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Tiristor

El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrónicos constituido por


elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o
como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o
(DIAC). Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de
tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos P-
N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se
crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está
a la unión J2 (unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio


(SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un tipo de tiristor,
a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960.
Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado
por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y
desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en Morgan
Stanley para su posterior comercialización por parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de
General Electric.

Formas de activar un tiristor


Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el
número de pares electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el tiristor.

Corriente de Puerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de una corriente


de puerta al aplicar un voltaje positivo entre puerta y cátodo lo activará. Si aumenta esta
corriente de puerta, disminuirá el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activación
del dispositivo.

Térmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de pares
electrón-hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la
diferencia entre ánodo y cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta corriente puede
llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse. Este tipo de activación podría comprender una
fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se establece este método como método
de activación, esta fuga tiende a evitarse.

Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el voltaje
de ruptura directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se
inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este tipo de activación puede
dañar el dispositivo, hasta el punto de destruirlo.

Elevación del voltaje ánodo-cátodo: Si la velocidad en la elevación de este voltaje es lo


suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para
activar el tiristor. Este método también puede dañar el dispositivo.

Funcionamiento básico
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de
los interruptores mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear
por completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son
capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio básico puede
observarse también en el diodo Shockley.

El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso
momentáneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés, gate)
cuando hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es
mayor que en el cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de la fuente de
tensión, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil corriente inversa de
fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la
destrucción del elemento (por avalancha en la unión).

Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una
corriente de enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente
en la puerta capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que
el dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir
desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la
cual el dispositivo dejaría de conducir.

A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede


controlar así la tensión necesaria entre ánodo y cátodo para la transición OFF -> ON,
usando la corriente de puerta adecuada (la tensión entre ánodo y cátodo dependen
directamente de la tensión de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea
la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor será
la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.

También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de


puerta y la tensión ánodo-cátodo es mayor que la tensión de bloqueo.

Aplicaciones
Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o tensiones muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio
de polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Se
puede decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el dispositivo
está abierto, comienza a conducir corriente en fase con la tensión aplicada sobre la unión
cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la modulación de la puerta. En este
momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido. No se debe
confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va solamente del
cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en controladores
accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho de pulsos para limitar
la tensión en corriente alterna.

En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de energía o


potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automáticos magneto-
térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo, cuando la
intensidad que circula por él se excede de un determinado valor. De esta forma se
interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la dirección del
flujo de corriente queden dañados. El tiristor también se puede usar en conjunto con
un diodo Zenerenganchado a su puerta, de forma que cuando la tensión de energía de la
fuente supera la tensión del zener, el tiristor conduce, acortando la tensión de entrada
proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible.

La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión de
entrada proveniente de una fuente de tensión, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo
de los ’70 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensión de entrada de los
receptores de televisión en color.
Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para
transformar esta corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores
onduladores o inversores), para la realización de conmutaciones de baja potencia en
circuitos electrónicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos (iluminación, calentadores,


control de temperatura, activación de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas
eléctricas (para acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de
baterías), equipos para exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas,
pantallas electrónicas...)

En fotografía el primer uso del tiristor, se dio en los flash electrónicos, en los años 80.
Antes de esto, cuando se disparaba un flash, este botaba toda la carga acumulada,
necesitando 10 o más segundos para recargar completamente. Cuando se usaban
combinados con el modo automático de exposición, el dispositivo solo ocupa la proporción
de carga que necesita para esa exposición, lo que permitió acelerar increíblemente los
tiempos de recarga. En la actualidad estos flash permiten disparar 3 o 4 veces por
segundo, además de hacerlo con una gran precisión en la cantidad de luz emitida.

Fabricación
Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del tiristor está compuesta por un
disco de silicio de material tipo N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión con
galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco. En la cara exterior se forma
una unión, con un contacto oro-antimonio. Los contactos del ánodo y cátodo se realizan
con molibdeno. La conexión de puerta se fija a la capa intermedia (tipo P)
usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para dispositivos que requieren gran
potencia.

