Nombre: Christian Alejandro Pineda Torres – Hamilton Stheven Silva Amado

Taller: Fabricación de Dispositivos Semiconductores

1. Describa el proceso general necesario para fabricar dispositivos semiconductores en tecnología

CMOS, incluya desde la fabricación de la oblea hasta el encapsulado de los circuitos integrados.
El término CMOS significa "Semiconductor de óxido de metal complementario". La tecnología CMOS
es una de las tecnologías más populares en la industria del diseño de chips de computadora y
ampliamente utilizada hoy para formar circuitos integrados en numerosas y variadas aplicaciones.
Las memorias de computadora, CPU y celda de hoy Los teléfonos utilizan esta tecnología debido a
varias ventajas clave. Esta tecnología utiliza tanto P dispositivos semiconductores de canal y canal
N. Una de las tecnologías MOSFET más populares disponibles en la actualidad es el MOS
complementario o Tecnología CMOS. Esta es la tecnología de semiconductores dominante para
microprocesadores, microcontroladores chips, memorias como RAM, ROM, EEPROM y circuitos
integrados específicos de la aplicación (ASIC).

Para menos requisitos de disipación de energía, la tecnología CMOS se utiliza para implementar
transistores. Si necesitamos un circuito más rápido, los transistores se implementan sobre IC usando
BJT. La fabricación de transistores CMOS como circuitos integrados se puede realizar en tres
métodos diferentes. La tecnología N-well / P-well, donde la difusión de tipo n se realiza sobre un
sustrato de tipo p o la difusión de tipo p se realiza sobre un sustrato de tipo n, respectivamente. La
tecnología Twin well, donde los transistores NMOS y PMOS se desarrollan sobre la oblea por difusión
simultánea sobre una base de crecimiento epitaxial, en lugar de un sustrato. El proceso de silicio
sobre aislante, donde en lugar de usar silicio como sustrato, se usa un material aislante para mejorar
la velocidad y la susceptibilidad al enganche.

Paso 1: Primero elegimos un sustrato como base para la fabricación. Para el pozo N, se selecciona
un sustrato de silicio de tipo P.

Paso 2 - Oxidación: La difusión selectiva de impurezas de tipo n se logra utilizando SiO2 como
barrera que protege porciones de la oblea contra la contaminación del sustrato. El SiO2 se deposita
mediante un proceso de oxidación que se realiza exponiendo el sustrato a oxígeno e hidrógeno de
alta calidad en una cámara de oxidación a aproximadamente 10000c
Paso 3 - Crecimiento de fotorresistente: en esta etapa para permitir el grabado selectivo, la capa de
SiO2 se somete al proceso de fotolitografía. En este proceso, la oblea se recubre con una película
uniforme de una emulsión fotosensible.

Paso 4 - Enmascaramiento: este paso es la continuación del proceso de fotolitografía. En este paso,
se realiza un patrón de apertura deseado utilizando una plantilla. Esta plantilla se utiliza como
máscara sobre el fotorresistente. El sustrato ahora está expuesto a los rayos UV y se polimeriza el
fotorresistente presente debajo de las regiones expuestas de la máscara.
Paso 5 - Eliminación del fotorresistente no expuesto: se quita la máscara y la región no expuesta del
fotorresistente se disuelve revelando la oblea con un producto químico como el tricloroetileno.
Paso 6 - Grabado: La oblea se sumerge en una solución de grabado de ácido fluorhídrico, que elimina
el óxido de las áreas a través de las cuales se difundirán los dopantes.
Paso 7 - Eliminación de toda la capa fotorresistente: durante el proceso de grabado, las porciones
de SiO2 que están protegidas por la capa fotorresistente no se ven afectadas. La máscara
fotorresistente ahora se quita con un solvente químico (H2SO4 caliente).
Paso 8 - Formación del pozo N: Las impurezas de tipo n se difunden en el sustrato de tipo p a través
de la región expuesta, formando así un pozo N.
Paso 9 - Eliminación de SiO2: La capa de SiO2 ahora se elimina mediante el uso de ácido
fluorhídrico.
Paso 10 - Deposición de poli silicio: la desalineación de la puerta de un transistor CMOS conduci ría
a la capacitancia no deseada que podría dañar el circuito. Por lo tanto, para evitar este "proceso de
puerta auto alineada", se prefiere cuando las regiones de puerta se forman antes de la formación de
la fuente y el drenaje mediante la implantación de iones. El poli silicio se utiliza para la formación de
la compuerta porque puede soportar altas temperaturas superiores a 80000 ° C cuando una oblea
se somete a métodos de recocido para la formación de fuente y drenaje. El poli silicio se deposita
mediante el proceso de deposición química sobre una capa delgada de óxido de puerta. Este óxido
de puerta delgado debajo de la capa de poli silicio evita un mayor dopaje debajo de la región de la
puerta.

Paso 11 - Formación de la región de la puerta: excepto las dos regiones necesarias para la formación
de la puerta para los transistores NMOS y PMOS, la parte restante de polisilicio se elimina.

Paso 12 - Proceso de oxidación: se deposita una capa de oxidación sobre la oblea que actúa como
un escudo para procesos posteriores de difusión y metalización.

Paso 13 - Enmascaramiento y difusión: Para hacer regiones para la difusión de impurezas de tipo n
utilizando el proceso de enmascaramiento se hacen pequeños huecos. Mediante el proceso de
difusión se desarrollan tres regiones n + para la formación de terminales de NMOS.

Paso 14 - Eliminación de óxido: Se quita la capa de óxido.

