❑ MEDICIONES DE SEMICONDUCTORES

Materiales Conductores, aislantes y semiconductores

Semiconductores
Los semiconductores, como el silicio o el
germanio, presentan propiedades eléctricas que
están entre los conductores y los aislantes. Se
utilizan principalmente como elementos de los
circuitos electrónicos.
❑ Diodo semiconductor

Definición: Un diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una
dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo
(V-I), consta de 2 regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial (V), se comporta como un circuito
abierto(no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

Diodo de Silicio (0,7V) y Germanio (0,3V) Símbolo del diodo:

❑ Funcionamiento del diodo semiconductor

• Se dispone de 3 modos:
➢Sin polarización
➢Polarización en directa
➢Polarización en inversa

El término polarización, se refiere a la aplicación de un voltaje externo a

través de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta
Polarización en directa
❑ Diodo Semiconductor
❑ Multímetro analógico

Probe x10

_
Probe x10
❑ Diodo Semiconductor

Condición de un diodo

“Se encuentra en
buen estado”

(a) Prueba de polarización en directa (b) Prueba de polarización en inversa

❑ Diodo Semiconductor

Condición de un diodo
(a) Medición en polarización (b) Medición en
DIRECTA polarización INVERSA
Ánodo (punta de prueba +) y Cátodo (punta de
Cátodo (punta de prueba -) prueba +) y Ánodo
(punta de prueba -)

A K K A

“Se encuentra en
buen estado”
(a) Prueba de polarización en directa (b) Prueba de polarización en inversa
❑ Diodo Semiconductor

Condición de un diodo Valores que se pueden encontrar en la medición de un diodo

A K

Diodo polarizado por el multímetro Diodo polarizado inversamente

digital. Indica una lectura de por el multímetro digital.
0,548V en la unión P-N del diodo Muestra una lectura infinito.
conduciendo en sentido directa DIODO RECTIFICADOR OK
DIODO RECTIFICADOR OK

“Se encuentra en
buen estado”
❑ Diodo Semiconductor
Condición de un diodo
(a) La prueba de
polarización en directa y en
inversa de un diodo abierto
dan la misma lectura
Diodo abierto
“Se encuentra en
mal estado”
(b) La prueba de
polarización en directa
y en inversa de un diodo
en cortocircuito dan la
misma lectura de 0V.
Diodo
en corto circuito
❑ Diodo Rectificador tipo puente

1 2 3 4
❑ Diodo Rectificador tipo puente

1 2 3 4

Medición en polarización Medición en polarización

INVERSA DIRECTA Pines 1-4: La prueba de polarización en
Cátodo (punta de prueba +1) y Ánodo (punta de prueba +4) y directa y en inversa de un diodo en
Ánodo (punta de prueba -4) Cátodo (punta de prueba -1) cortocircuito dan la misma lectura de 0V.
❑ Diodo de protección contra sobretensión

RELAY

Diodo de protección de bobina

en corriente continua
❑ Diodo de protección contra sobretensión

RELAY

Diodo de protección de bobina

en corriente continua
❑ Diodo de protección contra sobretensión

Controlador de relevador: (a)sin dispositivo de protección (b)con un diodo a través de la bobina del relevador.
❑ RELAY

• Diodo de protección contra sobretensión

❑ Diodo Zener

El diodo Zener es un diodo de cromo que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas,
recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos,
pero los mecanismos involucrados son diferentes. Además si el voltaje de la fuente es inferior a la del
diodo éste no puede hacer su regulación característica.

El diodo Zener es un diodo fuertemente dopado que se ha construido para que funcione en las zonas
de rupturas.
SIMBOLOGÍA
FORMA FÍSICA

ÁNODO CÁTODO
Curvas de trabajo de un diodo en polarización directa,
inversa y en funcionamiento zener
❑ Transistor - Clasificación
❑ Transistor BJT

Símbolos de BJT estándar (transistor de unión bipolar)

❑ Prueba e identificación de los terminales de un transistor

Verificación de la unión base a emisor

polarizada en directa de un transistor npn.

VBC < VBE

Verificación de la unión base a colector Identificar

polarizada en inversa de un transistor npn. B C E
Motivación
Dispositivos y circuitos electrónicos https://www.youtube.com/watch?v=Q-X5lQmM43k

Motivación
❑ Prueba e identificación de los terminales de un transistor

(a) Prueba de polarización en (b) Prueba de polarización (c) Prueba de polarización (d) Prueba de polarización
directa de la unión BE en inversa de la unión BE en directa de la unión BC en inversa de la unión BC

Prueba con un multímetro digital típico de un transistor npn que funciona correctamente.
Las puntas de prueba se invierten para un transistor pnp.
❑ Prueba e identificación de los terminales de un transistor

(a) La prueba de polarización en directa y la (b) Las pruebas de polarización en directa e

prueba de polarización en inversa dan la misma inversa para unión en cortocircuito dan la
lectura (OL es típica) para una unión BC abierta. misma lectura de 0 V.

