Transistores

Ing. Mnica Patricia Ren

introduccin
Propulsor del desarrollo de la electrnica y sus mltiples aplicaciones.
Super las dificultades que presentaba su antecesor, la vlvula.
Desarrollados en 1947 en los lab. Bell por los fsicos W. Shockley y J.
Bardeen y W. Brattain.

vlvulas
Los diez aos posteriores :
se inventaron distintos tipos de transistores
(de punto, de juntura, de campo)
se emplearon diferentes materiales,
inicialmente el germanio (1948) y
posteriormente el silicio (1954),
que domina la industria semiconductora de la
actualidad;
se logr construir una gran cantidad de
transistores, otros elementos y los circuitos
para acoplarlos directamente sobre una oblea
de silicio, a lo que se le dio el nombre de
circuito integrado (1958).



introduccin
Impulsaron el desarrollo de la computacin y su evolucin e integracin
marco el inicio de las diferentes generaciones de computadoras.
introduccin
introduccin
El transistor BJT
BJT (bipolar junction transistor)= Transistor bipolar de unin.
Dispositivo semiconductor de tres capas, n-p-n o p-n-p.







Posee tres terminales denominados: E=emisor, B= base y C=colector.
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada con impurezas, la de
la base ligeramente dopada y la del colector slo muy poco dopada.

p p n
E
B
C
Vcc VEE
n n p
E
B
C
Vcc VEE
El transistor BJT

El trmino bipolar se refiere a que tanto los huecos como los electrones
participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado en
forma opuesta.

Si slo se utiliza un portador (electrn o hueco) se considera entonces un
dispositivo unipolar, ej . diodo Schottky.

El transistor bipolar, tanto PNP como NPN, est formado por dos uniones
P-N, es decir, por dos diodos enfrentados.



Simbologa para circuitos
Q1
BC548A
Q2
2N1132A
C
E
B
NPN
C
E
B
PNP
Funcionamiento BJT

Describiremos la operacin bsica del transistor p-n-p.

La operacin para uno n-p-n es exactamente la misma que si se
intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco.

Para que un transistor funcione correctamente debemos polarizarlo.

Funcionamiento BJT
Polarizamos el transistor como se muestra en la figura, unin emisor- base
en polarizacin directa, y unin basecolector en polarizacin inversa.

Los portadores mayoritarios del emisor (huecos) formarn un fluyo de
cargas que atravesarn la base.

Los huecos del emisor y los portadores minoritarios de la base (huecos)
formarn un flujo de cargas(positivas) que llegarn hasta el colector.



p p n
E
B
C
Vcc VEE
++++++++++++++++++++++++++++++++++
IE
IB
IC p p n
+
+
+
Funcionamiento BJT
p p n
E
B
C
Vcc VEE
++++++++++++++++++++++++++++++++++
IE
IB
IC p p n
+
+
+
Funcionamiento BJT
La corriente inversa I
CO
es muy pequea comparada con la I
C
pero
aumenta con la temperatura.

Si

lo anterior no se considera se puede afectar la estabilidad del sistema a
temperaturas altas.

Las mejoras en las tcnicas de fabricacin han provocado niveles
significativamente ms bajos de I
CO
, a tal grado que es casi posible omitir
su efecto.
p p n
E
B
C
Vcc VEE
+++++++++
IE
IB
IC p p n
+
+
+
++++++++
++++++++
+++++
Regiones de agotamiento o
barrera de potencial
Funcionamiento BJT
Funcionamiento BJT
La operacin para uno NPN es exactamente la misma que si, se
intercambian los papeles desempeados por el electrn y el hueco.
Con la polarizacin directa de la unin E-B, los portadores mayoritarios del
Emisor (electrones) cruzarn hacia la base.
En la Base los portadores minoritarios (electrones) se unirn a los
portadores que venan del Emisor y cruzarn hacia el Colector para salir
del mismo.
Algunos portadores mayoritarios del E se desviarn hacia la B, formando la
I
B
, cuyo valor es muy pequeo comparado con las corrientes I
E
e I
C


p p n
E
B
C
Vcc VEE
----------------------------------------
----------------------------------------
IE
IB
IC n n p
-
-
-
-
Funcionamiento BJT
Sin embargo las direcciones que se toman para las corrientes por
convencin, se refieren a la direccin que tendra una corriente formada
por huecos en lugar de al flujo de electrones.
En el caso del transistor n-p-n , por convencin las corrientes en el emisor,
la base y el colector tendran las direcciones como se muestra en las
siguientes figuras.


p p n
E
B
C
Vcc VEE
++++++++++++++++++++++++++++++++++
IE
IB
IC n n p
+
+
+
clasificacin
Los transistores se clasifican en:
Zonas de operacin de un BJT
Un transistor posee 3 zonas, regiones o estados de operacin.
Un transistor puede estar en estado de corte (circuito abierto) cuando la
corriente en el colector, la corriente en el emisor y la corriente en la base
son cero.
Un transistor puede estar en estado de saturacin (circuito cerrado)
cuando la corriente en el colector y la corriente en el emisor son mximas.
Un transistor puede estar en estado activo cuando la corriente en el
colector, depende de la corriente de base. Esta regin es la que permite
que el transistor funcione como amplificador.

