ING.

MARIO EDMUNDO DOMINGUEZBALVANERA

FISICA Y MODELADO DE DISPOSITIVOS CON SEMICONDUCTORES Dr. juan L. del valle

HBT vs PHEMT vs MESFET; cul es el mejor, por qu.
Resumen
En este documento veremos los
diferentes transistores que son, de
que elementos se componen, cules
son sus ventajas, desventajas y por
qu son mejores en algunos campos.
Daremos especial enfoque en el rea
de comunicaciones RF y onda
milimtrica. Tambin daremos un
pequeo repaso a las aplicaciones y
que es lo que nos espera en el futuro
con ellos.
Introduccin.
Los HEMT, acrnimo del ingls High
electron mobility transistor (Transistor
de alta movilidad de electrones),
tambin conocidos como HFET,
acrnimo de Heterostructure FET
(FET de Heteroestructura, que a su
vez es el acrnimo de Field Effect
Transistor, transistor de efecto de
campo) o tambin MODFET,
Modulation-doped FET (Transistor
FET de dopado modulado) son un tipo
de transistor de efecto de campo que
incorporan una unin entre dos
materiales con diferentes bandas
prohibidas, una heterounin, como
canal de conduccin en vez de una
regin dopada como es generalmente
el caso de los MOSFET.
La composicin ms habitual de estos
transistores es una combinacin de
Arseniuro de galio, GaAs, con
Arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs.
Las aplicaciones de estos transistores
son similares a los transistores
MESFET, telecomunicacin en las
bandas de microondas y de onda
milimtrica, radar, radioastronoma y
en general en cualquier aplicacin que
requiera de alta ganancia y bajo ruido
a altas frecuencias

HBT La heterounion de transistor
bipolar (HBT) es un tipo de transistor
de unin (BJ T) que se usa con
diferentes materiales semiconductores
para la emisin y una regin base
creando una heterounion.
El HBT es mejor que el BJ T por que
puede manejar las seales de muy
alta frecuencia algo que el BJ T no
puede y esto lo alcanza a cientos de
GHZ. Es usado comnmente en ultra
rpido circuitos, ms comnmente en
sistemas de RF, y en aplicaciones de
alta potencia, como los amplificadores
de los celulares.


MESFET The Metal-Semiconductor-
Field-Effect-Transistor (MESFET);
Consiste en un canal de conduccin
posicionado en medio de la Fuente y
el drenador en una regin de contacto.
La corriente portadora fluye de la
fuente al drenador y es controlada por
una puerta metal diodo Schottsky. El
control de este canal es obtenido por
variar la capa de agotamiento de
contacto debajo del metal modulando
el espesor de la conduccin del canal
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y as la corriente en medio de la fuente
y el drenador.


despus de esto vemos que estos
componentes son normalmente
fabricados por GaAs para aplicaciones
como para comercio y militar por que
tienen aplicaciones muy buena para
comunicaciones al alta y baja
frecuencia , considerando al ms
establecido MESFETs que a los HBT
and HEMT
Estado del arte
Lownoiseapplication
Para aplicaciones que ocupan de un
bajo ruido tenemos como al mejor al
PHMET que es mejor que el MESFET
por su bajo ruido. La principal fuente
de ruido en la familia de los FET
produce una buena cantidad de ruido
por la velocidad de portadores en el
canal y as producen calor de
difusin. Otro punto de importancia
tambin por la presencia de
capacitador de acoplamiento en medio
de la puerta y el canal y todo este
ruido puede ser sustrado por la
puerta y el drenador que son los
mayores productores de ruido por lo
dicho anteriormente. El ruido de la
fuente se puede eliminar minimizando
la resistencia de la misma y as
maximizando la corriente de ganancia
de frecuencia de corte. Los HEMTs
parasen tener un ms amplio rango de
valores de I
S
que el MESFET sobre
F
MIN
. La posibilidad de un alto dopado
abre nuevas puertas para los HBTs,
que pueden ser utilizados para bandas
de alta frecuencia y operaciones a
bajo ruido. Ruido a bajas frecuencias
es generalmente menor en HBTs, con
circuitos apropiados de diseo se
puede reducir la no linealidad del ruido
a baja seal como osciladores de
HBTs, pueden ser diseados con poca
fase ruido performance.


