Está en la página 1de 8

Modelo de gran seal del transistor NMOS

MODELO DE GRAN SEAL DEL TRANSISTOR NMOS

Curvas de salida reales

El transitor NMOS, dejando de lado el terminal de sustrato del MOSFET, es un


dispositivo de tres terminales. Para convertirlo en un cuadripolo es necesario duplicar
uno de los terminales y dependiendo de cual sea el escogido se dice que el transistor
est en una u otra configuracin.

La configuracin ms normal es en fuente comn, y ese es el caso de la Figura 1 donde


se ha duplicado el terminal de fuente. Esta configuracin tiene la ventaja de que la
impedancia de entrada es muy elevada. Las curvas de salida suministran iD en funcin
de uDS, usando uGS como parmetro.

Figura 1. Circuito en fuente comn con MOSFET NMOS.

En la Figura 2 se proporcionan las curvas de salida, en fuente comn, de un transistor


NMOS de acumulacin de nomenclatura comercial IRFS1Z0. En la parte (b) de la
figura se muestra, ampliada, la zona de pequea tensin uDS.

Figura 2. Curvas de salida del transistor NMOS IRFS1Z0.

En las curvas se pueden observar tres zonas muy bien diferenciadas como ya se vio en
el apartado 5.1 del libro base:

1
Modelo de gran seal del transistor NMOS

- Corte. Eje de abcisas. uGS no sobrepasa el valor de tensin denominado


tensin umbral, Uto, y a consecuencia de ello la intensidad de drenaje es
nula, iD=0A.
- Saturacin. Tramos casi horizontales.
- hmica. Tramos casi rectos no horizontales, es decir, en ellos existe una
relacin prcticamente lineal entre la tensin y la corriente de salida. Ello se
puede observar ms claramente en la ampliacin de las curvas mostrada en la
Fig. 2.b.

Curvas de salida idealizadas

En el proceso de idealizacin de las curvas de salida, las lneas de la zona de saturacin


se vuelven totalmente horizontales y con espaciado idntico entre ellas, es decir, se
considera una relacin constante entre la corriente de drenaje y la tensin entre los
terminales de puerta y fuente, expresada mediante la ecuacin iD=g(uGS-Uto), siendo g
una constante denominada transconductancia. En la zona hmica los tramos pasan a
ser totalmente rectos y as en los mismos la relacin entre uDS e iDS es constante.
Igualmente se considera que el paso de una a otra zona tiene lugar para un valor
constante de uDS denominado tensin de contraccin, UCON. Para el caso particular de
curvas considerado los parmetros mencionados tendrn los valores: g=0,4-1,
UCON=4V y Uto=4,5V.

Figura 3. Curvas ideales de un MOSFET NMOS de acumulacin.

Modelo de gran seal

En un transistor NMOS con las curvas idealizadas los modelos para las distintas zonas
de trabajo son:
- Corte. Circuito abierto a la salida y circuito abierto a la entrada,
iD=iS=iG=0A.

2
Modelo de gran seal del transistor NMOS

- Saturacin. Fuente de intensidad en la salida de valor iD=g(uGS-Uto) y un


circuito abierto en la entrada, iG=0A e iD=iS.
- Resistencia. Una resistencia en la salida, REQ, y un circuito abierto en la
entrada, iG=0A e iD=iS. En las curvas se puede observar que para un cierto
valor de uGS ese valor de resistencia es simplemente el cociente entre la
tensin de contraccin, UCON, valor de uDS en el cual se pasa de esta zona de
trabajo a la anterior, y el valor g(uGS-Uto), es decir, REQg(uGS-Uto)=UCON.

Figura 4. Modelos del transistor NMOS ideal: (a) corte, (b) saturacin y (c) hmica.

Sistemtica de anlisis

Al igual que se puede hacer en el caso del transistor bipolar, para analizar cualquier
circuito con transistores NMOS y determinar el punto de trabajo de cada uno de ellos,
es preciso seguir un proceso de prueba y error, que en este caso se desglosa en las
siguientes fases, detenindose el proceso cuando el resultado de una verificacin es
positivo:
- Hiptesis 1: el transistor trabaja en zona de corte y por consiguiente iD = 0A.
- Verificacin 1: uGS<Uto.
- Hiptesis 2: el transistor est operando en zona de saturacin, es decir,
iD=g(uGS-UT), y adems iG=0A e iD=iS.
- Verificacin 2: uDS>UCON.
- Solucin: el transistor est trabajando en zona hmica, es decir, uDS<UCON.