Técnica "Todo Difusión": Se trata de la técnica más usada, sobre todo en


dispositivos de mediana o baja intensidad, el problema principal de esta técnica reside en
los contactos, cuya construcción resulta más delicada y problemática que en el caso de
difusión-aleación. Las 2 capas P se obtienen por difusión del galio o el aluminio, mientras
que las capas N se obtienen mediante el sistema de máscaras de óxido. El problema
principal de este método radica en la multitud de fases que hay que realizar. Aunque
ciertas técnicas permiten paralelizar este proceso.
Técnica de Barrera Aislante: Esta técnica es una variante de la anterior. Se parte
de un sustrato de silicio tipo N que se oxida por las dos caras, después en cada una de
las 2 caras se hace la difusión con material tipo P. Una difusión muy duradera y a altas
temperaturas produce la unión de las 2 zonas P. Después de este proceso se elimina todo
el óxido de una de las caras y se abre una ventana en la otra, se realiza entonces en
orden a aislar más zonas de tipo N, una difusión tipo P. Después de una última difusión N
el tiristor ya está terminado a falta de establecer las metalizaciones, cortar los dados y
encapsularlos.

Triac
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia
de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y
el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es
un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían


dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la
denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

Funcionamiento
La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero por
regla general, el cuadrante I es el más sensible (menor corriente de puerta requerida), y el
cuadrante 4 es el menos sensible (la mayoría de la corriente de puerta requerida).

En los cuadrantes 1 y 2, MT2 es positivo, y la corriente fluye de


MT2 a MT1 a través de capas P, N, P y N. La región N unida a MT2
no participa significativamente. En los cuadrantes 3 y 4, MT2 es
negativo, y la corriente fluye de MT1 a MT2, también a través de
capas P, N, P y N. La región N unida a MT2 está activa, pero la
región N unida a MT1 sólo participa en el disparo inicial, pero no
contribuye al flujo inicial de corriente.
En la mayoría de las aplicaciones, la corriente de puerta proviene de MT2, por lo que los
cuadrantes 1 y 3 son los únicos modos de funcionamiento (ambos puerta y MT2 positivos
o negativos contra MT1). Otras aplicaciones con disparador de polaridad única desde un
circuito de excitación IC o digital operan en los cuadrantes 2 y 3, de lo que MT1 se
conecta normalmente a voltaje positivo (por ejemplo, + 5V) y la compuerta se baja a 0V

(masa).

Cuadrante 1
La operación del Cuadrante 1 ocurre cuando la compuerta y MT2 son positivas con
respecto a MT1.

La corriente de puerta activa un interruptor de transistor NPN equivalente, que a su vez


atrae corriente desde la base de un transistor PNP equivalente, activándose también.
Parte de la corriente de puerta (línea de puntos) se pierde a través del camino óhmico a
través del silicio con dopaje p, fluyendo directamente en MT1 sin pasar a través de la
base del transistor NPN. En este caso, la inyección de agujeros en el p-silicio hace que
las capas apiladas n, p y n debajo de MT1 se comporten como un transistor NPN, que se
activa debido a la presencia de una corriente en su base. Esto, a su vez, hace que las
capas p, n y p sobre MT2 se comporten como un transistor PNP, que se activa porque su
base de tipo n se polariza hacia delante con respecto a su emisor (MT2). Por lo tanto, el
esquema de activación es el mismo que un SCR.

Sin embargo, la estructura es diferente de SCRs. En particular, TRIAC siempre tiene una
pequeña corriente que fluye directamente desde la puerta a MT1 a través del silicio de
dopaje tipo p sin pasar por la unión p-n entre la base y el emisor del transistor NPN
equivalente. Esta corriente se indica mediante una línea roja punteada y es la razón por la
cual un TRIAC necesita más corriente de puerta para encenderse que un SCR
comparablemente clasificado.

Cuadrante 2
La operación del Cuadrante 2 ocurre cuando la puerta es negativa y MT2 es positiva con
respecto a MT1.

El encendido del dispositivo es triple y comienza cuando la


corriente de MT1 fluye hacia la compuerta a través de la unión p-n
bajo la compuerta. Esto conmuta una estructura compuesta por un
transistor NPN y un transistor PNP, que tiene la puerta como
cátodo.

