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EL 1154
Tema I Evaluaciones
Nociones Físicas de
Semiconductores 1er Parcial (Tema I, II) – J16/07
2do Parcial (Tema III) – J29/07
Tema II 3er Parcial (Tema IV) – J12/08
Circuitos con Disopsitivos de 2 4to Parcial (Tema V) – J19/08
terminals (Diodos)
Tema III
Circuitos con Dispositivos de 3 Bibliografía
terminales (Transistores)
Microelectrónica: Circuitos y
Tema IV Dispositivos. Horenstein
Análisis en Pequeña Señal
Electrónica. Boylestad
Tema V
Análisis en Gran Señal Diseño Electrónico. Savant
Electrónica I
Unidad I - II
Electricidad
Carga Eléctrica
1e=-1.602564 x 10-19Culombios
Conducción
1mA≈6.250.000.000.000.000 electrones/seg
Aislantes
Fósforo Cloro
Semiconductores
Silicio Germanio
Conductores
Banda de
Valencia
po N D N A no
0,05eV (Si)
Eg
0,01eV (Ge)
E g kT
ni2 AT 3e
no po ni2
Tipo N Tipo P
Diodo
A K
P N
Diodo
A K
Tipo P Tipo N
Diodo
A K
Tipo P Tipo N
Diodo
A K
Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Diodo
A K
Iminoritaria = Is
Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Polarización Inversa
Diodo
A K
Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Diodo
A K
Imayoritaria
Iminoritaria = Is
Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Polarización Directa
Diodo
A K
iD I S evD VT 1
Tipo P Tipo N
Región de Agotamieto
Polarización Directa
Diodo
A K
iD I S evD VT 1
iD = Corriente del Diodo
IS = Corriente de Saturación (nanoamperios – microamperios)
vD =Tensión del Diodo
η = Coeficiente de Emisión (1 – 2)
VT = Voltaje térmico
VT kT 25,88mV
q
k = Constante de Boltzmann (1,38 x 10-23 J/K)
T = Temperatura en grados Kelvin (27⁰C ≈ 300⁰K)
q = Carga eléctrica del electrón (1,6 x 10-19 C)
Diodo
A K
iD I S evD VT 1
Región de Ruptura
o
Región Zener
Resistencia DC Resistencia AC
o o
Resistencia Estática Resistencia Dinámica
VD
rD
I D
V
rD T
ID
VD
RD
ID
Determinar la resistencia estática y dinámica para Q1 (25mA; 0.79V) y Q2 (2mA; 0.7V)
2
Aproximación por
Segmentos Lineales
Capacitancia del Diodo
1
XC
2fC
Tiempo de Recuperación Inverso trr