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Como Se Hacen Las Conclusiones PDF
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Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base (IB) es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector (IC) beta veces ms grande (recordar que IC = IB).
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (IC) depende principalmente de la corriente de base (IB), de
beta ( = ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Regin de ruptura. Es la zona que alcanza el transistor cuando se le aplican las tensiones mximas
que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas. Cuando se alcanza estas tensiones
existe peligro de ruptura del transistor. El fabricante proporciona dos tensiones mximas (VCEO,
VCES) que limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en continua los
transistores. VCEO define la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito
abierto, antes de que se produzca fenmenos de multiplicacin de avalancha que incrementa
exponencialmente la ICO a travs de la unin de colector. VCES define la tensin mxima del
colector, estando la base cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de
transicin alcance el emisor perforando la regin de base.
Lo que dicen los resultados: A medida que los valores de resistencia fueron cambiando, se logr
conformar una grfica similar a la expuesta por los fabricantes en la hoja de especificacin del
transistor. Para cada valor de resistencia de colector (RC) utilizada se presentaron siempre cambios
en la corriente de base (IB), al igual que en la corriente de colector (IC) y viceversa. Para valores
muy pequeos, del orden de mili-Ampers (mA), de corriente de colector (IC) fue posible
caracterizar la Regin de Corte, sin embargo no fue as para la representacin de la Regin de
Saturacin, aun y cuando los valores de voltaje de colector-emisor (VCE) tendan a cero. Por otra
parte, se lograron valores de voltaje de colector-emisor (VCE) bastante altos (alrededor de los 30
volts), no obstante nunca se observ comportamiento irregular del transistor ni en las corrientes
de polarizacin y, de acuerdo a las especificaciones del fabricante, estuvimos muy lejos de alcanzar
una tensin mxima (VCEO) que condujera al transistor a la regin de ruptura.
Conclusin: De esta experiencia podemos concluir:
La representacin de las diversas grficas caractersticas de polarizacin de un transistor
se obtienen al efectuar variaciones controladas de los parmetros de operacin que los
regulan y observando el comportamiento que muestran estos.
El factor de ganancia de corriente del transistor () no es fijo y es dependiente de la
relacin que guardan la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB), ya que
adquiere diferentes valores a medida que estas corrientes varan.
El voltaje colector-emisor (VCE) guarda una relacin directa con el voltaje de alimentacin
(VCC) en una proporcin aproximada de 2 a 1, es decir: 2VCE VCC
Referencias Bibliogrficas.
Carlos Sabino. El proceso de investigacin, Panapo, Caracas, 1992.
Serafini, M. T. Cmo redactar un tema. Didctica de la escritura, Mxico, Paids, 1991.