Silicons Photonics Design – Lukas Chrostowski, Michael Hochberg

Cap 1.

Palabras clave:

Oblea: o lámina, es una placa fina de un material semiconductor, con la que construyen
microcircuitos mediante técnicas de dopado, grabado químico y deposición de varios
materiales.

Fotónica de silicio: Aplicación de sistema fotónicos para generar, procesar, manipular y utilizar
la luz para una transmisión de datos más rápida entre microchips y dentro de ellos.

CMOS: Semiconductor complementario de óxido metálico, familia lógica empleada en la

fabricación de circuitos integrados

SOI: Silicio sobre aislante, es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se

sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un
sándwich de capas de semiconductor, aislante, semiconductor.

RF CMOS:  is a metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) technology that

integrates radio-frequency (RF), analog and digital electronics on a mixed-
signal CMOS (complementary MOS) RF circuit chip.[1][2] It is widely used in
modern wireless telecommunications, such as cellular networks, Bluetooth, Wi-Fi, GPS
receivers, broadcasting, vehicular communication systems, and the radio transceivers in all
modern mobile phones and wireless networking devices. RF CMOS technology was pioneered
by Pakistani engineer Asad Ali Abidi at UCLA during the late 1980s to early 1990s, and helped
bring about the wireless revolution with the introduction of digital signal processing in wireless
communications. The development and design of RF CMOS devices was enabled by van der
Ziel's FET RF noise model, which was published in the early 1960s and remained largely
forgotten until the 1990s.

FPGA: Las Field Programmable Gate Arrays (FPGA) son circuitos integrados reconfigurables
compuestos de interconexiones programables que combinan bloques lógicos programables, de
memoria embebida y de procesamiento de señales digitales, entre otros. Dicho en palabras
más simples, una FPGA es “hardware programable”

VCSEL: Los VCSEL (vertical cavity surface emitting laser) son un tipo especial de diodo láser
que, a diferencia de los diodos estándar, emiten la luz perpendicularmente al plano de la
región activa y no paralelamente. Algunas de sus ventajas son menor consumo, emisión
circular o poder emitir un modo longitudinal único (SLM)

Integración monolítica:

DSL:

Guías de onda:

FOTÓNICA DE SILICIO SIN FÁBRICA (Puntos a considerar)

1.1 Introducción
Los circuito fotónico-electrónicos, tendrán un rol importante en las comunicaciones de
alta velocidad para dispositivos móviles, comunicaciones ópticas dentro computadoras
y dentro de centros de datos, sistemas de sensores y aplicaciones médicas