Paso 15 - Difusión de tipo P: Similar a la difusión de tipo n para formar los terminales de la difusión
de tipo p de PMOS se llevan a cabo.

Paso 16 - Colocación de óxido de campo grueso: antes de formar los terminales de metal, se coloca
un óxido de campo grueso para formar una capa protectora para las regiones de la oblea donde no
se requieren terminales.

Paso 17 - Metalización: este paso se utiliza para la formación de terminales de metal que pueden
proporcionar interconexiones. El aluminio se extiende por toda la oblea.

Paso 18 - Eliminación del exceso de metal: El exceso de metal se elimina de la oblea.

Paso 19 - Formación de terminales: En los espacios formados después de la remoción del exceso
de metal, se forman terminales para las interconexiones.

Paso 20: asignación de los nombres de los terminales: los nombres se asignan a los terminales de
los transistores NMOS y PMOS.

2. Explique por qué cada generación de procesos de manufactura se conoce como nodo, estos
nodos se llaman según una característica de tamaño, por ejemplo, tecnología de 90 nm del año
2003, a qué se refiere esta longitud. Liste estos nodos tecnológicos desde el de 10 um de 1971 hasta
el de 3nm de 2021.
El nodo de tecnología (también nodo de proceso, tecnología de proceso o simplemente nodo) se
refiere a un proceso de fabricación de semiconductores específico y sus reglas de diseño. Los
diferentes nodos a menudo implican diferentes generaciones y arquitec turas de circuitos. En general,
cuanto más pequeño es el nodo tecnológico, más pequeño es el tamaño de la función, lo que produce
transistores más pequeños que son más rápidos y más eficientes en el consumo de energía.
Históricamente, el nombre del nodo de proceso se refería a una serie de características diferentes
de un transistor, incluida la longitud de la puerta y el medio tono M1. Más recientemente, debido a
varias discrepancias de marketing y entre las fundiciones, el número en sí ha perdido el signi ficado
exacto que alguna vez tuvo. Los nodos de tecnología reciente, como 22 nm, 16 nm, 14 nm y 10 nm,
se refieren exclusivamente a una generación específica de chips fabricados con una tecnología en
particular. No corresponde a ninguna longitud de puerta o medio paso. Sin embargo, la convención
de nombres se ha quedado y es lo que las principales fundiciones llaman a sus nodos.

Desde alrededor de 2017, los nombres de nodos han sido superados por completo por el marketing
con algunas fundiciones de vanguardia que utilizan nombres de nodos de manera ambigua para
representar procesos ligeramente modificados. Además, el tamaño, la densidad y el rendimiento de
los transistores entre las fundiciones ya no coinciden entre las fundiciones. Por ejemplo, Intel de 10
nm es comparable a las fundiciones de 7 nm, mientras que Intel de 7 nm es comparable a las de 5
nm.

3. En la fabricación de dispositivos semiconductores, los diferentes procesos caen en cuatro

categorías generales, deposición, remoción, patronamiento y modificación de propiedades
eléctricas, explique en detalle, incluya las tecnologías propias de estas categorías.

Los procesos de deposición crean capas de materiales dieléctricos (aislantes) y metálicos

(conductores) que se utilizan para construir un dispositivo semiconductor. Dependiendo del tipo de
material y estructura que se esté fabricando, se emplean diferentes técnicas. La deposición
electroquímica (ECD) crea el "cableado" de cobre (interconexión) que une los dispositivos en un
circuito integrado. El enchapado metálico de cobre y otros metales también se utiliza para
aplicaciones de envasado a nivel de oblea y vías de silicio directo. Los pequeños conectores de
tungsteno y las barreras delgadas se fabrican con la precisión de la deposición química de v apor
(CVD) y la deposición de capa atómica (ALD), que agrega solo unas pocas capas de átomos a la
vez. La CVD mejorada con plasma (PECVD), la CVD de plasma de alta densidad (HDP-CVD) y la
ALD se utilizan para formar las capas aislantes críticas que aíslan y protegen todas estas estructuras
eléctricas.

Los procesos de grabado ayudan a crear características de viruta al eliminar selectivamente tanto
los materiales dieléctricos (aislantes) como los metálicos (conductores) que se han agregado durante
la deposición. Estos procesos implican la fabricación de características cada vez más pequeñas,
complejas, altas y estrechas utilizando muchos tipos de materiales. La tecnología principal, el
grabado con iones reactivos (RIE), bombardea la superficie de la oblea con iones (partículas
cargadas) para eliminar el material. Para las características más pequeñas, el grabado de capa
atómica (ALE) elimina algunas capas atómicas de material a la vez. Mientras que los procesos de
grabado de conductores dan forma con precisión a componentes eléctricos críticos como los
transistores, el grabado dieléctrico forma las estructuras aislantes que protegen las partes
conductoras. Los procesos de grabado también crean las características altas, similares a columnas,
que se utilizan, por ejemplo, en los TSV que unen los chips y en los sistemas microelectromecánicos
(MEMS).
Las técnicas de pelado y limpieza se utilizan entre los pasos de fabricación para eliminar el material
no deseado que luego podría provocar defectos y para preparar la superficie de la oblea para el
procesamiento posterior. La tira fotorresistente elimina la película fotorresistente y los residuos
siguiendo los pasos de implantación de iones o grabado. Para eliminar partículas, contaminantes,
residuos y otros materiales no deseados, se insertan pasos de limpieza de obleas durante toda la
fabricación. Las tecnologías de procesamiento húmedo se pueden utilizar para la limpieza de obleas,
así como para aplicaciones de grabado y decapado. La limpieza de bisel con plasma se utiliza para
mejorar el rendimiento del troquel al eliminar materiales no deseados del borde de la oblea que
podrían impactar el área del dispositivo.
La metrología de masas mide el cambio en la masa después de los procesos de deposición, grabado
y limpieza para permitir la supervisión y el control de estos pasos de fabricación básicos que se
repiten con frecuencia. Para componentes de diseño como pilas de películas delgadas, estructuras
de alta relación de aspecto y arquitecturas 3D complejas, las técnicas ópticas están limitadas en su
capacidad para medir con precisión las características gruesas, profundas o visualmente
oscurecidas. La medición del cambio de masa para estas aplicaciones proporciona una solución
sencilla de alta precisión para monitorear y controlar las características críticas en estructuras de
dispositivos avanzados, donde a menudo hay poca tolerancia a la variación.

