

(grupo de puntos 4 mm por debajo de la temperatura de Curie de 130 ° C) tiene la matriz de tensión
constante (reducida) (reducida) (d) matriz.

La multiplicación de matrices produce x 1 = x 2 = d 31 · E 3, x 3 = d 33 · E 3, x 4 = d 15 · E 2, x 5 = d 15 ·

E 1, y x 6 = 0. En consecuencia, una tensión inducida bajo un campo eléctrico E 3 aplicado a lo largo
de el eje c (x 3) conduce a un alargamiento en la dirección c (x 3 = d 33 · E 3, d 33> 0) pero a una
contracción en una dirección - (x 1 = x 2 = d 31 · E 3, d 31 <0). La figura 8.30 muestra la inducida
esfuerzo cortante bajo un campo eléctrico E 1. En este caso particular, x 5 = d 15 · E 1 con d 15> 0 y x
5> 0. Basado en la celda unitaria de α-cuarzo, el mecanismo del efecto piezoeléctrico Se puede
visualizar mediante un modelo semicuantitativo simple. Como consecuencia de un deformación
mecánica, los átomos de silicio y oxígeno cambian de posición un poco con respecto el uno al otro.
Sin embargo, la distancia del vecino directo los átomos permanecen (casi) constantes debido a las
fuertes fuerzas de unión como también expresado por el enfoque estructural basado en el RUM
(modo de unidad rígida) en estructuras estructurales de silicio (Dove et al., 2000). Como se muestra
en la Figura 8.31 (izquierda), en el estado no deformado, los átomos de Si y los pares de átomos de O
2 están al mismo distancia entre sí en un círculo que circunscribe la celda unitaria. Aplicando una
mecánica carga en dirección y se produce un desplazamiento dx que deforma el círculo a un elipse
(Figura 8.31, derecha). Tenga en cuenta que las distancias originales r entre Si y OLos átomos todavía
están retenidos. Como hay una compensación de carga eléctrica en el estado no deformado, el la
polarización P es cero:

Donde V es el volumen de la celda unitaria, M el momento dipolar, q el eléctrico carga (+ 4e para Si, -
4e para el par de átomos de oxígeno), y r la distancia atómica (vector de desplazamiento) El momento
dipolar eléctrico en la dirección x M x puede calcularse utilizando el siguientes relaciones geométricas
(Nowotny et al., 2008):
Como el volumen de la celda unitaria es proporcional al producto de r 2 y la altura L en la dirección z,
V ∝ r 2 · L, y la dilatación en la dirección x es S xx = d x / x = d x 1 / x 1 = d x / r,la polarización se puede
expresar por:

Como la polarización y la dilatación tienen la misma dirección, el efecto se llama efecto piezoeléctrico
longitudinal. Alternativamente, desde la dilatación en dirección y dirección de polarización son
perpendiculares entre sí, el efecto se llama efecto piezoeléctrico transversal, y la polarización se
puede expresar por:

Cristales individuales piezoeléctricos novedosos con estructura CGG

Para operar dispositivos que utilizan materiales piezoeléctricos a temperaturas elevadas, La ausencia
de cualquier transición de fase estructural o eléctrica es obligatoria. Eso Es por esta razón que, a altas
temperaturas, el material piezoeléctrico "estándar" el cuarzo α ya no funciona porque, a 573 ° C, el
cuarzo α (bajo) piezoeléctrico con simetría el grupo 32 sufre una transformación de fase desplazante
a β (alta) - cuarzo con simetría grupo 622. 3) Por otro lado, PZT no puede retener su propiedades
piezoeléctricas a temperaturas superiores a 500 ° C, debido a una ferroeléctrica - transformación de
fase paraeléctrica a la temperatura de Curie (ver Sección 8.3.2). El grupo de materiales con calcio galio
germana (CGG; Ca 3 Ga 2 Ge 4 O 14) la estructura se basa en óxidos ternarios como la langasita (LGS;
La 3 Ga 5 SiO 14) y su compuestos de niobio homólogo ("langanita", LGN) y tántalo ("langataita", LGT),
así como óxidos cuaternarios como el estroncio niobio galio silicio óxido (SNGS) y óxido de silicio de
estroncio tantalio galio (STGS) (Heimann y Hengst, 2004). Lo más importante, estos compuestos
tienen tensión piezoeléctrica coeficientes d que son considerablemente más grandes que los de α-
cuarzo, así como altos coeficientes de acoplamiento electromecánico k 2 (tabla 8.8), pero no muestra
ninguno transición de fase estructural hasta sus puntos de fusión alrededor de 1470 ° C. Estas
propiedades proporcionan excelentes materiales funcionales avanzados para aplicaciones de alta
temperatura.

Por ejemplo, desde la generación de segundo armónico óptico de fase coincidente (SHG) también es
posible en varios compuestos con estructura CGG (como LGN y LGT), actualmente se están realizando
intensos estudios para desarrollar materiales con propiedades optimizadas en términos de
conductividad eléctrica reducida a alta temperatura, una anisotropía más pequeña de expansión
térmica y una temperatura mejorada compensada orientaciones (Heimann et al., 2003a). Sin
embargo, hay un pronunciado aumento en la pérdida dieléctrica por encima de 350 ° C (Stade et al.,
2002) que es más probable inducida por un aumento significativo en la conductividad eléctrica, y esto
limita la energía piezoeléctrica aplicaciones a temperaturas más altas.

