INVERSORES DE MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO

Los convertidores de cd a ca se conocen como inversores.

La función de un inversor es cambiar un voltaje de entrada en
cd a un voltaje simétrico de salida como la frecuencia pueden
ser fijos o variables.
Si se modifica el voltaje de entrada de cd y la ganancia del
inversor se mantiene constante, es posible obtener un voltaje
variable de salida.
Por otra parte, si el voltaje de entrada en cd es fijo y no es
controlable, se puede obtener un voltaje de salida variable si
se varía la ganancia del inversor; esto por lo general se hace
controlando la modulación del ancho de pulso (PWM) dentro
del inversor.
La ganancia del invertir se puede definir como la relación
entre el voltaje de salida en ca y el voltaje de entrada en cd.
En los inversores ideales, las formas de onda del voltaje de
salida deberían ser senoidales.
Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y
contienen ciertas armónicas.
Para aplicaciones de mediana y baja potencia, se pueden
aceptar los voltajes de onda cuadrada o casi cuadrada; para
aplicaciones de alta potencia, son necesarias las formas de
onda senoidales de baja distorsión.
Dada la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de
potencia de alta velocidad es posible minimizar o reducir
significativamente el contenido armónico del voltaje de salida
mediante las técnicas de conmutación.
El uso de los inversores es muy común en aplicaciones
industriales tales (como la propulsión de monitores de ca de
velocidad variable, la calefacción por inducción, las fuentes de
respaldo y las del poder, alimentaciones interrumpidas de
potencia).
La entrada pueden ser una batería una celda de combustible,
una celda solar u otra fuente de cd.
Las salidas monofásicas típicas son:
(1) 120 V a 60 Hz
(2) 220 V a 50Hz y
(3) 115 V a 400 Hz.
Para sistemas trifásicos de alta potencia las salidas típicas
son:
(1) 220/380 V a 50 Hz y
(2) 120/208 V a 60 Hz
(3) 115 V a 400 Hz.
Para sistemas trifásicos de alta potencia.
Los inversores se pueden clasificar básicamente en dos tipos:
(1) inversores monofásicos
(2) inversores trifásico.
Cada tipo puede utilizar dispositivos con activación y
desactividación controlada (es decir: BBJT, MOSFET, IGBT,
MCT, SIT, GTO) o tiristores de conmutación forzada, según
la aplicación.
Estos inversores utilizan por señales de control PW/M para
producir un voltaje de salida en ca.
Un inversor se llama inversor alimentado por voltaje (VFI) si
el voltaje de entrada se conserva constante; e inversor
enlazado en cd variable si el voltaje de entrada es controlable.
PRINCIPIO DE OPERACIÓN :
Mediante la fig10.1-a se puede explicar el principio de
funcionamiento de los inversores monofásicos.
El circuito inversor está formado por dos pulsadores.
Cuando sólo el transistor Q1 está activo durante el tiempo
T0/2, el voltaje instantáneo a través de la carga v0 es VS/2.
Si sólo el transistor Q2 está activo durante un tiempo T0/2,
aparece el voltaje –VS/2 a través de la carga.
El circuito lógico debe diseñarse de tal forma que Q 1 y Q2 no
estén activos simultáneamente.
La fig.10.1-b muestra las formas de onda para los voltajes de
salida y las corrientes de los transistores en el caso de una
carga resistiva.
Este inversor requiere de una fuente de cd de tres
conductores, cuando un transistor está inactivo, su voltaje
inverso es VS en vez de VS/2. Este inversor se conoce como
inversor de medio puente.

Fig.10.1 Inversor Monofásico de medio Puente.

