TIRISTOR DE INDUCCIÓN ESTÁTICA

(SITH)

Juan Carlos Benavides Palacios

Jeison Alexander Nausa Gomez
 Funcionamiento
• un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje
negativo a su compuerta.
• Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así
como una baja caída de potencial.
 Características
• Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades
altas de dv/dt y di/dt.
• El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 us.
• La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 5500 V y la de
corriente está limitada a 500 A.
• Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de
fabricación, por lo que pequeñas variaciones en el proceso de
manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
características.
 Encendido
• Se enciende aplicando en la compuerta un voltaje positivo con
respecto al cátodo.
• El SITH se enciende con rapidez, siempre que la corriente y el voltaje
sean suficientes.
• El voltaje positivo en la compuerta reduce la barrera de potencia en el
canal, que en forma gradual se vuelve conductora
 Apagado
• Se apaga aplicando a la compuerta un voltaje negativo con respecto al catado.
• Se crea en el canal una barrera de potencial, que lo hace más angosto y elimina en él el
exceso de portadores.
• Si el voltaje de compuerta es suficientemente grande, la capa de agotamiento de las
regiones adyacentes a la compuerta se unen en el canal y al final detienen el flujo de
corriente de electrones en el canal.
 Ventajas Desventajas
• El dispositivo cuenta con una alta • Controlado por campo, requiere
inmunidad al ruido electromagnético voltaje continuo de la compuerta.
• SITH tiene una alta proporción crítica • La forma relativamente plana de la
di/dt y dv/dt., capaz de manejar barrera potencial. Esto conduce a
cambios rápidos de voltaje o corriente. reducir la velocidad, el transporte de
• Es un dispositivo de estructura vertical difusión basado de portadores en la
con varios canales cortos. Al ser un vecindad de la barrera de potencial.
dispositivo vertical, el SITh ofrece
ventajas para obtener voltajes de
ruptura más altos que el FET.
 TIPO 4 KV / 300 A 4 KV / 600 A 5.5 KV / 600 A 4 KV / 30 A
/ 400 A / 400 A
PAQUETE O Tipo de Cerámica Tipo de Tipo de Tipo de molde de
ENCAPSULADO Sheered Cerámica Cerámica plástico
Sheered Sheered
(Conducción (Conducción
inversa) inversa)
VISTA
EXTERIOR

APLICACIÓNES Inversor de energía Inversor Potencia Inversor de

pulsada (Conmutación pulsada potencia pulsada
suave)
REFERENCIAS
http://jimmy-calderon.blogspot.com/2011/11/tiristores-de-induccion-estatica-sith.html
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244534/document

http://www.dsod.p.lodz.pl/materials/Semiconductor_ch5.pdf

https://es.scribd.com/doc/169347410/STATIC-INDUCTION-THYRISTOR-SITH