CIRCUITOS

ELECTRONICOS I

ING° FERNANDO LOPEZ ARAMBURU

INDICE
 Circuitos con Diodos
 Circuitos de Rectificación con
Diodos
 Filtros y Reguladores
 El transistor Bipolar
 El Transistor de Efecto de Campo
 Análisis en Pequeña Señal de
Amplificador de Audio Frecuencia
 Amplificador Multietapa y
Configuraciones Notables
 Respuesta en Frecuencia de
Amplificadores de una o mas
etapas
 HISTORIA DEL DIODO
La introducción de los tubos de
vació a comienzos del siglo XX
propició el rápido crecimiento de la
electrónica moderna. Con estos
dispositivos se hizo posible la
manipulación de señales, algo que
no podía realizarse en los antiguos
circuitos telegráficos y telefónicos,
ni con los primeros transmisores que
utilizaban chispas de alta tensión
para generar ondas de radio. Por
ejemplo, con los tubos de vacío se
pudieron amplificar las señales de
radio y de sonido débiles, y además
podían superponerse señales de
sonido a las ondas de radio.
 DIODO IDEAL
 Un diodo es un
dispositivo que
permite el paso de la
corriente eléctrica en
una única dirección.
Otro uso que tiene el
diodo es como fusible,
puesto que cuando
llega una descarga el
diodo no deja pasar la
corriente y no se dañan
los aparatos eléctricos,
es por eso que casi
todos los aparatos lo
tienen con ese fin.
 DIODO REAL
v Vg  K1T
iD  I o (e VT
 1) K1  2.5
mV
o
C
VT  25mV
Vg  0.6  Si
Vg  0.2  Ge
To  10o C  2 I o
Vg  1.3  Led

 Io: corriente térmica y depende de la temperatura.

 Al aumentar la temperatura se convierte en un conductor.
 Vg(voltaje del diodo ) no es constante, los valores
presentados solo son para T= Ambiente
CURVAS DE TRANSFERENCIA
 Circuitos Enclavadores
C
Ejemplo :
Vi D
RL
RL  ; C  0,1uf
Vi  10sin(377t )

0 0 0

C
Ejemplo :
RL  ; C  0,1uf
Vi D RL
Vi  10sin(377t )

0 0 0
 C 1
Circuitos Multiplicadores C 4

1u 1u
V

3
V 1 D 9 D 8 D 11

1
B Y T 1 2 P -1 0 0 0 B Y T 1 2 P -1 0 0 0 B Y T 1 2 P -1 0 0 0 D 10

1
C 3 C 2 B Y T 1 2 P -1 0 0 0

3
0 1u 1u
V

Para :
Voltaje rojo: V=4V1 Vi  500 sin(377t ) Voltaje verde :
V=3V1
 CIRCUITOS RECTIFICADORES

VoDC  I DC RL  El rectificador de media

A onda es un circuito empleado
VoDC  para eliminar la parte negativa
 o positiva de una señal de
A corriente alterna de entrada
Vrms  (Vi) convirtiéndola en una
2
corriente continua de salida
A A 2A  cos kwt
VO (t )   senwt 
 2

 K  par  0 ( k  1)( k  1)
(Vo).
Rectificador de Onda Completa

VoDC  I DC RL
2A
VoDC 

A
Vrms 
2
2A 4A  cos kwt
VO (t ) 

 
 K  par  0 (k  1)(k  1)
Ejemplo de Aplicación
Calcular : V0  f (Vi )
Solución:
Transformando circuito y separando fuentes
Reduciendo el circuito
Para : V0  0  D0  ON
Vi  5
Si : Vi   V0  Vi
102
5
Vi   D0  ON
102
V0  0  Vi  0
5
  Vi  0
102
5
Para : V0  0  Vi 
101
Vi  5 Vi  5
V0   Vi 
102 102
Vi  5 5
 0  Vi 
102 101
5 5
Vi   Vi 
102 101
 Vi  5
Si : Vi   0  V0  8
2
 V0  Vi
Vi  Vi  5  0  Vi  8
Vi  5  0  Vi  8
Vi  5
Si : Vi   0  V0  8
2
Vi  5
 V0 
2
Vi  5
Vi  5  0  8
2
Vi  5  5  Vi  21
No tiene solución porque
no hay intersección
Si : V0  8  D1  OFF
D2  ON  D0  ON
V0  Vi
 Filtros y Reguladores
Un filtro es un sistema que, dependiendo de algunos parámetros, realiza
un proceso de discriminación de una señal de entrada obteniendo
variaciones en su salida. Los filtros digitales tienen como entrada una
señal analógica o digital y a su salida tienen otra señal analógica o digital,
pudiendo haber cambiado en amplitud, frecuencia o fase dependiendo de
las características del filtro.
Hay muchas formas de representar un filtro. Por ejemplo, en función de w
(frecuencia digital), en función de z y en función de n (número de
muestra). Todas son equivalentes, pero a la hora de trabajar a veces
conviene más una u otra. Como regla general se suele dejar el término
a0=0.

