Está en la página 1de 10

Tarea 6

Javier Melendrez Cedillo

6.1 Explique con detalle cmo polariza un transistor de unin bipolar


para que ste est en la regin de amplificacin
Para que un transistor opere en la regin de amplificacin o regin activa se
deben de cumplir las siguientes condiciones:
Una fuente de voltaje polariza en directa la unin base-emisor, cuando eso
ocurre, la unin opera como un diodo
Y el diodo base colector se polariza en inversa
El voltaje colector emisor debe de ser mayor a un cierto valor llamado voltaje
de saturacin para que el transistor no opera en la regin de saturacin.
Ese voltaje tambin debe de ser menor a un voltaje llamado Voltaje de corte en
el cual el transistor entra en la zona de corte
6.2 Qu entiende por modelo global de un transistor? Cules son las
principales caractersticas de los elementos de semiconductor (por
ejemplo, transistores)?
Cualquier elemento fsico tiene un conjunto de modelos, los modelos son
representaciones abstractas con las cuales intentamos representar
por
ecuaciones parmetros el comportamiento de un circuito. Si usamos solamente
el pdelo pi hbrido linealizado es para un solo punto de operacin, entonces
hemos perdido informacin del punto de operacin
adems de perder
informacin del comportamiento no lineal, ruido, dependencia con la
temperatura.
Para poder disear y construir CI se necesitan modelos muy exactos para que
podamos representar la mayora de los fenmenos ms importantes en un
transistor en la mayora de las condiciones de operacin.
Dentro de los diferentes modelos que tienen los bjt hay uno muy exitoso, que
funciona para la gran mayora de las condiciones de operacin y altas
frecuencias (unos 5- 10 GHz), y este modelo es el modelo HM. Es un modelo
global ya que considera todas las condiciones de operacin, por ejemplo si
queremos estudiar los puntos de operacin, saber cmo cambian las
caractersticas con la temperatura, cmo depende la respuesta de la
frecuencia, la generacin de distorsiones no lineales, qu tanto rudo introduce,
etc.

6.3 Considere que se desea polarizar en regin activa a los


transistores del amplificador de dos etapas analizados en clase.
Escoja un conjunto de valores
IC1= 3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15 mA
IC2=
mA

8.5,9.5,10.5,11.5,12.5,13.5,14.5,15.5,16.5,17.5,18.5,19.5,20.5

Vcc= 3.5, 9, 12 V
Av= 10,15,20
Calcule las redes de polarizacin de las dos etapas
Seleccione un transistor NPN de alta frecuencia
Considere que todos los capacitores de desacoplamiento son iguales
de valor 10000 pF
a.- Encuentre los voltajes y corrientes de polarizacin en cada uno de
los nodos
b.- Compare los valores propuestos de polarizacin con los obtenidos
con el MW Office y expliqu qu hara para aproximar los valores
c.- Realice un estudio de las variaciones de los puntos de polarizacin
cuando la temperatura de operacin es de -20 y 50 C. Explique qu
hara para disminuir la variacin de las corrientes de colector debido a
las variaciones de temperatura
Se hizo un anlisis de circuitos y utiliz el software matemtico Maple,
seleccionando los siguientes valores:
Ic1 = 3mA
Ic2= 20.5mA
Av = 10
Vcc = 12 V

Transistor 1

Voltaje de alimentacin
Ganancia
Voltaje Base-Emisor

Resistor de colector en el transistor 1


Voltaje en el Resistor R2

Voltaje en el Emisor del transistor 1


Corriente de emisor en el transistor 1
Resistor en el emisor del transistor 1

Voltaje en el colector del transistor 1


Voltaje Colector - Emisor en el transitor 1
Corriente de Saturacin en el transistor 1

Transistor 2
Resistor R11
Resistor R22
Corriente en el colector del transistor 2
Resistor

Resistor en el colectror del transistor 2


Voltaje en el resistor R22

Voltaje en el emisor del transistor 2


Corriente en el Emisor del transistor 2
Resistor en el emisor del transistor 2

Voltaje en el colector en el transistor 2


Voltaje Colector - Emisor 2
Corriente de saturacin en el transistor 2

Como se puede apreciar, ambos transistores se encuentran en la regin de amplificacin ya


que la corriente del colector es menor a la corriente de saturacin; y el voltaje colector
emisor es menor al voltaje de corte.