Estructura de compuestos CGG

La estructura cristalina de la langasita y sus compuestos homólogos pertenece al tipo de estructura

de CGG con grupo de simetría de punto (clase de cristal) 32, a la que El cuarzo α también pertenece.
Sin embargo, en contraste con el cuarzo α con el enantiomorfo grupos espaciales de, respectivamente
P3 1 21 (zurdo) y P3 2 21 (diestro), el El grupo espacial de langasita es de menor simetría, es decir,
P312 (Kaminski et al., 1983). Este grupo espacial "vacío" no es enantiomórfico en sí mismo, y en
consecuencia, los formularios para diestros y zurdos se han identificado en el mismo espacio grupo
por disposiciones asimétricas apropiadas de los átomos (Heimann et al., 2003a). En consecuencia, los
compuestos de tipo CGG no forman una estructura marco similar al cuarzo con una disposición
helicoidal de tetraedros de SiO 4 a lo largo de los tres pliegues ejes de tornillo 3 1 o 3 2, sino más bien
una estructura en capas de tetraedros GeO 4 en CGG o (Ga, Si) O 4 tetraedros en LGS perpendiculares
al eje c, conectados por sus vértices (Figura 8.32 ayb). Estas capas están conectadas además por
octaédricamente coordinó iones Ge y Ga, respectivamente, así como iones Ca y La, respectivamente
en ocho veces la coordinación. En consecuencia, en contraste con el cuarzo α, los planos base {00.1}
debería ser parte del conjunto de caras de forma de equilibrio. Experimentos de grabado realizado
con ácido ortofosfórico caliente al 85% en Z - cortes de pantalla de langasita hoyos triangulares y de
seis lados bien desarrollados, que confirman la noción de {00.1} ser una cara F en el sentido Hartman
- Perdockian (Hartman y Perdock, 1955; Heimann, 1975).

La fórmula química general de estos compuestos es A 3 BC 3 D 2 O 14. La coordinación el poliedro A

es un decaedro (número de coordinación [8], simetría de puntos grupo 2, posición Wyckoff 3e) y
ocupado por átomos de Ca en CGG, átomos de Sr en SNGS y átomos de La en LGS. El poliedro de
coordinación B es un octaedro. (número de coordinación [6], grupo de simetría de punto 32, posición
de Wyckoff 1a) y ocupado por Ge en CGG, Nb en SNGS y Ga en LGS. El poliedro de coordinación. C es
un tetraedro (número de coordinación [4], simetría de punto grupo 3, Wyckoff posición 3f) y ocupada
por 1/3 Ge + 2/3 Ga en CGG, y Ga en SNGS y LGS. El poliedro de coordinación final D es un tetraedro
(más pequeño) (coordinación número [4], simetría de punto grupo 3, posición Wyckoff 2d) y ocupado
por Ge en CGG, Si en SNGS y 1/2 Ga + 1/2 Si en LGS. Por lo tanto, CGG se puede escribir como Ca 3 Ge
[(Ga 2 Ge) Ge 2 O 14] y LGS como La 3 Ga [Ga 3 (GaSi) O 14], donde el cuadrado los corchetes denotan
la parte coordinada tetraédricamente de la estructura. La ocupaciónde las posiciones de cationes C
en CGG se comparten estadísticamente entre 2/3 Ga y 1/3 Ge iones y las posiciones de catión D en
LGS se comparten estadísticamente entre 1/2 Ga y 1/2 iones de Si (Silvestrova et al. 1987). En SNGS,
Sr 3 Nb [Ga 3 Si 2 O 14] un pedidola simetría existe con todos los sitios estructuralmente distintos
ocupados por átomos diferentes (Takeda et al., 2000). Esta diferencia estructural presumiblemente
imparte importantes diferencias en las propiedades dieléctricas y elásticas de los dos grupos, como
se muestra abajo. Los óxidos ternarios y cuaternarios con estructura CGG brindan amplias
oportunidades para la sustitución isoelectrónica (aliovalente) de cationes. Por lo tanto, no es
sorprendente. que hasta la fecha se han identificado unos sesenta compuestos diferentes, todos los
cuales pertenecer a la familia estructural CGG.

Czochralski Crecimiento de cristales individuales

Los cristales individuales de LGS, LGN, LGT, SNGS y STGS se pueden cultivar hoy con alto perfección
cristalográfica utilizando la técnica convencional de Czochralski (Bohmet al., 1999; Figura 8.33). La
mayoría de los cristales cultivados hasta la fecha han sido diestros. Mientras que la mayoría de los
cristales de LGS, LGN y LGT se cultivaron en dirección c (Z), y por lo tanto muestran una simetría
consistente con la métrica trigonal, esos cristales crecido a lo largo de los ejes eléctricos X [10.0] e Y
[12.0] son asimétricos, ya que los (morfológicos) la simetría del cristal es menor en las últimas
direcciones en comparación con la ex. Los cristales son de naranja a amarillo (LGS, LGN, LGT) o amarillo
(SNGS, STGS) en color, presumiblemente debido a la incorporación de iridio o platino impurezas del
material del crisol u otros elementos de los precursores químicos. A lo largo de la circunferencia de la
parte cilíndrica de las bolas crecidas en Z, como así como en su región del hombro, aparecen seis
facetas simétricas {1010}. En el centro de la parte cilíndrica es visible un núcleo triangular que penetra
todo cristal paralelo a la dirección c, y se cree que se origina de la concurrencia crecimiento de una
faceta de tipo F (0001) morfológicamente importante en el límite de fase entre la fusión y el cristal en
crecimiento. Cabe mencionar que LGS, LGN y LGT se pueden cultivar fácilmente los ejes Z, pero con
mucha más dificultad a lo largo de los ejes cartesianos X e Y, cuando SNGS y STGS crecen
exclusivamente en la dirección X o Y. La razón de esto es aún no está claro, pero puede estar
relacionado con las diferencias estructurales en términos de la perfecta pedido de cationes
mencionado anteriormente.