El voltaje rms de salida se puede encontrar a partir de:
1/ 2
 2 T0/2
VS2  Vs
V0  
 T0

0
dt 
4 

2
(10-1)

El voltaje instantáneo de salida se puede expresar en una serie

de Fourier como:
x
2Vs
V0  
n 1, 3, 5 n
sen nwt
 = 0 para n=2,4,...... (10-2)
donde =2f0 es la frecuencia del voltaje de salida en rad/s.
Para n=1, la ecuación proporciona el valor rms de la
componente fundamental como:
2Vs
V1   0.45 Vs (10-3)
2

Para una carga inductiva, la corriente de la carga no puede

cambiar inmediatamente con el voltaje de salida.
Si Q1 es desactivado en t=T0/2, la corriente de la carga seguirá
fluyendo a través de D2, la carga y la mitad inferior de la
fuente de cd, hasta que la corriente llegue a cero.
En forma similar, cuando Q2 se desactiva en t=T0, la corriente
de la carga fluye a través de D 1, la carga y la mitad superior
de la fuente de cd.
Cuando el diodo D1 o D2 conducen, la energía es
retroalimentada a la fuente de cd por lo que estos se conocen
como diodos de retroalimentación.
La fig.10.1-b muestra la corriente y los intervalos de
conducción de los dispositivos para una carga puramente
inductiva.
Se puede notar que para una carga puramente inductiva, un
transistor conduce únicamente durante T0/2 (es decir 90°).
Dependiendo del factor de potencia de la carga, el período de
conducción de un transistor varía desde 90 hasta 180°.
Los transistores pueden substituirse por GTO o por tiristores
de conmutación forzada.
Si tq es el tiempo de desactivación de un tiristor, debe existir
un tiempo mínimo de retraso tq entre el tiristor que se
desactiva y el disparo del siguiente tiristor.
De lo contrario, entre ambos tiristores tendría lugar una
condición de corto circuito.
Por lo tanto, el tiempo máximo de conducción de un tiristor
sería T0/2 – tq.
En la práctica, incluso los transistores requieren de un cierto
tiempo de activación y desactivación.
Para la operación exitosa de los inversores, el circuito lógico
deberá tomar todo esto en consideración.
Para una carga RL, la corriente instantánea de la carga i 0 se
puede determinar a partir de:
x
2Vs
i0  
n 1, 3, 5 n R ²  (nwL)²
sen ( nwt   m ) (10-4)

donde n=tan-1 (nL/R).

Si I01 es la corriente rms de la componente fundamental de la
carga, la potencia de la componente fundamental de salida
(para n = 1) es:
P01 = V1I01 cos 1 = I012 R (10-5)
2
 2Vs 
  R (10-5a)
 2 R ²  (L)² 
Nota. En la mayor parte de las aplicaciones (por ejemplo los
propulsores de motores eléctricos) la potencia de salida
debida a la corriente de la componente fundamental es la
potencia útil, y la potencia debida a las corrientes armónicas
es disipada en forma de calor aumentado la temperatura de la
carga.
PARÁMETROS DE RENDIMIENTO :
La salida de los inversores reales contiene armónicas.
La cantidad de un inversor por lo general se evalúa en
términos de los siguientes parámetros de rendimiento.
Factor armónico de la enésima componente, HFn :
El factor armónico (correspondiente a la enésima armónica),
es una medida de contribución armónica individual y se
define como:
Vn
HFn  (10-6)
V1

donde: V1 es el valor rms de la componente fundamental y V n

es el valor rms de la enésima componente armónica.

Distorsión total armónica THD :

La distorsión armónica total, es una medida de la similitud
entre la forma de onda y su componente fundamental, se
define como:
1/ 2
1  x 2
THD    V n  (10-7)
V1  n  2,3 
Factor de distorsión DF :
El valor THD proporciona el contenido armónico total, pero
no indica el nivel de cada uno de sus componentes.
Si en la salida de los inversores se utiliza un filtro, las
armónicas de orden más alto se atenuarán con mayor eficacia.
Por lo tanto, resulta importante conocer tanto la frecuencia
como la magnitud de cada componente.
El factor de distorsión indica la cantidad de distorsión
armónica que queda en una forma de onda particular después
de que las armónicas de esa forma de onda hayan sido sujetas
a una atenuación de segundo orden (es decir divididas por n²).
Por lo tanto, el valor DF es una media de la eficacia en la
reducción de las componentes armónicas no deseadas, sin
necesidad de especificar valores de un filtro de carga de
segundo orden, y se define como:
1/ 2
1  x  Vn  2 
DF      (10-8)
V1 n  2 ,3 n ²  

