Dispositivos No Lineales

Diodos y Transistores
Introducción: Redes No Lineales
Hasta ahora se ha supuesto linealidad, sin embargo los
dispositivos reales nunca son estrictamente lineales.
En algunos casos la aproximación lineal es aceptable
pues los resultados son próximos al comportamiento
real; en otros casos es un efecto indeseable que debe
eliminarse (amplificadores de señal); y en otros es una
parte deseable o incluso esencial en el
comportamiento de una red (ej: generador de
armónicos)

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Introducción
Los materiales semiconductores tienen
propiedades interesantes que permiten la
construcción de dispositivos cuyas curvas de
voltaje-corriente no son lineales y que se
encuentran en el núcleo funcional de diodos y
transistores.
Estos dispositivos se construyen a partir de
materiales extrínsecos basados en Silicio o
Germanio dopados con impurezas de materiales
como Arsenio, Antimonio o Fósforo para
materiales de tipo N, o Boro para el caso de
materiales de tipo P.
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Introducción
Las impurezas que dopan el sustrato tienen
estructuras pentavalentes en el caso de materiales
de tipo N, mientras que para el caso de materiales
de tipo P tienen estructuras trivalentes. Puesto que
el sustrato tiene una estructura tetravalente, en el
caso de materiales de tipo N, encontraremos
electrones libres en la estructura. Por el otro lado,
en el caso de materiales de tipo, encontraremos
huecos en la estructura.

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Introducción: Enlaces Covalentes en
materiales extrínsecos

Material Tipo N Material Tipo P

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Elementos No Lineales: El Diodo

El Diodo es una juntura conformada por 2 materiales

extrínsecos diferentes (Tipo N y Tipo P)
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El Diodo: Polarización

En el caso de polarización En el caso de polarización

inversa, la región de directa, la región de
agotamiento crece y se agotamiento decrece y se
produce una barrera de produce un flujo de portadores
potencial que impide el flujo mayoritarios
de portadores mayoritarios
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Modelo Simplificado del Diodo
El diodo prácticamente
se comporta como un
corto circuito en
polarización directa y
como un circuito abierto
en polarización inversa.
El umbral para
polarización directa es
de aproximadamente 0,7
V para diodos de Silicio
y 0,3 para diodos de
Germanio.
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Tipos de Diodos y su Polarización

Diodos que tienen la capacidad de trabajar en la región

Zener son de gran utilidad en el diseño de reguladores de
tensión.
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Elementos No Lineales: El
Fotodiodo

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Elementos No Lineales: El Diodo
i
La
característic
a v-i de un
v diodo puede
wt representars
e por un
polinomio

wt i =ao + a1v + a2 v + a3v + 2 3

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Elementos No Lineales: Métodos de
Análisis
Cuando se conoce el polinomio que describe la
característica v-i del disposotivo, es posible una
solución analítica
i =ao + a1v + a2 v 2

Si v = Vm cos ( wt )
→ i = ao + a1Vm cos ( wt ) + a2 (Vm cos ( wt ) )
2

a2Vm2 a2Vm2
→= i + a1Vm cos ( wt ) + cos ( 2 wt )
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2 René Játiva Espinoza
2
Elementos No Lineales: Métodos de
Análisis
En otros casos es posible una linearización en
tramos de la característica para facilitar la solución.
En muchos casos se prefiere la solución gráfica. En
este caso la característica utilizada puede ser la
obtenida por el fabricante, o en su defecto una
linearización en tramos de ella, o una idealización de
una curva analítica.

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Elementos No Lineales: Ejemplo
Se dispone de la red de la figura en donde RN presenta
una característica no lineal respecto de la corriente.
Se desea determinar la corriente que la atraviesa para
las condiciones especificadas.
v
RT I
VT
+ RN
VT
V

I VT/RTi
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Elementos No Lineales: Ejercicio
Determine los parámetros G1, G2 y Io necesarios para
definir la característica de la figura por linearización
en tramos.
i
(mA) i = G1v
4
3
=
i I o + G2 v R: G1=1mS;
G2=0,1 mS;
2 Io= 3mA
1
0 2 4 6 8 10 v(V)

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Elementos No Lineales: Ejercicio
Si V1=15V, R1=6kohms, R2=12kohms, ¿cuánto vale
I ? (Determine el equivalente de Thevenin).

R1 I I2
R: VT=10V;
+ RN R2
V1 RT=4kohms;
I=2mA

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 Ejercicio P5.5-16 Dorf-Svoboda

El diodo túnel es un dispositivo de unión p-n con

alto contenido de impurezas. Para ciertas zonas
de corriente muede mostrar características de
“resistencia negativa”. La figura muestra la
característica i-v de un diodo túnel. Note que en
tres intervalos muestra una característica i-v
lineal. Determine el circuito equivalente de
Thévenin del diodo túnel en estas tres áreas.