Aplicaciones depoder.
Amplificacin de poder es
caracterizada por parmetros como
poder de compresin
intermodulaciones del tercer orden
(IMD,) eficiencia de poder agregado
(PAE), que no son normalmente
examinados en amplificadores con
poco ruido. El ms usado y maduro es
el MESFETs, pero no es el mejor en
esta rea, especialmente cuando
hablamos de altas frecuencias. Por
qu este requiere un pequeo largo de
puerta que impone la alta frecuencia,
este impone una alto dopado para
conservar la I
S
y pequeo break
Down y potencia. El uso de las
heterouniones abre la posibilidad de
optimizar la potencia. Los
AlGaAs/GaAs HEMTs permiten
trabajar a ms alta frecuencia de
operacin que los MESFETs,
Alrededor de los 100W han sido
obtenidos a 2.1GHz usando un ancho
de puerta de 86.4mm HEMT. Todo
esto puede ser realizado usando lo
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llamado pesudomorficos (PHEMT)
donde el canal GaAs es reemplazado
por In
x
0o
1
x As donde x es
usualmente cerca de 2.0, la anchura
del canal es en este caso alrededor de
1Su para asegurar las propiedades
del material. PHEMTs tiene un valor
de N
S
de al menos 4
12
cm
-3
and y una
corriente excedente de 1A/mm puede
ser obtenida.
Aplicaciones de potencia y nueva
generacin de pequeos productos,
chips de alta eficiencia han sido
beneficiadas por la habilidad de los
HBTs. Estos componentes menos
frecuentes que los PHEMTs, ofrecen
un alto voltaje de ruptura, mejor
tresshold de voltaje uniforme y mejor
exponencial de caractersticas ley de
poder de transferencia. Pero el mejor y
de mayor importancia es la
consideracin del problema de la
temperatura producida por el mismo y
el de la unin- calentamiento. Este ha
sido un buen avance hecho con
GaAs HBTs que tiene 10mW/m2 a
10GHz y 4mW/m2 a 25GHz.

Operacinaaltafrecuencia.
En las operaciones a alta frecuencia
es requerido, PHEMTs ofrecen la
mejor opcin con alta ganancia arriba
de milmetros-onda y su bajo ruido y
buena potencia. Lo ms usado ahora
con los dispositivos PHEMTs es en las
reas de automovilismo anticolisiones
y sistemas de radar. Aplicaciones
espaciales que demandan productos
que trabajen muy bien a muy altas
frecuencias (microondas).
HEMTs InP son lo mejor que la
tecnologa ofrece hasta el momento en
ondas milimtricas, esta ofrece bajo
ruido y opera arriba de las ondas
milimtricas con altas ganancias.
Tambin los HBTs de GaAs y InP
tambin son de muy alta frecuencia
que llegaron a marcar un record de
F_max=2500Ez que fue reportado
por NEC. Pero son menores que los
HEMTs.

Aplicaciones
Hay una gran variedad de aplicaciones
para los 3 dispositivos que hablamos
.GaAs MESFETs son por ejemplo
usados in en variedad de rangos de
aplicaciones de celulares tanto en la
parte digital como en la anloga.
La alternativa que se acerca es la de
HBTs, que puede ser operada por una
sola fuente de poder que tiene un
voltaje de rodilla bajo en sus I-V. El
cambio de anlogo a digital es los
sistemas de telfonos celulares por
ejemplo el
n
4
sitcJ qpsk signol.
Impone un requerimiento mucho ms
grande de salida aun cuando el voltaje
de entrada es muy bajo. InP HEMTs y
otros InP componentes como los
diodos PIN son particularmente para
sistemas de ondas de sistemas de
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satlites milimtricas de comunicacin
y colisin (CAS).
HBTs son atractivos apara las
frecuencias de radio de celular para
amplificadores de potencia. Esto es
porque el rango puede ser de muchos
watts como de 150 watts y para bases
de comunicacin mucho ms. Un
importante punto de los HBTs con la
linealidad sin una retroalimentacin de
poder como suele suceder en FETs.
Estos tambin han sido introducidos a
transmisiones de fibra ptica operando
a 10GB/sec y ms velocidades de los
sistemas en corrientes previstas
Aunque lo actual operaciones pueden
ser satisfechas por la tecnologa de
GaAs, InP son la solucin preferida
para las futuras generaciones que
llegaran a 80GB/sec
Nuevas tecnologas
Una de las principales funciones
acerca de estos tres transistores que
como ya vimos tienen sus ventajas y
desventajas, algunas de ellas es que
podemos explotarlos mucho en
algunas reas como son las de Rf y
comunicaciones pticas, ya que tiene
muchos parmetros muy buenos como
alta ganancia y poco calor trmico y
funciona muy bien a altas frecuencias
que es lo que ms se busca en el rea
de la ondas milimtricas y en los
celulares. Una de las dos compaas
ms fuertes en estos dispositivos son
Skyworks Solution y qualcomm. Estas
empresas estn desarrollando
productos con tecnologa, como el que
estamos viendo aqu en la fig., que se
ve su ganancia con respecto a la
frecuencia, este dispositivo es el
SKY65111 uno de los ms nuevos por
obra de Skyworks
SKY65111-348LF: ISM 6001100 MHz
Band ,2 Watt InGaP HBT
Power Ampli f ier