El factor de distorsión de una componente armónica

individual (o de orden n) se define como:
Vn
DFn  (10-9)
V1n ²

Armónica de menor orden LOH :

La armónica de menor orden es aquella componente cuya
frecuencia es más cercana a la fundamental, y cuya amplitud
es mayor que o igual al 3% de la componente fundamental.
Ejemplo: Un inversor monofásico de medio puente como el de
la fig.10.1-a. Tiene una carga resistiva R=2.4 y una tensión
de entrada en cd VS= 48 V. Determine:
(a) La tensión rms de salida ala frecuencia fundamental.
(b) La potencia de salida P0.
(c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
(d) La tensión de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
(e) La distorsión armónica total THD,
(f) El factor de distorsión DF,
(g) El factor armónico y el factor de distorsión de la
armónica de menor orden.
Solucion:
INVERSORES MONOFASICOS EN PUENTE :
Un inversor monofásico en puente aparece en la fig.10.2-a.
Está formado por cuatro pulsadores.
Cuando los transistores Q1 y Q2 se activan simultáneamente,
el voltaje de entrada VS aparece a través de la carga.
Si los transistores Q3 y Q4 se activan al mismo tiempo, el
voltaje a través de la carga se invierte, y adquiere el valor:
– VS.
La forma de onda para el voltaje de salida se muestra en la
fig.10.2-b.
 Fig.10.2 Inversor Monofásico Puente.
El voltaje rms de salida se puede determinar a partir de
1/ 2
 2 To / 2 
V0    V dt 
S
2
 VS (10-10)
 T0 0


La ecuación se puede extender para que exprese el voltaje

instantáneo de salida en una serie de Fourier como:
x
4VS
v0  
n1, 3, 5... n
sen n t
(10-11)
y para n=1, la ecuación proporciona el valor rms de la
componente fundamental como:
4VS
V1   0.90 VS (10-12)
2

Si utilizamos la ecuación, la corriente instantánea de la carga

i0 para una carga RL se convierte en:
x
4Vs
i0  
n 1, 3, 5 n R ²  (nwL)²
sen (n t   n ) (10-13)

donde n = tan-1 (nwR/L).

Cuando los diodos D1 y D2 conducen, se retroalimenta la
energía a la fuente de cd por lo que se dice que D 1 y D2 son
diodos de retroalimentación.
La fig.10.1-c muestra la forma de onda de la corriente para
una carga inductiva.

Ejemplo:
Un inversor para un inversor monofásico en puente como el
de la fig.10.2-a. tiene una carga resistiva R=2.4 y una tensión
de entrada en cd VS= 48 V. Determine:
(a) La tensión rms de salida ala frecuencia fundamental.
(b) La potencia de salida P0.
(c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
(d) La tensión de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
(e) La distorsión armónica total THD,
(f) El factor de distorsión DF,
(g) El factor armónico y el factor de distorsión de la
armónica de menor orden.
Solución: Vs = 48 V y R = 2.4 
(a) De la ecuación (10-12). V1 = 0.90 x 48 = 43.2 V
(b) De la ecuación (10-10), Vo = Vs = 48V. La potencia
de salida Po = V²s/R = 48²/2.4 = 9.60 W
(c) La corriente pico de transitor lp = 48/2.4 = 20ª. Dado
que cada transitor conduce durante el ciclo de
 trabajo del 50%, la corriente promedio de cada
transitor es ID = 0.2 x 20 = 10ª
(d) El voltaje pico de bloqueo inverso, VBR = 48V
(e) A partir de la ecuación (10-12), V1 = 0.9 VS, el voltaje
armónico rms Vh es:
1/ 2
 x 2
Vh =  Vn   (V02  V12 )1 / 2  0.4352V
 n  3, 5 , 7 