Si se expresa en función de z y en forma de fracción:

Y en dominio de n:
 FILTROS CAPACITIVOS DE ONDA
COMPLETA

T
2
1
C 0
Vr  VC  idt

I DC T I
Vr  ( )  DC
C 2 2 fC
Aproximación del voltaje rizo Vr : V
VDC  A r
2
Vr
( )
Vrms (armoni cos) 1
r%   2 3 
VDC VDC 4 3 fCRL
 Filtro Inductivo
Simulación de Vo en Orcad con valores
dados

Trabajamos con el 1er armónico

2A
K=2 2A
I DC   
R R
4A
cos(2 wt   )
3 X
iAC  ;   arctg ( L )
X L2  R2 R
 4A 
 3  1
ieficaz   ; XL ? R ( diseño)
 X L2  R2  2
 
Un rizado aceptable : r% ≤ 10%
4A I 2R
ieficaz   r  DC 
3 2 X L ieficaz 3X L
 Filtro Mixto L-C
Trabajamos con el 1er armónico
K=2

Simulación de Vo en Orcad con

2A
valores dados V0( DC ) 

R  X C ; X L  X C ( diseño)
4A
iAC  3 cos(2 wt  90o )
XL
 4A  1 2A 2 2 1
ieficaz     *  V0( DC )
 3 X L  2  3X L 3 XL
2V0( DC ) X C V0( eficaz ) 2XC
V0( eficaz )  ieficaz X C  r 
3X L V0( eficaz ) 3X L
R
LC   Loptima  LC  Loptima  10 LC
3w
1
XC  ; X L  2 wL
2 wC
 Filtro Mixto π
Simulación de Vo en Orcad con valores
dados

En el punto M tenemos un filtro capacitivo

I
Vr  DC  R  X C ; X L  X C  ;
Trabajamos con el 1er armónico 2 fC1
K=2 Vr  sen 4wt 
VM (t )  VDC  sen2 wt  2  .....
  
Trabajamos con el armónico mayor(AC)
Vr V 2 I DC
VM (t )  sen2 wt  VM ( eficaz )  r   2 X C1 I DC
  2 4 fC1
X X
V0( eficaz )  VM ( eficaz ) C 2  2 X C1 I DC C 2
XL XL
V0( eficaz ) 2 X C1 X C 2
r 
VDC XLR
Diodo Zener
 Ejemplo de Aplicación
 Diseñar un filtro para una fuente de
Alimentación de un radio transmisor VHF de
200W, considere un r<0.1%
 2 X C1 X C 2
como : r 
3 X L1 X L 2
Para diseño se considera:
200
C1  C2  C P  VDC I DC  I DC   3.17 A
63.01
L1  L2  L
VDC  I DC RL  RL  19.8
2
 1  RL 19.8
2 2  LC    17.57 mHr
2XC  2 wL  3w 2(2 )(60)
r 2

3X L 3(2 wL) 2
Loptimo  (3) LC  L  52.7 mHr
2
2 1 
r  2   0.1% CL  0.382 *10 4  C  0.7uf
3  4 w CL 
C  1uf
 CL  0.382 *10 4
RD  10 RL  RD  198.7
Vmax  2Vef  98.9V
2Vmax
VDC   63.01V