3
Modelo de gran seal del transistor NMOS

Ejemplo A

Dado el circuito de la Figura 5, donde el elemento bsico es un transistor NMOS cuyas


curvas idealizadas responden a la Figura 3, determine los valores de ID, UDS y de la
tensin de salida del circuito, US.

Solucin

Siguiendo el procedimiento de anlisis planteado anteriormente, se empezar


suponiendo trabajo en zona de corte, y como consecuencia las corrientes de drenaje,
fuente y puerta son nulas, aunque esta ltima lo es para todos los modelos.

Aplicando Kirchhoff tanto a la malla de la izquierda como a la malla de entrada, es


decir, la asociada a los terminales de puerta y fuente, se obtiene

- U DD + R1 I1 + R 2 I1 = 0, - R 2 I1 + UGS + ID R S = 0

Particularizando para los valores dados, de la primera ecuacin se obtiene I1=0,25mA,


valor que llevado a la segunda proporciona UGS=9,25V, mayor que la tensin umbral,
Uto=4,5V, quedando demostrado que la hiptesis es falsa.

Figura 5. (a) Circuito del ejemplo A y (b) circuito equivalente en zona de intensidad
constante.

Suponiendo que el punto de trabajo del transistor est en la zona de saturacin, el


circuito equivalente resultante se muestra en la Figura 5.b y adems de las curvas se
extrae el valor del parmetro transconductancia, g=0,4-1.

Aplicando la primera ley de Kirchoff tanto a la malla de salida (terminales drenaje y


fuente) como a la entrada, y teniendo en cuenta la definicin de transconductancia,
resultan las siguientes ecuaciones

U DD - R S I D - U DS - I D R D = 0
I D = g( U GS - U to )
R 2 I1 = 9,25V = U GS + I D R S

Operando con las dos ltimas ecuaciones se obtiene UGS=5,27V, valor que llevado a la
segunda ecuacin resulta en ID=0,3A, que sustituido en la primera ecuacin permite

4
Modelo de gran seal del transistor NMOS

obtener el valor de tensin entre drenaje y fuente, UDS=2,2V<UCON=4V, y con ello se


verifica la falsedad de la hiptesis.

Slo queda la opcin de que el MOSFET trabaje en la zona de resistencia. Las


ecuaciones que se pueden plantear son
UDD- RS ID - REQID - ID RD = 0
REQg(UGS- Uto) = UCON;
9,25V= UGS+ ID RS
y operando con las mismas se llega a una ecuacin de segundo grado para UGS.

De los dos valores obtenidos, 2,29V y 5,57V, slo es vlido el segundo ya que el otro es
menor que la tensin de umbral.

Sustituyendo este resultado en las dos primeras ecuaciones se obtienen los siguientes
valores: REQ=9,345 e ID=0,283A, y por consiguiente UDS=2,645V.

Ejemplo B

Suponiendo que el transistor NMOS de acumulacin de la figura es un transistor ideal


con una transconductancia de 1 A/V, una tensin umbral de 4V y una tensin de
contraccin de 4V, sabemos que para U=5V el transistor est trabajando en la zona de
saturacin. Si ahora suponemos que podemos variar el valor de U, con qu valor de U
pasara a trabajar en zona de corte?, y con qu valor de U pasara a trabajar en zona
hmica?. Nota: las dos resistencias tienen un valor de 10.

Figura 6. Circuito objeto de anlisis en el ejemplo B

Solucin

En el circuito se puede apreciar directamente que UGS = U y puesto que la condicin


para que el transistor NMOS de acumulacin trabaje en zona de corte es que UGS<Uto,
resulta que simplemente con U<Uto se consigue que la corriente de drenaje sea nula.

Trabajando en zona de saturacin el circuito equivalente entre drenaje y fuente es una


fuente de corriente con un valor proporcional a UGS y como al aumentar el valor de U,
aumentar la corriente de drenaje, el valor de UDS ir disminuyendo como se puede
deducir de la ecuacin de la recta de carga:

5
Modelo de gran seal del transistor NMOS

30V = I D R D + U DS + R S IS = 2 I D R + U DS

hasta llegar a la situacin UDS=UCON, a partir de la cual el transistor pasar a trabajar en


zona hmica. Sustituyendo en la ecuacin anterior esta igualdad, resulta para la
corriente de drenaje el valor ID=1,3A.