De la ecuación (10-7):
THD = 0.4359VS/ (0.9VS) = 48.34%
1/ 2
   Vn  2 
(f)       0.03424V ,
 n3,5, 7  n ²  

De la ecuación (10-8):
DF = 0.03424Vs/(0.9Vs) = 3.804%
(g) La armónica de menor orden es la tercera, V 3 = V1/3.
De la ecuación (10-6), HF3= V3/V1 = 1/3 = 33.33% y, de la
ecuación (10-9), DF3 = (V3/3²/V1 = 1/27=3.704%
Nota:
El voltaje pico de bloque inverso de cada transistor y la
calidad del voltaje de salida para inversores de medio
puente y puente completo es el mismo.
Sin embargo para los inversores de puente completo, la
potencia de salida es cuatro veces más alta y la componente
fundamental es dos veces la correspondiente a la de los
inversores de medio puente.
Ejemplo:
El inversor puente de la fig.10.2-a tiene una carga RLC con
R=10 , L=32.5 mH, y C=112 µF.
La frecuencia del inversor, fo = 60 Hz y el voltaje de entrada
en cd, Vs = 220V,
(a) Exprese la corriente instantánea de la carga en series de
Fourier. Calcule:
(b) la corriente rms de la carga a la frecuencia fundamental
I1 ;
(c) la distorsión armónica total THD de la corriente de la
carga;
(d) la potencia demandada por la carga P o y la potencia
fundamental Po1;
(e) la corriente promedio de la alimentación en cd Is; y
(f) la corriente rms y pico de cada transistor,
(g) Dibuje la forma de onda de la corriente fundamental de
la carga y muestre los intervalos de conducción de los
transitores y de los diodos.
(h) Calcule el tiempo de conducción de:
 los transistores e
 los diodos.
Solución:
XL = j2n x 60 31.5 x 10-3 = j 11.87 n 
La reactancia capacitiva para el voltaje de la enésima
armónica es:
j106  j 23.68
Xc = 2nx 60 x112

n


La impedancia para la enésima armónica es:

 Z n   10²  (11.87n  23.68 / n²1 / 2
Y el ángulo del factor de potencia para el voltaje de enésima
armónica es:
11 .87n  23.68 / n  2.368 
 n  tan 1  tan 1 1.187 n  
10  n 

a) De la ecuación (8-11), el voltaje instantáneo de salida

expresarse como:
 o(t) = 280.1 sen(377t)+93.4sen(3x377t)+56.02 sen(5x377t)

+ 40.02 sen (7 x 377t) + 31.12 sen (9 x 377t) + ...

Dividiendo el voltaje de salida entre la impendancia de la
carga y considerando el retraso apropiado en razón de los
ángulos del factor de potencia, podemos obtener la corriente
instantánea de la carga como:
io(t) = 18.1 sen (377t + 49.72°) + 3.17 sen (3 x 377t – 10.17°) +
sen (5 x 377t – 96.63°) + 0.5 sen (7 x 377t – 82.85°) + 0.3 sen (9
x 377t - 84.52°) + ….
(b) La corriente fundamental pico de la carga, Im1 = 18.1 A.
La corriente rms de la carga a la frecuencia
fundamental, Io1 = 12.8A.
(c) Considerando hasta la noventa armónica, la corriente
pico de la carga.
Im = (18.1² + 3.17² +1.0² + 0.5² + 0.3²)1/2 = 2.3789 A
La corriente armónica rms de la carga es:
18.41²  18.1²
Ih =  I 
1/ 2
2
m  I m2 1   2.3879 A
2

Utilizando la ecuación (10-7) la distorsión armónica total de

la corriente de la carga.
I 
1/ 2
2
 I m2 1
1/ 2
 18.41  2 
THD = m

I m1
    1  18.59%
 18.1  

(d) la corriente rms de la carga Io  Im/ 2  18.41 / 2  13.02 A, y

la potencia de la carga Po = 13.022 x 10 = 1695 W.
Utilizando la ecuación (10-5), la potencia fundamental de
salida es:
Po1 = I 02 R  12.8² x 10 = 1538.4 W
(e) La corriente promedio de alimentación:
IS=1695/220=7.7A
(f) La corriente pico del transistor Ip=Im=18.41 A.
La corriente rms máxima permisible de cada transistor,