Los cristales STGS aserrados tienen facetas pequeñas {0001} y grandes {2110}. Dos las caras de la
última orientación se cruzan en el límite de fase (frente de crecimiento) en un borde afilado a lo largo
de la dirección c - (Z -). De esta forma, los cristales crecen atómicamente. límite de fase suave, en
contraste con el modo de crecimiento en las otras direcciones mencionado anteriormente de cristales
de la familia de estructuras CGG o LGS. Esta El comportamiento de crecimiento excepcional en
dirección Y da como resultado estrías de crecimiento rectas a lo largo de toda la longitud del cristal
(Figura 8.33 b; Heimann et al., 2003b).

Propiedades seleccionadas de cristales individuales con estructura CGG

Conductividad eléctrica específica Las conductividades eléctricas específicas σ de LGS, LGN y LGT se
midieron utilizando una técnica de cuatro puntos a temperaturas entre 795 y 1000 K en rodajas de
cristal cortadas perpendicularmente a los ejes Z. La temperatura dependencia de las conductividades
en materiales dieléctricos con un defecto limitado la densidad es causada por estados electrónicos
localizados y, por lo tanto, los datos arrojan línea en una gráfica de ln σ versus 1 / T, cuya pendiente
es una medida de la activación energía Δ E de los portadores de carga en un modelo de transición de
tipo Mott. Estas activación Se encontró que las energías eran 1.1 (LGS), 1.0 (LGN) y 0.9 (LGT) eV,
respectivamente. El aumento bastante fuerte en la conductividad eléctrica (LGS: 10 - 4 Ω - 1 cm - 1 a
530 ° C, 5 × 10 - 3 Ω - 1 cm - 1 a 730 ° C; LGT 10 - 4 Ω - 1 cm - 1 a 600 ° C, 8 × 10 - 4 Ω - 1 cm - 1 a 730 °
C) parece limitar las aplicaciones a alta temperatura de estos materiales.

Actividad óptica Dado que los compuestos con estructura CGG pertenecen a lo excéntrico grupo de
simetría 32 muestran actividad óptica; es decir, rotación del plano de Luz polarizada linealmente. La
figura 8.34 muestra la rotación específica (° mm - 1) de LGS, LGN, LGT y de SNGS y STGS en función de
la longitud de onda. La rotación los ángulos aumentan de forma no lineal hacia longitudes de onda
más cortas, de acuerdo con el efecto de dispersión de rotación normal, y sigue una relación
hiperbólica como se expresa por la ecuación de Boltzmann. Estos ángulos de rotación son
particularmente grandes para SNGS y STGS. Todos los cristales investigados giran en sentido horario,
y por lo tanto son diestros de acuerdo con la notación IEEE (IEEE Standard on Piezoelectricity, 1988).
Las curvas para LGN y LGT son casi idénticas. La dispersión de rotación específica ρ (λ) se puede ajustar
a la ecuación de Boltzmann ρ (λ) = A 1 / λ 2 + A 2 / λ 4 (Tabla 8.6).

Índices de refracción Los principales índices de refracción n (1) (= n (o)) yn (3) (= n (e)) y sus
dispersiones determinadas entre las longitudes de onda de 365 y 2325 nm, se pueden ajustar a una
ecuación de Sellmeier paramétrica de cuatro de la forma n 2 (λ) = A + B / (λ 2 - C) - D λ 2
Coeficientes Piezoeléctricos, Permittividades Dieléctricas y Acoplamiento Electromecánico

Coeficientes

Como ya se describió en detalle en la Sección 8.4.2, las propiedades piezoeléctricas de un cristal no

centrosimétrico puede describirse por sus coeficientes piezoeléctricos clientes (módulos
piezoeléctricos, constantes de deformación piezoeléctricas), d ijk. Estos coeficientes son
componentes de un tensor de tercer rango con ocho componentes que no desaparecen. Los el tensor
se puede escribir en una matriz de 6 × 3 con solo cinco componentes que no desaparezcan para el
grupo de simetría trigonal 32. Por razones de simetría, solo dos los componentes son independientes,
denotados generalmente como d 11 (= d 111) y d 14 (= 2 d 123) (Voigt 's notación). Por lo tanto, el
tensor de tensión piezoeléctrico del grupo de simetría 32 es:

Mientras que d 11 de LGS, LGN y LGT son más del doble, y d 14 más de seis veces el de α - cuarzo,
SNGS se comporta de manera diferente ya que el valor de d 14 está muy cerca de ese de α - cuarzo
(Tabla 8.8). Por otro lado, la alta efectividad electromecánica coeficiente de acoplamiento k2 de SNGS
(Chou et al., 2001), que es casi el doble como los de LGS, LGN o LGT, y cinco veces más alto que el de
α-cuarzo, hace el material es un sustituto interesante de cuarzo o incluso titanato de circonato de
plomo (PZT; k 2 típicamente alrededor de 0.5) en aplicaciones tales como filtros de onda de paso de
banda y transductores Como el coeficiente de acoplamiento determina la eficiencia de conversión de
energía mecánica a energía eléctrica normalizada a la entrada mecánica energía y viceversa, el alto
valor de 0.64% puede pasar fácilmente bandas de hasta aproximadamente 25% de la frecuencia
resonante. Los coeficientes piezoeléctricos d 11 yd 14 disminución entre - 200 ° C y +250 ° C,
posiblemente en relación con el aumento de la electricidad conductividad con temperatura creciente
(Stade et al., 2002). La temperatura muestra la dependencia de la capacitancia (y, por lo tanto, las
permitividades dieléctricas) comportamiento anómalo, en particular a bajas frecuencias. Aumentan
las pérdidas dieléctricas. Fuertemente a bajas frecuencias más allá de aproximadamente 350 ° C; esto
nuevamente sugiere un aumento de la conductividad del material con la temperatura.