 Aplicación del Diodo Láser
 Esquema del funcionamiento del
CD-ROM
 Un haz láser es guiado mediante
lentes hasta la superficie del CD. A
efectos prácticos, se puede suponer
dicha superficie formada por zonas
reflectantes y zonas absorbentes de
luz. Al incidir el haz láser en una
zona reflectante, la luz será guiada
hasta un detector de luz: el sistema
ha detectado un uno digital. Si el haz
no es reflejado, al detector no le
llega ninguna luz: el sistema ha
detectado un cero digital.
 Un conjunto de unos y ceros es una
información digital, que puede ser
convertida en información analógica
en un convertidor digital-analógico.
 Transistores Bipolares (BJT)
 Del inglés "Bipolar Junction
Transistor"; dispositivo electrónico
de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cerca entre sí, que
permite controlar el paso una
corriente en función de otra.
 Los transistores bipolares se usan
generalmente en electrónica
analógica. También en algunas
aplicaciones de electrónica digital
como la tecnología TTL o BICMOS.
 El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor que
cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador
 Polarización del Transistor BJT

Ecuaciones Basicas
IE  IC  I B
I B  (uA)
Si:
I C   I B  (mA)
I E  (   1) I B  (mA) VCE  0 : Q (cortocircuita)
VBE VCE  VCC : Q ( abre)
I C  I SS e VT

VCC
 
 1 VCE  : Q (activa)
 2
Curva característica del Transistor Bipolar

POTENCIA DE UN BJT:
PBJT  PBE  PBC  PCE

PBJT  V I B  0  I CVCE
como : I B  0(uAmp )
PBJT  I CVCE
Criterio de Diseño

VBB  RB I B  V  RE I E
como : I B  (1   ) I E
VBB  V
I EQ  ;
(1   ) RB  RE
 : No se puede controlar
RE ? (1   ) RB  RE  10(1   ) RB
 1
como :    1 
 1  1
 1
RE  ( ) RE
10
Máxima Excursión Simétrica (m.e.s)
Sin condensador en el emisor
Si existe un condensador en el emisor
 Estabilidad Térmica en DC

Factor de estabilidad térmica respecto a la fuga térmica

I CQ dI
SI   CQ  ICQ  S I I CBO .....( )
I CBO dI CBO
RB  RE
SI 
RB (1   )  RE
RB
como : RE RB (1   )  S I  1 
RE
VBB  RB I B  V  RE I E
nota :1  S I  30
VBB  V  RB I B  RE I E .....(1)
Factor de estabilidad térmica respecto al voltaje de ruptura
como : I C   I E  I CBO (Ejecucion termica del BJT) I CQ dI CQ
I CBO : Corriente Inversa o SV    I CQ  SV V .....( )
V dV
corriente de fuga térmica(uA , nA) 
V  K1T SV 
RB (1   )  RE
I CBO 2  I CBO1e K 2 T ; I CBO1 : Se toma a T=3000 K  1
como : RE RB (1   )  SV  
I C  I CBO I (1   )  I CBO RE RE
IE   IB  C
   , 
Reemplazando en 1: I CQT  S I I CBO  SV V
 (VBB  V )  I CBO ( RB  RE )
I CQ 
RB (1   )  RE
I CQ  f ( , fuente,V , I CBO )
Espejos de Corriente DC
i )Q1  Q2  1   2
I B1  I B 2  I B
VCC  V
I1 
R
VBE1 VBE 2

I C1  I SS e VT
y I C 2  I SS e VT
 I C1  I C 2
I1  I B (2   ); I 2   I B
I1 2 2
  1
I2  
para :   100  I1  I 2
Espejo Cuadrático
i )Q1  Q2  Q3  1   2   3  
I C1  I C 2  I B1  I B 2
2I 
I1   I  

I2   I
I1  2  2 2
  1 2
I2  2

como :  ? grande  I1  I 2
VCC  V
I1  (mA)
R
Espejo Logarítmico
VBE1 VBE 2

I1  I SS e VT
y I 2  I SS e VT

VBE1 VBE 2
I1
e VT

I2
VBE1  VBE 2  RI 2  VBE1  VBE 2  RI 2
RI 2
I1 I1 RI
e VT
 Ln( ) 2
I2 I2 VT
VCC  V 1
I1 
R
I1  mA
I 2  uA
 Análisis en Pequeña Señal
Emisor Común

i ) RB  R1 // R2 : R0  RC // RL
VT
ii )hie 
I BQ
Circuito Simplificado iii ) hre  104 ,105  0
I CQ ic
iv ) hfe   
I BQ ib
v) hoe  10 6 ,107 ,108  0
V   ib R0   R0
AV  0  
Vi hie ib hie
iL i i   RC RB
Ai   ( L )( b )  ( )( )
i0 ib i0 RC  RL RB  hie
Ai max  
Z in  RB // hie : Z out  R0
 Base Común

