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Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de
tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos P-
N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se
crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está
a la unión J2 (unión NP).
Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960.
Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado
por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y
desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en Morgan
Stanley para su posterior comercialización por parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de
General Electric.
Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de pares
electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la
diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta corriente puede
llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación podría comprender una
fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se establece este método como método
de activación, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el voltaje
de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se
inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de activación puede
dañar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo.
Funcionamiento básico
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de
los interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son
capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede
observarse también en el diodo Shockley.
El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso
momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés, gate)
cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es
mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la fuente de
tensión, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil corriente inversa de
fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la
destrucción del elemento (por avalancha en la unión).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente
en la puerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que
el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir
desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la
cual el dispositivo dejaría de conducir.
Aplicaciones
Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o tensiones muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio
de polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se
puede decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo
está abierto, comienza a conducir corriente en fase con la tensión aplicada sobre la unión
cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este
momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del
cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.
Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores
accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho de pulsos para limitar
la tensión en corriente alterna.
La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión de
entrada proveniente de una fuente de tensión, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo
de los ’70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensión de entrada de los
receptores de televisión en color.
Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para
transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores
onduladores o inversores), para la realización de conmutaciones de baja potencia en
circuitos electrónicos.
En fotografía el primer uso del tiristor, se dio en los flash electrónicos, en los años 80.
Antes de esto, cuando se disparaba un flash, este botaba toda la carga acumulada,
necesitando 10 o más segundos para recargar completamente. Cuando se usaban
combinados con el modo automático de exposición, el dispositivo solo ocupa la proporción
de carga que necesita para esa exposición, lo que permitió acelerar increíblemente los
tiempos de recarga. En la actualidad estos flash permiten disparar 3 o 4 veces por
segundo, además de hacerlo con una gran precisión en la cantidad de luz emitida.
Fabricación
Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del tiristor está compuesta por un
disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión con
galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma
una unión, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del ánodo y cátodo se realizan
con molibdeno. La conexión de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P)
usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran
potencia.
Triac
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y
el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es
un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Funcionamiento
La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero por
regla general, el cuadrante I es el más sensible (menor corriente de puerta requerida), y el
cuadrante 4 es el menos sensible (la mayoría de la corriente de puerta requerida).
(masa).
Cuadrante 1
La operación del Cuadrante 1 ocurre cuando la compuerta y MT2 son positivas con
respecto a MT1.
Sin embargo, la estructura es diferente de SCRs. En particular, TRIAC siempre tiene una
pequeña corriente que fluye directamente desde la puerta a MT1 a través del silicio de
dopaje tipo p sin pasar por la unión p-n entre la base y el emisor del transistor NPN
equivalente. Esta corriente se indica mediante una línea roja punteada y es la razón por la
cual un TRIAC necesita más corriente de puerta para encenderse que un SCR
comparablemente clasificado.
Cuadrante 2
La operación del Cuadrante 2 ocurre cuando la puerta es negativa y MT2 es positiva con
respecto a MT1.
A medida que aumenta la corriente en la puerta, el potencial del lado izquierdo del silicio p
bajo la puerta se eleva hacia MT1, ya que la diferencia de potencial entre la puerta y MT2
tiende a bajar: esto establece una corriente entre el lado izquierdo y el derecho del silicio
p, que a su vez activa el transistor NPN bajo el terminal MT1 y como consecuencia
también el transistor PNP entre MT2 y el lado derecho del p-silicio superior. Así, al final, la
estructura que es atravesada por la mayor parte de la corriente es la misma que la
operación de cuadrante-I
Cuadrante 3
La operación del Cuadrante 3 ocurre cuando la puerta y MT2 son negativas con respecto
a MT1.
Cuadrante 4
La operación del Cuadrante 4 ocurre cuando la puerta es positiva y MT2 es negativa con
respecto a MT1.
Diac
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras
haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento
es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una
tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lámpara de neón.
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el
ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto
inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un
efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo,
lo que le da la característica bidireccional.
Tiristor GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente
positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio
puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos
estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la
corriente en la puerta (G).
Estructura y funcionamiento
La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de
silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y
puerta (G). La diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta
(G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la
puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente
de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa, solo una pequeña
corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada
cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del método de
fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de
apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma.
Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente
de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la
cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por
medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona
un mejor control. Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede
ser apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de
dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los
MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los
semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la conversión de AC - DC, los
GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas
para regular la potencia, como el factor de potencia.
Funcionamiento
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El
PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se
apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a
la corriente de sostenimiento.
Aplicaciones[editar]
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación
para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta
sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o
pequeños valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como
temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por
su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva de elementos activos,
presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a
un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En
consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la
potencia adecuada.
Transistor uniunión(UJT)
El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un
tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales
denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Está formado por una
barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región
tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Construcción[editar]
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos
de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como B1 y B2
respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite
de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n.
El tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está
ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como
el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo
p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.
Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivosemiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones
en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
Historia
Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas
alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una
estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción
regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739.1Este modo de
operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador
controlado de silicio (SCR) por Scharf y Plummer, quienes no persiguieron la
comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.2El modo de operación descrito por
ambos investigadores también fue descubierto de manera experimental por J. Jayant
Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFETcon surco vertical con
la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo P". 3 Plummer solicitó
una patente para el dispositivo que propuso en 1978.4
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes
presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de
potencia con una región de ánodo".5Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del
transistor bipolar de puerta aislada." 6 En la patente se afirmó que "ninguna acción de
tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto
significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a
lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.
Características
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en
aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina
de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que
pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los
estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6 y de manera independiente, por
los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse, pero al
darse cuenta éstos últimos de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado
el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia. 7
Estructura
Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el
transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un
semiconductor y luego colocando un electrodo metálico de puerta sobre el aislante. Se
utilizó silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada
a través de oxidación térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas
de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por
este motivo se veía libre de la dispersión y el bloqueo de portadores que limitaba el
desempeño de los transistores de efecto de campo anteriores.
Después del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminación, y del
desarrollo de la fotolitografía así como del proceso planar que permite construir circuitos
en muy pocos pasos, el sistema Si-SiO2 (silicio-dióxido de silicio) obtuvo gran importancia
debido a su bajo costo de producción por cada circuito, y la facilidad de integración.
Adicionalmente, el método de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal
P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implicó que los circuitos
digitales disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados.
Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo
utilizado más ampliamente en la construcción de circuitos integrados.
Funcionamiento[editar]
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los
primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un
canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la
puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente.
El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente
al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración
de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este
modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de
tipo p.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.
Cuando se aplica una tensión negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-puerta)
se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma análoga al canal
n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensión
menos negativa que la tensión de umbral es aplicada (una tensión negativa para el canal
tipo p) el canal desaparece y sólo puede fluir una pequeña corriente de subumbral entre el
drenador y la fuente.
Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones
de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión
se utiliza un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se
incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.
Corte
Cuando VGS < Vth
Saturación o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se
interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:
Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
estado de corte,
estado de saturación
estado de actividad.
Historia
El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión, fue
inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John
Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948, 1a la cual siguieron
otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.234 El transistor bipolar de unión,
inventado por Shockley en 1948,5fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el
diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en
favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados
Estructura
Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados
más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT
modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los
transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Principio de Funcionamiento
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-
común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopadoP. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.
Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los BJT
son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro
beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.