Coeficientes elásticos

Los coeficientes de rigidez elástica c ij pueden calcularse a partir de velocidad medida de propagación
de ondas ultrasónicas acústicas a granel, de acuerdo con El método Papadakis (transductor de cuarzo
con frecuencia central de 20 MHz) (Papadakis, 1967), en muestras con forma de barra con orientación
diferente utilizando las ecuaciones dado por Truell et al. (1969) y corregido por las contribuciones
piezoeléctricas (Ljamov, 1983; Ikeda, 1990). Las muestras se orientaron en direcciones axiales XYZ, y
45 ° girado contra los ejes X e Y, respectivamente. Para obtener optimizado valores para los
parámetros de materiales elásticos, los coeficientes de rigidez elástica c ij fueron usado para calcular
y comparar críticamente los resultados de la onda acústica de superficie (SAW)mediciones.

Las ondas acústicas guiadas por superficie (SAW) pueden generarse termoelásticamente medianteun
rayo láser enfocado por una lente cilíndrica sobre la superficie del material, y Sus velocidades
ultrasónicas se miden utilizando una lámina piezoeléctrica de poli (vinilideno flúor). Para aumentar la
eficiencia de absorción ultravioleta (UV), las muestras son recubierto con una capa de Al de 50 nm, ya
que son casi transparentes a la longitud de onda del láser elegido. Datos de dispersión de velocidad
de fase angular para SAW en un corte X y para pseudo ("fuga") - ondas acústicas de superficie s (PSAW
s) en un corte Z se midieron LGS, LGN y LGT por Bohm et al. (2000) y Chilla et al. (2002) y para SNGS
por Heimann et al. (2002) y Chilla et al. (2003) Los componentes de rigidez elástica son
considerablemente más pequeños para SNGS en comparación a LGS, LGN y LGT. En particular, el
componente tensor muy pequeño c 14 para SNGS ha sido confirmado por varias mediciones
independientes. Aunque la razón porque esto aún no está claro, puede referirse a la disposición
ordenada de los átomos en la estructura cuaternaria del SNGS, en oposición a la estructura estadística
del ternariocompuestos LGS, LGN y LGT.

Sinopsis

Cristales individuales de compuestos ternarios y cuaternarios con CGG las estructuras comparten con
el material piezoeléctrico "estándar" α - cuarzo el grupo de simetría excéntrica 32, pero con un grupo
espacial diferente (P312 en oposición a P3 1 21 y P3 2 21, respectivamente). Hoy, cristales individuales
de alta calidad de LGS, LGN y LGT, como así como de SNGS y STGS, se pueden cultivar utilizando el
método Czochalski. El piezoeléctrico las constantes de deformación d 11 yd 14 de estos compuestos
son considerablemente más grandes que los de α - cuarzo. Junto con un acoplamiento
electromecánico moderadamente alto coeficientes y Q mecánica, así como la ausencia de una
transformación de fase destructiva entre - 200 ° C y los puntos de fusión a aproximadamente 1470 °
C, estos compuestos representar materiales novedosos potenciales para sensores y actuadores que
operan en temperaturas elevadas. El gran coeficiente de acoplamiento electromecánico efectivo de
SNGS apunta a una conversión muy eficiente de energía mecánica a eléctrica energía, y por lo tanto
sugiere una aplicación para filtros de paso de banda estrecha con baja pérdidas por inserción (ver
Sección 8.6.1). Del mismo modo, los valores inusualmente altos de la rotación óptica específica, junto
con una alta transparencia, alto coeficiente piezoeléctrico clientes, propiedades electroópticas y la
existencia de un SHG óptico de fase coincidente en LGN y LGT, sugiera aplicaciones únicas que
incluyen la duplicación y mezcla de frecuencias aplicadas a dispositivos operados a temperaturas
elevadas. Los dispersión angular de las velocidades de fase de SAW (Inoue y Sato, 1998) y un El efecto
moderado de Faraday hace que los miembros investigados de la familia CGG sean interesantes
contendientes por sensores novedosos en aplicaciones ambientalmente desafiantes.

Electro - Cerámica Óptica

Muchos cristales dieléctricos se aplican actualmente como transductores ópticos utilizando el efecto
Faraday (rotación del plano de polarización de la luz por un campo magnético), la electro - y
magnetogyration (cambio de actividad óptica por una constante o tiempo - campo eléctrico o
magnético variable; Zheludev y Vlokh, 1983), el electro lineal - óptico (efecto Pockels) y el efecto
electroóptico cuadrático (Kerr), además de efectos relacionados con la multiplicación de frecuencia a
través de armónicos superiores (Scheuerer et al., 2003). Solo los efectos electroópticos se discutirán
brevemente a continuación. secciones.

Electro lineal - Efecto óptico (Pockels)

La aplicación de un campo eléctrico externo deforma la matriz óptica (Fresnel elipsoide) de cristales
que carecen de un centro de simetría de tal manera que su birrefringencia está cambiado. La
dependencia de la birrefringencia del campo eléctrico E es lineal, y puede describirse analíticamente
mediante un cambio del tensor de impermeabilidad a = (ε ∞) - 1 por el campo eléctrico E [ver Eq.
(8.4a)] y la polarización P, respectivamente:

donde rijk σ y mijk σ son los componentes del tensor electroóptico de tercer rango en tensión
constante σ ("sin sujetar"), y E k son los componentes del campo eléctrico. con a 11 = a 1, a 22 = a 2,
a 33 = a 3, a 23 = a 32 = a 4, a 31 = a 13 = a 5, a 12 = a 21 = a 6 (Voigt notación).

