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Lab 3
Lab 3
Objetivos
• Obtener parámetros característicos de un N-mosfet.
• Caracterizar experimentalmente las curvas y regiones de operación de un N-mosfet.
• Diseñar redes de polarización para operar transistores FET en corte y observar los tiempos de transición.
Componentes y Equipos
Actividades
Actividad 1:
Actividad 2:
a) Diseñar e implementar en Protoboard una red de polarización que permita operar el transistor como una
compuerta lógica NOT. Considere una tensión de alimentación VDD = 5 [V] y un tren de pulsos de
5[V]/1[kHz] como señal de control. Tabule los voltajes y corrientes en ambos estados. Mida los tiempos
de retardo de encendido y apagado usando el osciloscopio.
Investigar
• Compare el funcionamiento de los transistores BJT con los MOSFET.
• Defina la diferencia entre un N-Channel Enhancement MOSFET y un N-Channel Depletion
MOSFET. Describa principales aplicaciones de cada uno.
Todas las actividades de la asignatura consideran diseño, simulación y pruebas
experimentales. Todas las pruebas experimentales deben cumplir las condiciones
de seguridad del laboratorio y, en ningún caso, el estudiante debe participar
como sujeto de prueba o interactuar en forma directa con ninguno de los
circuitos que se implementen en las experiencias de laboratorio. Por lo tanto,
queda estrictamente prohibido conectarse con electrodos, cables o cualquier otro
elemento que no esté considerado como elemento básico para la realización del
laboratorio.