5.

3 LITOGRAFIA
Un CI consiste en muchas regiones microscpicas sobre la superficie de oblea que constituyen los transistores, otros dispositivos y las interconexiones de acuerdo con la especificacin en el diseo del circuito. En el proceso planar, las regiones se fabrican mediante una secuencia de pasos, cada paso agrega otra capa a las reas seleccionadas de la superficie. La forma de cada capa se determina mediante un patrn geomtrico que representa la informacin acerca del diseo del circuito, el cual se transfiere a la superficie de la oblea a travs de un procedimiento conocido como litografa, bsicamente es el mismo procedimiento que han utilizado artistas e impresores durante siglos. En el procesamiento de semiconductores se utilizan varias tecnologas litogrficas: 1) 2) 3) 4) Fotolitografa Litografa con electrones Litografa con rayos x Litografa con iones

1) Fotolitografia Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que deben ser afectadas por un proceso de fabricacin determinado. Un polmero sensible a la luz, denominado fotorresina, se utiliza como mscara para seleccionar las zonas necesarias en la implantacin inica y para otras ms caras de grabado. La fotorresina puede ser negativa (insoluble tras la exposicin UV) o positiva (soluble tras la exposicin a la luz). La fotorresina positiva presenta una mayor resolucin. Resolucin: La difraccin de la luz limita el tamao mnimo que se puede imprimir en un circuito.

Materiales fotorresistentes Un material fotorresistentes es un polmero orgnico sensible a la radiacin de la luz dentro de cierto rango de longitudes de onda; la sensibilidad provoca un incremento o una disminucin en la solubilidad del polmero, con respecto a ciertos productos qumicos. La prctica comn en el procesamiento de semiconductores es utilizar los materiales fotorresistentes sensibles a la luz ultravioleta. La luz UV tiene una longitud de onda ms corta que la de luz visible, y permite una imagen ms fina de los detalles microscpicos del circuito sobre la superficie de la oblea. Tambin permite que las reas de fabricacin y de fotorresistencia en la planta se iluminen a niveles de luz bajos fuera de la banda UV. Tcnicas de exposicin La resistencia se expone a travs de la mascarilla por medio de alguna de las tcnicas de exposicin: a) impresin por contacto, b) impresin por proximidad y c) impresin por proyeccin, que se ilustra en la figura 34.10.

2) Litografa con haz de electrones (haz E) Presenta la ventaja de una longitud de onda ms corta compara con la fotolitografa UV, de este modo se elimina virtualmente la difraccin durante la exposicin de la resistencia y permite una resolucin ms alta de la imagen. Otra ventaja potencial es que un haz de electrones puede dirigirse para exponer solo ciertas regiones de la superficie de la oblea, y por tanto se elimina la necesidad de una mascarilla. Desafortunadamente, los sistemas de haces de electrones de alta calidad son demasiado costosos. Asimismo, debido a una naturaleza secuencial que consume mucho tiempo por el mtodo de exposicin, los rangos de produccin son bajos comparados con las tcnicas de mascarilla de la litografia ptica. Por esta razn, la utilizacin de la litografa con haz de electrones tiende a estar limitada a cantidades de produccin pequeas. Las tcnicas con haz de electrones se utilizan ampliamente en la elaboracin de las mascarillas para litografa UV. 3) Litografa con rayos X Ha venido desarrollndose desde 1972. Igual que en la litografia con haz de electrones, las longitudes de onda de los rayos x son mucho ms pequeos que la luz UV; de este modo, presentan la promesa de una imagen ms fina durante la exposicin de la resistencia. Los rayos x son difciles de enfocar durante la litografia. Como consecuencia, se debe utilizar la impresin por proximidad o contacto, y debe usarc una pequea fuente de rayos x a una distancia relativamente grande de la superficie de la oblea para obtener una buena resolucin de la imagen a travs de la mascarilla.

4) Litografa con iones Se divide en dos categoras

Sistemas enfocados de haces de iones, cuya operacin es similar a los sistemas de haces de electrones y, adems, evita la necesidad de una mascarilla. Los sistemas con mascarilla de haces d iones, los cuales exponen la resistencia a travs de una mascarilla mediante impresin por proximidad. Como sucede con los sistemas de haces de electrones y rayos x, la litografia con iones produce una mejor resolucin en la imagen que la fotolitografa con UV convencional.

5.4 OXIDACION TERMICA

Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio con el Oxgeno para formar Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido. La oxidacin es uno de los procesos bsicos en la fabricacin de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposicin de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el xido as generado es de ms calidad. Otra caracterstica de la oxidacin (u oxidacin trmica) es que slo puede utilizarse al principio del proceso de fabricacin cuando la oblea tiene an el silicio al descubierto. La forma ms usada es la oxidacin trmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidacin puede ser: Si + 2H2O > SiO2 + 2H2 Si + O2 > SiO2 La primera es la oxidacin hmeda y la segunda oxidacin seca. La oxidacin hmeda se realiza a travs de vapor agua a una temperatura de 900 C a 1000 C. El crecimiento es ms rpido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidacin. Se suele

utilizar para la creacin de xido de Campo (FOX). La oxidacin seca se realizar con oxgeno puro a una temperatura de 1200 C. Es un proceso ms lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El xido producido con la oxidacin seca es de mayor calidad y se suele destinar para el xido de puerta (THINOX). Las capas de xido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo xido de puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre s (xido de campo), como mscara en otros procesos (implantacin, difusin...), para separar dos capas de materiales conductores, etc.