Arquitectura de

Computadores

Capítulo 2 - 0
PRINCIPIOS DE
ELECTRÓNICA DIGITAL
 Capítulo 2 – PRINCIPIOS DE
ELECTRÓNICA DIGITAL
• CONSTRUCCIÓN DE
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
• CIRCUITOS INTEGRADOS
• FABRICACIÓN DE CIRCUITOS
INTEGRADOS
 Elementos en la naturaleza
• Materiales conductores
• Materiales aislantes
• Elementos activos
• Elementos pasivos
CONSTRUCCIÓN DE
COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
Enlaces covalentes
 Difusión en estado sólido
• En la fabricación de circuitos integrados uno de los
procesos es la difusión. Era una técnica muy empleada en
los años 1970 para definir el tipo (N o P) de un
semiconductor. Hoy en día también se usa aunque de forma
diferente. Consiste en la inserción de átomos dopantes
dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que
éste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la
concentración de dopantes que disminuye monótonamente.
• El proceso consiste en introducir las obleas de
semiconductor en un horno y dejar pasar a través de ellas
un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del
horno es de 800 a 1200ºC para el Si (Silicio) y de 600 a
1000ºC para el Gas (Arseniuro de galio).
 Difusión en estado sólido
• Las impurezas que se emplean para el Si son:
• P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear
semiconductores tipo N.
• B (Boro) para semiconductores tipo P.
• Hay dos tipos de difusión:
• Por concentración constante en superficie: se
mantiene constante la concentración de impurezas en
la superficie del semiconductor y desde ahí son
difundidas al interior.
• Por concentración constante total: se deposita la
cantidad final de impurezas en la superficie de la oblea
y desde ahí se difunden.
Diodo en polarización directa
Diodo en polarización directa
Diodo en polarización inversa
Diodo
 Rectificador de corriente

C.A.

C.C.
Diodo
Transistor
Transistor
Transistor
Transistor
Transistor
Transistor
Transistor
 Deposición en semiconductores
• La deposición en semiconductores es el proceso por el cual se
crea una nueva capa de un material sobre una oblea de
semiconductor. La ventaja de esta técnica es que al crear capas
nuevas no se afecta mucho a las ya existentes:
• Dieléctricos
– Óxidos
– Nitruros
• Conductores
– Metales
– polisilicio
• Otros (por ejemplo fotoresina)
El proceso se suele realizar en un horno a alta temperatura y presión
controlada. Por medio de los gases que se introducen en el horno se
logra una reacción química de la que se obtiene el nuevo material.
 Ejemplo de fabricación de un
transistor MOS (MOSFET).
1. Se parte de la oblea de material
semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de óxido (zona
rayada) que servirá como aislante.
3. Se deposita un dieléctrico como el
nitruro (capa roja) que servirá como
máscara, también se podía usar
simplemente el óxido anterior como
máscara, depende del grosor y de los
procesos siguientes.
4. Se deposita una capa de resina sensible
a la radiación (capa negra), típicamente a
la radiación luminosa. Se hace incidir la
luz para cambiar las características de la
resina en algunas de sus partes. Para
ello sirven de ayuda las máscaras
hechas antes con herramientas CAD.
 Pasos para fabricar un MOS.
5. Mediante procesos de
atacado algunas zonas de la
resina son eliminadas y otras
permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez
el nitruro. Este paso se podía
haber hecho junto al anterior.
7. Implantación iónica a través
del óxido.
8. Se crean las zonas que
aislarán el dispositivo de
otros que pueda haber cerca
(zonas azules).
 Pasos para fabricar un MOS.
9. Se crece más óxido, con lo que
éste empuja las zonas creadas
antes hacia el interior de la oblea
para conseguir un mejor
aislamiento.
10. Eliminación del nitruro y parte del
óxido.
11. Se hace crecer una fina capa de
óxido de alta calidad que servirá de
óxido de puerta al transistor.
12. Deposición de una capa de
polisilicio (capa verde oscuro)
mediante procesos fotolitográficos
análogos a los vistos en los puntos
1 al 5. Este polisilicio será el
contacto de puerta del transistor.
 Pasos para fabricar un MOS.
13. Atacado del óxido para crear
ventanas donde se crearán las
zonas del drenador y surtidor. El
polisilicio anterior servirá de
máscara al óxido de puerta para
no ser eliminado.
14. Implantación iónica con
dopantes que sirven para definir
el drenador y el surtidor. El
polisilicio vuelve a hacer de
máscara para proteger la zona del
canal.
15. Vemos en verde claro las zonas
de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante
(zona gris).
 Pasos para fabricar un MOS.
17. Mediante procesos
fotolitográficos se ataca parte
del óxido.
18. Se deposita una capa
metálica que servirá para
conectar el dispositivo a otros.
19. Se ataca de la forma ya
conocida el metal (capa azul
oscuro) para dejar únicamente
los contactos. El contacto de
puerta no se muestra en la
figura porque es posterior al
plano que se muestra.
TRANSISTOR MOS
Estructura de un
transistor MOS
como se ve sobre
la superficie de un
circuito integrado
VLSI
Estructura básica de un
condensador MOS
• Uno de los Electrodos
es un material
semiconductor tipo P
con impurezas de Na
• El otro electrodo es
metálico AL
• El dieléctrico SiO2
Fabricación de circuitos
integrados
Capas
 CIRCUITOS
INTEGRADOS
 Circuito integrado