Los coeficientes electroópticos del cuarzo α piezoeléctrico (grupo de puntos 32, S.G. P3 1 21, P3 2 21),
r 11 yr 25 se midieron como - 0.48 pm V - 1 y - 0.23 pm V - 1, respectivamente (Boh á ty, 1982b). Para
el KDP ferroeléctrico (grupo de puntos 42m), el coeffi - los clientes son considerablemente más
grandes, con r 14 = r 25 = - 8.3 pm V - 1 y r 36 = r 123 = 10.2 pm V – 1 (Landolt - Börnstein, 1984, 1993)
(ver Tabla 8.9). La novedosa cerámica piezoeléctrica con celdas de tipo CGG (grupo de puntos 32, S.G.
P312) se encontró que tenían intermedios valores de los coeficientes electroópticos (ver abajo, Tabla
8.9).

Electro Cuadrático - Efecto Óptico (Kerr)

Este efecto es aún menos pronunciado que el efecto lineal de Pockels en los cristales. En contraste
con el efecto electroóptico lineal que se confina a los cristales que carecen de un centro de simetría,
el efecto cuadrático puede ocurrir en todos los grupos de simetría, e incluso en Materiales isotrópicos
como líquidos y vasos. Puede ser descrito por la ecuación: Δaij = Σk, lRijklEkEl (8.15) donde R ijkl es un
tensor de cuarto rango correspondiente en su simetría a la piezo – óptica tensor q (Kleber, 1998).

Electro - Constantes ópticas de cristales individuales piezoeléctricos de CGG - Tipo

El efecto electroóptico lineal (efecto Pockels) y su dependencia de la temperatura pueden ser

investigado utilizando interferómetros Michelson y Jamin. Las medidas se basan en una estrategia
que estimula solo una de las direcciones de vibración del cristal, y eso compensa el cambio de la
diferencia de trayectoria, inducida por un campo eléctrico en el cristal medido, por un campo eléctrico
en un cristal de referencia colocado en un segundo rayo láser (Boh á ty, 1982a, 1982b). Además, los
cambios relativos de ruta La diferencia causada por el voltaje aplicado y la temperatura se puede
medir utilizando un compensador S é narmont (Wood y Glazer, 1980). La Tabla 8.9 enumera los
valores de temperatura ambiente de las dos constantes electroópticas independientes r 111 y r 231
(renumerado de acuerdo con la notación de Voigt r 11 yr 25, respectivamente). El primero es un
componente normal del tensor; este último es un componente de corte.

Electro - Óptico Plomo Lantano Zirconato Titanato (PLZT)

La cerámica electroóptica funcional se puede obtener mediante la sustitución parcial de plomo por
lantano en PZT. El titanato de circonato de lantano de plomo resultante (PLZT) fue desarrollado en
1971 por Sandia National Laboratory, y tiene la fórmula general [Pb 1 - x La x] [(Zr y Ti z) 1 - x / 4] O 3
(y + z = 1). La cerámica es altamente transparente con muy bajo dispersión de la luz cuando se presiona
en caliente, y muestra una alta anisotropía óptica (birrefringencia) en un campo eléctrico y un tiempo
de conmutación rápido en el rango de microsegundos. Para aplicaciones técnicas, dependiendo de la
composición de la solución sólida, pueden explotarse tres tipos principales de características
electroópticas: (i) características de la memoria (composición x / y / z = 0.8 / 0.65 / 0.35); (ii) el
electroóptico lineal (Pockels) efecto (composición x / y / z = 0.8 / 0.60 / 0.40); y (iii) la electroóptica
cuadrática Efecto (Kerr) (composición x / y / z = 0.95 / 0.65 / 0.35) (Moulson y Herbert, 2003).

La fabricación de PLZT se logra de cuatro maneras generales: (i) prensado en caliente en 1000 - 1300
° C y 20 - 60 MPa; (ii) sinterización sin presión en una atmósfera de PbO para tener en cuenta las
pérdidas por evaporación del plomo; (iii) prensado isostático en caliente; y (iv) multi - etapa de
sinterización. El principio de funcionamiento de los dispositivos basados en las propiedades ópticas
no lineales de PLZT establece el cambio de birrefringencia en respuesta a un campo eléctrico externo.
Mediante la modificación de la matriz óptica indicadora (es decir, los índices de refracción), la óptica
las longitudes de las rutas se alterarán, de modo que la modulación de fase activada electrónicamente
de luz es posible. Como esta modulación de fase es diferente para las dos ondas propagándose a
través de un cristal birrefringente, su interferencia en dispositivos con los polares cruzados dan lugar
a una modulación de amplitud asociada (Kaminow y Turner, 1966).

Por lo tanto, la aplicación de PLZT en dispositivos electroópticos como el almacenamiento de

imágenes. y sistemas de visualización, incluidos los dispositivos de imagen de cerámica ferroeléctrica
(FERPIC) en modo de doble refracción, obturadores ópticos para cámaras estéreo SEM, moduladores
ópticos, lentes antirreflejos, gafas de protección contra rayos (Figura 8.35) para proteger los ojos de
los pilotos de Aviones militares desde la luz de un destello nuclear, control de luz en monitores de
soldadura, Estéreo de televisión médica: sistemas de visualización, memorias ópticas para
almacenamiento de imágenes, observación estéreo del suelo oceánico y altavoces piezoeléctricos
transparentes. La figura 8.35 muestra el principio de funcionamiento de un obturador óptico para
gafas de fl ash. En modo de visión normal, la luz del incidente del polarizador en la placa PLZT tiene
su plano de polarización girado 90 ° por la birrefringencia inducida por un voltaje de 800 V. Como
resultado, la luz emergente penetra en el analizador y entra en el ojo del piloto. En condiciones de
destello, un fotodiodo detecta el destello y apaga el voltaje. Como el plano de polarización ya no gira,
El analizador detendrá la mayor parte de la luz y, por lo tanto, protegerá el ojo de la quema.

