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Profesora: Nancy Paredes Terán
Indicaciones Generales
Actividad previa
Revisión de material subido en google classroom, sobre diodo.
Objetivos de la Clase
Conocer y entender funcionamiento de un diodo , dependiendo la
polarización aplicada.
Identificar y entender circuito equivalente del diodo.
Portadores mayoritarios y minoritarios
Diodo Tiene línea en sentido va la
una
y ese
corriente ( sino no
funciona )
Es un elemento semiconductor de estado sólido,
formado de la unión de un semiconductor tipo n y
un semiconductor tipo p. Esta estructura da
origen a dos terminales ánodo (A) asociado al
semiconductor tipo p y cátodo (K) asociado al
semiconductor tipo n.
En cada
fase se
puede usar un
LED
para
ver si está
funcionando como
queremos .
Ü¥
+
-
i.
(0,5-50) Watts
Polarización inversa
Polarización
directa
contadores
Ge <
93 | El diodo no va a funcionar si le alimento
g ] de
.
Fuente Voltaje de
Diodo
q no
ID O
b
a
&
+8 1-8
( va creciendo )
c
c
✓
EE
.
✗
✓
Curva característica de un diodo de Silicio
¡
| Aquí comienza
→ Se cierra el Switch
subir ( trabaja el diodo )
| la conducción
y permite
( se cierra el circuito )
Curva del diodo
I Diodo Rectificador
Zona de ruptura
✓ |
Cae en
picada
( sin polarización )
con un
voltaje
casi constante ¡ vete
1
( Independiente
de la corriente) Curva del Diodo
Recordar
Is La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de
saturación en inversa y está representada por Is.
Las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir
mediante la siguiente ecuación, conocida como ecuación de Shockley, para las
regiones de polarización en directa y en inversa.
La dirección definida de la corriente convencional en la región de voltaje
positivo corresponde a la punta de flecha del símbolo de diodo.
En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa de
un diodo de silicio se duplica por cada 10°C de aumento de la temperatura.
Ejercicio:
a) KIR
-
TOV
c) R=
R=¥= ¥0?ÍA I 1×10
-
6A
12=2501
R = -101000.0001
5
b) R =
0,8 ⊖
10×1061
a •
|
R
20×10-3A !
=
10^11
-
R =
R= 401
Diodo polarizado en inversa
La anchura de la zona de deplexión varía cuando varía la tensión inversa.
Corriente transitoria
Corriente inversa de saturación
Terminología Depende de
de sus materiales
las R
internos ( my p )
se
duplica por 410°C
Tensión de ruptura: 𝑉𝑟 →
Tensión inversa máxima
que soporta
la de avalancha
en zona -
disrupción
n factor de idealidad, el cual es una función de las
condiciones de operación y construcción física; varía entre
1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio
Disipación de potencia: 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷 𝐼𝐷
Voltaje térmico: 𝑉𝑇
Modelos Matemáticos
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑛𝑉𝑇 −1 Ecuación de Shockley
VT =
0,0258 en condiciones normales de operación ( 25°C )
VT =
0,026
VT = 25mV
Modelos Equivalentes lineales
aproximados del diodo
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de
silicio f-
similitud un switch a
No permite el
paso de I .
R -
O
Permite el de I
paso .
V = O No hay voltaje
I= O
+
✓2=0,7 V
+
%
.
V1
-
La la resistencia
carga es .
2
Silicio
LV K -
( Mallas )
+ -
DE
V2 -0,7W 3 V1 + V2 V3 = O
TÍ
+
1
TE RL = 1001
V1 10 V -10 ⊖ +
0,7 +
V3 = °
-
• V3
I
=
=
V3 = IOV 0,7 ⊖
-
DIOÜO
'
10 V >
0,7 V ON ✓ V3 =
9,3 ⊖
Si
fuera menor → Diodo OFF
Voltaje sobre la
carga
÷ Interruptor abierto
✓ =
IR pr =
¥ =
( 9,3
1001
V12
⊖
VR 9,3
Ir
IR
= =
100A Pa =
0,8649 Watts Potencia sobre la
carga
Ir =
0,093 A
B = IV =
( 0,093 A) ✗ ( 0,7 ) ✓ =
0,0651 Watts
Ir =
93mA
Potencia del
PD = 0,0651 Watts diodo
-
LV K ( Mallas )
2
-
Silicio 3
O
+ -
amas V1 + V2 +
V3 + Vy =
pie,
O
V2 0,7W ) I
TÍ ( Ra
= =
^ -10 ⊖ +
0,7 + + RL
$ R, = 1001
V1 OV
-
-9,3 ⊖ + ( 100,23 d) I = O
•
I "
=
= 9,3 V
I =
* -
100,23h
10 V > V ✓
0,7 Diodo ON I =
0,0928 A
Si
fuera menor → Diodo OFF I =
92,8 mA
Diodo :
PD = I. V =
( 92,8mA ) ✗ ( 0,7 ) =
0,06496 Watts
PD =
64,96 m Watts
la
si
fuente de alimentación fuese 5. ⊖
,
los valores no varían mucho .
circula la corriente
Ejercicios
+ -
+
L .
V. K
VD V2
#
+ -
⑧ ⑥
+
.EE#Y- -
V1 + VD + V2 + VR = O
SU
E-
+ 3⊖ IR
0,7 + + O
=
-
•
TE Vr
I
⊖, -5,3 ⊖ + IR = O
IR = 5,3 ⊖
5,3 ⊖
I
Para
=
la resistencia 560h
✓ = I. R
I. =
9,46×10-3 A
✓ =
19,46mA ) ( 5601 ) I =
9,46mA
⊖ =
5,28 V
corriente .
Bibliografía