Vi  hibie
V0   ie R0
V0  ie R0
AV  
Vi hibie
 R0
Circuito en pequeña señal AV    1
hib
Z in  hib (bajisimo)
Z out  R0
Colector Común
Vi  hieib  R0 (   1)ib
V0  (   1)ib R0
V0 (   1)ib R0
AV  
Vi hieib  R0 (   1)ib
diseño : R0 (   1) ? hie
V0
AV  1
Vi
AIm ax    1
Z in  hie  R0 (   1)
Z in  grande
Z out  hie
 R0
AV 
hib
 Amplificadores Multietapas
AMPLIFICADOR DARLINGTON

I CD   (   2) I B
I ED  (   1) 2 I B
I C D  I ED
V D  2V
 D   (   2)  (   1) 2
D   2
Análisis en AC
Vi  hie1ib1  hie2ib 2
hie1
ib 2  (   1)ib1 , hie2 
 1
Vi  ib1 (2hie1 )........(1)
 hieD  2hie1
V0    (ib 2  ib1 ) RC
V0    ib1 (   2) RC ......(2)
V0   ib1 (   2) RC   (   2) RC
AV   
Vi ib1 (2hie1 ) (2hie1 )
  D RC
AV 
hieD
AI   2
Z in  hieD , Z out  RC
Amplificador Diferencial (AD)

I 0 V
I C1  I C 2  IC  
2 RE
I B1  I B 2  I 
2V  RC I C  VCE  RE I 0
2V  ( RC  2 RE ) I C  VCE
Análisis en AC

Si : I B1  I B 2  hie1  hie2 ; 1   2
R0  RC // RL
V1  VC  Vd
V2  VC  Vd
V1  V2 V1  V2
VC  ;Vd 
2 2
En modo comun:
VC V1  V2
ib1MC  ib 2 MC  
hie  2 RE (   1) 2(hie  2 RE (   1))
Modo Diferencial
Vd
ib1MD  ib 2 MD 
hie
Ganancias :
  R0VC
V0 MC    R0ib 2 MC 
hie  2 RE (   1)
V0 MC   R0
AC   0
VC hie  2 RE (   1)
 R0Vd
V0 MD    R0ib 2 MD 
hie
V0 MD  R0
Ad  
Vd hie
Ad
CMRR 
AC
 Ejemplo de Aplicación
 Determinar la ganancia de voltaje del siguiente circuito:

Con :
1  100,  2  200
 3   4   5   6   7  200
8   9  150
Q8 , Q9 (Forman un espejo de corriente) I E 3 3 Rb 4 200*3
  1
12.7  0.7 I E 4  4 Rb3 200*3
IC 8   4mA
3 IC 3
Q5 , Q6 yQ7 (Forman un espejo de corriente  1  I C 3  I C 4  2mA
IC 4
cascode) Del grafico podemos apreciar:
12.7  0.7 VB 3  VB 4  VC1  VC 2
IC 5   4mA
2.825
VE 3  VE 4  VC1  V  7.4  0.7  8.3V
I E1 R 100 *10
 1 b2  1 como : I C 3  I C 4
IE2  2 Rb1 200 *5
I C1  El potencial de la R=10K es igual a 0
 1  I C1  I C 2  2mA
IC 2 por ser simetrico.
VC1  VC 2  12.7  I C1 (3K )  6.7V VC 3  VC 4  12.7  2*3  6.7V
VCE1  VCE 2  6.7  ( 0.7)  7.4 VCE 3  VC 3  VE 3  15V
PQ1  PQ2  (2mA,7.4V ) PQ3  PQ4  (15V , 2mA)
Análisis en AC:

VT 26mV
hie1  1  (100)  1.3K
I C1 2mA
VT 26mV
hie2  1  (200)  2.6 K
I C1 2mA
hie3  hie4  2.6 K
1Vi 1Vi
iC1  iC 2  
I C1 2hie1
hie1 (1  )
IC 2
6iC1 3iC1
ib 4  ib 3  
2(3  hie1 ) 3  hie3
 3 3iC1
iC 4  iC 3 
3  hie3
10 15
V0  6iC 4  iC 4
6  10 4
15 3 3iC1 1Vi
V0  * *
4 3  hie3 2hie1
V0
AV   7726.6
Vi
Transistores Nanotubos
 Infineon Technologies anunció que
ha logrado desarrollar el transistor
de nanotubo más pequeño del
mundo. El transistor en cuestión
mide solo 18 nanometros - cuatro
veces menos que los transistores de
nanotubos actualmente en el
mercado.
 Las propiedades características de
los nanotubos de carbón hacen que
sea el material ideal para muchas
aplicaciones microelectrónicas. Los
nanotubos llevan corriente eléctrica
prácticamente sin fricción sobre la
superficie gracias al transporte
balístico de electrones, por lo que
pueden llevar 1000 veces más que
cable de cobre. Además pueden ser
conductores o semiconductores.
 Transistores Unipolares (FET)
 El transistor de efecto
campo (Field-Effect
Transistor o FET, en inglés)
es en realidad una familia de
transistores que se basan en
el campo eléctrico para
controlar la conductividad
de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET,
como todos los transistores,
pueden plantearse como
resistencias controladas por
voltaje.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)
Zona de Saturación
VDS  VGS  VP 0
VGS
I D  I DSS (1  )
VP 0
dI D 2
gm   I D I DSS
dVGS VP 0
u : Factor de Amplificacion
u  g m rds
rds  50 K
Z in  
Zona Ohmica
VDS  VGS  VP 0
rd  f (VGS )
 V V V 
I D  I DSS  2(1  GS )( DS )  ( DS ) 2 
 VP 0 VP 0 VP 0 
rdon
rd 
 VGS 
1  
 V P0 

VP 0
rdon 
2 I DSS
si : VDS  0
 VGS VDS 
I D  I DSS  2(1  )( )
 VP0 VP0 
 Configuraciones Notables
Fuente o Surtidor Común :

VGS  Vi
V0   g mVGS  rDS // R0 
R0  rDS // RL
rDS RL  V0   g mVGS RL
Entonces :
Análisis en AC: V0
AV    g m RL
Vi
Z in  R
Z out  R0
Drenador Común
R0
V0  uVGS ......(1)
R0  rDS
VGS  Vi  V0
R0 R0  rDS
VGS  Vi  uVGS  Vi ..(2)
R0  rDS R0 (u  1)  rDS
1y 2 :
V0 uR0
AV   ; u  g m rDS
Vi R0 (u  1)  rDS
g m R0
AV  1
g m R0  1
Z in  R
V0 R0 1
Zo    Zo 
I 0 1  g m R0 gm
Puerta Común

R0  RD // RL
Vi  uVGS  ( RD  rDS ) * i
VGS  Vi
V0
AV   g m R0
Vi
rDS  R0 1
Z in  
u 1 gm
Z 0  R0
Transistores Mosfet
TRANSISTOR N-MOS:
Transistor P-MOS
 Ejemplo de Aplicación
 Calcular la ganancia de voltaje y la impedancia de salida

