El Circuito integrado -CI

Circuitos integrados de memoria EPROM con una ventana de cristal de cuarzo que posibilita su borrado
mediante radiacin ultravioleta.

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una estructura de
pequeas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milmetros
cuadrados de superficie, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente
mediante fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o
de cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin
entre el Circuito Integrado y un circuito impreso.
Los CI se hicieron posibles gracias a descubrimientos experimentales que mostraban que
artefactos semiconductores podan realizar las funciones de los tubos de vaco, as como a los
avances cientficos de la fabricacin de semiconductores a mediados del siglo XX. La
integracin de grandes cantidades de pequeos transistores dentro de un pequeo espacio
fue un gran avance en la elaboracin manual de circuitos utilizando componentes
electrnicos discretos. La capacidad de produccin masiva de los circuitos integrados, as
como la fiabilidad y acercamiento a la construccin de un diagrama a bloques en circuitos,
aseguraba la rpida adopcin de los circuitos integrados estandarizados en lugar de diseos
utilizando transistores discretos.
Los CI tienen dos principales ventajas sobre los circuitos discretos: costo y rendimiento. El
bajo costo es debido a los chips; ya que posee todos sus componentes impresos en una
unidad de fotolitografa en lugar de ser construidos un transistor a la vez. Ms an, los CI
empaquetados usan mucho menos material que los circuitos discretos. El rendimiento es alto
ya que los componentes de los CI cambian rpidamente y consumen poco poder (comparado
sus contrapartes discretas) como resultado de su pequeo tamao y proximidad de todos sus
componentes. Desde el ao 2012, el intervalo de rea de chips tpicos es desde unos pocos
milmetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con hasta 9 millones de transistores por mm2.
En el ao 2017 la empresa IBM presento el premier chip de 5 nanmetros en el mundo,
creado con un nuevo tipo de transistor, y la aplicacin de aplicacin de litografa avanzada.
Los circuitos integrados son usados en prcticamente todos los equipos electrnicos hoy en
da, y han revolucionado el mundo de la electrnica. Computadoras, telfonos mviles, y otros
dispositivos electrnicos que son parte indispensables de las sociedades modernas, son
posibles gracias a los bajos costos de los circuitos integrados.

Historia

Geoffrey Dummer en los aos 1950.

En abril de 1958, el ingeniero alemn Werner Jacobi (Siemens AG)

completa la primera solicitud de patente para circuitos integrados con
dispositivos amplificadores de semiconductores. Jacobi realiz una
tpica aplicacin industrial para su patente, la cual no fue registrada.
Ms tarde, la integracin de circuitos fue conceptualizada por el
cientfico de radares Geoffrey Dummer (1909-2002), que estaba
trabajando para la Royal Radar Establishment del Ministerio de Defensa Britnico, a finales de
la dcada de 1940 y principios de la dcada de 1950.
El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por el ingeniero Jack S. Kilby (1923-
2005) pocos meses despus de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Se
trataba de un dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase.

En el ao 2000 Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por la enorme
contribucin de su invento al desarrollo de la tecnologa.

S. Kilby (1923-2005) Premio Novel de

Fisica.