4. Cree un glosario del proceso que incluya 25 términos.

- Capacitancia parásita: Si dos partes de un circuito electrónico están muy próximas entre sí, existe
la posibilidad de que se produzca un efecto de capacitancia, conocido como capacitancia parásita o
parásita, entre ellas. Esto es inevitable y generalmente no deseado. Surge porque el campo eléctrico
entre piezas con potencial diferente hace que almacenen una carga eléctrica. La capacitancia
parásita está asociada con conductores como cables y pistas de PCB, así como con componentes.
Se vuelve más problemático a medida que aumenta la frecuencia de la señal. La auto capacidad es
una capacitancia parásita que se encuentra dentro de un componente, por ejemplo, a través de los
devanados de un inductor, sin conexión a un componente o conductor externo. La capacitancia
parasitaria cambia la salida prevista del circuito o dispositivo. En circuitos amplificadores con
respuesta de frecuencia extendida, la capacitancia parásita entre la salida y la entrada puede actuar
como una ruta de retroalimentación, haciendo que el circuito oscile a alta frecuencia. Estas
oscilaciones no deseadas se denominan oscilaciones parásitas. En los amplificadores de alta
frecuencia, la capacitancia parásita se puede combinar con la inductancia parásita, como los cables
de los componentes, para formar circuitos resonantes, lo que también conduc e a oscilaciones
parásitas. En todos los inductores, la capacitancia parásita resonará con la inductancia a alguna
frecuencia alta para hacer que el inductor resonante por sí mismo; esto se llama frecuencia auto
resonante. Los programas informáticos de automatización de diseño electrónico, que se utilizan para
diseñar placas de circuitos impresos comerciales, pueden calcular la capacitancia parásita y otros
efectos parásitos de los componentes y las trazas de la placa de circuitos, e incluirlos en simulaciones
de funcionamiento del circuito. A esto se le llama extracción parasitaria.

- Circuitos integrados: El circuito integrado (IC) es un componente hecho con varias partes
conectadas entre sí en un solo chip. El chip es un material semiconductor construido a partir de
silicio. Los circuitos integrados están formados por condensadores, resistencias, transistores y
cables de conexión en varios circuitos dentro de un componente. Hoy en día, los componentes de
CI se encuentran en radios, receptores, amplificadores, teléfonos, reproductores de CD y casetes,
computadoras, VCR, televisores y otros dispositivos electrónicos.

- Deposición de capa atómica: La deposición de capa atómica (ALD) es una técnica de deposición
de película ultrafina que ha encontrado muchas aplicaciones debido a sus distintas capacidades.
Incluyen la deposición uniforme de películas conformadas con espesor controlable, incluso en
superficies tridimensionales complejas, y pueden mejorar la eficiencia de los dispositivos
electrónicos. Esta tecnología ha atraído un interés significativo tanto para la comprensión
fundamental de cómo los nuevos materiales funcionales pueden ser sintetizados por ALD como para
numerosas aplicaciones prácticas, particularmente en nano patrones avanzados para
microelectrónica, sistemas de almacenamiento de energía, desalinizaciones, catálisis y campos
médicos. Esta revisión presenta el progreso logrado en ALD, tanto para metodologías
computacionales como experimentales, y proporciona una perspectiva de esta tecnología emergente
en comparación con otros métodos de deposición de películas. Se analizan los enfoques
experimentales y los factores que afectan la deposición y se presentan métodos de simulación, como
la dinámica molecular y la dinámica de fluidos computacional, que ayudan a determinar y predecir
formas efectivas de optimizar los procesos de ALD, lo que permite reducir el costo, el desperdicio de
energía y los impactos ambientales adversos. Se eligen ejemplos específicos para ilustrar el
progreso en los procesos y aplicaciones ALD que mostraron un impacto considerable en otras
tecnologías.

- Deposición electroquímica: La deposición electroquímica es un proceso en el que el ión metálico

puede convertirse en metal sólido y depositarse en la superficie del cátodo si pas a una cantidad
suficiente de corriente eléctrica a través de la solución de electrolito. El electrolito contiene iones
cargados, que se forman al disolver una sal metálica en agua.

- Grabado con iones reactivos: El grabado con iones reactivos (RIE) es un tipo de tecnología de
grabado con plasma que se utiliza en los mercados de semiconductores especializados para la
fabricación de dispositivos. Las especies químicamente reactivas (iones) se aceleran hacia el
sustrato (generalmente una oblea de silicio), para eliminar un material depositado específico.

