Diodo como elemento de circuito

Objetivos

Estudiar el comportamiento del diodo como

elemento de circuito no lineal

Analizar el uso de modelos lineales aproximados

Aplicar en circuitos básicos:

recortadores
rectificadores
reguladores
 Característica corriente-tensión diodo ideal

Ecuación de Shockley

ID  Is( e VD/V T - 1)
ID

VD
 Característica corriente-tensión diodo real
Ecuación de Shockley modificada

ID  Is(e VD/η VT - 1) Ecuación válida hasta la región de ruptura

: factor de idealidad, varía entre 1 y 2

ID

VD
¿Cómo informa el fabricante?
Utiliza la hoja de datos.
En la hoja de datos encontramos la información necesaria para
operar al dispositivo sin exceder sus límites de funcionamiento.

 Parámetros y límites de operación de los dispositivos

 Tipos de encapsulado

 Pines o terminales de salida (pinout)

 Métodos de prueba

 Aplicaciones

 Ejemplos
 Familia de diodos

Tipo de encapsulado

Valores límites de funcionamiento

Disipación de potencia

Características eléctricas
 Las hojas de datos de diodos dan las gráficas para polarización
directa y polarización inversa en función de la temperatura

Polarización directa La tensión directa disminuye

al aumentar la temperatura
+ -
A K Aproximadamente -2.2 mV/C

La corriente inversa
Polarización inversa aumenta al aumentar
- + la temperatura

A K
Aproximadamente se
duplica cada 10 C de
aumento de temperatura
Conclusión:

La corriente inversa por el diodo ideal aumenta aproximadamente en

forma exponencial con la temperatura para una tensión fija.
Se considera que se duplica cada 10 C de aumento de la temperatura.

La tensión directa sobre el diodo ideal disminuye casi linealmente con la

temperatura para una corriente fija.
Ejemplo obtenido por simulación
 Límites de temperatura

Si se sobrepasa la temperatura de trabajo de la juntura indicada por el fabricante

se puede destruir el dispositivo.

El aumento de la temperatura puede provocar el embalamiento térmico

El aumento de temperatura produce el aumento de la corriente por generación de

portadores (ni2) aumentando la potencia que debe ser disipada (PD = VD ID).
Al circular más corriente aumenta la temperatura y se produce un ciclo regenerativo
que puede llevar a la destrucción del dispositivo.

El agrupamiento de portadores en una pequeña porción de la región activa produce

la aparición de puntos calientes (hot spot).
Aumenta la potencia disipada localmente provocando otro aumento local de
temperatura y así sucesivamente. La corriente se agrupa en zonas muy pequeñas
que resultarán extremadamente calientes y pueden llevar a una fusión local del
material semiconductor.

Ejemplos
Efecto de la resistencia

Ecuación de una recta,

lineal con VD (línea roja)
(Ecuación ideal)

El diodo real se aparta de

la característica lineal
Se puede aproximar por:
 Diodo como elemento de circuito
D

+ VD - +

VR R

VCC ID
-

Ecuación de la malla:
(1) VCC = VD + ID R una ecuación con dos incógnitas, la ecuación que falta
para obtener la solución corresponde a la característica
ID  Is(e VD/ V T - 1) del diodo

VCC VD
ID  -
Si de (1) despejamos ID obtenemos: R R

Ecuación de una recta en el plano ID-VD Recta de carga estática

 Para trazar la recta de carga estática sólo se necesitan dos puntos:

VCC VD ID  0  V D  VCC
ID  -
R R VCC
VD  0  ID 
R

VCC/R

IDQ Q

VDQ VCC
Q (IDQ, VDQ): punto de reposo estático

El método gráfico permite analizar circuitos con elementos no lineales

Para variar el punto Q podemos modificar el valor de VCC o de la
carga R.
- Si varía VCC la recta de carga se mueve en forma paralela

- Si varía R cambia la pendiente de la recta de carga estática

D

+ VD - +

VR R

VCC ID
-

R1 Q1 0
Q

R2

VCC VCC1
 Modelo de diodo ideal
Modelo aproximado lineal, permite rápidamente analizar circuitos con
diodos. Considera el comportamiento del diodo como una llave ideal.

A K polarización directa: VD  0 V  llave cerrada

A K polarización inversa: VD < 0 V  llave abierta

Característica ID-VD diodo ideal

Llave cerrada
Llave abierta R
R VCC
VCC
ID
0
0

Polarización inversa, VD < 0 V Polarización directa, VD > 0 V

VD
 Modelo lineal por tramos

ID [mA] ID [mA] Característica

diodo lineal por
tramos

VD [V] VD [V]
V = 0.7 V
Tensión umbral V Diodo
ID [nA] V  0.7 V (Si) V

VCC R
Polarización directa con VD  V
Llave abierta
A K

Polarización inversa con VD < V R

VCC
 Modelo lineal por tramos
Característica
ID [mA] diodo lineal por
ID [mA] tramos con RD

ID RD

VD [V] VD [V]
V = 0.7 V
Tensión umbral V
ID [nA] V  0.7 V (Si) V RD

Polarización directa con VD  V Diodo

VCC R
A K
Llave abierta
Polarización inversa con VD < V

VCC R