Robert Noyce desarroll su propio circuito integrado,

que patent unos seis meses despus. Adems
resolvi algunos problemas prcticos que posea el
circuito de Kilby, como el de la interconexin de
todos los componentes; al simplificar la estructura
del chip mediante la adicin de metal en una capa final y la eliminacin de algunas de las
conexiones, el circuito integrado se hizo ms adecuado para su produccin en masa. Adems
de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce tambin fue uno de los co-
fundadores de Intel Corporation, uno de los mayores fabricantes de circuitos integrados del
mundo.
Los circuitos integrados se encuentran en todos
los aparatos electrnicos modernos, tales como
relojes, automviles, televisores, reproductores
MP3, telfonos mviles, computadoras,tablets,
equipos mdicos, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados fue
posible gracias a descubrimientos Robert Norton Noyce, apodado "el Alcalde de Silicon
experimentales que demostraron que Valley", co-fundador de Fairchild Semiconductor en
los semiconductor, particularmente 1957 y de Intel en 1968.
los transistores, pueden realizar algunas de las
funciones de las vlvulas de vaco.
La integracin de grandes cantidades de diminutos transistores en pequeos chips fue un
enorme avance sobre el ensamblaje manual de los tubos de vaco (vlvulas) y en la
fabricacin de circuitos electrnicos utilizando componentes discretos.
Los avances que hicieron posible el circuito integrado han sido, fundamentalmente, los
desarrollos en la fabricacin de dispositivos semiconductores a mediados del siglo XX,la
capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y la facilidad de
agregarles complejidad, llev a su estandarizacin, reemplazando circuitos completos con
diseos que utilizaban transistores discretos, y adems, llevando rpidamente a la
obsolescencia a las vlvulas o tubos de vaco.
Son tres las ventajas ms importantes que tienen los circuitos integrados sobre los circuitos
electrnicos construidos con componentes discretos: su menor costo; su mayor eficiencia
energtica y su reducido tamao. El bajo costo es debido a que los CI son fabricados siendo
impresos como una sola pieza por fotolitografa a partir de una oblea, generalmente de silicio,
permitiendo la produccin en cadena de grandes cantidades, con una muy baja tasa de
defectos. La elevada eficiencia se debe a que, dada la miniaturizacin de todos sus
componentes, el consumo de energa es considerablemente menor, a iguales condiciones de
funcionamiento que un circuito electrnico homlogo fabricado con componentes discretos.
Finalmente, el ms notable atributo, es su reducido tamao en relacin a los circuitos
discretos; para ilustrar esto: un circuito integrado puede contener desde miles hasta varios
millones de transistores en unos pocos milmetros cuadrados.
Entre los circuitos integrados ms complejos y avanzados se encuentran
los microprocesadores, que controlan numerosos aparatos, desde telfonos mviles y horno
de microondas hasta computadoras. Los chips de memorias digitales son otra familia de
circuitos integrados, de importancia crucial para la moderna sociedad de la informacin.
Mientras que el costo de disear y desarrollar un circuito integrado complejo es bastante alto,
cuando se reparte entre millones de unidades de produccin, el costo individual de los CI por
lo general se reduce al mnimo. La eficiencia de los CI es alta debido a que el pequeo
tamao de los chips permite cortas conexiones que posibilitan la utilizacin de lgica de bajo
consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades de conmutacin.
A medida que transcurren los aos, los circuitos integrados van evolucionando: se fabrican en
tamaos cada vez ms pequeos, con mejores caractersticas y prestaciones, mejoran
su eficiencia y su eficacia, y se permite as que mayor cantidad de elementos sean
empaquetados o integrados en un mismo chip. Al tiempo que el tamao se reduce, otras
cualidades tambin mejoran en el costo de produccin y el consumo de energa disminuyen,
a la vez que aumenta el rendimiento. Aunque estas ganancias son aparentemente para el
usuario final, existe una feroz competencia entre los fabricantes para utilizar geometras cada
vez ms delgadas. Este proceso, y lo esperado para los prximos aos, est muy bien
descrito por la International Technology Roadmap for Semiconductors

Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:

Circuitos monolticos: estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de silicio,

pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.
Circuitos hbridos de capa fina: son muy similares a los circuitos monolticos, pero,
adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica.
Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que
los progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas.
Circuitos hbridos de capa gruesa: se apartan bastante de los circuitos monolticos. De
hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula, transistores, diodos, etc, sobre un
sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Las resistencias se depositan
por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, en
cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la disipacin de energa calrica
requerida. En muchos casos, la cpsula no est moldeada, sino que simplemente se
cubre el circuito con una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran
circuitos hbridos para aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF), fuentes de
alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc.

Clasificacin
Atendiendo al nivel de integracin nmero de componentes los circuitos integrados se
pueden clasificar en:

SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores

MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1. 000 transistores
LSI (Large Scale Integration) grande: 1. 001 a 10. 000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10. 001 a 100. 000 transistores
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100. 001 a 1. 000. 000 transistores
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de transistores
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.
Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos,
hasta circuitos completos y funcionales, como amplificadores, osciladores o
incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta los ms
complicados microprocesadores o microcontroladores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de un
sistema mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta integracin de
componentes en un espacio muy reducido, de forma que llegan a ser microscpicos.
Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos,
adems de un montaje ms eficaz y rpido.
 Limitaciones de los circuitos integrados
Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al desarrollo de los circuitos integrados.
Bsicamente, son barreras que se van alejando al mejorar la tecnologa, pero no
desaparecen. Las principales son:
Disipacin de potencia
Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de componentes
integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipacin de esta
potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento
del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema de realimentacin positiva,
de modo que cuanto mayor sea la temperatura, ms corriente conducen, fenmeno
que se suele llamar "embalamiento trmico" y, que si no se evita, llega a destruir el
dispositivo. Los amplificadores de audio y los reguladores de tensin son proclives a
este fenmeno, por lo que suelen incorporar protecciones trmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar.
Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior del
chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip al disipador o al
ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este conducto, as como de las
nuevas cpsulas de compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones con
cpsulas ms pequeas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de alimentacin y
utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun as en los circuitos con
ms densidad de integracin y elevadas velocidades, la disipacin es uno de los
mayores problemas, llegndose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de
criostatos. Precisamente la alta resistividad trmica del arseniuro de galio es su taln
de Aquiles para realizar circuitos digitales con l.

Capacidades y autoinducciones parsitas

Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip, la
cpsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento.
Con pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la autoinduccin de ellas. En
los circuitos digitales excitadores de buses, generadores de reloj, etc, es importante
mantener la impedancia de las lneas y, todava ms, en los circuitos de radio y
de microondas.
Lmites en los componentes
Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de
sus contrapartidas discretas.

Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie. Por
ello slo se usan valores reducidos y en tecnologas MOS se eliminan casi
totalmente.
Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha
superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional A741, el condensador
de estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.
Inductores. Se usan comnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo hbridos
muchas veces. En general no se integran.
Densidad de integracin
Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van acumulando los
defectos, de modo que cierto nmero de componentes del circuito final no funcionan
correctamente. Cuando el chip integra un nmero mayor de componentes, estos
componentes defectuosos disminuyen la proporcin de chips funcionales. Es por ello
que en circuitos de memorias, por ejemplo, donde existen millones de transistores, se
fabrican ms de los necesarios, de manera que se puede variar la interconexin final
para obtener la organizacin especificada.

IBM logro los 5nm de integracin, y fue presentado en junio de 2017 que da cuerdo a las
proyecciones de la ITRS, esto sera
posible en el ao 2020, pero Cmo
lograron esto? :

Por un lado, utiliza litografa de

radiacin ultravioleta extrema, algo
que IBM ya haba evaluado cuando
fabric a su chip de 7 nanmetros en
2015 , y por el otro, encontramos un
nuevo tipo de transistor. IBM dej a un
lado a los FinFET de triple puerta para
enfocarse en el siguiente salto
evolutivo, que son los transistores
gate-all-around o GAAFET. En
trminos sencillos, mientras que el
diseo FinFET de triple puerta cubre a
la aleta de silicio o la regin del canal
a termino de conocimiento popular, en
Una comparacin entre diferentes tipos de transistores (gate-all- tres puntos, el GAAFET la envuelve
around es el 6), y cmo se ven en el chip de IBM. por completo, o sea que ya no
podemos llamarla aleta, sino que
estamos ante nano cables de silicio. Lo ms interesante es que IBM no us a los nanos cables
de manera vertical: Las imgenes los muestran a 90 grados.

Este avance trae consigo otros importantes nmeros, pues hay un aumento en el rendimiento
del 40%, una reduccin de consumo energtico en los lmites de disipacin de calor, el mismo
rendimiento y reduccin hace que el uso de energa sea reducida hasta un 75% . Con esta
nueva escala, la densidad de elementos permitira a IBM colocar 30 mil millones de
transistores en 50 milmetros cuadrados.

Los pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por

Silicio como componente activo

La fabricacin es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas

de fotolitografa y procesado qumico, durante las cuales los circuitos se generan sobre
 una oblea hecha de materiales puramente semiconductores. Para ello se emplea
mayoritariamente el silicio, aunque tambin se usan semiconductores compuestos para
aplicaciones especficas, como el arseniuro de galio.