- Impurezas: Cuando se introducen átomos extraños en un material semiconductor, las

características del material cambian. Dependiendo de si las impurezas agregadas tienen electrones
"extra" o electrones "faltantes", se determina cómo se ve afectada la unión en la red cristalina y, por
lo tanto, cómo cambian las propiedades eléctricas del material. Dopando un semiconductor
(agregando impurezas a un semiconductor intrínseco, consulte Concentración de portador
intrínseco), podemos manipular el comportamiento de equilibrio del material.
- Material dieléctrico: Un material dieléctrico es una sustancia que es un mal conductor de la
electricidad, pero que apoya eficazmente los campos electrostáticos. Si el flujo de corr iente entre los
polos de carga eléctrica opuestos se mantiene al mínimo mientras las líneas de flujo electrostáticas
no están impedidas o interrumpidas, un campo electrostático puede almacenar energía. Esta
propiedad es útil en condensadores, especialmente en frecuencias de radio. Los materiales
dieléctricos también se utilizan en la construcción de líneas de transmisión de radiofrecuencia.

- Material fotorresistente: Los fotorresistentes son materiales fundamentales relacionados con la

fotolitografía. Son materiales sensibles a la luz, compuestos por un polímero, un sensibilizador y un
solvente. Cada elemento tiene una función particular. El polímero cambia su estructura cuando se
expone a la radiación. El solvente permite que el fotorresistente se hile y f orme capas delgadas sobre
la superficie de la oblea. Finalmente, el sensibilizador o inhibidor controla la reacción fotoquímica en
la fase polimérica.
- Material oxidante: Un material oxidante es una sustancia química que tiene la capacidad de
descomponerse fácilmente para liberar oxígeno o una sustancia oxidante. Los materiales oxidantes
pueden ser un peligro cuando se agregan al fuego. Proporcionarán al fuego más oxígeno, lo que
hará que el fuego se expanda. También harán que un material que normalmente s e quema
lentamente en el aire se queme más fácilmente. Además, el material oxidante puede provocar la
ignición de una fuente combustible sin la presencia de una fuente de ignición.

- Material tipo P: Los semiconductores como el germanio o el silicio dopado con cualquiera de los
átomos trivalentes como el boro, el indio o el galio se denominan semiconductores de tipo p. El átomo
de impureza está rodeado por cuatro átomos de silicio. Proporciona los átomos para llenar solo tres
enlaces covalentes, ya que solo tiene tres electrones de valencia. La vacante que existe en la cuarta
banda constituye el hoyo. Este agujero acepta electrones de la vecindad. Las impurezas trivalentes
se denominan impurezas aceptoras porque cada agujero que aporta puede aceptar un elect rón libre
durante la recombinación. El número de huecos en cualquier instante en un semiconductor de tipo p
excede el número de electrones. En consecuencia, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones los portadores minoritarios en un semiconductor de tipo p. La corriente fluye a través del
material de un agujero a otro, en una dirección.
- Material tipo N: Los átomos impuros pentavalentes como fósforo, arsénico, antimonio, bismuto o
algún otro elemento químico se utilizan para producir semiconductores de tipo n. Estos átomos
impuros se denominan impurezas donantes porque dan electrones libres a un semiconductor. El
dopaje aumenta el número de portadores de carga en el material para la conducción. Un
semiconductor de tipo n es mucho más conductor que el silicio puro o el germanio.

- Metalización: El proceso de metalización puede proteger la pieza de trabajo de fuerzas externas

dañinas (corrosión, desgaste, intemperie, etc.), mejorar la apariencia del objeto (dándole un aspecto
brillante, por ejemplo) o mejorar la funcionalidad del producto terminado. Las industrias que utilizan
la metalización en sus procesos de fabricación incluyen la aeroespacial, la automoción, el petróleo y
el gas, la defensa, la eléctrica y muchas otras.

- Oxidación: La oxidación es la pérdida de electrones durante la reacción de una molécula, átomo o

ión. La oxidación se produce cuando aumenta el estado de oxidación de una molécula, átomo o ión.
El proceso opuesto se llama reducción, que ocurre cuando hay una ganancia de electrones o el
estado de oxidación de un átomo, molécula o ión disminuye.

- Silicio: El silicio es el elemento a agradecer por la computadora que estás usando para leer estas
palabras. Un componente crucial en la microelectrónica y los chips de computadora, este elemento
extremadamente común también es responsable de las playas blancas y cálidas: la sílice, un óxido
de silicio, es el componente más común de la arena. El silicio es el séptimo elemento más abundante
en el universo y el segundo elemento más abundante en el planeta, después del oxígeno, según la
Royal Society of Chemistry. Aproximadamente el 25 por ciento de la corteza terrestre es silicio.
Además de los chips de computadora, el silicio tiene muchos usos; Los lugares más extraños donde
aparece este elemento incluyen copas menstruales, implantes mamarios y guantes de cocina, en
forma de silicona.

- Solvente químico: Los solventes son esenciales para cualquier aplicación de limpieza industrial.
Hay cientos de diferentes tipos de limpiadores solventes, cada uno con sus propias características y
usos. Los disolventes se clasifican como inorgánicos (el agua es el ejemplo más común) u orgánicos.
Los disolventes orgánicos contienen carbono e incluyen prácticamente todas las soluciones de
limpieza de metales industriales comunes. A veces puede resultar difícil determinar exactamente qué
disolventes de limpieza entre todas las opciones disponibles satisfarán mejor sus necesidades.

5. Explique en detalle los procesos conocidos como: Front-end-of-line (FEOL) processing y Back-
end-of-line (BEOL) processing.