1.2 Fotónica de silicio: la siguiente industria de semiconductores

sin fábrica
Los mismos métodos de fundición y procesos que fueron desarrollados para construir
transistores están siendo reutilizados para construir chips que puedan generar,
detectar, modular y de otro modo manipular la luz.
Pero estas capacidades no se pueden usar directamente para la fotónica. Pues los
procesos electrónicos están hechos para la electrónica. Los chips de fotónica de silicio
requieren de procesos primitivos (90nm) comparado con los chips de microelectrónica
avanzada (16 nm). Hacer uso de las herramientas para la verdadera microelectrónica
avanzada para intentar construir fotónica no es justificable desde el punto de vista de
rendimiento y económico.
En los últimos tiempos se reparó en que el silicio es un material apto para la
construcción de dispositivos fotónicos. Incluso la comunidad de fotónica de silicio a
desarrollado flujos de proceso que permiten el re-uso de la infraestructura de
fabricación de CMOS para construir circuitos fotónicos complejos donde la información
se transfiere perfectamente desde el dominio electrónico hasta el dominio óptico y de
regreso.
1.2.1 CONTEXTO HISTÓRICO – FOTÓNICA
Principal problema de la fotónica, históricamente es que los procesos eran altamente
especializados para una aplicación particular, utilizando materiales diferentes.
Se hace ver que en la mayoría de casos los componentes fotónicos son producidos en
instalaciones de fabricación especializada, en volúmenes bajos. Y esto hace que los los
componentes sean costosos. Donde muy pocos dispositivos fotónicos son producidos a
gran escala. Ejemplos cercanos son VCSEL y los componentes para redes PON, que son
hecho a una escala-wafer , usados como componentes discretos.
Mientras que estos dispositivos discretos pueden ser unidos a otro con conectores y
fibra óptica estándar, una larga fracción del costo final del dispositivo y la pérdida
producida emerge del proceso empaquetado fotónico que requiere de alineaciones
con precisión submicrónica, el empaquetado es sellado herméticamente, teniendo la
necesidad a veces de ser recubierto de oro. Todo esto hace que los componentes y
sistemas fotónicas sean costosos.
Lo que sucedería con la fotónica de silicio es que integraría múltiples funciones en un
mismo paquete y fabricarlos usando las mismas instalaciones de fabricación que son
usadas en la construcción de microelectrónica avanzada, como parte de un solo chip o
pila d chips. Esto reduciría los costos, y daría a pie a nuevas aplicaciones de la fotónica.
1.3 Aplicaciones
La aplicación más común es la comunicación de datos. Incluye comunicaciones
digitales de gran ancho de banda para aplicaciones de corto alcance, esquemas de
modulación compleja y comunicaciones coherentes para aplicaciones de largo alcance,
y así.
Pero hay nuevas aplicaciones siendo exploradas:
- Nano-opto mecánica y física de la materia condensada
- Biodetección
- Óptica no lineal
- Sistemas LIDAR
- Giroscopios ópticos
- Frecuencia de radio optoelectrónica integrada
- Transceptores de radio integrados
- Comunicaciones coherentes
- Nuevas fuentes de luz
- Reducción de ruido laser
- Sensores de gas
- Fotónica integrada de longitud de onda muy larga
- Procesamiento de señales microonda y de alta velocidad
Donde las áreas más prometedoras son: Biosensores, imágenes, LIDAR, sensores
inerciales, RFIC fotónicos híbridos y procesamiento de señales.
1.3.1 COMUNICACIÓN DE DATOS
El trabajo que más transformador en el ámbito de las comunicaciones ópticas tiene
que ver con crear plataformas integradas con moduladores, detectores, guías de onda
y otros componentes en el mismo chip, todos comunicándose con todos.
Hay mucho valor en hacer chips que puedan realizar cálculos con electrónica y
transmitir datos ópticamente. La gran mayoría de las primeras aplicaciones de la
fotónica de silicio se encuentran en las comunicaciones de datos digitales. Esto es
explicado por las diferencias físicas entre electrones y fotones.
Los electrones son buenos en la computación porque 2 de ellos no pueden estar en el
mismo lugar , quiere decir que la interacción entre ellos es muy fuerte. Como
resultado, es posible construir dispositivos de conmutación masivamente no lineales
usando electrónica.
En el caso de los fotones, muchos pueden estar en el mismo lugar y no interactúan
entre ellos, a menos que haya una circunstancia muy especial. Por esto es posible la
transmitir terabits de datos por segundo a través de una sola fibra óptica
Productos comerciales que integran electrónica y fotónica a escala de chip han llegado
recientemente al mercado. ( Se mencionan varias compañías grandes de la tecnología)