Aplicaciones seleccionadas de materiales y dispositivos electrocerámicos

Resonadores de microondas

Hoy en día, la cerámica dieléctrica de microondas utilizada en telecomunicaciones, así como en Las
comunicaciones por cable que utilizan fibras ópticas está experimentando un rápido desarrollo. En el
pasado, las comunicaciones por microondas se utilizaban principalmente para fines militares. Tales
como radares, sistemas de guía de armas y comunicaciones satelitales. Sin embargo, Más
recientemente, las microondas se han utilizado ampliamente en la comunicación móvil dispositivos
tales como radios y teléfonos móviles, y en transmisión satelital. En general, estos dispositivos de
comunicaciones contienen una unidad de circuito de microondas que es compuesto de componentes
semiconductores y componentes del sistema resonador. Si bien se ha avanzado mucho en el campo
de los semiconductores mediante el uso de grandes materiales de banda prohibida como arseniuro
de galio y cuaternario multicapa a medida galio - indio - arsénico - semiconductores de antimonio
como resonadores, cerámica dieléctrica ahora se están utilizando con excelentes propiedades de
microondas que se caracterizan por alto rendimiento, baja pérdida y alta selectividad en el rango de
banda de 800 - 950 MHz, en lugar de dispositivos convencionales de cavidad metálica basados en
ondas eléctricas estacionarias producidos en su interior. Estos sistemas incluyen dispositivos móviles,
portátiles e inalámbricos. Teléfonos, así como receptores de transmisión satelital en la súper alta
frecuencia (SHF) en frecuencias superiores a 10 GHz. Cerámica dieléctrica de microondas son también
se utiliza como resonadores de filtros de paso de banda para transmitir y recibir ultra altos - señales
de frecuencia (UHF) en el rango de 300 MHz a 3 GHz, y señales SHF en el Rango de 3 GHz a 30 GHz.

Tipos y características de resonadores

La figura 8.36 muestra tres tipos de sistema operativo, a saber, resonadores dieléctricos sólidos,
resonadores coaxiales (cilindros de cerámica chapados en metal hueco) y resonadores de línea de
banda en sustratos de alúmina o polímero. Los tres parámetros de rendimiento más importantes son
la pérdida de inserción (es decir, la potencia disipada por el filtro de paso de banda), el ancho de
banda y la atenuación.
Tanto el ancho de banda como la atenuación son funciones del número de individuos resonadores en el
dispositivo y su acoplamiento, pero no de los materiales cerámicos de que están hechos, ni del
revestimiento del electrodo. Un resumen idealizado de esto Los parámetros se muestran en la Figura 8.37
La figura 8.38 muestra las características de un resonador dieléctrico típico hecho d Materiales cerámicos
basados en BaTiO 3 con ε = 38, acoplados a través de líneas de aire y en funcionamiento en la banda SHF.
El pequeño ancho de banda (<50 MHz) y las pérdidas de inserción (<0.8 dB) Garantizar una excelente
separación de frecuencias.

Ejemplos de aplicaciones de materiales cerámicos ferroeléctricos

• Condensadores multicapa (MLC): la eficiencia volumétrica (es decir, capacitancia por unidad de
volumen) se puede mejorar utilizando una estructura MLC con capas alterna de materiales de alta
constante dieléctrica como BT y un conductor eléctrico material de electrodo. Por cinta de fundición, se
puede obtener un espesor de capa inferior a 20 μ adquirido. Incluso se pueden lograr mejores resultados
en términos de eficiencia volumétrica utilizando cerámica de relajación ferroeléctrica como PMN, que
excede BT en término del valor de ε y muestra un tamaño de grano mucho menor. Ambas propiedades se
combina para obtener dispositivos MLC con un alto Q mecánico y baja temperatura coeficiente de la
constante dieléctrica. Sin embargo, hay algunos inherente problemas en la aplicación de cerámica de
relajación basada en plomo: las pérdidas dieléctricas so más alto justo debajo del punto de Curie, y la
permisividad es muy frecuente dependiente en este rango de temperatura. Además, pérdidas de plomo
por evaporación durante sinterizar cambiar la estructura de la PMN a la de una fase de pirocloro con bajo
ε y, además, causan contaminación ambiental problemática.

• Dispositivos de memoria de acceso aleatorio ferroeléctricos no volátil (FRAM): dinámico memoria de

acceso aleatorio (DRAM) y memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) los dispositivos basados en
tecnología de semiconductores son volátiles; es decir, perderán información almacenada cuando falla la
energía. Dispositivos no volátiles como CMOS (semiconductores de óxido metálico complementario) y
EEPROM (eléctricamente memorias de solo lectura borrables) son terriblemente caras para las producidas
en masa dispositivos electrónicos. Como se describió anteriormente (ver Sección 8.3), la magnitud y La
dirección de polarización de una cerámica ferroeléctrica se puede revertir aplicando un campo eléctrico
externo, y este método es utilizado por los FRAM para almacenar (o borrar) datos. Como los materiales
tienen una curva de histéresis no lineal, la polarización permanece en el mismo estado cuando el voltaje
está apagado (es decir, la información originalmente almacenado se mantiene). Además, los FRAM
pueden ser endurecidos por radiación para su uso en ambientes hostiles como el espacio exterior (Scott
y Paz de Araujo, 1989).

*Aplicación de película delgada ferroeléctrica: películas finas ferroeléctricos para electro – óptica Las
aplicaciones requieren material ópticamente altamente transparente con un alto grado de cristalinidad Si
la propagación de la luz es a lo largo del plano de la película, el dispositivo puede usarse como una guía
de onda óptica, mientras que si la luz pasa a través del película, entonces se pueden construir memorias
ópticas y dispositivos de visualización. Por lo tanto, dicho dispositivo podría reemplazar el uso de cerámica
PLZT a granel.