En la siguiente tabla se resumen los correspondientes valores de los resistores, voltajes y


corrientes de los transistores:
Transistor 1
Transistor 2

R1
R2
RC
RE
IE
IC
VCE
VC
VE

()
()
()
()
(mA)
(mA)
(V)
(V)
(V)

Maple
8000
4000
83.33333332
1100.000000
3
3
8.45
11.75
3.3

MWS
8000
4000
83.33333332
1100.000000
3.01
2.99
8.41
11.8
3.31

Maple
8000
4000
12.19512195
160.9756098
0.0205
0.0205
8.45
11.8
3.31

MWS
8000
4000
12.19512195
160.9756098
8.29
8.25
8.58
11.8
3.22

6.4 Encuentre en MW Office la ganancia en banda media, el ancho de


banda, la frecuencia de corte inferior, la frecuencia de corte superior,
la ganancia inversa, la impedancia de entrada y la impedancia de
salida. Realice la simulacin para las temperaturas de -10 y 50 C
comprelas con las de 27 grados, cules son sus conclusiones y
comentarios.

Ganancia en banda media

Ganancia inversa

Impedancia de entrada

Impedancia de salida

La ganancia en banda media es de 32.92 dB. La frecuencia de corte inferior es


prcticamente 0; la frecuencia de corte superior es 13.625 MHz con el mismo
ancho de banda.
La ganancia inversa nos indica dos informaciones muy importantes:
Hay retroalimentacin interna porque hay flujo de energa del puerto de salida
al puerto de entrada, el amplificador no es unilateral dado que los transistores
siempre hay una pequea trayectoria del puerto de salida al de entrada. Nos
dice que est atenuando la seal de salida vista desde el puerto de entrada n
veces a tal frecuencia, pero nunca es cero.

Las grficas de impedancias nos indican que cmo se comporta la impedancia


de entrada y salida. En ambos casos la parte imaginaria tiene un carcter

capacitivo. Podemos asegurar esto ya que la reactancia es negativa. Tambin


podemos ver que a ciertas frecuencias el valor real es muy grande o pequeo;
si quisiramos acoplar impedancias para tener coeficiente de reflexin
pequeo tanto de entrada como de salida tendramos que acoplarlo a ciertos
intervalos de frecuencia.

La ganancia en banda media cambia, esto nos recuerda que:


Una de las caractersticas bsicas de todo semiconductor es de que sus
caractersticas cambian con la temperatura; en el emisor hay una resistencia
que le da estabilidad trmica (no es absoluta). Si incrementamos el valor de
esa resistencia para obtener un valor deseado.
Cambia el punto de operacin, nos indica si dentro de ese intervalo de
temperatura el circuito sigue estable, si entra en la zona de corte, saturacin, y
en que intervalos cambia la corriente, los voltajes.
La ganancia se ve afectada respecto a la temperatura. La ganancia incrementa
a su valor mximo, 35.17 dB a la temperatura de 20 C con una frecuencia de
corte inferior de 0 y de 12.731MHz. Cuando la temperatura aumenta a 50 C. la
ganancia en banda media disminuye a 31.93 MHz con una frecuencia de corte
superior de 14.055 MHz.
Con ste anlisis se puede notar que la amplitud de la ganancia media vara de
manera inversa a la temperatura del transistor y la frecuencia de corte superior
vara de manera directa. Lo mismo ocurre con la amplitud de la ganancia
inversa.
En cambio, las impedancias de entrada y salida, stas varan de manera
directa con la temperatura.