IGBT (TRANSISTORES

BIPOLARES DE
PUERTA AISLADA)
• Es un transistor híbrido
que combina un
MOSFET y un BJT, por
eso tiene terminales
puerta (del MOSFET),
colector y emisor (de
BJT)
FUNCIONAMIENTO

• Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se

da una tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores “n” son
atraídos a la región “p” de la puerta; así se polariza en directa la base del
transistor NPN permitiendo la circulación de corriente colector-emisor. Para el
apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto requiere de un circuito
de control simple para el transistor IGBT.
CARACTERISTICAS

• Es adecuado para altas frecuencias de conmutación, por lo que ha sustituido

al BJT en muchas aplicaciones, y alto manejo de potencia.
• Características compartidas con el MOSFET y el BJT
✓Alta impedancia de entrada (MOSFET)
✓Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
✓Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET)
✓Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
✓Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT)
APLICACIONES

• Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en

maquinas eléctricas y convertidores de potencia en automóviles, trenes,
autobús, ascensor, UPS, etc.
INVERSORES
• Los inversores, que permiten la
operación en cuatro cuadrantes
y, por lo tanto, mayores
prestaciones y que se
desarrollan en torno a
semiconductores de como: El
IGCT o el IGBT.
 QUÉ ES EL
TRANSISTOR
IGBT ?
VER EL SIGUIENTE VIDEO:
HTTPS://WWW.YOUTUBE.COM/WATCH
?V=3JFZGGTD17I