Io I p 18.41
IR     9.2 A
2 2 2

(g) La forma de onda para la corriente fundamental de la

carga, i1(t), aparece en la fig.10-3.
 (g) De la fig.10.3-a, el tiempo aproximado de conducción
de cada transistor se determina a partir de:
t0 =180 – 49.72 = 130.28° o bien,
t0 = 130.28 x /(180 x 377) = 6031 µs.
(h) El tiempo de conducción de cada diodo es
aproximadamente:

td = (180 – 130.28) x 180 x 377
= 2302 µs

Notas:

INVERSORES TRIFÁSICOS :
Los inversores trifásicos se utilizan normalmente en
aplicaciones de alta potencia.
Tres inversores monofásicos de medio puente (o de puente
completo) pueden conectarse en paralelo, tal y como se
muestra en la fig.10.4, para formar la configuración de un
inversor trifásico.
Las señales de compuerta de los inversores monofásicos deben
adelantarse o retrasarse 120° uno con respecto al otro, a fin de
obtener voltajes trifásicos balanceados (fundamentales).
Los embobinados primarios del transformador deben aislarse
unos de otros, en tanto que los embobinados secundarios
pueden quedar conectados en estrella o en delta.
Por lo general, el secundario del transformador se conecta en
estrella, a fin de eliminar armónicas múltiplos de tres (n = 3,
6, 9, ...) que aparecen en los voltajes de salida (la disposición
del circuito se muestra en la fig.10.4-b).
Este dispositivo requiere de tres transformadores
monofásicos, 12 transistores y 12 diodos.
Si los voltajes de salida de los inversores monofásicos no están
perfectamente equilibrados en magnitud y en fase, los voltajes
de salida trifásicos también estarán desequilibrados.
 Fig-10.4 Inversor Trifásico formado por tres inversores
monofásicos.
Se puede obtener una salida trifásica a partir de una
configuración de seis transistores y seis diodos, tal como la
que se muestra en la fig.10.5-a.
A los transistores se les puede aplicar dos tipos de señales de
control: conducción a 180° o conducción a 120°.
 Fig.10.5 Inversor Trifásico Puente.
CONDUCCIÓN A 180°:
Cada transistor conducirá durante 180°.
Tres transistores se mantienen activos durante cada instante
del tiempo.
Cuando el transistor Q1 está activado, la terminal a se conecta
con la terminal positiva del voltaje de entrada.
Cuando se activa el transistor Q4, la terminal a se lleva a la
terminal negativa de la fuente de cd.
En cada ciclo existen seis modos de operación, cuya duración
es de 60°.
Los transistores se numeran según su secuencia de excitación
(por ejemplo, 123, 234, 345, 456, 561, 612).
Las señales de excitación mostradas en las fig.10.5-b están
desplazadas 60° unas de otras, para obtener voltajes trifásicos
balanceados (fundamentales).
La carga puede conectarse en estrella o en delta, como se
muestra en la fig.10.6.

Fig.10.6 Carga conectada en delta-estrella.

En el caso de una carga conectada en delta, las corrientes de
fase se obtienen directamente de los voltajes línea a línea.
Una vez que se conocen las corrientes de fase, pueden
determinarse las corrientes de línea.
En caso de una carga conectada en estrella, los voltajes de
línea a neutro deben determinarse a fin de encontrar las
corrientes de línea o de fase.
Existen tres modos de operación en un medio ciclo, los
circuitos equivalentes aparecen en la fig.10.7-a, para el caso
de una carga conectada en estrella.