Con :
Q1  Q2  Q3  Q4
VT  3V
K  1mA / V 2
Q5  Q6
VT  2V
K  2mA / V 2
Análisis en DC
Q3 y Q 4 Forman un espejo de corriente
I D  K (VGS  VT ) 2
7 I D  VGS  12  0  VGS  12  7 I D
I D  K (12  7 I D  3) 2
Resolviendo la ecuación cuadrática y
tomando en cuenta al curva del mosfet:
I D  1.134mA(amplificacion)
VGS 4  VGS 3  4.062V
VGS 2  VGS 1  3.75V
VGS 5  VGS 6  2.56V
dI
como : g m  D  2 K (VGS  VT )
dVGS
g m1  g m 2  1.5
g m 3  g m 4  2.124
g m 5  g m 6  2.12
Análisis en AC
iD  ( g m 6Vgs 6  g m5Vgs 5 ).............(1)
V0  10 K ( g m 6Vgs 6  g m5Vgs 5 )...(2)
g m1Vgs1   g m 2Vgs 2 ; g m5Vgs 5   g m1Vgs1...(3)
Vgs 5  Vgs 6 ;Vgs 2  Vgs1  Vi ........(4)
De 3 y 4 :
g g
Vgs1  m 2 Vgs 2 ;Vgs 5  m1 Vgs1.....(5)
g m1 gm5
De 5 y 4 :
Vi Vi
Vgs1   ;Vgs 2  ........(6)
g m1 g m1
1 1
gm2 gm 2
reemplazando en (2) :
V
AV  0  15
Vi
Z OUT  10 K
 Respuesta en Frecuencia
 La respuesta en frecuencia es un parámetro que describe las frecuencias que
puede grabar o reproducir un dispositivo.
 Respuesta en Frecuencia en audio
 En audio, para que sea un equipo de calidad debe cubrir al menos el margen de
las audiofrecuencias (20-20.000 Hz).
 Por el mismo motivo, cuanto mayor sea la respuesta en frecuencia de un
equipo, más “calidad” tendrá el sonido final. Así, a los nuevos formatos de audio
digital que sobrepasan sobradamente este margen (SACD, 20-100 KHz. y DVD-
Audio, 20-80 kHz) se los cataloga como formatos HI-FI (High Fidelity) “Alta
Fidelidad”.
 La respuesta en frecuencia de cualquier sistema debería ser plana , lo que
significa que el sistema trata igual a todo el sonido entrante, con lo que nos lo
devuelve igual.
 No obstante, en la práctica, la respuesta en graves y agudos, normalmente no
es la misma. Hecho que se nota más en unos equipos que en otros. (En los
altavoces, por ejemplo, esta diferencia entre la respuesta a graves o agudos es
muy acusada, pudiendo estar por encima de los 10 dB de más o de menos,
entre una y otra).
 Un equipo con una respuesta inapropiada afectará al sonido final:
 Respuesta en Frecuencia de Amplificadores

Análisis en Bajas frecuencias

 1 1
RE ( )
1 SCE CE
Z E  RE //  
SC E 1 1
RE  S
SCE RE CE
hie V hie
Vbe  Vi  be 
hie  (   1) Z E ( s ) Vi hie  (   1) Z E ( s )
1
hie( S  )
Vbe hie RE CE
 
Vi 1 1 1
hie( S  )  (   1)
CE RE CE CE
hie  (   1)
1
S
RE CE
1
S
Vbe RE CE

Vi 1 1  1
S (  )
CE RE hie
1
zero : Z 
RE C E
1 1  1
polo : P  (  )
CE RE hie
zero :
 Z  RE CE
1 1
z 
 RE CE
Polo :
WL  Frecuencia de corte inferior
WH  Es el polo generado por las capacidades intrínsecas
del dispositivo
 P  CE Req*
hie
Req*  ( ) // RE
 1
1 1
P  WP  WL  
CE Req*  hie 
CE  // RE 
  1 
z : El zero levanta la función
P:El polo produce una caída
Análisis en Frecuencias Medias

  R0
AV 
hie

gm 
hie
AV   g m R0
R0  RC // RL
Análisis en Altas Frecuencias
 Teorema de Miller
Se aplica a circuitos especiales donde exista retroalimentación
V1  V2
I
Z
V2  KV1
ZI  V1  V2  V1 (1  K )
V1 Z
 Z eq  Z n 
I 1 K
V1 V2 Z
 