A medida que aumenta la corriente en la puerta, el potencial del lado izquierdo del silicio p
bajo la puerta se eleva hacia MT1, ya que la diferencia de potencial entre la puerta y MT2
tiende a bajar: esto establece una corriente entre el lado izquierdo y el derecho del silicio
p, que a su vez activa el transistor NPN bajo el terminal MT1 y como consecuencia
también el transistor PNP entre MT2 y el lado derecho del p-silicio superior. Así, al final, la
estructura que es atravesada por la mayor parte de la corriente es la misma que la
operación de cuadrante-I

Cuadrante 3
La operación del Cuadrante 3 ocurre cuando la puerta y MT2 son negativas con respecto
a MT1.

El proceso también ocurre en diferentes etapas. En la primera fase, la unión pn entre el


terminal MT1 y la puerta se polariza hacia delante (paso 1). Como la polarización directa
implica la inyección de portadores minoritarios en las dos capas que se unen a la unión,
se inyectan electrones en la capa p bajo la compuerta. Algunos de estos electrones no se
recombinan y escapan a la región n subyacente (etapa 2). Esto a su vez reduce el
potencial de la región n, actuando como la base de un transistor pnp que se enciende
(girar el transistor sin bajar directamente el potencial de base se denomina control de
puerta remota). La capa p inferior actúa como colector de este transistor PNP y tiene su
voltaje aumentado: en realidad, esta capa p actúa también como la base de un transistor
NPN formado por las tres últimas capas justo encima del terminal MT2 que, en a su vez,
se activa.

Cuadrante 4
La operación del Cuadrante 4 ocurre cuando la puerta es positiva y MT2 es negativa con
respecto a MT1.

La activación en este cuadrante es similar a la activación en el cuadrante 3. El proceso


utiliza un control de puerta remoto. A medida que la corriente fluye desde la capa p bajo la
puerta en la capa n bajo MT1, se inyectan portadores minoritarios en forma de electrones
libres en la región p algunos de ellos se recogen por la unión np subyacente y pasan a la
unión contigua n-región sin recombinar. Como en el caso de un disparo en el cuadrante 3,
esto reduce el potencial de la capa n y activa el transistor PNP formado por la capa n y las
dos capas p a su lado. La capa p inferior actúa como colector de este transistor PNP y
tiene su voltaje aumentado: en realidad, esta capa p actúa también como la base de un
transistor NPN formado por las tres últimas capas justo encima del terminal MT2, que a su
vez se activa.

Aplicaciones más comunes

 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).


 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas
sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.
 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de
luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de cada
semiciclo de la onda de Corriente alterna.

ESPECIFICACIONES DE ALGUNOS TRIAC ocultar

Nom. de variables Parámetros Valor típico Unit

Vgt Voltaje umbral de compuerta 0.7 - 1.5 V

Igt Corriente umbral de compuerta 5 - 50 mA

Vdrm Voltaje pico directo en estado apagado repetitivo 600 - 800 V

Vrrm Voltaje pico inverso en estado apagado repetitivo 600 - 800 V


ESPECIFICACIONES DE ALGUNOS TRIAC ocultar

Nom. de variables Parámetros Valor típico Unit

IT corriente eficaz en estado encendido 4 - 40 A

Itsm Corriente pico en estado encendido no repetitivo 100 - 270 A

Vt Voltaje directo en estado encendido 1.5 V

Diac
El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras
haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento
es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una
tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este sentido, su
comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el
ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa


como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje
entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje
puede estar entre 20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.

Existen dos tipos de DIAC:

 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto
inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un
efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo,
lo que le da la característica bidireccional.

Tiristor GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés Gate Turn-Off Thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente
positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio
puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos
estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por la
corriente en la puerta (G).

El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un


poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta
(G) y cátodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta
(G) alcanza su máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a
través del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de
ánodo (IA) es abrupta, típicamente menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo
varía lentamente y ésta porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de
cola.

La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en la puerta


(IGR) requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un
voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente
negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.

Estructura y funcionamiento
La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de
silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y
puerta (G). La diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta
(G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la
puerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente
de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa, solo una pequeña
corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada
cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende del método de
fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de
apagado. Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma.
Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente
de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la
cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por
medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona
un mejor control. Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede
ser apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de
dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los
MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los
semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la conversión de AC - DC, los
GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas
para regular la potencia, como el factor de potencia.

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es


similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo”
debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de
tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que
permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Funcionamiento
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El
PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se
apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a
la corriente de sostenimiento.