Los componentes individuales de un CI son extremadamente pequeños y su producción exige

precisión a nivel atómico. La fabricación de circuitos integrados es un proceso complejo durante el
cual se crean circuitos electrónicos en y sobre una oblea hecha de material semiconductor muy puro,
generalmente silicio. La fabricación es una secuencia de varios pasos que se puede dividir en dos
etapas principales de procesamiento, a saber, procesamiento de front-end-of-line (FEOL) y
procesamiento de back-end-of-line (BEOL).

FEOL se refiere a la construcción de los componentes del IC directamente dentro de la oblea. La

oblea de silicio monocristalino se pule para obtener un sustrato con su superfic ie lo más regular y
plana posible. La parte superior de la oblea se prepara luego para la fotolitografía cubriéndola con
una capa aislante que sirva como máscara, típicamente un óxido, y una película de recubrimiento
posterior de material protector que es sensible a la luz, llamado fotorresistente. Se carga una
fotomáscara con el patrón de circuito para una capa del chip y se alinea con la oblea. El proceso de
exposición de la oblea a la luz ultravioleta intensa a través de la máscara permite eliminar el ár ea
fotorresistente expuesta. El material aislante desprotegido se elimina mediante un proceso de
grabado químico y el fotorresistente restante se elimina con una solución reveladora. En general,
existen dos tipos de fotorreservantes: negativos y positivos. Cuando se expone a la luz ultravioleta,
el material fotorresistente negativo se polimeriza y es más difícil de disolver en la solución de
revelador que el material protector positivo. Para resistir negativo, la solución reveladora elimina solo
las áreas no expuestas. De esta manera, es posible crear un patrón de áreas de obleas de silicio no
protegidas rodeadas por regiones de material no conductor. Luego, la modificación de las
propiedades eléctricas de las áreas expuestas implica procesos de dopaje, como la implantación de
iones que se utiliza para crear fuentes y drenajes del transistor. También se pueden añadir otras
capas conductoras o aislantes. Se agrega una nueva capa de material y todo el proceso de
fotolitografía, que incluye imágenes, deposición, grabado y dopado, se repite para crear muchos
componentes diferentes del chip, capa por capa.

Una vez que todos los componentes del IC están listos, se realiza el paso de procesamiento BEOL
para depositar el cableado metálico entre los dispositivos individuales con el fin de interconectarlos,
con un proceso llamado metalización. Los metales comunes utilizados en la industria de los
semiconductores son el cobre y el aluminio, pero recientemente se están probando muchos otros
metales para determinar su aplicabilidad para interconexiones metálicas a nanoescala. La segunda
etapa de la fabricación del chip también incluye la formación de contactos y estructuras dieléctricas.
El procesamiento BEOL generalmente comienza cuando la primera capa de un metal conductor se
deposita sobre la oblea. Se agrega una capa de fotorresistente sensible a los rayos UV en la parte
superior del metal. Luego, de una manera similar al procesamiento de los componentes durante el
procesamiento FEOL, se expone una fuente de luz UV al fotorresistente a través de una máscara
que describe la disposición deseada de los alambres metálicos; la sección expuesta del
fotorresistente positivo se retira luego en el paso posterior de grabado químico. El proceso de
grabado elimina el metal desprotegido para obtener un patrón de alambres descrito por la máscara
que conecta los diferentes componentes del chip. La mayoría de los circuitos integrados necesitan
más de una capa de cables para formar todas las conexiones necesarias. En chips reales, se añaden
hasta 5-12 capas en el proceso BEOL. Normalmente, los cables de interconexión de metal están
aislados por capas dieléctricas para evitar que los cables creen un cortocircuito con otras capas de
metal. Las diversas capas de metal están interconectadas mediante agujeros de grabado, llamados
vías, en el material aislante.

6. Liste las 6 principales compañías fabricantes, incluya: país de origen, breve reseña histórica, línea
principal de producción y desarrollo actual.

- AMI Semiconductores: AMI Semiconductor diseña y fabrica circuitos integrados específicos para
aplicaciones, o ASIC, a través de tres segmentos: ASIC de señal mixta, servicios de fundición y ASIC
digitales. El segmento de ASIC de señal mixta diseña y fabrica ASIC de señal mixta a nivel de
sistema, que combinan funciones analógicas y digitales en un solo chip. Se utilizan en sensores,
salidas de alto voltaje y comunicaciones inalámbricas o por radiofrecuencia. Los productos de AMI
se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, incluidas las de automoción, médica, industrial,
militar / aeroespacial, comunicaciones, informática y productos de consumo.

En un acuerdo de gran éxito, On Semiconductor Corp. ha adquirido AMIS Holdings Inc., empresa
matriz de AMI Semiconductor, por aproximadamente $ 915 millones en acciones el 13/12/2007.
El 17 de marzo de 2008, AMI Semiconductor, Inc. fue adquirida como resultado de la adquisición de
AMIS Holdings, Inc. por ON Semiconductor Corp. AMI Semiconductor Inc. diseña y fabrica circuitos
integrados específicos para aplicaciones, o ASIC, a través de tres segmentos: ASIC de señal mixta,
servicios de fundición y ASIC digitales. El segmento de ASIC de señal mixta diseña y fabrica ASIC
de señal mixta a nivel de sistema, que combinan funciones analógicas y digitales en un solo chip. Se
utilizan en sensores, salidas de alto voltaje y comunicaciones inalámbricas o por radiofrecuencia. El
segmento de servicios de fundición proporciona servicios de fabricación de semiconductores
principalmente a fabricantes de equipos originales y empresas de semiconductores. Se dirige al
mercado de circuitos de alta precisión para aplicaciones médicas, de consumo, automotriz e
industriales. La empresa vende sus productos en América del Norte, Europa y la región de Asia
Pacífico a través del personal de ventas directas, representantes de ventas independientes y
distribuidores autorizados. Se enfrenta a la competencia de Atmel, Zarlink, STMicroelectronics,
Altera, Atmel y Xilinx. La compañía se conocía anteriormente como AMI Spinco, Inc. y cambió su
nombre a AMI Semiconductor Inc. en diciembre de 2000. La compañía fue fundada en 2000 y tiene
su sede en Pocatello, Idaho.

