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Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algún punto
entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA: = 1012-cm
SILICIO = 50 x 103-cm GERMANIO: = 50 -cm
-Alto nivel de pureza
-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de características de conductores a aislante por medio de procesos de dopado,
aplicación de voltaje, luz ó calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atómica: Red cristalina
Enlaces entre átomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4
NIVELES DE ENERGÍA : Mientras más distante se
encuentre el electrón del núcleo mayor es el estado de
energía, y cualquier electrón que haya dejado su átomo,
tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón
en la estructura atómica.
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda de conducción
Banda prohibida Banda prohibida
Eg > 5 eV Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Po rta d o re s
Po rta d o re s
m in o rita rio s
m in o rita rio s
Tip o p Tip o n
Re g ió n d e
a g o ta m ie n to
p n
Sin polarización
p n
Polarización inversa
p n
Polarización directa
ID
VT
Is
VD
DIODO
+ -
Ánodo Cátodo
2.3 Diodo Zener
Este diodo a diferencia de un diodo semiconductor de propósito general, trabaja
en la región de polarización negativa. Es decir que la dirección de la conducción
es opuesta a la de la flecha sobre el símbolo.
1
10V Si Si
V0
Con fuentes de cd.
-
2
-Determine el estado del diodo
ID1, ID2, IR, V0.
-Sustituya el equivalente adecuado
Ge
-Determine los parámetros restantes de la red. 2 1
2 1
Si Ge
12V 5.6k 2.2K Si 12V
E
R3
VR, IR VR.
3.3K
Si Si
12V 5.6k Si
E
20V Si
R3
0V
D2
1 2
V1
-20V
1k V1(V2)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(D1:2)
Time
20V
0V
2 1
-20V
120 1k V1(V2)
20V
0
0V
SEL>>
-20V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(R1:1)
Time
DE ONDA COMPLETA:
20V
1
10V
1k
11
22
0V
-10V
2
-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(V2:+)
Time
CON TRANSFORMADORES:
Si
1 T1 5
4 8 R
Si
Recortadores:
Tienen la capacidad de recortar una porción de la señal de entrada sin
distorisionar la parte restante de la forma de onda alterna.
SERIE: 20V
D2 0V
5V
1k -20V
V(V10:+)
20V
0V
SEL>>
-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(R1:2)
Time
20V
10V
1k 0V
4V
-10V
-20V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(D1:2) V(V1:+)
Time
Sujetadores o cambiadores de nivel:
C1
C1
V1
5V
Detectores de señal:
2
+ 2 +
Vin Vout
C1
- 1 1 -
Reguladores de voltaje:
El objetivo de este circuito es mantener un voltaje de salida constante sobre un rango de
resistencia de carga. El resistor en serie con la fuente se selecciona para que una caida de
voltaje apropiada aparezca cuando la resistencia de carga está en su valor mínimo. El
diodo debe ser capaz de disipar una gran gantidad de potencia cuando la resistencia de
carga está en su valor máximo.
1k +
Vi Vz 1.- Determinar el estado del diodo zener mediante la
- Pzm 1k eliminación de la red y calculando el voltaje através del
circuito abierto resultante.
0
V = VL=RLVi/R + RL
Vz Vz Vz
Reguladores de voltaje:
R=1k VZ=10V
R +
Vi=16V. PZM= 30mW
Vi Vz RL
- Pzm
RL=1.2k
=3k
Compuertas lógicas:
0 1
1k
1 0
0
1 1
D2
Vo. 0 0
In2
1k
0 1
5V 1 0
0 1 1