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se


realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la
conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT
es utilizado como oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde
la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje
de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en
un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del
ánodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservará en su estado inactivo,
pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se
alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la
corriente de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje
de alimentación en VBB. En general Rk está limitado a un valor por debajo de 100 ohm.

Aplicaciones[editar]
El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación
para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta
sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o
pequeños valores de capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como
temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por
su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva de elementos activos,
presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a
un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En
consecuencia menores valores de capacitancia producen pulsos de disparos de la
potencia adecuada.

Transistor uniunión(UJT)
El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un
tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales

denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Está formado por una

barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región
tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del
parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Construcción[editar]
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos
de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como B1 y B2
respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite
de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n.

El tercer terminal llamado emisor (E) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está
ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como
el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo
p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.

Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated
Gate Bipolar Transistor) es un dispositivosemiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la
capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor
en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta
entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones
en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Historia
Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas
alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una
estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción
regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739.1Este modo de
operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador
controlado de silicio (SCR) por Scharf y Plummer, quienes no persiguieron la
comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.2El modo de operación descrito por
ambos investigadores también fue descubierto de manera experimental por J. Jayant
Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFETcon surco vertical con
la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo P". 3 Plummer solicitó
una patente para el dispositivo que propuso en 1978.4

Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes
presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de
potencia con una región de ánodo".5Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del
transistor bipolar de puerta aislada." 6 En la patente se afirmó que "ninguna acción de
tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto
significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a
lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.

Características
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en
aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina
de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que
pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de


manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la
base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de


control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET
(en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador


(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente
está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.

El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio


que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por
el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las
puertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar
la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la
puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha
reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la
aplicación de tensiones más pequeñas.

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect


transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET
es más inclusivo, ya que muchos transistores
MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y
un aislante de puerta que no es un óxido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un
transistor de efecto de campo metal-aislante-
semiconductor (Metal-insulator-semiconductor
field-effect transistor).
Historia
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 192834 pero no publicó
artículo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algún
ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales
semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930.5

En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los
estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6 y de manera independiente, por
los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse, pero al
darse cuenta éstos últimos de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado
el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia. 7

En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de


campo,8 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que
ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios
Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, 9cuya nueva patente fue solicitada el día 31
de octubre de 1952 10 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960. 1112

Estructura
Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el
transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un
semiconductor y luego colocando un electrodo metálico de puerta sobre el aislante. Se
utilizó silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada
a través de oxidación térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas
de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por
este motivo se veía libre de la dispersión y el bloqueo de portadores que limitaba el
desempeño de los transistores de efecto de campo anteriores.

Después del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminación, y del
desarrollo de la fotolitografía así como del proceso planar que permite construir circuitos
en muy pocos pasos, el sistema Si-SiO2 (silicio-dióxido de silicio) obtuvo gran importancia
debido a su bajo costo de producción por cada circuito, y la facilidad de integración.
Adicionalmente, el método de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal
P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implicó que los circuitos
digitales disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados.
Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo
utilizado más ampliamente en la construcción de circuitos integrados.

Funcionamiento[editar]
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los
primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un
canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la
puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente.
El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica
debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente
al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración
de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este
modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de
tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de


reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en
la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una
disminución respectiva de la conductividad.
Estructura metal-óxido-semiconductor[editar]
Véase también: Estructura MOS

Una estructura metal-óxido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer


una capa de dióxido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una
capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el más utilizado. Debido a que
el dióxido de silicio es un material dieléctrico, esta estructura equivale a
un condensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por
un semiconductor.

Cuando se aplica un potencial a través de la estructura MOS, se modifica la distribución


de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una
densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrínseco),
una tensión positiva VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una región
de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la
interfaz entre el aislante de puerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre
de portadores, que está constituida por los iones de los átomos aceptores cargados
negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta
concentración de portadores de carga negativos formará una región de
inversión localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y
el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversión ocasiona que
los portadores de carga se establezcan rápidamente a través del drenador y la fuente, en
un condensador MOS los electrones se generan mucho más lentamente mediante
generación térmica en los centros de generación y recombinación de portadores que
están en la región de agotamiento. De forma convencional, la tensión de puerta a la cual
la densidad volumétrica de electrones en la región de inversión es la misma que la
densidad volumétrica de huecos en el sustrato se llama tensión de umbral.

Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.

Estructura MOSFET y formación del canal

Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en


controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la puerta. La puerta está localizada encima
del sustrato y aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de
dieléctrico, que en el caso del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dieléctricos que no sean óxidos, el dispositivo es conocido como
un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado
con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales
(fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que están
separadas por la región del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben
ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. la fuente y el drenador (de
forma distinta al sustrato) están fuertemente dopadas y en la notación se indica con un
signo '+' después del tipo de dopado.

Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el


drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'. Si el MOSFET es de
canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el drenador son
regiones 'p+' y el sustrato es una región de tipo 'n'. El terminal de fuente se denomina así
porque ser origen de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal
p) que fluyen a través del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los
portadores de carga abandonan el canal.

La ocupación de las bandas de energía en un semiconductor está determinada por la


posición del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energía del
semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura,
cuando se aplica una tensión de puerta suficiente, el borde de la banda de valencia se
aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la puerta.
Cuando se polariza todavía más la puerta, el borde de la banda de conducción se acerca
al nivel de Fermi en la región cercana a la superficie del semiconductor, y esta región se
llena de electrones en una región de inversión o un canal de tipo n originado en la
interfaz entre el sustrato tipo p y el óxido. Este canal conductor se extiende entre el
drenador y la fuente, y la corriente fluye a través del dispositivo cuando se aplica un
potencial entre el drenador y la fuente. Al aumentar la tensión en la puerta, se incrementa
la densidad de electrones en la región de inversión y por lo tanto se incrementa el flujo de
corriente entre el drenador y la fuente.

Para tensiones de puerta inferiores a la tensión de umbral, el canal no tiene suficientes


portadores de carga para formar la zona de inversión, y de esta forma sólo una pequeña
corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y la fuente.

Cuando se aplica una tensión negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-puerta)
se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma análoga al canal
n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensión
menos negativa que la tensión de umbral es aplicada (una tensión negativa para el canal
tipo p) el canal desaparece y sólo puede fluir una pequeña corriente de subumbral entre el
drenador y la fuente.

Modos de operación
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones
de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión
se utiliza un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se
incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.

Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte
Cuando VGS < Vth

donde Vth es la tensión de umbral del transistor


De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que
el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la
distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se permite
que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al canal y
fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una
función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente subumbral sigue
aproximadamente la siguiente ecuación:

Región lineal u óhmica


Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea
una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta
tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS,
electrones en NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un canal de
conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una
diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una corriente. El
transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por medio
de la ecuación:

Saturación o activa
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se
interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:

Efectos de segundo orden


Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores
MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden,
como por ejemplo:

 Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de


drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
 Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la
tensión umbral que da lugar al canal de conducción.
 Modulación de longitud de canal.

Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las
aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.


 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a
que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento


normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector

El transistor posee tres estados de operación:

 estado de corte,

 estado de saturación

 estado de actividad.
Historia
El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión, fue
inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John
Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948, 1a la cual siguieron
otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.234 El transistor bipolar de unión,
inventado por Shockley en 1948,5fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el
diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en
favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados

Estructura

Estructura de un transistor de unión bipolar del tipo PNP.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la


región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de
la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran β .

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un


dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que
el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.
Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en
modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El
emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base
antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la
operación normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopadoes para aumentar
la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por
el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de
corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir
del emisor.

El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en


procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso.

Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados
más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT
modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los
transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.
Principio de Funcionamiento

Característica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-


colector en inversa.6 Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la
región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base está dopadacon material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusión de los electrones.
Control de tensión, carga y corriente[editar]
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente
exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la
tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es β
veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con
precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.
Tipos de Transistor de Unión Bipolar
Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a
los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-
común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo

PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopadoP. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.
Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Regiones operativas del transistor


Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

 Región activa directa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte


entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas
en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar
el transistor como un amplificador de señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los BJT
son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro
beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de


alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del


circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos,
ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y
el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE, sat. Cuando el transistor esta
en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable,
ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica


(especialmente útil para amplificación de señal) y las regiones de corte y
saturación, para la electrónica digital, representando el estado lógico alto y bajo,
respectivamente.

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