Los productos AMI Semiconductor ofrecen una gama única de núcleos 8051 integrados acelerados
(x7), memoria Flash, rendimiento de alto voltaje y capacidad analógica de precisión en un proceso
CMOS de geometría de 0,35 micrones. Con el uso de la tecnología I3T, es posible integrar todos
estos elementos en una sola pieza de silicio de geometría pequeña, lo que da como resultado una
solución que reduce significativamente el número de componentes para una aplicación determinada.
Para complementar la tecnología, AMI Semiconductor ofrece una placa de demostración y un kit de
emulación, que satisface las demandas del cliente de acelerar el ciclo de diseño, lo que permite el
desarrollo simultáneo del software y firmware del cliente con la fase de diseño del chip AMI
Semiconductor. La placa de demostración tiene una configuración de hardware 8051 fija y
capacidades limitadas para el desarrollo de software. La placa de evaluación, utilizada para acelerar
el diseño del proyecto, permite la validación de la arquitectura de hardware y el desarrollo de software
por parte del cliente. Además de su tecnología de alto voltaje I3T80, AMI Semiconductor también
ofrece sus núcleos compatibles con 8051 en el rango de la compañía de tecnologías CMOS de 0.35
micrones y 0.5 micrones que permiten la integración de analógicos de mayor precisión con baja
disipación de potencia para aplicaciones dentro del bajo voltaje. y segmentos inalámbricos.

- Dynex semiconductor: Dynex Semiconductor es uno de los principales proveedores de

componentes y subsistemas de semiconductores de potencia. Sus productos se utilizan en una
amplia gama de aplicaciones que incluyen accionamientos de tracción ferroviaria y equipos
auxiliares, accionamientos de motores industriales, propulsión marina, transmisión y distribución de
energía, calentamiento por inducción y fuentes de energía renovables. Tienen más de cincuenta
años de experiencia ayudando a los diseñadores de sistemas a hacer un uso eficiente de la energía
eléctrica. La familia de productos Dynex Semiconductor incluye una amplia variedad de tiristores de
control de fase, diodos rectificadores, tiristores de apagado rápido y tiristores GTO. Todos los
productos de energía de Dynex Semiconductor están diseñados, desarrollados, fabricados y
probados en las instalaciones de Lincoln Reino Unido o Zhuzhou, China.

El negocio de semiconductores de potencia Dynex se estableció originalmente en Lincoln hace más

de 50 años cuando se conocía como AEI Semiconductors Ltd. En ese momento, la empresa introdujo
algunos de los primeros componentes semiconductores de potencia basados en silicio del mundo.
Desde entonces, adquirió los intereses, tecnologías y productos de semiconductores de potencia de
algunos nombres importantes como GEC, SGS-Thomson, Alstom y Marconi Electronic Devices
(MEDL).

