DIODOS RECTIFICADOR

Ing. Yvan Lopez Aguilar

 Características. Símbolo

Diodo semiconductor: union PN. Referencia: diodos de silicio (Si)

Elemento biterminal. Terminales diferentes.

+ –
Ánodo Cátodo

Polarización directa Polarización inversa

+ –
+ –
I
I
– +
+ –
E
E
 Diodos semiconductores

OA95
(Ge)
BY251
(Si)

1N4148
(Si)
BY229
BYS27-45
1N4007 (Si)
(Schottky Si)
(Si)
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa iS Vd
IR = 50 nA Corriente inversa

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener
las hojas de características de un
diodo (p.e. 1N4007). Normalmente
VR = 100V Tensión inversa máxima
aparecerán varios fabricantes para el
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
mismo componente.
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 25 nA Corriente inversa
Agrupación de diodos semiconductores
2 diodos en Puente de diodos Anillo de
cátodo
común + diodos

+  -

+  B380 C3700
(Si)
-
 +
BYT16P-300A B380 C1500 HSMS2827
(Si) (Si) (Schottky Si)
Diodos comerciales normalizados
por las industrias fabricantes
 CURVA CARACTERÍSTICA CORRIENTE/TENSIÓN
Diodo rectificador

Relación exponencial
ID
ID ID
I.P. D.P.
+ VD –
VD
0,7 V

P.I. corriente de saturación (pocos nA)

  qVD  



P.D. tensión umbral

P.I.: ruptura I D  IS  
e  KT  1
 
 
Rectificador de onda completa tipo puente
GRACIAS POR SU ATENCIÓN