Nombre del departamento:

Departamento de ingeniería eléctrica y electrónica

Nombre de la carrera:
Ingeniería electrónica
Nombre de la asignatura:
Diodos y transistores
Nombre y número de practica:
Polarización de transistores PNP #11
Nombre y número de control de los participantes:
López Guzmán Armando Fahid
González Ruiz Ángel David
Nakashima García Juan Miguel
Numero de control: ……….
20071596
Nombre del profesor:
Ing. Carlos Enrique Salazar Gea
Horario de clase:
14:00-15:00
Fecha de entrega:
Martes 08 de noviembre del 2022
 INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD MADERO, TAM.
DEPTARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DIODOS Y TRANSISTORES
PRÁCTICA 12.- POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES PNP
INTRODUCCIÓN
Los voltajes de operación para transistores PNP tienen la polaridad opuesta a la utilizada
para polarizar los transistores NPN.
Los transistores PNP se usan con menos frecuencia que los transistores NPN, y cuando lo
son, a menudo se usan en circuitos con transistores NPN. Por conveniencia, y para evitar
dos fuentes de alimentación, los transistores PNP generalmente están conectados al revés
con el emisor conectado al + Vcc donde se conecta el colector de transistores NPN. Esta es
la forma de circuito que usará en esta práctica.
En la Sección 1 se calcularán y medirán los valores de CD para un circuito de transistor
polarizado por divisor de voltaje PNP.
En la Sección II, se observarán los efectos de la resistencia de polarización R 1 abierta, la
unión colector-emisor en cortocircuito, y la unión colector-emisor abierta.

OBJETIVOS
• Aprende a configurar un circuito de transistor PNP polarizado con divisor de voltaje
invertido.
• Comprenda las referencias utilizadas para hacer mediciones de voltaje en un circuito
de transistor PNP.
• Reconocer valores de voltaje de falla para problemas comunes en un circuito para
PNP polarizado con divisor de voltaje.

EQUIPO Y MATERIALES
✓ Fuente de alimentación DC
✓ Multímetro digital
 ✓ Protoboard
✓ Transistor NPN 2N3906 o equivalente
✓ Resistencias: 1.2 kΩ, 2.2 kΩ, 3.3 kΩ, 10 kΩ y 2.2 MΩ a medio watt.

SECCIÓN I EXPERIMENTO FUNCIONAL

1. Construya el circuito de la Figura 1.

En el paso 2, se medirán los valores de CD del circuito. Como un recordatorio, donde

un parámetro tiene un único subíndice, como VC o VE la medida debe realizarse desde
el elemento a la tierra del circuito.

2. Energizar el circuito, medir y registrar los valores de CD de la Tabla 1, prestando

especial atención a la Figura 1.

3. Desconecte la alimentación del circuito. En una hoja en blanco, vuelva a dibujar el

circuito de la figura 1 en posición invertida o boca arriba. Cambie la tierra hacia arriba
y el +Vcc de la fuente de alimentación.

4. Construya el circuito que dibujó en la Figura 2. Asegúrese de verificar las conexiones

de la fuente de alimentación con cuidado.
 5. Energizar el circuito. Medir y registrar en la Tabla 1 los mismos parámetros de circuito
que hizo en el paso 2.

Esto completa el procedimiento. Desconecte la alimentación del circuito.

Desconectar el circuito

9.5 V 3.605 V
9.68 V 3.866 V
4.403 V 4.268 V
3.48 mA 3.61 mA
007 µA 254 µA

Parte 1
Parte 2

SECCION II SOLUCION DE FALLAS

Falla 1 - R1 abierta
1. Construya el circuito de la Figura 1. Verifique el circuito para asegurar la operación
correcta. Desconectar la alimentación del circuito. Sustituir la R1 de 10 kΩ con una
resistencia de 2.2 MΩ.

2. Vuelva a energizar el circuito. Mida y registre los siguientes valores del circuito:
VB =12 V VE =12.02 V VC = 0
Falla 2 – Unión colector-emisor del transistor abierta
1. Apague el circuito. Desconecte el transistor del circuito.

2. Energizar el circuito. Mida y registre los siguientes valores de CD:

VB =12 V VE =12.02 V_ VC = 0
Falla 3 - cortocircuito del transistor
1. Apague el circuito. Vuelva a colocar el transistor en el circuito. Coloque un cable
cortocircuitado desde el emisor a la base y la base al colector. Energizar el circuito.

2. Mida y registre los siguientes valores de CD:

VB =8.61 V VE =8.61 V VC = 8.61 V

Apague la alimentación del circuito y desconecte su circuito

Simulación

9.02 V 4.31 V
9.73 V 3.11 V
4.07 V 5.06 V
2.75 mA 3.90 mA
8.24 µA 542.19 µA

Parte 1

Parte 2
Simulación
VB =11.98 V VE =12.00 V VC = 0
Simulación
VB =11.98 V VE =12.00 V_ VC = 0

Simulación
VB =8.54 V VE =8.54 V VC = 8.54 V