Fig.10.7 Circuitos Equivalentes para una carga resistiva

conectada en estrella.
Durante el modo 1 para: 0 < t < /3:
R 3R
Req  R  
2 2

Vs 2V s
i1  
Req 3R

i1 R V s
v an  v cn  
2 3
 2V s
vbn  i1 R 
3

Durante el modo 2 para: /3 <t < 2/3:

R 3R
Req  R  
2 2
 Vs 2V s
i1  
Req 3R

2Vs
vcn  i2 R 
3
 i2 R  Vs
van  vbn  
2 3

Durante el modo 3 para: 2/3 < t < :

R 3R
Req  R  
2 2

Vs 2V s
i1  
Req 3R

i3 R V s
v an  v cn  
2 3
 2V s
v bn  i3 R 
3

En la fig.10.7-b se muestran los voltajes línea a neutro.

El voltaje instantáneo línea a línea vab, de la fig.10.5-b, se
puede expresar en una serie de Fourier, reconociendo que v ab
está desplazada en /6 y las armónicas pares son cero.
x
4Vs n  
Van = n1
, 3, 5..... n
cos
6
sen n  wt  
 6

(10-14)
vbc y vca pueden determinarse a partir de la ecuación mediante
el desplazamiento de fase de vab en 120° y 240°,
respectivamente:
x
4Vs n  
vbc  
n 1, 3, 5... n
cos
6
sen n   t - 
 2 (10-15)
x
4Vs n  7 
vca  
n 1, 3, 5... n
cos
6
sen n   t -


2  (10-16)
Podemos observar que las ecuaciones, que en los voltajes línea
a línea, las armónicas múltiplos de tres (n = 3,9,15...) son cero.
El voltaje rms línea a línea se puede determinar a partir de:
1/ 2
 2 2 / 3  2
VL  
 2

0
Vs2 d ( wt )


3
Vs  0.8165 Vs (10-17)

De la ecuación, la enésima componente rms del voltaje de

línea es:
4V s n
V Ln 
2 n
cos
6
(10-18)

que, para n = 1, da el voltaje de línea fundamental

4Vs cos 30 0
VL1 
2
 0.7797 VS (10-19)

El valor rms de los voltajes de línea a neutro se puede

determinar a partir del voltaje de línea:

Vl 2V s
VP 
3

3
 0.4714 Vs (10-20)

Con las cargas resistivas, los diodos a través de los

transistores no tienen función.
Si la carga es inductiva, la corriente de cada brazo del
inversor se reemplazará en relación con su voltaje, tal y como
se muestra en la fig.10.8.
 Fig.10.8 Inversor Trifásico con carga RL.
Cuando el transistor Q4 de la fig.10.5-a está desactivado, la
única trayectoria para la corriente de línea negativa i a es a
través de D1 hasta que se invierta la polaridad de la corriente
de la carga en el tiempo t = t1.
Durante el período 0 < t < t1, el transistor Q1 no conduce.
En forma similar, la conducción del transistor Q 4 sólo arranca
en t=t2.
Los transistores deben ser disparados continuamente, dado
que el tiempo de conducción de los transistores y de los diodos
depende del factor de potencia de la carga.
En el caso de una carga conectada en estrella, el voltaje de
fase es van=van/3 con una retraso de 30°.
Utilizando la ecuación, la corriente de línea i a para una carga
RL está dada por:
x  4Vs n 
(10-21) i0    cos  sen (nwt   n )
 3n R ²  (nwL )²
n 1, 3, 5  6 
donde n = tan-1 (nwL/R).
Ejemplo:
El inversor trifásico de la fig.10.5-a tiene una carga resistiva e
inductiva conectada en estrella de R=5  y L=23 mH.
La frecuencia del inversor es ƒ0=60 Hz y el voltaje de entrada
de cd es Vs = 220 V.
(a) Exprese el voltaje instantáneo línea a línea vab(t) y la
corriente de línea ia(t) en series de Fourier.
Determine:
(b) el voltaje rms de la línea VL;
(c) el voltaje rms por fase Vp;
(d) El voltaje rms de línea VL1 a la frecuencia
fundamental;
(e) El voltaje rms por fase a la frecuencia fundamental,
Vp1;
(f) la distorsión armónica total, THD;
(g) el factor de distorsión DF;
(h) el factor armónico y el factor de distorsión de la
armónica de orden menor;
(i) la potencia de la carga Po:
(j) la corriente promedio del transistor ID; y
(k) la corriente rms del transistor IR.
Solución:
Vs = 220 V, R = , ƒ0 = 60 Hz, y =2 x 60=377 rad/s.
(a) Utilizando la ecuación (10-14), el voltaje instantáneo
línea a línea vab(t) se puede escribir como:
vab(t) = 242.58 sen(377t + 30°) – 48.52 sen 5(377t + 30°)
- 34.66 sen 7(377t + 30°) + 22.05 sen11(377t+30°)
+ 18.66 sen13(377t + 30°) – 14.27 sen17(377t+30°)
ZL= R 2   nwL  tan-1(nL/R)= 52   8.67 n  tan-1(8.67n/5)
2 2