Preparacin de la oblea.
Oxidacin.
Difusin.
Implantacin de iones.
Deposicin por medio de vapor qumico.
Metalizacin.
Fotolitografa.
Empacado

Empaquetado o encapsulado
En manufactura de circuitos integrados e Ingeniera Electrnica, el encapsulado es el
resultado de la etapa final del proceso de fabricacin de dispositivos con semiconductores, en
la cual un semiconductor o un circuito integrado; se ubica en una carcasa para protegerlo de
dao fsico, de la corrosin, evacuar el calor generado y a su vez permitirle la comunicacin
con el exterior mediante contactos elctricos. El trmino de encapsulado se entiende
comnmente como algo para proteger el trozo de oblea semiconductora con la que se
construyen los circuitos integrados tales como microprocesadores, microcontroladores y
DSPs; pero tambin protegen otros componentes electrnicos, tales como el empaquetado
tipo TO-92 donde se protegen transistores de bajo consumo como por
ejemplos: Transistores 2N3904 , 2N3906, y el sensor de temperatura IC LM35; E
encapsulado TO-3, para consumos ms altos como el Transistor 2N3055; El encapsulado
TO-220 comnmente utilizado en Reguladores IC 78xx y 79xx, Transistores TIP31 y TIP32,
El encapsulado O-41 puede ser visto en Diodos de la serie 1N4000, y el DO-41G utilizado
para el Diodo Zener de 5.1V 1N4733.
TO-92 es el encapsulado ms utilizado en la construccin de transistores. El encapsulado est
usualmente hecho de epoxy o plstico, y presenta un tamao bien reducido y bajo costo.
Las siglas del encapsulado derivan de su nombre original en ingls: Transistor Outline
Package, Case Style 92.
TO-3 es la designacin de un tipo de encapsulado metlico utilizado en la fabricacin
de transistores y algunos otros circuitos integrados. El nombre proviene del JEDEC, de su
nombre en ingls Transistor Outline Package, Case Style 3.
Un transistor con encapsulado TO-3 (visto a la derecha) junto a otros encapsulados.

El TO-3 se usa principalmente en aplicaciones de alta potencia donde se precisa de una

buena disipacin de calor como puede ser; amplificadores de audio profesional, instrumentos
de medida electrnica, aplicaciones militares y en satlites

Flatpack es un tipo de encapsulado para montaje en superficie en circuitos

impresos estandarizado por las USAF. El estndar militar MIL-STD-1835C
define:
Flat package (FP). Un encapsulado cuadrado o rectangular con patillas
paralelas al plano de la base adheridas a los dos lados opuestos del
permetro del encapsulado.

Una puerta lgica TTL en un encapsulado flat-pack

La norma indica adems distintas variantes con diversos parmetros que

incluyen, entre otros, el material del cuerpo del encapsulado, la posicin de
los terminales, el perfil del encapsulado, la forma de los pines o el orden de cada terminal.

El Flatpack original lo invent Y. Tao en 1962 (dos aos antes que el Dual Inline Package)
mientras trabajaba para Texas Instruments buscando encontrar una mejor disipacin del calor.
El primer dispositivo media 1/4 de pulgada por 1/8 de pulgada (3.2mm x 6.4mm) y tena 10
pines.
Dual in-line package
Dual in-line package (DIP o DIL) es una forma de
encapsulamiento, comn en la construccin
de circuitos integrados.
La forma DIP consiste en un bloque con dos hileras
paralelas de pines; la cantidad de estos depende de
cada circuito. Por la posicin y espaciamiento entre
pines, los circuitos DIP son especialmente prcticos
para construir prototipos en tablillas o placas de
pruebas(protoboard/BreadBoard). Concretamente, la
separacin estndar entre dos pines o terminales es
de 0,1 pulgadas (2,54 mm).
La nomenclatura normal para designarlos es DIPn, donde n es el nmero de pines totales
del circuito. Por ejemplo, un circuito integrado DIP16 tiene 16 pines, con 8 en cada fila.
Dada la actual tendencia a tener circuitos con un nivel cada vez ms alto de integracin, los
paquetes DIP estn siendo sustituidos en la industria por encapsulados de tecnologa de
montaje superficial, conocida por las siglas SMT (Surface-Mount Technology) o SMD (Surface-
Mount Device). Estos ltimos tienen un diseo mucho ms adecuado para circuitos con un alto
nmero de pines, mientras que los DIP, raras veces se encuentran en presentaciones de ms
de 40 pines.

Orientacin y numeracin de los pines

Esquema de un encapsulado DIP16, con numeracin.

