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SEMICONDUCTORES
R. Guaita, E. Herrera
Estudiantes de Electrnica General, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE-L. Latacunga,
Cotopaxi, Ecuador.

Abstract

Semiconductors are elements that have a lower than

a metal but above an insulating conductive electrical
conductivity.
The most commonly used semiconductor is silicon,
since it is the element with the highest abundance in
nature, in addition to these there are also made of
germanium and selenium semiconductors.
Semiconductor is an element which behaves as a
conductor or as an insulator depending on various
factors, such as electric or magnetic field, pressure,
radiation impinging it, or the ambient temperature
in which it is found.
Semiconductors are characterized by between 3 or 4
valence electrons in its last layer, the electrical
behavior of a semiconductor is characterized by the
following phenomena the free electrons carry a
negative charge and head towards the positive pole
of the battery.

I. INTRODUCCIN
Los semiconductores son elementos que tienen
una conductividad elctrica inferior a la de un
conductor metlico pero superior a la de un
aislante.
El semiconductor ms utilizado es el silicio, pues
es el elemento que tiene mayor abundancia en la
naturaleza, adems de este tipo tambin existen
semiconductores elaborados de germanio y
selenio.

- Al conectar una pila, circula una corriente

elctrica en el circuito cerrado, siendo constante
en todo momento el nmero de electrones dentro
del cristal de silicio.

II. TIPOS DE SEMICONDUCTORES

A. Conduccin Intrnseca
Es un semiconductor puro. Aqu se encuentran los
elementos tetravalente, que al compartir todos sus
electrones es considerado como un aislante
perfecto y no contribuye a la conductividad
elctrica, pero para que ocurra este fenmeno la
temperatura debe estar en cero absoluto. En caso
que se le someta a un proceso trmico para elevar
la temperatura este semiconductor perder un
electrn lo cual deja un hueco que contribuye a la
conductividad. En un semiconductor intrnseco
tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque
la corriente total resultante sea cero.

B. Conduccin Extrnseca
Son los semiconductores que estn dopados, es
decir que contienen impurezas, se realiza este
mtodo para mejorar la conductividad elctrica.
Existen 2 tipos dependiendo del tipo de impurezas
que tenga:
- Impureza pentavalente: Son los elementos en los
cuales sus tomos poseen 5 electrones de valencia
en su ltima capa. Como ejemplo se tiene el
fsforo, el antimonio y el arsnico.

Los semiconductores se caracterizan por tener

entre 3 o 4 electrones de valencia en su ltima
capa, el comportamiento elctrico de un
semiconductor se caracteriza por los siguientes
fenmenos:

- Impureza trivalente: Elementos cuyos tomos

poseen 3 electrones de valencia en su ltima capa.
Ejemplo el boro, el galio y el indio.

- Los electrones libres son portadores de carga

negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la
pila.

C. Semiconductor tipo n

- Los huecos son portadores de carga positiva y se

dirigen hacia el polo negativo de la pila.

Es el que tiene una impureza pentavalente

donadora. Si un elemento que contenga en su
orbital exterior 5 electrones de valencia entra en
la red cristalina del silicio, esta se complementa
con 4 electrones para llegar al equilibrio,

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quedando libre un electrn el que provoca que la
conduccin elctrica mejore.
En este tipo de semiconductor los electrones
superan a los huecos, por ende se los denomina
"portadores mayoritarios", mientras que a los
huecos se les denomina "portadores minoritarios".

D. Semiconductor tipo p
Es el que tiene impureza trivalente aceptadora.
En este tipo de semiconductores al ingresar este
tipo de impureza en la red cristalina del silicio,
forma tres enlaces covalentes, dejando un cuarto
tomo de silicio libre y un electrn sin ningn tipo
de enlace, lo cual genera un hueco.
En el semiconductor tipo p, el nmero de huecos
supera el nmero de electrones libres, por ende
los huecos son los denominados "portadores
mayoritarios" y los electrones libres son llamados
los "portadores minoritarios".

Fig.1. Porcin de la Tabla Peridica

En la figura, los elementos estn identificados con

diferentes colores segn el grupo al que
pertenecen:
- con fondo gris corresponden a metales,
- con fondo verde a metaloides
- y los de fondo azul a no metales.

IV. AVANCES Y APLIACIONES EN

SEMICONDUCTORES
E. Arseniuro de Galio (GaAs)
Material que se encuentra entre los ms
importantes
para
los semiconductores optoelectrnicos,
es
un
compuesto de galio y arsnico.