1.4 Retos técnicos y estado de arte

1.4.1 GUÍAS DE ONDA Y COMPONENTES PASIVOS
Hay una variedad de geometrías de guías de onda desarrolladas para sistemas de
silicio. Para la compatibilidad del proceso CMOS, la comunidad se decidió por unas
pocas, las más comunes son las guías de onda de alto confinamiento hecha de la capa
del dispositivo activo de una oblea SOI, grabado completamente en la capa de óxido
inferior o grabado parcialmente con una parada de proceso cronometrada.
Tomó varios años para reducir las pérdidas de guías de ondas submicrónicas a niveles
aceptables, debido a las pérdidas sustanciales que la fuerte interacción de los campos
ópticos con las paredes laterales puede provocar, en consecuencia de la rugosidad.
La pérdida de propagación puede ser reducido ya sea por el proceso de optimización
de suavizado de la pared lateral o por la optimización de la geometría de la guía de
onda para reducir la intensidad de campo modal en la pared lateral. Las pérdidas
típicas en guías alto confinamiento está en el rango de 2dB/cm en la actualidad para
procesos innovadores. Las guías de onda rectas multimodo de baja pérdida en
combinación con curvas de guía de onda monomodo estrechas resultan ser una opción
óptima para el enrutamiento, logrando 0.026 dB/cm. Otros componentes clave, como
acopladores de rejilla, rejillas de Bragg distribuidas, cruces de guías de onda y rejillas
de guía de ondas ordenadas, han demostrado en cada caso tener muy pocas pérdidas.
Recientemente, las guías de ondas compatibles con CMOS que se pueden formar en el
proceso de fondo dieléctrico están disponibles, hechas de nitruro de silicio. Con un
proceso dedicado, las pérdidas en estas guías de onda son extraordinariamente bajos
(<0.1dB/m), aunque la compatibilidad de dichos procesos con dispositivos activos
frontales es un tema abierto, dado el requisito de un aumento de temperatura
elevado. Cabe señalar que se ha realizado un trabajo considerable en guías de ondas
de silicio de bajo confinamiento.
Hay una dificultad considerable en crear moduladores y detectores de alta velocidad
compatibles en estas plataformas, lo que les hace menos prometedoras para la
integración a gran escala.
Uno de los retos de la fotónica de silicio es acoplar la luz entre el chip y la fibra óptica,
y lograr esto en un método de empaque que sea rentable. Esto es típicamente hecho
usando acopladores de rejilla o de borde. Ambos enfoques demuestran una pérdida
menor a 1dB por interface. Lidiar con la polarización es también un reto pues, las guías
de onda de fotónica de silicio son, por defecto, altamente birrefringentes. Esto quiere
decir que las constantes de propagación óptica en la guía de onda son diferentes para
2 polarizaciones diferentes. El enfoque común es construir circuitos usando una sola
polarización, y duplicar cuando ambas polarizaciones sean requeridas.
1.4.2 MODULADORES
La modulación en silicio es comúnmente lograda por el efecto de dispersión de plasma,
donde los cambios de densidad de portadores libres pueden inducir cambios en el
índice de refracción y modular la luz. Muchos mecanismos de manipulación de las
densidades de portador libre han sido implementados en dispositivos monolítico.
Entre ellos, Los dispositivos de modo de agotamiento de la portadora, generalmente
basados en una unión pn con polarización inversa, son ampliamente utilizados para
lograr una operación de alta velocidad. En adición a las soluciones de silicio puro, otros
materiales pueden ser integrados en la plataforma de silicio, por ejemplo, uniendo
material III/V, germanio en crecimiento epitaxial o revestimiento de grafeno para
construir moduladores de electro absorción eficientes.
La integración híbrida de nuevos materiales en el silicio, ya sea a través del
procesamiento posterior o mediante varios tipos de enfoques de encapsulación para
hacer que los nuevos materiales sean aceptables para una fundición CMOS, está
emergiendo como un subcampo activo en la fotónica del silicio. Todos estos enfoques
implican una fabricación desafiante y es probable que se limiten a aplicaciones
especializadas con requisitos de gama alta muy específicos. La posible excepción a esto
es la integración directa de fuentes de luz, aunque el jurado está deliberando sobre los
diversos enfoques tecnológicos para este problema.
1.4.3 FOTODETECTORES
En las longitudes de onda operativas de un chip fotónico de silicio, los materiales con
una brecha de banda más estrecha que el silicio necesitan ser integrados para
funcionar como medio de detección (absorción). Esto es necesario para la
compatibilidad con infraestructura estándar, pero no requerido necesariamente para
aplicaciones de corto alcance donde ambos extremos del enlace pueden definirse, sin
adherirse a los estándares de interoperabilidad. Los materiales unidos III/V pueden ser
usados para foto detección. Estos materiales se integran cerca de una guía de ondas de
silicio o se conectan directamente a ella, de modo que la luz guiada se puede acoplar
de forma evanescente o a tope en el fotodetector y el fotodetector puede tener una
sección transversal pequeña para reducir la capacitancia del dispositivo y mejorar la
velocidad.
1.4.4 FUENTES DE LUZ
Es uno de los mayores retos de las plataformas de fotónica de silicio, la falta de una
fuente de luz en un chip, pues los chips actuales en producción todos acoplan la luz
con un laser externo. Hay algunas técnicas para la solución a este problema. Algunas
no compatibles con el proceso CMOS estándar, pero el germanio fue propuesto como
un medio de ganancia compatible con CMOS, aunque la eficiencia de su foto emisión
se ve afectada por la brecha de banda indirecta. La diferencia entre la brecha de banda
directa e indirecta se supera con la combinación de la tensión y fuerte dopaje tipo n y
recientemente el primer laser accionado eléctricamente que usa un medio de ganancia
de germanio en silicio.
Todos los productos actuales del mercado tienen enfoques “peatonales”. Esto incluye
ambas fuentes de luz fuera del chip, conectados al silicio por fibras, y láser integrados
dentro del mismo empaquetado que el chip fotónico de silicio.
1.4.5 ENFOQUES DE LA INTEGRACIÓN FOTÓNICO-ELECTRÓNICA
Cae en 2 categorías: Monolítica y multi-chip.
Integración monolítica