Chips de memoria con una ventana de cristal de cuarzo que

posibilita su borrado mediante luz ultravioleta.
 CIRCUITO INTEGRADO
Un circuito integrado (CI), es una pastilla
pequeña de material semiconductor, de
algunos milímetros cuadrados de área, sobre
la que se fabrican circuitos electrónicos
generalmente mediante fotolitografía y que
esta protegida dentro de un encapsulado de
plástico o cerámica. El encapsulado posee
conductores metálicos apropiados para hacer
conexión entre la pastilla y un circuito impreso.
 Circuito integrado
• La integración de grandes cantidades de diminutos transistores
en pequeños chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje
manual de los tubos de vacio (válvulas) y fabricación de circuitos
utilizando componentes discretos.
• Existen dos ventajas importantes que tienen los circuitos
integrados sobre los circuitos convencionales construidos con
componentes discretos: su bajo costo y su alto rendimiento.
– El bajo costo es debido a que los CI son fabricados siendo impresos
como una sola pieza por fotolitografía a partir de una oblea de silicio,
permitiendo la producción en cadena de grandes cantidades con una
tasa de defectos muy baja.
– El alto rendimiento se debe a que, debido a la miniaturización de todos
sus componentes, el consumo de energía es considerablemente
menor, a iguales condiciones de funcionamiento.
Circuito integrado
Circuito integrado
Circuito integrado
Circuito integrado
 Circuito integrado
• Entre los circuitos integrados
mas avanzados se encuentran
los microprocesadores, que
controlan todo desde
computadoras hasta teléfonos
móviles y hornos microondas.
• Los chips de memorias
digitales son otra familia de
circuitos integrados que son
de importancia crucial para la
moderna sociedad de la
información.
 Tipos de circuitos integrados
Por la forma de fabricación, se clasifican en:
• Circuitos monolíticos: Están fabricados en un solo mono cristal, habitualmente de
silicio, pero también existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.
• Circuitos híbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolíticos,
pero, además, contienen componentes difíciles de fabricar con tecnología
monolítica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnología
hibrida hasta que los progresos en la tecnología permitieron fabricar resistencias
precisas.
• Circuitos híbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos
monolíticos. De hecho suelen contener circuitos monolíticos sin capsula
transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dieléctrico, interconectados con pistas
conductoras. Las resistencias se depositan por serigrafía y se ajustan haciéndoles
cortes con laser. Todo ello se encapsula, tanto en capsulas plásticas como
metálicas, dependiendo de la disipación de potencia que necesiten. En muchos
casos, la capsula no esta "moldeada", sino que simplemente consiste en una resina
epoxi que protege el circuito. En el mercado se encuentran circuitos híbridos para
módulos de RF, fuentes de alimentación, circuitos de encendido para automóvil, etc.
 Clasificación
Por el nivel de integración - numero de componentes - los
circuitos integrados se clasifican en:
• SSI (Small Scale Integration) pequeno nivel: de 10 a 100
transistores
• MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores
• LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
• VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000
transistores
• ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a
1.000.000 transistores
• GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: mas de un millon
de transistores
 Clasificación
Por las funciones integradas, los circuitos se
clasifican en dos grandes grupos:
• Circuitos integrados analógicos. Pueden constar
desde simples transistores encapsulados juntos, sin
unión entre ellos, hasta dispositivos completos como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de
radio completos.
• Circuitos integrados digitales. Pueden ser desde
básicas puertas lógicas (Y, O, NO) hasta los mas
complicados microprocesadores o
microcontroladores.
 Disipación de potencia-
Evacuación del calor
Los circuitos eléctricos disipan potencia. Cuando el
numero de componentes integrados en un volumen
dado crece, las exigencias en cuanto a disipación de
esta potencia, también crecen, calentando el sustrato y
degradando el comportamiento del dispositivo. Además,
en muchos casos es un sistema de realimentación
positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura,
mas corriente conducen, fenómeno que se suele llamar
"embalamiento térmico“ y, que si no se evita, llega a
destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y los
reguladores de tensión son proclives a este fenómeno,
por lo que suelen incorporar protecciones térmicas.
 FABRICACIÓN DE
CIRCUITOS INTEGRADOS
La fabricación de circuitos
integrados
Es un proceso complejo y en el que
intervienen numerosas etapas. Cada
fabricante de circuitos integrados tiene sus
propias técnicas que guardan como secreto
de empresa, aunque las técnicas son
parecidas. Los dispositivos integrados
pueden ser tanto analógicos como digitales,
aunque todos tienen como base un material
semiconductor, normalmente el silicio.
Sala limpia de la NASA.
Sala blanca para la manufacturación de
Microelectrónica
 SALA BLANCA
Una sala blanca, sala limpia o clean
room es una sala especialmente
diseñadas para obtener bajos
niveles de contaminación. Estas
salas tiene que tener los
parámetro ambientales
estrictamente controlados:
partículas en aire, temperatura,
humedad, flujo de aire, presión
interior del aire, iluminación.
La tecnología de las salas blancas es
usada en microelectronica,
famarcéutica, hospitales,
laboratorios de FIV...
 videos
• https://youtu.be/r0ZMsGgOvqk