Utilizando la ecuación (10-21), la corriente instantánea de

línea (o de fase) está dada por:
ia(t) =14 sen(377t – 60°) - 0.64 sen(5x377t –83.4°)
-0.33 sen(7x377t – 85.3°) + 0.13 sen(11x377t-87°)
+0.10 sen(13x377t-87.5°) – 0.06sen(17x377t–88°)-
(b) De la ecuación (10-17):
2
VL  Vs  0.8165 Vs  0.8165 x 220  179.63V
3

(c) De la ecuación (10-20):

Vl 2Vs
VP    0.4714 Vs  0.4714 x 220  103.7V
3 3

(d) De la ecuación (10-19):

VL1 = 0.7797 x 220 = 171.53V.
(e) Vp1 = VL1/ 3 = 99.03 v.
(f) De la ecuación (10-17):
4Vs cos 30 0
VL1   0.7797 VS
2
1/ 2
 X
2 

  VLn 
 = (V²L – V²L1)1/2 = 0.24236Vs
 N  5, 7 ,11 ... 

De la ecuación (10-17): THD=0.24236VS/(0.7797Vs)=31.08%.

El voltaje armónico rms de la línea es:
1/ 2
 x  VLn  2 
(g) VLh =    2   = 0.00666Vs
 n  5, 7 ,11... n  

De la ecuación (10-8): DF = 0.00666Vs/(0.7797Vs) =0.854%

(h) La armónica de orden menor es la quinta, VLS=VL1/5.
De la ecuación (10-6): HF5=VL5/VL1=1/5= 20%, y de la
ecuación (10-9): DF5=(VL5/5²)/VL1=1/125 = 0.8%
(i) Para cargas conectadas en estrella, la corriente de línea
es la misma que la corriente de fase y la corriente rms de
línea.

IL =
14 2
 0.64 2  0.332  0.132  0.10 2  0.06 2 
1/ 2

= 9.91 a
2

La potencia de la carga P0 = 3l²LR = 3 x 9.91² x 5 = 1473W.

(j) La corriente promedio de la alimentación:
IS=Po/220=1473/220=6.7 A y la corriente promedio del
transistor: ID=6.7/3=2.23 A.
(k) Dado que la corriente de línea está compartida entre dos
transistores, el valor rms de la corriente del transistor es
IR = IL/ 2 = 9.91/ 2 = 5.72 A.
CONDUCCIÓN A 120°:
En este tipo de control, cada transistor conduce durante 120°.
En cualquier instante del tiempo, sólo conducen dos
transistores.
Las señales de excitación se muestran en la fig.10.9.
La secuencia de conducción de los transistores es 61, 12, 23,
34, 45, 56, 61.

Fig.10.9 Señales de compuerta para conducción a 1200.

Existen tres modos de operación en un medio ciclo, los
circuitos equivalentes para una carga conectada en estrella se
muestran en la fig.10.10-a.