Prueba de un transistor npn defectuoso. Las puntas de prueba se invierten para un transistor pnp.
❑ Corriente del transistor BJT
❑ Corriente del transistor BJT
❑ Curva de un transistor BJT
❑ Transistor de Efecto de Campo

Clasificación

Transistores Efecto de Campo #1: Introducción - YouTube

❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es

el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos
analógicos o digitales. Los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S),

drenador (D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este
motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)

D D D D

G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P

MOSFET acumulación MOSFET deplexión

o de Enriquecimiento o Empobrecimiento
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)
Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)
• Medición de Mosfet

https://www.youtube.com/watch?v=RPyOS5NPnhI
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N (I)

G
S
D

N N
Metal
Oxido (aislante)
P Semiconductor

SUSTRATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con

el surtidor S
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N (II)

UDS
• Los terminales principales del MOS son
ID=0 drenador y surtidor
G
D S
• Al aplicar tensión UDS la unión drenador-
sustrato impide la circulación de corriente
N N de drenador

SUSTRATO
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N (III)

+++ +++

N n N
UGS

P - - -
- e
e e e

• Al aplicar tensión positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato)

son atraídos hacia el terminal de puerta
• Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona rica en
electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N (IV)

UDS
• Formado el canal entre drenador y
surtidor puede circular la corriente de
ID UGS
drenador ID
• Incrementar la tensión UDS tiene un
N N
doble efecto:
Campo eléctrico  Ohmico: mayor tensión = mayor
debido a UDS
Campo eléctrico corriente ID
P
debido a UGS
 El canal se estrecha por uno de los
lados = ID se reduce
• A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la corriente
se estabiliza haciendose prácticamente independiente de UDS
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal N (V)

Curvas características
D ID (mA) UGS
10
ID 40
30 8
U DS Por debajo de
G 20
esta tensión no
6
10 se forma el canal
U GS
S 4
2 UDS (V)
4 6 8
• A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y fuente.
Por debajo de este límite el transistor está en corte.
• Dependiendo de la tensión UDS se puede tener un equivalente resistivo o de
fuente de corriente entre D y S
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de acumulación de canal P

Curvas características
D
ID (mA)
UGS
-10
ID -40
-30 -8
G
U DS
-20
-6
-10
U GS
S -4
-2 -4 -6 -8 UDS (V)

• Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los

sentidos de tensiones y corrientes invertidos
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)

Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexión de canal n

G S
ID (mA) UGS
D 2
40
N n N 30 0 Ya hay canal
formado
20
Difusión hecha durante -2
P el proceso de fabricación 10

2 UDS (V)
4 6 8

• En los MOSFET de deplexión el canal se forma mediante una difusión

adicional durante el proceso de fabricación
• Con tensión UGS nula puede haber circulación de corriente de drenador
• Es necesario aplicar tensión negativa UGS para cerrar el canal
❑ Mosfet (Fet Metal Óxido Semiconductor)
❑ Tiristores https://www.youtube.com/watch?v=mfR0YQ3BZrQ

• Definición: son una familia especial de dispositivos semiconductores que pertenecen a la

rama de la “Electrónica de potencia”, la cual contempla los usos de dispositivos electrónicos
para el control de dispositivos de corriente directa de alta demanda de voltaje o corriente y
también los dispositivos de corriente alterna, básicamente los componentes que se activan o
desactivan de forma electrónica.

UJT
❑ Tipos de Tiristores

• En esta parte de la sesión veremos los tipos de tiristores en la imagen mostrada:

❑ Tiristores

➢ Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de

cuatro capas (P-N-P-N), que se utilizan para controlar grandes
cantidades de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo
consumo de potencia.
➢ Una puerta (GATE) que permite o impide el paso de la corriente a
través de ella. Los tiristores sólo conmutan entre dos estados: corte
y conducción.
➢ Utiliza realimentación interna para producir una conmutación.
➢ Dentro de la familia de los tiristores,: Diodo Shockley, SCR (Silicon
Controlled Rectifier), Diac y Triac.
❑ Rectificador Controlado de Silicio SCR

Ventajas

El Rectificador Controlado de Silicio SCR puede hacer varias funciones:

