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UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA


ESCUELA DE INGENIERA ELCTRICA
ELECTRONICA II
CICLO I - 2014








TAREA #1


Presentado por:
Vsquez Lpez, Nstor Gabriel VL10008


Catedrtico: Ing. Jos Roberto Ramos






Ciudad Universitaria, Lunes 05 de mayo de 2014
1. Para VDD = 1.8 y empleando IREF = 50 uA, se debe disear el circuito
mostrado para obtener una corriente de salida cuyo valor nominal sea 50 uA.
Encuentre R, si Q1 y Q2 son coincidentes con longitudes de canal de 0.5 um,
anchos de canal de 5 um, Vt = 0.5 V y kn = 250 uA/V2. Cul es el valor ms
bajo posible de Vo? Suponiendo que para esta tecnologa de proceso, el voltaje
Early VA = 20 V/um, encuentre la resistencia de salida de la fuente de
corriente. Adems encuentre el cambio en la corriente de salida provocado por
un cambio de +1V en Vo.
























2. Un espejo de corriente PMOS consta de tres transistores PMOS, uno
conectado como diodo y dos que se usan como salidas de corriente. (En la
figura se muestra como ejemplo a Q4 conectado como diodo y Q5 como salida
de corriente). Todos los transistores tienen |Vt| = 0.7 V y, kp = 80 uA/V2 y L =
1.0 um, pero tres anchos diferentes: 10, 20 y 40 um. Cuando el transistor
conectado como diodo es alimentado desde una fuente de corriente de 100 uA,
cuantas salidas de corriente estn disponibles?
Repita con dos de los transistores conectados como diodos y el tercero usado
para proporcionar salida de corriente. Para cada combinacin posible de
entrada diodo, d los valores de las corrientes de salida y del VSG que resulta.





















3. El circuito mostrado en la figura es conocido como transmisor de corriente.



a) suponiendo que Y est conectado a un voltaje V, una corriente I se
fuerza en X, y la terminal Z se conecta en un voltaje que mantiene Q5
en la R.A., demuestre que una corriente igual a I fluye a travs de la
terminal Y, que un voltaje igual a V aparece en la terminal X, y que una
corriente igual a I fluye a travs de la terminal Z. Suponga que hFE es
grande. Los transistores correspondientes son coincidentes y todos
operan en R.A.
b) Con Y conectado a tierra, demuestre que aparece una tierra virtual en
X. Ahora si X se conecta a una fuente de alimentacin de +5V a travs
de una resistencia de 10 k, qu corriente fluye a travs de Z?















4. En la figura se muestra el circuito equivalente en alta frecuencia de un
amplificador Fuente Comn con resistencia de fuente Rs. El objetivo de este
problema es demostrar que el valor de Rs puede usarse para controlar la
ganancia y el ancho de banda del amplificador, de manera especfica para
permitir que el diseador compense ganancia con mayor ancho de banda.
a) obtenga una expresin para la ganancia de voltaje a baja frecuencia.
b) para poder determinar wH empleando el mtodo de las constantes de
tiempo a circuito abierto, encuentre expresiones para Rgs y Rgd.
a. Sea Rseal = 100 k, gm = 4mA/V, RL = 5 k, y Cgs = Cgd = 1 pF.
Use las expresiones obtenidas en a) y en b) para determinar la ganancia
en baja frecuencia y la frecuencia de 3 dB, fH, para tres casos: Rs = 0
ohm, 100 ohm, y 250 ohm. En cada caso, evale tambin el producto
ganancia-ancho de banda.

























5. El transistor NMOS del circuito mostrado tiene Vt = 0.5 V, kn W/L = 2
mA/V
2
, y VA = 20 V.
a) desprecie la corriente dc en la red de retroalimentacin y el efecto de ro
y calcule VGS y VDS. Ahora encuentre la corriente DC en la red de
realimentacin, y compruebe que estaba justificado despreciarla.
b) Encuentre la ganancia de voltaje a pequea seal, vo/vi Cul es el pico
de la seal de onda senoidal ms grande posible, mientras el MOS sigue
en saturacin? Cul es la seal de entrada correspondiente?
c) encuentre la resistencia de entrada a pequea seal Rent (Rin en la
figura).
d) Si la entrada del amplificador se conecta a una fuente de seales Vseal
con una Rseal = 100 k, calcular la ganancia Gv.




















6. Utilizando el modelo hbrido pi en alta frecuencia BJT con rx = 0 y ro = oo,
obtenga una expresin para Zi(s) como funcin de re y Cpi. Encuentre la
frecuencia en la que la impedancia tiene un ngulo de fase de 45 para el caso
en que el BJT tiene fT = 400 MHz, y la corriente de polarizacin es
relativamente alta.
Cul ser esta frecuencia si la corriente de polarizacin es reducida de modo
que Cpi = Cu? (Suponga que alfa = 1)































7. En la figura se muestran 4 posibles implementaciones del cascodo plegado.
Suponga que para los BJT hFE = 200 y |VA| = 100 V y para los MOSFET
kW/L = 2 mA/V2, |VA| = 5 V y |Vt| = 0.6 V. Adems I = 100 uA y VPOL = +1
V, y suponga que la resistencia de salida de la fuente de corriente I es igual a la
resistencia de salida de su circuito conectado. Debe suponerse que la fuente 2I
es ideal. Para cada circuito encontrar:
a) la corriente de polarizacin en Q1.
b) el voltaje en el nodo entre Q1 y Q2 (suponga |VBE| = 0.7).
c) gm y ro para cada dispositivo.
d) el valor mximo permitido de vo.
e) resistencia de entrada.
f) resistencia de salida.





















8. Considere el amplificador BiCMOS mostrado. El BJT tiene |VBE|= 0.7 V, hFE
= 200, Cu = 8 pF y fT = 600 MHz. El NMOS tiene Vt = 1V, kn W/L = 2 mA/V2
y Cgs = Cgd= 1pF.
a) considere el circuito de polarizacin de dc. Desprecie la corriente de
base de Q2 a determinar la corriente en Q1, encuentre las corrientes de
polarizacin dc en Q1 y Q2, y demuestre que son de alrededor de 100
uA y 1 mA, respectivamente.
b) Determine Vo/Vi y Vo/Vseal.
c) Determine fL.
d) Use constantes de tiempo a circuito abierto para determinar fH.
e) Para reducir considerablemente el efecto de RG sobre Rent, considere
el efecto de agregar otro resistor de 10 M en serie con RG y colocando
un capacitor de derivacin grande entre su nodo de unin y tierra.
Cules sern los valores de Rent, AM, y fH?

















9. En cada uno de los seis circuitos mostrados, sean hFE = 100, Cu = 2 pF, y fT =
400 MHz, y despreciando el efecto de rx y ro, calcule la ganancia en la banda
media AM y fH.



















10. Si el transistor pnp est caracterizado por su relacin exponencial con un
factor de escala IS, demuestre que la corriente en dc, I, se determina con IR =
VT ln(I/IS). Suponga que Q1 y Q2 habrn de coincidir y Q3, Q4 y Q5 tambin
habrn de ser coincidentes. Encuentre el valor de R que produce una corriente
I = 10 uA. Para el BJT VBE = 0.7 V @ IE = 1 mA.