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�ndice
1 Procesos de la fotolitograf�a
2 Tecnolog�a
2.1 Tecnolog�as en la preparaci�n del sustrato
2.2 Tecnolog�as de iluminaci�n
3 V�ase tambi�n
4 Referencias
5 Enlaces externos
Procesos de la fotolitograf�a
Un ciclo t�pico de procedimientos en la fotolitografia podr�a constar de los
siguientes procesos:
Tecnolog�a
Tecnolog�as en la preparaci�n del sustrato
Una oblea se introduce en un sistema automatizado de seguimiento ("wafertrack").
Este tramo automatizado consiste en un conjunto de robots que manipulan el proceso
de forma aut�noma, de horno/enfriamiento, as� como los procesos de
recubrimiento/desarrollo de las unidades. Los robots se emplean para transferir las
obleas de un m�dulo a otro. Las obleas se calentaban inicialmente en un horno a una
temperatura suficiente elevada como para eliminar la humedad de la superficie de la
oblea. Se a�ade a la atm�sfera hexa-metil-disilizano (HMDS) con el objeto de
facilitar la adhesi�n de la fotoresina, que es un material polim�rico denominado
fotoresistor. Cuando se a�ade la fotoresina se gira la placa para que se distribuya
homog�neamente. La velocidad y aceleraci�n de los movimientos de manipulaci�n de la
oblea son par�metros importantes de esta fase, ya que son los responsables del
grosor y uniformidad de la fotoresina. Las obleas recubiertas se introducen en un
horno para que sean tratadas con temperaturas no muy altas.
Parte del wafertrack empleada para ser iluminada con luz de 365 nm (ultravioleta).
La forma m�s simple de exposici�n es una impresi�n de contacto o de proximidad. Una
impresi�n de contacto se obtiene colocando la fotom�scara en contacto directo con
la oblea. En una impresi�n de proximidad existe casi siempre un peque�o hueco entre
la fotom�scara y la oblea. El patr�n de la fotom�scara se imprime directamente
sobre la oblea fotoresistente en ambos casos. La resoluci�n de la "imagen" obtenida
viene dada por la ra�z cuadrada del producto de la longitud de onda y la distancia
de separaci�n. De esta forma, la impresi�n de contacto, debido a que tiene una
separaci�n pr�cticamente nula ofrece una mejor resoluci�n.
Tecnolog�as de iluminaci�n
El m�todo m�s corriente empleado en la actualidad en fotolitograf�a es la
proyecci�n. El patr�n de la m�scara es proyectado directamente sobre la superficie
de la oblea mediante una m�quina denominada esc�ner o stepper. Las funcionalidades
del stepper/scanner son similares a las de un proyector. La luz procede de una
l�mpara de arco de mercurio o de un l�ser exc�mero focalizado a trav�s de un
complejo sistema de lentes sobre la "m�scara" (denominada tambi�n ret�culo), que
contiene la imagen deseada. La luz pasa a trav�s de la m�scara y se focaliza sobre
la superficie de la oblea mediante un sistema de lentes de reducci�n. El sistema de
reducci�n puede variar seg�n el dise�o pero suele ser bastante usual un orden de
magnitud en la reducci�n de 4X-5X.
Cuando la imagen es proyectada sobre la oblea, el material fotoresistente act�a
s�lo a ciertos rangos de longitudes de onda, lo que causa que las regiones
expuestas cambien sus propiedades f�sico-qu�micas. Generalmente se cambia la acidez
del sustrato de la resina, haciendo que sea m�s �cido o alcalino que la parte no
expuesta. Si la regi�n expuesta es m�s �cida se dice que es una resina positiva,
mientras que es negativa si es m�s alcalina. La resistencia es "revelada" por
exposici�n a una soluci�n alcalina que elimina las partes expuestas de la resina
(en el caso de una fotoresistencia positiva) o no expuesta (fotoresistencia
negativa). Este proceso tiene lugar despu�s de que la oblea se haya transferido del
sistema de exposici�n al wafertrack.
Las herramientas que emplean longitudes de onda de 157 nm DUV act�an de una forma
similar a los sistemas actuales de exposici�n. En 2006 la empresa IBM logr�
litografiar detalles menores de 30 nm.1? Otras t�cnicas empleadas hoy en d�a caen
dentro del campo de la nanolitograf�a.
V�ase tambi�n