Fig.10.10 Circuitos equivalentes para una carga resistiva

conectada en estrella.
Durante el modo 1:
Para: 0  t  /3, conducen los transistores 1 y 6.
Vs Vs
van = 2 , vbn = 2 , vcn = 0
Durante el modo 2:
Para: /3  t 2/3, conducen los transistores 1 y 2.
Vs Vs
Van = 2 , Vbn = 0 , Vcn = 2

Durante el modo 3:
Para: 2/3  t  3/3, conducen los transistores 2 y 3.
Vs Vs
van = 0 , vbn = 2
, vcn = 2

Los voltajes de línea a neutro que se muestran en la

fig.10.10-b se pueden expresar en una serie de Fourier como:
x
2Vs n  
Van = n 1
, 3, 5..... n
cos
6
sen n  wt  
 6
(10-22)


2Vs n  
Vbn =  n 1, 3, 5..... n
cos
6
sen n  wt  
 2 (10-23)
 
2Vs n  7 
Vcn = n 1, 3, 5..... n
cos
6
sen n  wt 


6  (10-24)

El voltaje de línea ab es vab = 3 van con un adelanto de fase de

30°.
Existe un retraso de /6 entre la desactivación de Q1 y la
activación de Q4. por lo tanto, no debe existir un corto circuito
en la alimentación de cd a través de un transistor superior y
uno inferior.
En cualquier momento, dos terminales de la carga están
conectadas con la alimentación de cd y la tercera se conserva
abierta.
El potencial de este terminal abierta depende de las
características de la carga y es impredecible.
Dado que un transistor conduce durante 120°, para una
misma condición de la carga los transistores se utilizan menos
que en la conducción a 180°.

CONTROL DE VOLTAJE DE LOS INVERSORES

MONOFASICOS
En muchas aplicaciones industriales, a menudo es necesario
controlar el voltaje de salida de los inversores para hacer
frente a las variaciones de entrada de cd, para la regulación
del voltaje de los inversores y para los requisitos de control
constante del voltaje y la frecuencia.
Existen varias técnicas para modificar la ganancia del
inversor.
El método más eficiente de controlar la ganancia (y el voltaje
de salida) es incorporar en los inversores el control de
modulación del ancho de pulso (PWM).
Las técnicas comúnmente utilizadas son:
1. Modulación de un solo ancho de pulso
2. Modulación de varios anchos de pulso
3. Modulación senoidal de ancho de pulso
4. Modulación senoidal modificada del ancho de pulso
5. Control por desplazamiento de fase.

MODULACIÓN DE UN SOLO ANCHO DE PULSO:

En el control por modulación de un solo ancho de pulso, existe
un solo pulso por cada medio ciclo, el ancho del pulso se hace
variar, a fin de controlar el voltaje de salida el inversor.
La fig.10.11 muestra la generación de las señales de excitación
y el voltaje de salida para los inversores monofásicos en
puente completo.
Las señales de excitación se generan comparando una señal
rectangular de referencia de amplitud, Ar, con una onda
portadora triangular de amplitud Ac.
La frecuencia de la señal de referencia determinada la
frecuencia fundamental del voltaje de salida.
Si se varía Ar desde 0 hasta Ac, el ancho de pulso, , se puede
modificarse desde 0 hasta 180°.
La relación de Ar con Ac es la variable de control y se define
como el índice de modulación de la amplitud, o simplemente
índice de modulación.
Ar
M  (10-25)
Ac

Fig.10.11 Modulación de un solo Ancho de Pulso.

El voltaje rms de salida se puede determinar a partir de:

1/ 2
 2   / 2  
V0  
 2
  / 2
2
V d ( wt )
s

 Vs

(10-26)

Aplicando la serie de Fourier al voltaje de salida nos da:

 x
4VS n
V0 (t )  
n 1, 3, 5... n
sen

sennwt (10-27)
Para evaluar el comportamiento de la modulación de un solo pulso para inversores monofásicos en puente se ha

desarrollado el programa para computadora PROG-5, que se lista en el apéndice F .

La fig.10-12 muestra el perfil de armónicas con la variación
del índice de modulación, M.
La armónica dominante es la tercera, y el factor de distorsión
aumenta en forma significativa a un bajo voltaje de salida.

Fig.10-12 Perfil Armónico dela Modulación de un solo ancho

de pulso.