Polarizar un transistor significa situarlo en uno de los estados particulares
mencionados.


Para polarizar un transistor debemos tener en cuenta dos cosas:
1. como est configurado, conexin en el circuito.
2. sus caractersticas elctricas, especificadas mediante parmetros y
curvas en la hoja de datos del fabricante.

Adems la configuracin siempre se hace en c.d, es decir con voltajes y
corrientes directas.

Existen tres configuraciones bsicas denominadas: Base Comn (BC),
Emisor Comn(EC) y Colector Comn (CC).


Zonas de operacin de un BJT
Entrada Salida


terminal comn EC CC BC

EC: el emisor es el punto comn o referencia para el circuito de entrada
(BE) y el circuito de salida (EC).
CC: el colector es el punto comn o referencia para el circuito de entrada
(BC) y el circuito de salida(CE).
BC: la base es el punto comn o referencia para el circuito de entrada (EB)
y el circuito de salida (BC).
Zonas de operacin de un BJT
Para la configuracin BC, segn las polarizaciones (voltajes directos) que
coloquemos en las uniones BE y BC tendremos 4 tipos diferentes de zonas
de funcionamiento para un mismo transistor:
Zonas de funcionamiento (ej. BC)
Zonas de funcionamiento
Circuito simple configuracin Emisor Comn (EC)
Debemos polarizar la unin base-emisor directamente y unin base-
colector inversamente.
Actuar como una fuente de corriente controlada por corriente.

Por ser un elemento de tres terminales posee tres curvas caractersticas
tensin-corriente. Dos de ellas son suficientes para definir el
funcionamiento del elemento.
Estas son la curva caracterstica V-I de entrada y la curva caracterstica V-I
de salida (que es un conjunto de curvas en funcin de uno de los
parmetros de entrada).
Curvas caractersticas
Caracterstica I-V de entrada:
El voltaje mnimo para polarizar directamente la unin BE est entre los
0.3 a 0.7 Volt.


Curvas caractersticas para configuracin EC
La curva anterior, es la curva caracterstica de un diodo en polarizacin
directa, recordemos que la ecuacin para calcularla era:
Curvas caractersticas para configuracin EC
Caracterstica V-I de salida
Curvas caractersticas para configuracin EC
Para determinar, en que zona de funcionamiento queremos que opere el
transistor, debemos polarizarlo. Es decir proporcionarle los valores
adecuados de voltaje y corriente para que ste opere o como un
amplificador, o como un interruptor abierto (corte) o como un interruptor
cerrado (saturacin), segn nuestras necesidades circuitales.

Para polarizarlo debemos adems conocer las caractersticas, segn su
hoja de datos, de voltajes, corrientes mximas y mnimas que soporta.
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en corriente continua (c.c)
Debemos analizar el circuito de entrada (unin base-emisor) para
determinar los valores de voltaje en c.d y la resistencia de base que
debemos colocar para fijar el punto de operacin (conocido como punto
Q) ya sea en la zona de corte, de saturacin o activa.

Una vez polarizado el transistor, procedemos a suministrarle una seal de
entrada en c.a para que este por ejemplo la amplifique, o la desfase u
opere sobre ella interrumpindola.

En resumen , lo primero que debemos hacer cuando trabajamos con un
transistor es polarizarlo, o sea ubicarlo en su regin de funcionamiento.
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en corriente continua (c.c)
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en corriente continua (c.c)
-
-
Polarizacin circuito de entrada , recta de carga.
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en corriente continua (c.c)
-
-
Polarizacin circuito de entrada , recta de carga.
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en corriente continua (c.c)
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en continua
-
-
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en continua
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en continua.
-
-
Polarizacin del transistor para configuracin EC .
Anlisis en continua.
De manera general veremos cualitativamente caractersticas tpicas de las
configuraciones bsicas, que podemos encontrar para circuitos
transistorizados de una etapa (un solo transistor).

El circuito EC proporciona una inversin (desfasaje de 180) y
amplificacin de un voltaje alterno que coloquemos en el circuito de
entrada.

Colocar alguna figura o mejor simulacin!
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
El circuito CC proporciona una ganancia de corriente y de potencia cuando
aplicamos un voltaje alterno en el circuito de entrada . Adems no desfasa
la seal (no la invierte).

El circuito BC proporciona en la salida, la amplificacin de un voltaje
alterno que coloquemos en el circuito de entrada pero sin desfasaje de la
seal.
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
-
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
-
Configuraciones de circuitos transistorizados monoetapa.
Anlisis en alterna.
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Aplicaciones
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limitaciones
Aplicaciones
Realizacin de TP N9 Introduccin a transistores y
TP N10 Multivibradores Astables.