Puesto que la ecuacin que relaciona la corriente de drenaje con la tensin entre los
terminales de puerta y fuente, en este caso U, es justamente la expresin de la fuente de
corriente dependiente del circuito equivalente, es decir, ID=g(UGS-UT), basta con
sustituir para determinar el valor de U en el punto de transicin de zona de saturacin a
zona hmica: 1,3A = 1 AV-1 (U-4V), es decir, U=5,3V.

En conclusin: - zona de corte: U<4V, - zona de resistencia: U>5,3V

Ejemplo C

En el instante t=0 se conecta el terminal de fuente de un transistor NMOS de


acumulacin con el terminal negativo de un condensador de 1F (tensin inicial de
10V) y el terminal de drenaje con el terminal positivo. Explique la evolucin de la
tensin del condensador a partir de ese instante teniendo en cuenta que: a) el transistor
es ideal con g=1 A/V, tensin umbral de 4V y tensin de contraccin de 3V y b) la
tensin entre los terminales de puerta y fuente es de 5V.

Solucin:

Figura 7. Circuito objeto de anlisis en el ejemplo C

Al llevar a cabo la conexin entre el transistor y el condensador en el instante t=0s, la


tensin entre drenaje y fuente pasa a ser para todo instante de tiempo la tensin entre
bornas del condensador, es decir, UDS(t) =UC(t) y en particular UDS(0)=10V.

Puesto que inicialmente la tensin entre drenaje y fuente es mayor que la tensin de
contraccin, y adems el enunciado nos indica que para todo instante la tensin entre
los terminales de puerta y fuente es de 5V, mayor que la tensin umbral de valor 4V, el
transistor estar trabajando en un principio en zona de saturacin.

ID=g(UPF-UT) = 1AV-1(5V-4V) = 1A y por ello el condensador se descarga linealmente


segn la ecuacin:

6
Modelo de gran seal del transistor NMOS

t
du C 1 1 I t
iC = C ; u C = i C dt = i C dt + u C (0) = D + 10 V
dt C C0 C

Dicho proceso de descarga lineal ser vlido hasta que la tensin entre drenaje y fuente,
y por consiguiente la del condensador, alcance el valor de la tensin de contraccin de
3V, hecho que ocurrir para el instante de tiempo:

1A t
3V = + 10V; t = 7 s
1F

a partir de ese instante el transistor pasar a comportarse como una resistencia y la


tensin del condensador decrecer exponencialmente hasta que el condensador pierda
totalmente su carga y por ello su tensin pase a ser nula.

La resistencia equivalente se calcula sin ms que dividir el valor de la tensin de


contraccin, 3V, por el valor calculado para la fuente de corriente del circuito
equivalente en zona de saturacin, 1A. Por consiguiente Req=3.

La expresin de la ecuacin de descarga a partir de t=7s responde a:

-(t -7 s)
u C = 3V e RC

y donde el producto RC, constante de tiempo del circuito, tiene un valor de 3s.

Ejercicio A

Dado un transistor MOSFET canal n de acumulacin ideal del que


se sabe que su transconductancia es 0,4 A/V, que su tensin
umbral es de 5V y que su tensin de contraccin es de 4V,
determine la tensin entre drenaje y fuente as como la corriente
de drenaje para el circuito de la figura. Datos: R=10.

Solucin: UDS =10V e ID=2A.

Ejercicio B

Dado un transistor MOSFET canal n de acumulacin ideal y


sabiendo que su transconductancia es 0,5 A/V, que su tensin
umbral es 4V y que su tensin de contraccin es de 5V, determine
tanto la lnea de carga del circuito como el punto de trabajo Q del
dispositivo. Datos: R=100.

Solucin:
ecuacin de la lnea de carga: UDS =30V
punto de trabajo Q: UDS = UGS = 30V e ID=13A.

7
Modelo de gran seal del transistor NMOS

Ejercicio C

Sabiendo que el transistor NMOS de acumulacin de


la figura es un transistor ideal con una
transconductancia de 1 A/V, una tensin umbral de
5V y una tensin de contraccin de 4V, determine la
corriente I que sale del terminal de +15V. Nota: las
tres resistencias tienen un valor de 10.

Solucin: ID=1,19A.