Semiconductores

SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algún punto

entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE:  = 10-6-cm
MICA:  = 1012-cm
SILICIO  = 50 x 103-cm GERMANIO:  = 50 -cm
-Alto nivel de pureza
-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de características de conductores a aislante por medio de procesos de dopado o
aplicación de luz ó calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atómica: Red cristalina
Enlaces entre átomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4
NIVELES DE ENERGÍA : Mientras más distante se
encuentre el electrón del núcleo mayor es el estado de
energía, y cualquier electrón que haya dejado su átomo,
tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón
en la estructura atómica.

Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia

Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

 Si Si Si

Si Si Si
Material Intrinseco
Si Si Si

Materiales extrinsecos

Si Si Si Si Si Si

Si 5 Si Si 3 Si

Antimonio Si Si Si Boro Si Si Si
Arsénico Galio
Fósoforo Indio

TIPO n TIPO p
 DIODO DE UNION p-n
TIPO p TIPO n
Io n e s Io n e s
a c e p to re s d o n a d o re s
Po rta d o re s Po rta d o re s
m a yo rita rio s m a yo rita rio s

Po rta d o re s
Po rta d o re s
m in o rita rio s
m in o rita rio s

Tip o p Tip o n

Re g ió n d e
a g o ta m ie n to
p n

Sin polarización

p n

Polarización inversa

p n

Polarización directa
ID

VT
Is
VD
 DIODO
Es un elementos de dos terminales formado por una unión p-n

+ -
Ánodo Cátodo
 ID=IS(ekVD/Tk-1)

IS Corriente de saturación inversa

K 11600/ (=1 para Ge, y =2 para Si)
Tk TC + 273
Ejemplos

Región Zener:

Bajo polarización negativa existe un punto en el cual bajo un voltaje negativo lo

suficientemente alto, da como resultado un agudo cambio en las características del
diodo.
A este voltaje se le conoce como “voltaje pico inverso” (PRV ó PIV )
 2.2 Características del Diodo
Resistencia en cd ó estática:
Ejemplo RD=VD/ID

Resistencia en ac ó dinámica:
rD=VD / ID=(dID /dVD)-1=26mA /ID

Resistencia en ac promedio:
Ejemplo rav= VD / ID|punto a punto C (p f)
15

10
Capacitancia de transición y difusión:
CT 5 CD

-2 5 -1 5 -5 0 0 .2 5 0 .5 V

Tiempo de recuperación inverso

Ts Tt t
 Modelado de diodos

Modelo Ideal: ID

VD

Modelo Simplificado:
ID
VT

VT

VD

Modelo de segmentos líneales: ID

VT rav
rav

VT
VD
Ejemplos
 1k

1
E 1N4001 E = RID+VD

2
1.- ID=IS(ekVD/Tk-1)

2.- VD=0 e ID=0, trazar en la curva del diodo,

intersección de recta con curva es el punto Q.

3.-Sustituir el diodo por cualquier modelo de

equivalente.

Ejemplos
 2.3 Diodo Zener
Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propósito general, trabaja
en la región de polarización negativa. Es decir que la dirección de la conducción
es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo.

Claro el voltaje Zener es muchas veces menor que VIP de un diodo

semiconductor, este control se logra con la variación de los niveles de dopado.
Los voltajes zener van desde 1.8 V. hasta 200V, con rangos de potencia de ¼ W
hasta 50W.
ANALISIS:

1.Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminación del circuitos de

la red y el cálculo del voltaje de circuito abierto resultante

2.Sustituir el circuitos equivalente adecuado y resolverlo para las incógnitas

deseadas.

1 R1

B T1 D1 R2
2
 2.4 Análisis de circuitos con diodos
+

1
330

10V Si Si
V0
Con fuentes de cd.
-

2
-Determine el estado del diodo
ID1, ID2, IR, V0.
-Sustituya el equivalente adecuado
Ge
-Determine los parámetros restantes de la red. 2 1

2 1
Si Ge
12V 5.6k 2.2K Si 12V
E
R3

VR, IR VR.
3.3K

Si Si
12V 5.6k Si
E
20V Si
R3

VD1 , VD2, ID, VR. 5.6K

Si
IR1, IR2,
Determine VD,, VR, ID. 4.7K
2.2K +
10V
Ambos casos
V0
E=8V, 0.5 5V
-
R3=2.2k, 1.2k
VD, ID, V0.
 2.5 Aplicaciones
Rectificadores: Su principal uso es en sistemas electrónicos encargados de
realizar una conversión de potencia de ac, en potencia de dc.
DE MEDIA ONDA: 20V

0V

D2
1 2
V1
-20V
1k V1(V2)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(D1:2)
Time
20V

0V

2 1
-20V
120 1k V1(V2)
20V

0
0V

SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(R1:1)
Time
 DE ONDA COMPLETA:

20V

1
10V
1k

11

22
0V

-10V
2

-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(V2:+)
Time

CON TRANSFORMADORES:

Si

1 T1 5

4 8 R

Si
Recortadores:
Tienen la capacidad de recortar una porción de la señal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE: 20V

D2 0V

5V
1k -20V
V(V10:+)
20V

0V

SEL>>
-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(R1:2)
Time

20V

10V

1k 0V

4V
-10V

-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(D1:2) V(V1:+)
Time
Sujetadores o cambiadores de nivel:

C1

C1

V1
5V
Detectores de señal:

2
+ 2 +
Vin Vout
C1
- 1 1 -
 Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un rango de
resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona para que una caida de
voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de carga está en su valor mínimo. El
diodo debe ser capaz de disipar una gran gantidad de potencia cuando la resistencia de
carga está en su valor máximo.

1k +
Vi Vz 1.- Determinar el estado del diodo zener mediante la
- Pzm 1k eliminación de la red y calculando el voltaje através del
circuito abierto resultante.
0

V = VL=RLVi/R + RL
VL=Vz Iz= IR + IL Pz= Vz IL
2.- Sustituir el circuito equivalente adecuado y resolverlo para las incongnitas deseadas.

Vz Vz Vz
Reguladores de voltaje:

R=1k VZ=10V
R +
Vi=16V. PZM= 30mW
Vi Vz RL
- Pzm
RL=1.2k
=3k
Compuertas lógicas:

In1 D1 In1 In2 V0

Vo. 0 0
In2 D2

0 1
1k
1 0
0
1 1

In1 D1 In1 In2 V0

D2
Vo. 0 0
In2

1k
0 1
5V 1 0
0 1 1