TRANSISTORES Y VARISTORES

CARRERA: ELECTRICIDAD 4 ALUMNO: RODRIGO HUAITRO CARLOS ROMERO MARCO BAEZ DOCENTE SR: JHOGAN GONZALES

CENTRO DE FORMACION TECNICA IPROSEC OSORNO CHILE 2009

Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Distintos encapsulados de transistores.

Historia

Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre la fuente y la prdida (colector) se controla usando un campo elctrico (salida y prdida (colector) menores). Por ltimo, apareci el semiconductor metalxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC). Hoy la mayora de los circuitos se construyen con la denominada tecnologa CMOS (semiconductor metal-xido complementario). La tecnologa CMOS es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el

colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Ctodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

TIPOS DE TRANSISTOR

Transistor de punta de contacto

Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de unin bipolar

Transistor de unin unipolar

Tambien llamado de efecto de campo de unin (JFET), fu el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contacrtos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt).

Los LASCR se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms.

Como lo dice es un SCR cuyo estado es controlado por la luz que incide sobre una capa semiconductora de silicio en el dispositivo, tambien se proporciona la terminal de compuerta para permitir el disparo del dispositivo usando los metodos del SCR mas comunes. Algunas areas de aplicacion del LASCR incluyen los controles remotos, opticos, relevadores, control de fase, control de motor y una diversidad de aplicaciones en la PC.

Transistor de punta de contacto: Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector.

VARISTORES
Un varistor (variable resistor) es un componente electrnico cuya resistencia hmica disminuye cuando el voltaje que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rpido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados bsicamente con xido de zinc y dependiendo del fabricante se le aaden otros materiales para agregarle las caractersticas no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamao y se le agrega un contacto metlico a cada lado para su conexin elctrica. Se utiliza para proteger los componentes ms sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, entre otros, por relmpagos conmutaciones y ruido elctrico. 1. 2. 3. 4. 5. El tiempo de respuesta est en el orden de los 5 a 25 nanosegundos. El voltaje de actuacin es de 14V a 550V. Tiene buena disipacin de energa indeseable. La confiabilidad es limitada ya que se degrada con el uso. El costo del dispositivo es bajo comparado con otros (como los diodos supresor de avalancha de silicio).

Funcionamiento

El varistor protege el circuito de variaciones y picos bruscos de tensin. Se coloca en paralelo al circuito a proteger y absorbe todos los picos mayores a su tensin nominal. El varistor slo suprime picos transitorios; si lo sometemos a una tensin elevada constante, se quema. Esto sucede, por ejemplo, cuando sometemos un varistor de 110V ac a 220V AC, o al colocar el selector de tensin de una fuente de alimentacin de un PC en posicin incorrecta. Es aconsejable colocar el varistor despus de un fusible. EAV* El varistor esta construido a base de materiales semiconductores al igual que como el termistor. Por lo tanto, al aplicar un potencial en sus extremos de pequeas magnitudes ofrece resistencia muy elevada, en tanto que si su potencial aplicado es muy elevado, su resistencia disminuye permitiendo el paso de la corriente Varistores: Los varistores son resistencias no lineales cuyo valor desciende con la tensin en sus extremos. Son limitadores bipolares y existen dos tipos: los de carburo de silicio y los de xido de zinc. Varistores de oxido de zinc Estos tienen mejores caractersticas de intensidad-tensin que los varistores de carburo de silicio. Un varistor de xido de zinc se compone de granos de ZnO cimentados en otros granos de xido metlicos. El xido de zinc es un semiconductor de tipo N, que limita con los dems xidos metlicos de tipo P. El comportamiento elctrico del varistor de xido de zinc queda, pues, limitado por el nmero de contactos PN, dispuestos en paralelo y en serie. Al sobrepasar las tensiones de conduccin en los lmites de los granos individuales, el varistor pasa a ser conductor. Su tiempo de respuesta es ms rpido que el de un descargador de gas, pero ms lento que el de un diodo supresor de silicio. Ventajas:

Rapidez en el tiempo de respuesta. El ms bajo coste por J. Buena disponibilidad de tensiones de limitacin. Buena fiabilidad. Baja intensidad de fuga. Adecuado para bajas tensiones.

Inconvenientes:

Mala disipacin de energa. Mala resistencia al calentamiento. Envejecimiento. Alta capacidad.

Varistor de carburo de silicio Ventajas:

Rapidez en el tiempo de respuesta. Alta capacidad energtica.

Inconvenientes:

Alta intensidad de fuga Alta capacidad. Alta tensin de limitacin

Series TMOV e iTMOV de Varistors de metal xido con proteccin trmica

Las series de varistores TMOV e iTMOV se han diseado para conexin por cordn, enchufado directo y aplicaciones de TVSS de conexin permanente. Cumplen las especificaciones UL1449 para test de limitacin de corriente ante sobretensin a 0.125A, 0.5A, 2.5A y 5 Caractersticas o Dispositivo de proteccin trmica integrado pendiente de patente o Componente reconocido bajo UL 1449, UL file:E76591 o Cumplen las especificaciones UL1449 para tests de limitacin de corriente ante sobretensin, a 0.125A, 0.5A, 2.5A y 5A o Soportan altos picos de corriente de hasta 10kA o Opcin de patillaje standard o Permite soldadura por ola o Auto-insertable(TMOV) o Rango de temperatura de funcionamiento de 55C a +85C

INTRODUCCION
Trancistores Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventajas.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Un varistor (variable resistor) es un componente electrnico cuya resistencia hmica disminuye cuando el voltaje que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rpido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados bsicamente con xido de zinc y dependiendo del fabricante se le aaden otros materiales para agregarle las caractersticas no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamao y se le agrega un contacto metlico a cada lado para su conexin elctrica. Se utiliza para proteger los componentes ms sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, entre otros, por relmpagos conmutaciones y ruido elctrico ect.

CONCLUSION
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc. Exsisten diferentes tipos tales como. Transistor de punta de contacto : es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unin bipolar : tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. Transistor de unin unipolar Tambien llamado de efecto de campo de unin (JFET), fu el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s,

VARISTORES
Funcionamiento

El varistor protege el circuito de variaciones y picos bruscos de tensin. Se coloca en paralelo al circuito a proteger y absorbe todos los picos mayores a su tensin nominal. El varistor slo suprime picos transitorios; si lo sometemos a una tensin elevada constante, se quema. Esto sucede, por ejemplo, cuando sometemos un varistor de 110V ac a 220V AC, o al colocar el selector de tensin de una fuente de alimentacin de un PC en posicin incorrecta. Es aconsejable colocar el varistor despus de un fusible. EAV* El varistor esta construido a base de materiales semiconductores al igual que como el termistor. Por lo tanto, al aplicar un potencial en sus extremos de pequeas magnitudes ofrece resistencia muy elevada, en tanto que si su potencial aplicado es muy elevado, su resistencia disminuye permitiendo el paso de la corriente

Ventajas:

Rapidez en el tiempo de respuesta. El ms bajo coste por J. Buena disponibilidad de tensiones de limitacin. Buena fiabilidad. Baja intensidad de fuga. Adecuado para bajas tensiones.