• Otras aplicaciones: otras aplicaciones de películas delgadas incluyen la piroeléctrica detectores y

sustratos de onda acústica de superficie (SAW). Los últimos dispositivos consisten de un sustrato
piezoeléctrico sobre el que se depositan electrodos interdigitales, para ejemplo por serigrafía. Una onda
elástica generada en la entrada interdigital el transductor (IDT) viaja a lo largo de la superficie y es
detectado por la salida transductor interdigital (OIT). Estos dispositivos se utilizan principalmente como
líneas de retardo y filtros en comunicaciones de microondas y televisión (ver también Chilla et al., 2003).

Ejemplos de aplicaciones de materiales cerámicos piezoeléctricos

La cerámica piezoeléctrica se puede encontrar en numerosos dispositivos, que van desde tales
aplicaciones mundanas como encendedores de gas para transductores sofisticados, actuadores y sensores
para uso doméstico, industrial y militar (Uchino, 1996). Un contemporáneo cuenta la historia y la física
del efecto piezoeléctrico, incluyendo su aplicaciones modernas, se pueden encontrar en Heywang et al.
(2009) Aquí, solo unos pocos Se enumerarán las solicitudes.
• Aplicaciones médicas de ultrasonidos: el principio de la imagen por ultrasonidos se basa en el modo de
operación de eco de pulso. Los piezoeléctricos se pueden operar en un activo modo para transmitir
sonido, y en modo pasivo como un receptor de sonido en el que La energía del sonido se convierte en una
señal eléctrica. En el modo de eco de pulso, el materiales realiza ambas funciones simultáneamente. Se
propaga una onda sonora en el medio (por ejemplo, tejido humano) y se recibe un eco débil después de
un breve retraso causado por el desajuste de impedancia acústica en el interfaz de los dos materiales
diferentes. Este eco reflejado genera un voltaje señal que se usa para producir la imagen de un órgano
interno. Para más detalles, ver las reseñas de Christensen (1988) o Safari et al. (1996)

• Encendedores de gas: los principios de construcción se basan en dos polos opuestos Cilindros de
cerámica piezoeléctrica, generalmente unidos por PZT de extremo a extremo para que duplicar la carga
disponible para generar una chispa (Figura 8.39). Un compresivo La fuerza se aplica rápidamente a través
de un yunque con resorte para evitar fugas de carga. El voltaje V generado está dado por la ecuación:

V = g33 ⋅ (L A) ⋅ / X, (8.16)

Donde g 33 = - (δ E / δ X) (medido en V · m N - 1) es el voltaje piezoeléctrico constante, L es la longitud del

cilindro cerámico (en metros), A es la circular área de superficie golpeada (en m 2), y X es el esfuerzo
aplicado (fuerza; en N). El voltaje de la chispa puede alcanzar varias decenas de kilovoltios.

• Transductores y actuadores de desplazamiento: la aplicación de una fuerza a un largo el rayo en

voladizo piezoeléctrico hace que se doble, con un lado del rayo hacia adentro compresión y el otro lado
en tensión. Por lo tanto, los efectos piezoeléctricos. cancelar y no se obtiene salida eléctrica neta. Sin
embargo, voladizo bimorfos hechos de dos mitades de vigas separadas en direcciones opuestas con un
electrodo en el medio (configuración paralela), así como en la parte superior y superficies inferiores
(configuración en serie), generan una salida de voltaje neto cuando un se aplica fuerza. Por otro lado, la
aplicación de un voltaje al bimorfo genera un impulso de flexión y convierte el dispositivo en un actuador
para un variedad de aplicaciones que requieren desplazamientos comparativamente grandes con baja
efectivo. Los ejemplos incluyen deflectores de haz óptico, martillos de impresora, altavoces y cabezales
de grabación de video (Jones et al., 1996).

• Actuadores novedosos de obleas de óxido reducidas y sesgadas internamente (ARCO IRIS) (Haertling,
1994) consisten en una capa piezoeléctrica y una capa químicamente reducida creado a alta temperatura.
El sistema de doble capa está sometido a estrés térmico y se desarrolla al enfriar una distorsión en forma
de domo. Sobre la aplicación de un voltaje, Se puede lograr un cambio relativamente grande en la altura
del domo. Tal dispositivo puede ser utilizado en microbombas médicas, espejos de enfoque variable,
altavoces y microinterruptores Se ha informado un desarrollo adicional en relación con un Dispositivo de
extensión en miniatura que consiste en un disco piezoeléctrico intercalado entre dos tapas metálicas en
forma de media luna ("moonies") (Xu et al., 1991). Para más información sobre actuadores cerámicos, ver
Uchino (1993). Ha sido reconoció que en los modernos actuadores piezoeléctricos multicapa s (MPA s), el
La combinación de cargas térmicas, eléctricas y mecánicas durante el servicio puede afectar la integridad
funcional de los dispositivos. Como los detalles de estos efectos y aún se desconoce su acoplamiento
sinérgico, modelado del comportamiento no lineal de estas propiedades funcionales sensibles a la
temperatura y su implementación en análisis de elementos finitos.

Acelerómetros: los acelerómetros crean una salida eléctrica que es proporcional a la aceleración Varias
configuraciones están disponibles comercialmente, incluyendo compresión, cizalla y acelerómetros de
haz flexural. En el caso de una cizalla modo acelerómetro, la configuración consiste en un cilindro de
piezoeléctrico material cerámico unido a un poste central fijo en el interior y una masa toroidal en el
exterior (Figura 8.40). En respuesta a una aceleración axial, el cilindro es sometido a una fuerza de corte
entre la masa externa y el poste interno. Sin embargo, cualquier movimiento en la dirección radial no
tiene efecto ya que el d 11 de PZT es cero. En consecuencia, el dispositivo es altamente direccional y se
puede miniaturizar fácilmente.