III. MATERIALES DE LOS

SEMICONDUCTORES
Los materiales semiconductores ms conocidos
son: Silicio (Si), Germanio (Ge) y Selenio (Se),
los cuales poseen cuatro electrones de valencia en
su ltimo nivel.
Bajo ciertas condiciones estos elementos permiten
la circulacin de la corriente elctrica en un solo
sentido. Esa propiedad se utiliza para rectificar
corriente alterna, detectar seales de radio,
amplificar seales de corriente elctrica,
funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrnica digital, etc.
Estos materiales forman estructura cristalina. Para
aadir energa al material semiconductor, adems
de calor, tambin se puede emplear luz.
En la Tabla Peridica existen trece elementos que
poseen las caractersticas de semiconductores,
identificados con sus correspondientes nmero
atmico y grupo al que pertenecen.

Fig.2. Arseniuro de Galio (GaAs)

Un cristal de GaAs consta de una red de tomos

de galio y arsnico, en la que los tomos de galio
portan una pequea carga positiva y los tomos de
arsnico una pequea carga elctrica negativa.
Componentes hechos de arseniuro de galio se
encienden diez veces ms rpido que aquellos de
silicio, no sufren tan a menudo daos
transmitiendo seales analgicas y no necesitan
mucha energa. Por estas cualidades el arseniuro
de galio tiene una amplia aplicacin en la
industria de las telecomunicaciones.
Su principal aplicacin es en la construccin de
circuitos integrados a frecuencias de microondas,
diodos de emisin infrarroja, diodos lser, clulas
fotovoltaicas y dispositivos optoelectrnicos en
telfonos celulares y mviles para la transmisin
de seales.

F. Carburo de Silicio, Carborundo (SiC)

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El carburo de silicio se obtiene de arenas o cuarzo
de alta pureza y coque de petrleo fusionados
en horno de arco elctrico a ms de 2000 C con
la siguiente composicin:

ligero que el aluminio, una lmina de 1 metro

cuadrado pesa tan solo 0,77 miligramos.

SiO2 + 3 C SiC + 2 CO

Fig.4. Grafeno

Fig.3. Carburo de Silicio, Carborundo (SiC)

Es un material semiconductor y refractario que

presenta ventajas para ser utilizado en
dispositivos que impliquen trabajar en
condiciones extremas de temperatura, voltaje y
frecuencia.
El Carburo de Silicio puede soportar un gradiente
de voltaje o de campo elctrico hasta ocho veces
mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que
sobrevenga la ruptura.
Estos semiconductores estn caracterizados por
unas propiedades que los hacen muy atractivos
para su aplicacin en electrnica de potencia.
Entre estas propiedades se tiene:
Una elevada conductividad trmica.
Alta densidad de intensidad mxima.
Significativa resistencia de ruptura ante
elevados campos elctricos.
Gracias al elevado valor de campo elctrico de
sus principales aplicaciones se centran en la
fabricacin de componentes que operan a elevado
voltaje
y
alta
energa
como
por
ejemplo: diodos, transistores, supresores, e/o

Los estudios del grafeno han logrado presentar

unas propiedades electrnicas excepcionales.
Como peculiaridades caractersticas del grafeno
se encuentran:
Alta conductividad trmica y elctrica.
Los electrones transportados por grafeno se
comportan casi como partculas sin masa, con un
comportamiento similar a los fotones de la luz.
Permite una medida precisa y fiable.
Entre las principales aplicaciones del grafeno
pueden encontrarse como material en la
fabricacin de aviones, satlites espaciales o
automviles, hacindolos ms seguros. Tambin
en la construccin de edificios, aumentando su
resistencia.
Pese a lo mencionado destacan sus aplicaciones
en el campo de la electrnica, donde a travs de
su capacidad para almacenar energa puede dotar
a las bateras de una mayor duracin y un menor
tiempo de carga, establecer conexiones ms
rpidas e incluso contribuir a mejorar el medio
ambiente
sustituyendo
a
materiales
contaminantes.
REFERENCIAS
[1]
http://www.etitudela.com/Electrotecnia/download
s/introduccion.pdf
[2] https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

G. Grafeno
El grafeno es una sustancia formada por carbono
puro, con tomos dispuestos en patrn regular
hexagonal, similar al grafito, pero en una hoja de
un tomo de espesor. Se considera 100 veces ms
fuerte que el acero y su densidad es
aproximadamente la misma que la de la fibra de
carbono, y es aproximadamente cinco veces ms

[3]
https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress
.com/2008/04/materiales-semiconductores.pdf
[4]
http://www.xataka.com/n/el-futuro-no-estahecho-solo-de-grafeno

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BIOGRAFA
Guaita R. Roberto Carlos (1996- ) naci en el
cantn Meja el 10 de octubre de 1996.
Actualmente cursa el Tercero semestre de
Ingeniera Electromecnica en la Universidad de
las Fuerzas Armadas ESPE extensin Latacunga.

Herrera H. Esteban Alexander (1996- ) naci en

el cantn Quito el 9 de octubre de 1996.
Actualmente cursa el Tercero semestre de
Ingeniera Electromecnica en la Universidad de
las Fuerzas Armadas ESPE extensin Latacunga.