➢ Función de rectificación controlada: consiste en utilizar la propiedad de funcionamiento
unidireccional del dispositivo, que se comporta así de modo análogo a un diodo.
➢ Función de interruptor: permite la sustitución de contactos mecánicos.
➢ Función de regulación: la posibilidad de ajustar de forma precisa el instante de cebado del tiristor
permite controlar la potencia ó la corriente media de salida.
➢ Función de amplificación: la corriente de la señal de control puede ser muy débil si se compara
con la corriente principal; existe, pues, un fenómeno de amplificación en corriente o en potencia.
Esta “ganancia” puede utilizarse en ciertas aplicaciones.
❑ Curva característica del SCR https://www.youtube.com/watch?v=k77i6ZFvD4E

•IL: Corriente de enganche. (Latching current).

Corriente de ánodo mínima que hace bascular al tiristor
del estado de bloqueo al estado de conducción.

•IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current).

Mínima corriente de ánodo que conserva al tiristor en
su estado de conducción.
❑ Prueba del SCR con multímetro
❑ Prueba del SCR con multímetro
❑ Prueba del SCR con multímetro
❑ Diode Alternative Current (Diac)

• Interruptor de semiconductor bidireccional (ambos sentidos)

Es un componente electrónico que está preparado para
conducir en los dos sentidos de sus terminales A1 y A2 , por
ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensión de cebado o de disparo VBO (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo). Las capas superior e inferior
contienen tanto materiales n como p.

•IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current).

Mínima corriente de ánodo que conserva al tiristor en
su estado de conducción.

•Deja de conducir cuando se encuentra por debajo de

la corriente de mantenimiento
❑ Diode Alternative Current (Diac)

• Interruptor de semiconductor bidireccional (ambos sentidos)

Es un componente electrónico que está preparado para
conducir en los dos sentidos de sus terminales A1 y A2 , por
ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensión de cebado o de disparo VBO (30v aproximadamente,
dependiendo del modelo). Las capas superior e inferior
contienen tanto materiales n como p.

•IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current).

Mínima corriente de ánodo que conserva al tiristor en
su estado de conducción.

•Deja de conducir cuando se encuentra por debajo de

la corriente de mantenimiento
❑ Triac
➢ Un TRIAC o Triodo para Alternar Corriente es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La
diferencia con un tiristor convencional es que éste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma
coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
➢ Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en direcciones
opuestas.
➢ Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta. El disparo
del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.
❑ Prueba del Triac
❑ Prueba del Triac
❑ Prueba del Triac

Un Triac en buen estado: se debe intercambiar las

puntas de prueba del multímetro para realizar las
mismas mediciones de prueba.
❑ Optoacopladores

Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un dispositivo de

emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo
LED que satura un componente optoelectrónico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac. De
este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya
conexión entre ambos es óptica. Estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo
general es del tipo DIP. Se suelen utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.

Foto Transistor Foto Darlington Foto Triac

❑ Tipos de Optoacopladores
Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un
➢ Foto Transistor fotoemisor, un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se
➢ Foto Darlington transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un
➢ Foto Triac encapsulado que por lo general es del tipo DIP
❑ Tipos de Optoacopladores

➢ Foto Transistor PC817. 4N35, 4N36, 4N37, TLP521, CY70

➢ Foto Darlington 4N32, 4N33, TLP627
➢ Foto Triac MOC3021, MOC3022, MOC 3023

Encapsulado DIP Alto aislamiento Reemplazo al relé

❑ Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando
portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2
formas:
1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de
base. Ip (modo de iluminación).

Interruptor Óptico Ranurado

❑ Fototransistor

➢ Fototransístor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un

transistor BJT. Los más comunes son el 4N25 y 4N35.
❑ Prueba del 4N35
❑ Prueba del 4N35
❑ Prueba del 4N35
❑ Foto Triac

➢ Se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac. Fototriac de paso por
cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito
interno de cruce por cero conmutas al triac sólo en los cruces por cero de la corriente alterna. Por
ejemplo, el MOC3041.

MOC 3021
MOC 3041
❑ Montaje estándar básico (con lógica positiva)
❑ Montaje estándar básico (con lógica negativa)

Verificar que la lámpara de 220v cambia de estado al ritmo de la salida de la señal del
circuito digital (etapa de control)
❑ Relay estado sólido
❑ Relay estado sólido
❑ Relay estado sólido
❑ Relay estado sólido
 MUCHAS GRACIAS

LOS ESPERAMOS EN NUESTRA

SIGUIENTE CLASE