• Transformadores piezoeléctricos: una placa piezoeléctrica plana lleva electrodos a la mitad de su

superficie más grande (sección de accionamiento) y en un borde (sección de generación) (Figura 8.41).
Las regiones entre los electrodos de cara más grandes y el electrodo de borde. Se agrupan
individualmente, de modo que sus direcciones de polarización son perpendiculares el uno al otro. Si una
entrada a.c. voltaje V i con una frecuencia resonante específica.
Determinado por la longitud que se aplica 2 L de la sección del controlador, una mecánica la vibración es
inducida longitudinalmente por el efecto piezoeléctrico inverso o el Efecto electroestrictivo. Esta vibración
desencadena una salida de alto voltaje V o en el sección generadora por el efecto piezoeléctrico. Por lo
tanto, el voltaje aumenta proceso ocurre a través de una conversión eléctrica - mecánica – eléctrica
secuencia. La relación de incremento, G, viene dada por la ecuación

G = (Vo Vi) = (4 2) ⋅Qm ⋅k ⋅k ⋅ (L d) π 31 33, (8.17)

Donde Q m es el factor de calidad mecánica, L es la mitad de la longitud de la placa, d es el grosor de la

placa, y k 31 y k 33 son los componentes del coeficiente de acoplamiento electromecánico. La función de
incremento funciona en cualquiera el modo de oscilación λ o λ / 2. La relación G es proporcional a la
relación de la capacitancia de entrada a salida y la eficiencia de conversión de mecánica a la energía
eléctrica. Este principio de aumentar el voltaje es actualmente aplicado en transformadores de alta
tensión extra alta tensión (EHT) para miniatura receptores de televisión

• Otras aplicaciones: hoy en día, se están desarrollando muchos más dispositivos que Emplear efectos
piezoeléctricos directos e inversos, incluidos zumbadores para celulares. Teléfonos, transductores de alta
potencia para mecanizado ultrasónico y limpieza, y componentes electrónicos médicos como el llamado
"Lipotriptor", que se usa para destruir cálculos renales y urinarios por oscilación de alta frecuencia. Otras
aplicaciones típicas incluyen (Uchino, 1995; Jones et al., 1996):

- Hidrófonos- micrófonos- Transductores submarinos- Transductores de aire- Filtros de ondas eléctricas

- Impresoras de inyección de tinta / matriz de puntos

- Sonda y pescadores- Transductores de línea de retardo

- Dispositivos de onda acústica de superficie (SAW)

- Actuadores inteligentes para control de forma activa, control de vibración activo, activo

Control de ruido

- Células de carga para medir la fuerza y la presión.

- Motores piezoeléctricos (gusanos de pulgada, modos de onda estacionaria o de propagación,

Acoplador vibratorio ("pájaro carpintero") u onda de superficie ("surf") - motores tipo)

- Voltaje - conducción y foto - bimorfos de conducción (máquinas para caminar,

Fotófonos)

- escáner de rayo láser

- Posicionadores de precisión para cabezales de cinta VCR y máquinas de corte de mosca

- Activadores para espejos deformables multicapa para observación astrofísica.

- Sensores de choque para liberar bolsas de aire en turismos

- Dispositivos de microajuste de ángulo

- Sistemas automáticos de enfoque de cámara y obturadores de cámara

- Sensores para alarma antirrobo

- Sensores antidetonantes

- Sensores de cristal de onda masiva (QCM)

Se puede obtener información adicional sobre materiales piezoeléctricos y sus aplicaciones. encontrado
en Uchino (1996), Sirisoonthorn (1997) y Moulson y Herbert (2003). Para una cuenta muy reciente, vea
Heywang et al. (2009)

Fiabilidad de dispositivos

Aparte del daño mecánico de la cerámica dieléctrica inherentemente frágil materiales, se han identificado
varios mecanismos de descomposición que tienden a causar Un deterioro en el rendimiento eléctrico. La
descomposición intrínseca comienza cuando la pequeña cantidad de electrones en la conducción ganancia
cinética de energía cinética suficiente para ionizar los iones constituyentes. Como consecuencia, el
número de electrones aumenta de tal manera que, eventualmente, un "electrón avalancha "en los
materiales, seguido de una falla completa. Lo intrínseco Las resistencias a la ruptura de los materiales
dieléctricos son del orden de 100 MV m - 1. La descomposición térmica es causada por el hecho de que
d.c. resultados de conductividad en Joule calefacción. Debajo de un a.c. campo, hay una disipación de
energía adicional, siendo el calor generado en los materiales dieléctricos más rápido de lo que puede ser
disipado a los alrededores. El posterior aumento de la temperatura conducirá a un aumento de la
conductividad. y pérdida dieléctrica, que finalmente culmina en una situación desbocada y
descomposición térmica El voltaje de ruptura, U b, es proporcional a la temperatura conductividad de los
materiales, λ, la función ϕ (que depende del grosor de un disco plano y el coeficiente de transferencia de
calor), y es inversamente proporcional a la frecuencia angular del a.c. campo ω, el coeficiente de
temperatura de la pérdida factor τ, la permitividad dieléctrica ε y el factor de pérdida tan δ:

Ub =

⋅⋅⋅

ϖτεδ

bronceado

(8.18)

Finalmente, la descomposición de la descarga puede ocurrir cuando se producen descargas de gas en los
poros de Un material dieléctrico. La resistencia eléctrica de la cerámica depende del espécimen. y
tamaños de poro; en otras palabras, los poros más grandes aumentarán la probabilidad de falla como el
campo eléctrico en un poro, el poro E es mayor que el del entorno dieléctrico E por

EPore = E

()

r poro

, (8.19)

donde ε r es la permitividad dieléctrica relativa. Para el caso limitante de un esférico poro, poro = 3/2 · E.
Por ejemplo, en cerámica de alúmina la resistencia eléctrica disminuye al aumentar el grosor, pero
aumenta con la densidad.