I KI 1  K
V2 ZK
 Z' 
I 1 K
K : Ganancia a frecuencias medias
K  AV   g m R0
 1
Z
scu
1
Z scu
Zn  
1  K 1  ( g m R0 )
1
Zn 
SCu (1  g m R0 )
CM  Cu (1  g m R0 )
  hie  
 H    // hie   C  Cu (1  g m R0 ) 
   1  
CT  C  Cu (1  g m R0 )
 hie 
H    CT
  1
1 1  1 gm
WH    
 H  hie  hie * CT CT
   1  CT
 
gm
WH 
CT
Método de Circuitos Abiertos
Calculo de R *eq :
V  Ri  (i  g mV ) R0
V  V  iR0  g mV R0
V  V (1  g m R0 )  iR0
V  iR(1  g m R0 )  iR0
V  i  R (1  g m R0 )  R0 
V
 R(1  g m R0 )  R0  Req*
i
 u   R (1  g m R0 )  R0  Cu
 H   u 
1 1 1
wH   
 H  u    RC   R (1  g m R0 )  R0  Cu
Método de Corto Circuitos para Bajas
frecuencias
W1   1  C1 Req
*
1

 VT
1  RB // hie : hie 
*
Req
IC
W2   2  C2 Req
*
2

2  RC  R0
*
Req
W3   3  C3 Req
*
3

hie )
3  RE //(
*
Req
 1
n

W
1
X  1.15WL

W1  W2  W3  1.15WL
W3 W3
W1  , W2  ; ( diseño)
10 10
1.2W3  1.15WL  W3  WL
Respuesta en Frecuencia de un Fet
Para bajas frecuencias
rds  (Se desprecia)
1 1
RS ( )
1 S CS CS
Z S  RS //  
SC S RS 
1
S
1
SCS RS CS
VGS  Vi  g mVGS Z S
1
S
VGS RS CS

Vi S
1 1
(  gm )
CS RS

1
Z
RS CS
1 1
P  WL  (  gm )
CS RS
Ancho de Banda de Ganancia unitaria del Fet
I i  Vgs  S (C gsT  C gdT )  .......(1)
 
Aplicamos : i  0(en el nodo D)
SC gdT Vgs  I d  g mVGS
Id
Vgs  .......(2)
g m  SC gdT
de : 1 y 2
S (C gsT  C gdT )
Ii  I d
g m  SC gdT
Id g m  SC gdT
Ai  
Ii S (C gsT  C gdT )
como : SC gdT  g m
gm
Ai 
S (C gsT  C gdT )
gm
 fT 
2 (C gsT  C gdT )
Para Frecuencias Altas
I i  SC gsT Vgs  SC gdT (Vgs  Vds )......(1)
Aplicamos : i  0(en el nodo D)
Vds
 g mVGS  SC gdT (Vgs  Vds )  0...(2)
R0
de 1 y 2:
  1 g R 
 
I i  S C gsT  C gdT  m 0  Vgs
  1  SR0C gdT  
  
Como : SR0C gdT 1( Lo ignoramos)

I i  S C gsT  C gdT (1  g m R0 )  Vgs

 
entonces :
CM : Capacitancia de Miller
CM  C gdT (1  g m R0 )

I i  S C gsT  CM  Vgs , I d  g mVGS

 
I gm
Ai  d 
Ii 2 f C   CM
gsT 

gm
fH 
2 f  CgsT  C 
M
 Ejemplo de Aplicación
 Hallar FL ,C1 y C2, con B=100
Análisis en DC

IC 20
10  *  0.7  10 I C
100 3
I C  0.924mA
como :
I D  I C  0.924mA
 VT
hie   2.7 K
IC
2
gm  I D * I DSSS  1.52 mA
VP V
Análisis en AC
Hallamos los Req. De Cada condensador
Para : CE
 20 
 2.7 K  15 K // K
Req  10 K //  3

  
 
Req  55.26

Para : C1
 20 
Req  5 K   K // 2.7 K 
3 
Req  6.92 K

Para : C2
Req  1K  8.2 K  400 K
Req  409.2 K
Si disponemos que C E predomina:
1 1
L    2 f L
C E * REQCE 100u *55.26
f L  28.8 Hz
1
1  L
10
1
C1   8uF
fL
2 * * REQC
10 1

1
2  L
10
1
C2   0.13uF
fL
2 * * REQC 2
10
 OPAMP IDEAL

El OPAMP TRABAJA COMO COMPARADOR

1.- Vi  0  V0  V
2.- Vi  0  V0  V
la ganancia del OPAMP es muy grande
AV  20000  
Retro alimentación (Feed-back)
V0  GVE
VE  Vi  V f
V f  HV0
V0  G  Vi  V f   GVi  GV f
V0  1 GH   GVi
V0 G
AV  
Vi 1 GH
OPAMP : G  
G 1
 Gf  
GH H
Z in  
Z out  0
VA  VA! (tierra )
Vi  R1i
V0   R2i
V0  R2
Gf  
Vi R1
 Ejemplo de Aplicación 1
 Hallar la ganancia de voltaje del circuito mostrado:
Se sabe que:
  RCVi
V0 
!