Para representar los pines en los esquemas de circuitos, se emplean nmeros que identifican
a cada uno. Para numerar los pines de un DIP hay que fijarse en el pequeo agujero que
incluye en un extremo. El pin que est a su lado ser el nmero 1. A partir de ah, se numeran
consecutivamente los pines de su fila. Al terminar pasamos a la otra fila, y, en sentido inverso,
la recorremos hasta llegar al final. Es decir, se numeran de forma circular.
En la figura se esquematiza cmo se numerara un circuito DIL16.
Esquema y numeracin para un DIL14 (arriba). Zcalo para el circuito (abajo).

Para trabajos en placas de circuito, se suelen usar unos soportes de plstico para este tipo de
empaquetados, denominados zcalos, que contienen una serie de orificios colocados de la
misma forma que el circuito. As no soldamos directamente el circuito a la placa (que podra
deteriorarse con el calor), sino el zcalo. Una vez est fijado, se coloca encima el circuito
integrado.
Existen los zcalos de cero fuerza (Zero Insertion Force, ZIF) cuando se necesita instalar y
retirar muchas veces el circuito integrado. En este caso con una palanca se libera o sujeta el
circuito integrado.

Encapsulado de antiguo circuito integrado fabricado en la URSS.

Los primeros circuitos integrados tenan encapsulados planos de cermica. Fueron utilizados
por los militares durante muchos aos por su fiabilidad y pequeo tamao. Los circuitos
integrados comerciales adoptaron la forma (DIP), al comienzo en cermica y ms tarde en
plstico. En la dcada de 1980 en los circuitos integrados VLSI el nmero de de patillas
excedi el lmite prctico para el encapsulado DIP, llegando nuevos formatos como pin grid
array (PGA), (LCC) (QFP). Los componentes de montaje superficial, aparecieron en la dcada
de 1980 y se hicieron populares. Estos nuevos formatos de encapsulado de montaje
superficial contribuyeron a reducir an ms el tamao de los equipos electrnicos de los que
forman parte.
Lista de Encapsulados comunes

DIP (Dual in-line package).Encapsulado normalmente plstico al que se nombre como

PDIP con dos hileras de pines para insercin (thru hole) en una Cirtuito impreso-PBC.
SOIC (Small Outline Integrate Circuit) o SOP (Small Outline Package) Es un encapsulado
plstico de dimensiones reducidas y con piens para montaje del tipo superficial, al igual
que DIP dispone de dos hileras.
PGA (Pin grid array). Encapsulado con alta densidad de pines para insercin (thru hole)
distribuidos ordenadamente en toda la superficie inferior
QFP (Quad Flat Package).Encapsulado plstico con pines distribuidos en los cuatro
bordes del CI
LQFP (Low-profile Quad Flat Package).
PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier).Encapsulado de plasitco con pnes distribuidos en los
cuatro bordes , para montaje en zocalo.

Ejemplo de Pin Grid Array (PGA)

Investigacin complementaria

1. Investigue sobre la Ley de Moore

2. Investigue qu es la fotolitografa?
3. Investigu qu es lo que hace la International Technology Roadmap for
Semiconductors (ITRS)?
4. Investigue sobre Zero Insertion Force, ZIF

Referencias

1. Circuito integrado. Ingeniatic. 2011.

2. Jack Kilby - Biografa. Universidad de Murcia.
3. Historia del circuito integrado en la pgina oficial de los Premios Nobel
4. Encrucijadas 50 - El desafo del futuro. Universidad Nacional de Buenos Aires.
5. The History of the Integrated Circuit. Nobelprize.org.
6. International Technology Roadmap for Semiconductors. ITRS. Archivado desde el original el
25 de noviembre de 2015.
7. Revolucin digital. Universidad de Mlaga.
8. Componentes internos (Montaje y mantenimiento de equipos), pag 79, en Google libros
9. Dummer, G.W.A. Electronic Inventions and Discoveries 2nd ed. Pergamon Press ISBN 0-08-
022730-9
2. https://www.youtube.com/watch?v=d9SWNLZvA8g
3. https://www.youtube.com/watch?v=YIkMaQJSyP8
4. https://youtu.be/JPLv04O1VjE
5. https://www.youtube.com/watch?v=t9IhUjDoZP0
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7. https://www.youtube.com/watch?v=7vebXuHy5Qc
8. https://www.youtube.com/watch?v=NPzn-7Y8AVo
9. https://www.youtube.com/watch?v=YroyIXq2Iz0