Skywor ks solut ion
Como se vio anteriormente para la
comunicacin lo ms novedoso son
los dispositivos HBTs and pHEMTs
para las comunicaciones pticas e
inalmbricas y esto se puede ver en
HBTs que son los preferidos para
comunicaciones en W-LAN con una
sola fuente como de 3V que es lo ms
novedoso, de muy pocas dimensiones
y de muy buena linealidad. Lo
buscado por CDMA o OFDM (bandas
para trasmisin de seal telefnica) y
excelente reproducibilidad como la
mostrada en la. figura1.
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Otra de las grandes innovaciones y
que avanza da con da es la de la
comunicacin ptica, para estas
aplicaciones con ms estricta
respetabilidad, fiabilidad uniforme
requerida. Se muestra en la tabla los
resultados de tiempo de vida a una
frecuencia de corte de F
1
=
650Ez In0oP EBI reduciendo la
capacitancia usando una poliamida
entre el dielctrico. A una temperatura
de 165 grados Celsius operando a
I
CL
=3I y [
c
=
50KA
cm
2
. La ganancia de
corriente es estable durante ms de
3500 horas limitando a esta
tecnologa a 10Gb/s

El ms nuevo transistor Movilidad
(HEMT). Macom anuncia nuevo 600 W
GaN en SiC puls el transistor de
potencia

Macom Technology Solutions, un
proveedor de alto rendimiento de
radiofrecuencia (RF), microondas y
ondas milimtricas productos, ha
lanzado un nuevo nitruro de galio
cermica (GaN) de carburo de silicio
(SiC) High-Electron Transistor
Movilidad (HEMT).
El Magx-001090-600L00 es de oro
metalizado, combinado GaN en SiC,
transistor de potencia RF optimizado
para aplicaciones de avinica
pulsadas, como el radar secundario de
vigilancia en los sistemas de control
de trfico areo. El Magx-001090-
600L00 proporciona 600 W de
potencia de salida con un tpico 21,4
dB de ganancia y el 63 por ciento de
eficiencia. El dispositivo tiene muy
baja resistencia trmica de 0,05
grados C / W y carga desajuste
tolerancia de 5-a-1. Adems, el
dispositivo tiene la cada de pulso ms
bajo de 0,2 dB y tambin se puede
utilizar con eficacia bajo las
condiciones de funcionamiento ms
exigentes ELM Mode-S.
Tecnologa de transistores de GaN
Macom ha sido calificada con pruebas
de vida acelerada, de alta temperatura
y este dispositivo tiene una prediccin
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Tiempo medio hasta el fallo (MTTF) de
ms de 600 aos a una temperatura
mxima de la unin de los 200 grados
centgrados. El dispositivo tambin
cuenta con voltajes muy altos de
degradacin, lo que proporciona a los
clientes un funcionamiento fiable y
estable incluso en condiciones de
conflicto de carga extrema, todo esto
te da a pensar y ahora que vendr que
ser despus de esto, que podremos
crear en el futuro, y este fue un
pequeo repaso de lo nuevo en estos
transistores.
Conclusin
Como hablamos anteriormente estos
son los dispositivos que mejor trabajan
a altas frecuencias como lo son desde
el rango de RF hasta el rango ptico
que es ms all de las ondas
milimtricas. Todos estos conceptos,
aplicaciones, verdades y taboos
acerca de los tres transistores que
hablamos anteriormente, son que
cada uno tiene sus prestaciones y
deduciendo esto podemos usarlo a
nuestra conveniencia para el diseo
que ms queramos. A mi parecer los
transistores mesfet son los ms
usados y los ms estudiados por ser
los que tiene ms tiempo en el
mercado, y son los que destacan en la
actualidad, pero segn artculos y el
documento anterior los BHT y
PHEMTs son lo que va sobresalir en el
futuro y es lo estudiado por los
cientficos de hoy. Todo esto porque
en un futuro no muy lejano
trabajaremos en frecuencias muy
altas, y todos estos dispositivos al
trabajar a altas frecuencias se
comporta diferente que a bajas
frecuencias con lo que tienen que ver
las capacitancias parasitas
inductancias y todo lo que ello
conlleva. Estos son los dispositivos del
futuro que funcionaran en tus
dispositivos de comunicaciones, que
para m es lo que romper paradigmas
para la energa inalmbrica y datos va
inalmbrica. Claro no debemos de
olvidar que todo esto se empieza con
fsica de materiales para saber cmo
son sus propiedades elctricas y
electromagnticas para que despus
ingenieros, diseadores y dems
artistas y cientficos los puedan poner
a la venta y as poder disfrutarlos en
aparatos que t y yo podemos
disfrutar sin conocer nada de esto. En
mi experiencia este es muy buen tema
porque podemos entender cmo
funcionan y cules son sus principales
caractersticas e innovaciones que las
empresas ms famosas en este ramo
estn usando e innovando en las
aplicaciones del hoy y del futuro.
Bibliografa
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ch.com/pages/en/rf_microwave/transisto
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MESFET,http://en.wikipedia.org/wiki/
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Article, The Role of the Silicon
Germanium (SiGe) Heterojunction Bipolar
Transistor (HBT) in Mobile Technology
Platforms,by Gregory A. Mitchell
http://www.skyworksinc.com/