2hie
VT VT 2 VT
hie   
IC I I
2
 I I
 
2hie 4VT 100
 IRCVi
V0 
!

100
i1  i2
V0! V0  V0!

R Rf
Rf ! Rf
V0  V0  V0  V0 (1  )
! !

R R
como :
 IRCVi
V0 
!

100
 IRCVi Rf
 V0  (1  )
100 R
V0  IRC R  R f
AV   ( )
Vi 100 R
 Problemas Variados
 Graficar Vo:
Del grafico podemos apreciar :
Va  V1  2V2  (V1  2V2 )
Vb  Va  Vb  V1  2V2
6K
VR  10  2.5V
24 K
Si : Vb  2.5V  Vc  10
Si : Vb  2.5V  Vc  10
Si : Vc  10V ; D1: on  V0  10
Si : Vc  10V ; D 2 : on  V0  0
Solución:
 V0
Si :  83.52dB
V1  V2
calcular : R  ?; I C 8  ?
Con :
1   2  70;  3   4  100;
8   9  150;  5   6  80
 7  50; 10  11  100;
2 I ESS5,6  I ESS7
Vb8  Vb9  3 hie8
 ....(1)
V1  V2 hie3
V0  2I *10 K
hie8  hie9
Vb8  Vb9
I 
2hie8
8
 
 Vb  Vb 
V0  2  8 9
 *10 K ....(2)
 2hie8 
 8 
de :1 y 2
V0  3  9 (10 K )
  83.52dB
V1  V2 hie3
 hie3  10 K
I B 3  0.0025mA
I C 3  0.25mA
I C 2  2 I C 3  0.5mA
20  0.7
R  38.6 K
IC 2
Como : 2 I SS 6  I SS 7
Vbe

I 6  I 5  I SS 6e Vt

Vbe

I 7  I SS 7 e Vt

I6 I SS 6
  I7  2I6  2I5
I 7 2 I SS 6
del g rafico :
I 6  I 5  I C 3  0.25mA
I C 8  I C 6  0.325mA
DISEÑAR EL SIGUIENTE CIRCUITO :
Si la ganancia de tensión es 150
La impedancia de entrada mayor igual a 10K
En carga se permite una oscilación de 10 voltios p-p
Una frecuencia de corte inferior de 40Hz
Solución :

Como :
AV  AV 1 * AV 2  150
Asumir : AV 1  30; AV 2  5
Q2 :
10
AV 2   5  RE 2  2 K
RE 2
1 15
I CQ 2   I CQ 2  0.625mA
2 10  RE 2
25mV
hie2   8K
0.625mA
100
 hie2
Como : RE 2  10( )  0.4 K
 1
Si :10  S I  30
RBB 2
Z in 2   36.36 K
 RE 2
Q1 :
RC 1 // Z in 2
AV 1   30
RE1
hie1
omo : RE1  10( )
 1
1
si : I C 1  1mA, I B1  mA
200
hie1  5 K
 RE 1  0.25 K  RC1  9.44 K
Z in  ( R1 // R2 ) //(  RE 1 )  10 K
si : VCE 1  4.95V  RE 2  0.35 K
Q1  DC :
VCC
VBB1  1.3V  R1  RBB1  144.23 K
VBB
  RBB1 
R2    RBB1  13.68K
 1  VBB1 
como :
RBB1
10  S I  30  S I 1  1 
RE1  RE 2
S I 1  21.83
  5 
Req    0.25  // 0.35  0.15 K
 200 
1
WL   2 *40
Req * CCE
CCE  26.5uF
Calculo de R4 y R3:
VBB 2  1.25  0.7  1.95V
 VCC   15 
R3    RBB 2    40  369 K
 VBB 2   1.95 
   
 R   40 
R3   BB 2      45.97 K
 1  VBB 2   1  1.9 
 V   15 
 CC 