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 Ejercicio P5.5-16 (continuación)
Procedamos a una
linearización por tramos de la Ip
característica i-v del diodo = 1) i v; v ≤ V p
Vp
túnel de la figura.
I 2 ) V p < v < V1
1
I1
DT i=
− v + I1
i Ip V1
(A) 3) V2 < v

(v −V )
IV Ip
=
i − Ip
V f − V2
f
Vp V1 Vm V2 Vf v(V)

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 Ejercicio P5.5-16 (continuación)
Expresando v como función de i, podemos establecer
fácilmente los valores de RT y VT:
=
v iRT + VT
Vp Vp
1) v ≤ V p → v= i; → RT= ; VT= 0
Ip Ip
V1 V1
2) V p < v < V1 → v =− i + V1 → RT =− ; VT =V1
I1 I1
V f − V2 V f − V2
3) V2 < v=
→v i + V2 →
= RT ;=
VT V2
Ip Ip
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Ejercicio P5.5-16 (continuación)
De donde los circuitos equivalentes de Thevenin se
muestran a continuación:
Vp
)
i 1 v ≤ V →=
p RT ;=VT 0
+ + Ip
RT
i V1
2 ) V p < v < V1 → RT =− ;
v + V I1
T v
VT = V1
- - V f − V2
3) V2 < v → RT = ;
Note el valor negativo de la Ip
resistencia en el segundo
tramo
VT = V2
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Ejercicios

Se sugiere la realización de los ejercicios PD 3-

1; PD 3-3 y PD 3-4 del libro de Circuitos
Eléctricos de Dorf-Svoboda, 5ta. Edición. Pag:
104.

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Ejercicio: PD5.4 Dorf-Svoboda
El circuito de la figura tiene cuatro parámetros sin
especificar: vf, R1, R2 y d; donde d es la ganancia de la
FCCC. Para diseñar este circuito, deben determinarse
los valores de estos cuatro parámetros. La gráfica que
describe la relación entre corriente y voltaje también
se muestra. Especifique los valores de vf, R1, R2 y d
que satisfagan la relación v-i de la figura. Note que la
recta es v=-RTi+vccab

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Ejercicio: PD5.4 Dorf-Svoboda

ia i v (V)

R1 +
8 i
+ dia R2 v (mA)
vf

-5
-

Resp: vf=5V; d=-1/2;

R1=R2=5/16 kohm
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Aplicaciones de los Diodos:
Rectificador de Media Onda

Con un solo diodo podemos conseguir rectificar una señal

alterna, sacrificando el medio ciclo negativo de la señal de
entrada. La tensión DC conseguida es de aproximadamente:
VDC=0,318Vm

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Aplicaciones de los Diodos:
Rectificador de Onda Completa

Con un puente de 4 diodos podemos conseguir rectificar una

señal alterna, y duplicar el nivel de tensión DC respecto del
rectificador de media onda.

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Dispositivos No Lineales: El
Transistor de Unión Bipolar (BJT)

Si emparedamos una región de material tipo n entre dos

regiones de material tipo p o viceversa tenemos un
transistor BJT.
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Configuración del Transistor en
Base Común.
La
polarización
del BJT se
hace con
dos fuentes
colocadas
entre
Emisor y
Base
(Directa) y
entre Base y
Colector
(Inversa)
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Curvas Características de Entrada y
Salida para el BJT en Base Común.

Características de
Entrada (PNP) Características de Colector (PNP)

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Configuración del Transistor en
Emisor Común.
La
polarización
del BJT se
hace con dos
fuentes
colocadas
entre Base y
Emisor
(Directa) y
entre Colector
y Emisor.

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Configuración del Transistor en
Emisor Común.

Características de la
Características del Colector Base

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Punto de Operación del Transistor.
El Punto de
operación está dado
por las condiciones
del circuito de
polarización y debe
encontrarse en algún
lugar dentro de la
región activa del
transistor.
La región de corte es aquella en la cual la corriente de colector
es prácticamente nula. La región de saturación es aquella en
que la tensión colector emisor es prácticamente cero.
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Punto de Operación del Transistor.

Circuito de
Polarización Fija
Vcc − RB I B − VBE =
0 Vcc − VCE
Vcc − RC I C − VCE = 0 → I C =
Vcc − VBE RC
→ IB =
RB
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Determinación del factor de
amplificación de corriente β

I c 2, 7 mA
β DC
= = = 108
I B 25µ A
∆I c 1mA
β DC
= = = 100
∆I B V =cte. 10 µ A
CE

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Ejercicio: Determine VCE e IC.

R:
VCE=12,22 V
IC=0,85 mA

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Características Colector-Emisor para
un transistor tipo.

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Transistores de Unión en Corte y
Saturación

Para la operación del transistor en saturación, las junturas

Base-Emisor y Base-Colector deben polarizarse
directamente. Para la operación del transistor en corte,
estas junturas deben polarizarse inversamente.
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Transistores de Unión en Corte y
Saturación

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Transistor en Saturación
En el momento en que el transistor opera en
la región de saturación se produce una
reducción del factor de amplificación de
corriente β del transistor, esto significa que
la corriente de base IBsat>ICsat/β.
Por otro lado para que el transistor se
encuentre en la región de corte se requiere
interrumpir la corriente de base. Así:
IBcorte=0, ICcorte=0.
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Ejercicio
Determine RB y RC para el circuito de la
figura si ICsat =10mA.

R): RB=155kΩ RC=1kΩ

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Bibliografía
Electrónica: Teoría de Circuitos; Robert L.
Boylestad & Louis Nashelsky; Pearson
Educación; Sexta Edición; 1997.
Circuitos Eléctricos; Richard C. Dorf &
James A. Svoboda; Alfaomega; Quinta
Edición; 2003.

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