Dynex Semiconductor Ltd, es la única empresa operativa de Dynex Power Inc y tiene su sede en
Lincoln, Inglaterra, en una instalación especialmente construida de 4000m2 que alberga las
operaciones de fabricación, ensamblaje y prueba, ventas, diseño y desarrollo de silicio totalmente
integradas. La empresa se fundó originalmente en 1956 y ha utilizado los nombres comerciales
anteriores de: · AEI Semiconductors Ltd (AEI) · Marconi Electronic Devices Ltd (MEDL) · GEC-
Plessey Semiconductors Ltd (GPS) En 2008 Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd adquirió el 75%
de Dynex Power Inc. Nuestros productos: · Semiconductores discretos bipolares de alta potencia ·
Módulos IGBT de alta potencia · Ensambles y componentes electrónicos de alta potencia · Silicio de
alta confiabilidad en los Semiconductores de potencia de CI de zafiro - Bipolar Los productos
bipolares de Dynex consisten en Tiristores de control de fase (SCR ), Diodos rectificadores de alta
potencia, tiristores de apagado de puerta (GTO) y diodos asociados, y tiristores de potencia de pulso.
Nuestros tiristores de control de fase cuentan con la última tecnología de implantes de iones (i2) que
produce marcadas reducciones en las pérdidas de conducción que, combinadas con una resistencia
térmica reducida, brindan una capacidad de manejo de potencia sustancialmente mayor. El rango
de voltaje se extiende de 1200 V a 8500 V y las clasificaciones de corriente promedio de 500 A a
casi 7000 A. Los diodos rectificadores Dynex son particularmente adecuados para rectificadores
frontales de inversores IGBT, aplicaciones de muy alta corriente como fundición de aluminio y
rectificación en tierra. Los voltajes se extienden a 6 kV y la corriente a 11 kA. Dynex está
comprometido con la producción continua de GTO para dar servicio tanto a las nuevas
construcciones como al mantenimiento / renovación de las locomotoras ferroviarias existentes. La
gama de dispositivos es adecuada para aplicaciones en accionamientos de tracción de líneas
principales y trenes ligeros y convertidores auxiliares. Pulse Power es una tecnología emergente y
Dynex produce una gama de dispositivos asimétricos de 4500 V en tres clasificaciones de corriente
diferentes, lo que ofrece un buen equilibrio entre manejo de voltaje y encendido extremadamente
rápido. Los dispositivos se pueden suministrar seleccionados en juegos para conexión en serie para
lograr ensamblajes de alto voltaje. Semiconductores de potencia: módulos IGBT Dynex ofrece una
amplia gama de módulos IGBT de alta potencia y diodos complementarios. La familia de productos
incluye módulos con tensiones nominales de 1.200 V a 6.500 V y corrientes nominales de 100 A a
3.600 A. Las configuraciones de circuito incluyen opciones de interruptor simple, interruptor doble,
chopper, medio puente y bidireccional. Todos los módulos Dynex están diseñados y construidos para
cumplir con los requisitos de rendimiento y confiabilidad más rigurosos del mercado. Nuestra
tecnología IGBT es desarrollada internamente por el equipo de I + D de Dynex y fabricada en las
instalaciones dedicadas de fabricación y ensamblaje de obleas ubicadas en Lincoln, lo que garantiza
un control completo del proceso de fabricación desde el troquel hasta los módulos completamente
probados. Las aplicaciones de los módulos de alta potencia Dynex incluyen tracción ferroviaria,
accionamientos marinos, accionamientos de motores industriales y generación de energía eólica.
Semiconductores de potencia: conjuntos de potencia El grupo de conjuntos de potencia diseña y
fabrica una gama de sistemas que cumplen con los requisitos específicos del cliente en cuanto a
rendimiento eléctrico, térmico y mecánico. La larga experiencia en el suministro de sistemas que
utilizan la gama de semiconductores Dynex y la comprensión única de las aplicaciones, permite al
grupo proporcionar soluciones óptimas de ensamblaje de energía, que pueden incluir electrónica de
protección y control. Los conjuntos refrigerados por aire y por líquido se han diseñado para
aplicaciones de tiristores, GTO, diodos e IGBT. Circuitos integrados SOS La instalación de Dynex
en el Reino Unido es única porque tiene la capacidad de fabricar c omponentes espaciales completos
en un solo sitio. La instalación es líder mundial en el mercado de componentes espaciales con unos
20 años de experiencia en el suministro de productos para programas espaciales. SOS es una
tecnología madura con una larga historia de usos exitosos en programas espaciales. Los datos
completos de radiación de dosis total están disponibles en todos los productos Dynex Space. El
sistema de calidad es integral y cumple con todos los requisitos de MIL-STD 883 en los EE. UU. Y
está certificado según la norma ISO 9001. Existe una demanda creciente de sistemas espaciales
que puedan sobrevivir a los efectos de la radiación y garantizar un funcionamiento continuo. De todas
las tecnologías actuales de semiconductores basadas en silicio, s olo SOS ofrece la resistencia
necesaria a los peligros de la radiación de dosis total, transitoria y perturbadora de un solo evento y
también ofrece inmunidad total a los efectos de enganche.

- Fairchild Semiconductor: En 1957, Fairchild Semiconductor se convirtió en la tercera empresa de

Silicon Valley. Por supuesto, entonces no se llamaba Silicon Valley, ya que toda la industria del silicio
estaba empezando a evolucionar. Fairchild estaba a la vanguardia y creó algunas de las tecnologías
innovadoras que impulsarían a todo el campo hacia adelante. La empresa fue fundada por un grupo
de empleados descontentos que dejaron la empresa de William Shockley, Shockley Semiconductor,
los "ocho traidores", incluidos Robert Noyce y Gordon Moore. La nueva compañía comenzó
produciendo transistores, vendiendo sus primeros 100 a IBM a $ 150 cada uno. Dos años más tarde,
los investigadores de Fairchild inventaron el chip integrado, que realmente puso a la empresa en el
mapa. La empresa creció de doce a doce mil empleados y pronto recaudó unos 130 millones de
dólares al año. Dirigida por Robert Noyce, la empresa introdujo lo que se ha convertido en un estilo
de gestión claramente "californiano", con ropa informal y un ambiente relajado. Fairchild fue el
semillero de un gran complejo industrial, ya que con el paso de los años muchos de los fundadores
se fueron para formar otras empresas. Apodados los "Fairchildren", estos desertores ayudaron a
Silicon Valley a convertirse en la meca de los semiconductores que es hoy. Cuando Noyce y Gordon
Moore se fueron en 1968 para fundar Intel, los días de gloria de Fairchild pronto comenzaron a
desvanecerse. Se vendió a una sucesión de empresas, ninguna de las cuales volvió a convertirlo en
una operación rentable. En 1997, Fairchild volvió a convertirse en una empresa independiente
mediante la primera compra apalancada de la industria. La corporación renacida se dispuso
rápidamente a adquirir otras empresas de tecnología y desarrollar nuevos productos, y en 1999
cotizó en la Bolsa de Valores de Nueva York. Fairchild Semiconductor es hoy en día el principal
proveedor mundial de productos de energía de alto rendimiento para aplicaciones electrónicas en
las industrias de informática, comunicaciones, consumo, industrial y automotriz. Los 9.000
empleados de la empresa diseñan, fabrican y comercializan una variedad de productos de potencia,
electrónica, analógica y optoelectrónica desde su sede en South Portland, Maine, EE. UU. Y
numerosos lugares en todo el mundo.