No se espera que ese enfoque produzca productos comercialmente competitivos en

un futuro previsible.
Integración multichip
Por otro lado la integración multichip está siendo investigada y demostrada, donde los
circuito electrónicos y fotónicos vienen de diferentes procesos y son eléctricamente
unidos al otro. Los beneficios de este enfoque son significativos así como el mundo del
CMOS siga mejorando con la ley de Moore, será posible adaptar rápidamente cada
generación sucesiva de CMOS o Bi-CMOS en una oblea fotónica de silicio no costosa,
teniendo los beneficios de la mejor en clase de procesos de ambas, fotónica y
electrónica. Porque la fotónica generalmente no requiere de fabricación de estructuras
pequeñas y los dispositivos son largos comparados a los transistores, las
consideraciones económicas tienden a conducir los dispositivos fotónicos a ser hechos
en procesos separados de cualquier electrónica avanzada que sea necesitada en el
producto final.

1.5 Oportunidades
Se describe 5 tipos de oportunidades fundamentales diferentes en la fotónica de
silicio:
Ingeniería de dispositivo:
Se centra en la siguiente pregunta: ¿Cuál es el mejor dispositivo fotónico que se puede
construir en silicio?
Se menciona la competitividad del los moduladores Mach-Zehnder de silicio. Los
fotodiodos acoplados por guía de onda de germanio. Que unas de las guías de onda
con menor pérdida en el mundo son de nitruro de silicio, es que fundamentalmente
compatible con integración fotónica de gran escala, etc.
Se menciona que como naturaleza de la investigación a nivel de dispositivo se pueden
llegar a generar resultados que no son compatibles con los procesos integrados.
existentes
Ingeniería de sistemas fotónicos:

Herramientas y soporte de infraestructura:

Simulación de sistemas: Lumerical INTERCONNECT (investigar)
Ciencia básica:

Estandarización de procesos y una historia de servicios MPW:

Lumerical es un simulador de circuitos integrados fotónicos, verifica PIC’s multimodo,

bidireccionales y multicanales