Dentro de sus desarrollos actuales se encuentra el Onsemi HSFR-HS Advanced Fairchild Power
Switch (FPS ™) es un interruptor de alimentación altamente integrado diseñado para convertidores
resonantes de medio puente de alta eficiencia. Ofreciendo todo lo necesario para construir un
convertidor resonante confiable y robusto, el HSFR-HS Advanced FPS simplifica los diseños al
tiempo que mejora la productividad y el rendimiento. onsemi HSFR-HS Advanced FPS combina
MOSFET de potencia, un circuito de accionamiento de puerta de lado alto, un oscilador controlado
por corriente preciso y funciones de protección integradas. Las aplicaciones típicas incluyen PDP y
televisores LCD, PC de escritorio, servidores, adaptadores y fuentes de alimentación de
telecomunicaciones.

- National Semiconductor: National Semiconductor Corporation es uno de los principales fabricantes

estadounidenses de semiconductores utilizados en una amplia gama de aplicaciones electrónicas.
Durante su rápido ascenso a la prominencia a fines de la década de 1970, National Semiconductor
ganó una reputación como quizás el productor de semiconductores más eficiente del mundo,
produciendo una amplia gama de piezas estandarizadas y confiables a muy bajo costo. La
prosperidad de National se basó menos en el genio de la alta tecnología que en la frugalidad y el
trabajo arduo de la baja tecnología, cualidades inculcadas en la compañía por su presidente y
director ejecutivo durante mucho tiempo, Charles E. Sporck. Sin embargo, en el cada vez más
poblado mundo de los semiconductores, National sufrió durante la década de 1980 la competencia
de precios del Lejano Oriente, ya que una serie de años en los que se perdieron dinero dejaron en
duda la salud futura de la empresa y destacaron su fracaso en el desarrollo de productos más
sofisticados y de mayor margen.

“Semiconductor” es el nombre que se le da a un grupo de elementos que en condiciones normales

no son conductores de electricidad, pero que cuando se modifican ligeramente pueden utilizarse
como conductores con gran precisión y fiabilidad. El desarrollo de la industria electrónica moderna,
comenzando con la invención del transistor en 1949, ha dependido del uso progresivamente más
sutil de semiconductores para controlar y dirigir la electricidad en paquetes muy pequeños conocidos
como circuitos integrados o "chips". En 1959, el Dr. Bernard Rothlein, antes de Sperry Rand
Corporation, se unió a la floreciente industria de semiconductores al crear National Semiconductor
en Santa Clara, California. La compañía era pequeña para los estándares de la industria, con solo $
5.3 millones en ventas en 1965, pero ofrecía una variedad de semiconductores bastante sofisticados
y operaba con ganancias.

Sin embargo, el antiguo empleador del Dr. Rothlein entabló una demanda contra National por
infracción de patente, y el caso redujo el precio de las acciones de la empresa cuando llegó a los
tribunales a mediados de la década de 1960. El bajo precio de las acciones alentó una inversión
sustancial por parte del financiero de la costa este Peter J. Sprague (hijo del presidente de Sprague
Electric Company), quien se convirtió en presidente de National en 1966 y se propuso convertir a la
compañía en un actor importante en la industria de semiconductores. Sprague reconoció que
National necesitaba una inyección de dirección sólida si quería hacer la transición de un pequeño
laboratorio de investigación a un fabricante comercial, y en la primavera de 1967 sorprendió a la
industria al contratar a cinco altos ejecutivos de Fairchild Camera & Instrument Corporation, luego la
segundo mayor fabricante de semiconductores del país. El principal de los nuevos reclutas fue
Charles E. Sporck, jefe de la división de semiconductores de Fairchild, de 39 años, quien aceptó un
recorte del 50 por ciento en el salario para convertirse en presidente de National (y propietario de
una parte de sus acciones). Desde ese día hasta 1991, National Semiconductor seguiría siendo en
gran parte la creación de estos dos hombres, y especialmente del empedernido Charlie Spor ck.
Sporck y National Semiconductor se adaptaban perfectamente el uno al otro. National tenía algunos
productos excelentes, pero carecía de control administrativo, mientras que Sporck no era un genio
técnico, pero sabía cómo manejar un barco ajustado, comercializar sus productos y ganar dinero.
Con el pleno respaldo financiero y moral de Peter Sprague y la junta directiva, Sporck puso a National
patas arriba en los doce meses siguientes a su llegada. Redujo el valor del inventario de transistores
de National en $ 1.5 millones (lo que ayudó a la compañía a una pérdida de $ 2 millones en el año
fiscal 1967) y centró sus energías en vender grandes cantidades de semiconductores estándar en
tres áreas de mercado diferentes: lineal, transistor a transistor. Lógica (TTL) y semiconductores de
óxido metálico (MOS). También mantuvo un estricto control sobre los gastos generales corporativos,
utilizando representantes de ventas externos siempre que era posible, delegando el trabajo básico
de ingeniería y contabilidad a contratistas independientes y, en general, promoviendo una ética
corporativa de austeridad espartana. En una industria que se inunda rápidamente con nuevos
competidores, el pellizco de un centavo de Sporck demostraría ser la clave para la supervivencia de
National en las próximas guerras de precios. Como dijo a Business Week en 1970, "Ganamos dinero
porque tenemos que hacerlo".
 REFERENCIAS

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Symposium on Semiconductor Manufacturing, 2006, pp. xlix-li, doi: 10.1109/ISSM.2006.4493002.

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by dual lens electron holography," 2017 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT),
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