Tema 3 - El Diodo - Curso 2016-2017

TEMA 3: EL DIODO
ÁTOMO DE SILICIO
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
SILICIO POLARIZADO
SEMICONDUCTOR DOPADO
Cristal de silicio al que se le introduce, en fabricación, átomos de distinta
naturaleza, impurezas, que darán como resultado que el semiconductor tenga
mas electrones libres, o mas huecos libres que el material intrínseco.

SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO N
SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO P
UNIÓN P-N. DIODO
MATERIAL TIPO P MATERIAL

BARRERAZONA
DEP-N
DEUNIDO
POTENCIAL MATERIAL TIPO N
DEPLEXIÓN
TENSIÓN DE UMBRAL Vγ ≈ 0,7 V
POLARIZACIÓN DIRECTA
+ _
V
+ _
V > 0,7
_
+
POLARIZACIÓN INVERSA
V
_
+
_ V
+
+
+ +
+
++
_ V<VR
+
SÍMBOLO
Estructura
Símbolo
CURVA CARACTERÍSTICA
El modelo matemático más utilizado es el de Shockley (en honor de

William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento
del diodo en la mayoría de las aplicaciones.
 nV
VD

I D  I S   e  1
T
 
 
VD Tensión aplicada al diodo

ID Corriente del diodo
IS Corriente inversa de saturación
VT Tensión térmica
n Coeficiente de emisión ( 1 o 2 )
CURVA CARACTERÍSTICA
ID
Resistencia dinámica
VD
CIRCUITO EQUIVALENTE. DIODO IDEAL. 1ª APROXIMACIÓN
ID
VD
CIRCUITO EQUIVALENTE. DIODO IDEAL. 1ª APROXIMACIÓN
ID
VD
CIRCUITO EQUIVALENTE. SEGUNDA APROXIMACIÓN
ID
0,7 V
VD
0,7 V
CIRCUITO EQUIVALENTE. SEGUNDA APROXIMACIÓN
ID
0.7 V
VD
0,7 V
CIRCUITO EQUIVALENTE. TERCERA APROXIMACIÓN
ID
0,7 V
0,7 V VD
CIRCUITO EQUIVALENTE. TERCERA APROXIMACIÓN
ID
0,7 V
0,7 V VD
DIODO ZENER
DIODO ZENER IDEAL
VZ
V
VZ
IZ
SEGUNDA APROXIMACIÓN
VZ VZ
RZ
V
IZ
TIPOS DE DIODOS
DIODOS LED + -
FOTODIODOS
- +
DIODOS SCHOTTKY + -
DIODOS VARICAP - + K
DIODOS VARISTOR
CIRCUITOS CON DIODOS
• EL DIODO EN CONTINUA
VD
+ 
V
VD  0  I D 
R
V > Vγ R Recta de carga V  VD  I D  R
ID
ID  0  VD  V
ID
V
R
Q (Punto de trabajo)
IDQ 
Vγ = VDQ V VD
• EL DIODO ZENER EN CONTINUA
Ri VZ
V  VZ V
Recta de carga I  IZ  IL   IZ  Z
I + IL Ri RL
V IZ RL V
VZ  0  I Z 
– Ri
V  1 1 
 I Z  VZ    
Ri  i
R R L
V Ri  RL
I Z  0  VZ  
Ri Ri  RL
V Ri  RL

Ri Ri  RL VZ = VZQ
 IZQ
(Punto de trabajo) Q
V
Ri
IZ
• EL DIODO EN ALTERNA. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
10V 10V
+ -
VS
5V 5V
+ VO
0V
VS VO R 0V
-5V - -5V
-10V -10V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(V1:+) V(R1:2)
Time Time
10V 10V
- +
5V
VS
5V
-
VO
0V
VS R
0V
-5V
+ -5V
-10V
-10V
-10V 90ms 95ms 100ms 105ms 110ms
-10ms
0s -5ms
5ms 0s
10ms 5ms
15ms 10ms
20ms V(R1:2)
-V(V1:+)
V(V1:+) Time
Time
• EL DIODO EN ALTERNA. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
10V
5V
VS VO R 0V
-5V
-10V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(V1:+) V(R1:2)
Time
VO
VO  VS  V  VO med   f O  fS

• EL DIODO EN ALTERNA. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA FILTRADO.
Tensión de Rizado (VR) 10V
5V
0V
VS C VO RL
-5V
-10V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(V2:+) V(R2:2)
Time

t
 
t   
T   
1 
VR  VO  VC  VO  VO  e RL C  R C   R C    R L C 
 VO 1  e L
  VO 1  e   VO 1  e f
L O

    
     
1 V  V
Para  > 10 T  VR  VO   VR  S
fO  R L  C fO  R L  C
• RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR CON TOMA INTERMEDIA.
V1
n
V2
+ –
+ 10V
V2
5V
0V
2
-5V
-10V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms
V(V1:+)
Time
V1 –
+ V01
V5
V2 V0
V5- RL
2 sm02 sm51 sm01
emiT
sm5
)+:1V(V
s0
V01-
–
– +
1er Semiciclo
+ –
+
V2
2
V1 –
+
RL VO
V2
VO   V
2
2º Semiciclo
V1
– +
V2 RL
2 VO
+
+ – –
V2
VO   V
2
5.0V
0V
-5.0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(D2:2) V(TX1:1)
Time
V2 2  VO
VO   V  VO med   f O  2  f1
2 
• RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODOS.
 + D
D1 2
+ 
+ 10V 
5V
+ VO RL
VS D4 D3
0V
+
-5V


-10V
V(V1:+)
Time

D1
+
+
+ 10V 
5V VO RL
VS 0V
+ D3
-5V
 
-10V
V(V1:+)
Time
VO = VS – 2 Vγ
D1
+  D2
 +
 10V
+
5V
 VO RL
D4 D3
VS 0V

-5V
+
-10V
V(V1:+)
+ Time
 D2
+
+
 10V
5V
 VO RL
VS 0V
D4
-5V
+

-10V
V(V1:+)
+ Time
VO = VS – 2 Vγ
5.0V
0V
-5.0V
V(TX1:1) V(R1:2)
Time
2  VO
VO  VS  2  V  VO med   f O  2  fS

• RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA FILTRADO.
5.0V
0V
-5.0V
V(C1:2) V(TX2:1)
Time

t
 
t   
T   
1 
VR  VO  VC  VO  VO  e R L C  R C   R C    R L C 
 VO 1  e 
L
 VO 1  e 
L
 VO 1  e f O

    
     
1 V  2  V
Para  > 10 T  VR  VO   VR  S
fO  R L  C fO  R L  C
• RECORTADORES DE TENSIÓN
Porción de vin
recortada
por el diodo B
Formas de onda: Entrada - Salida Curva característica de transferencia

• EL DIODO ZENER EN ALTERNA
Ri
V1 < VZ
VS RL
+
Ri
+
.
V1
VS VZ RL
  Ri
V1 > VZ VS VZ RL
Ri
V1 < Vγ
VS RL

Ri

.
V1
VS Vγ RL
+ + Ri
V1 > Vγ VS Vγ RL
10V
5V
0V
-5V
-10V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms
V(V2:+) V(D2:2)
Time

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TEMA 3: EL DIODO

Cristal de silicio al que se le introduce, en fabricación, átomos de distinta

naturaleza, impurezas, que darán como resultado que el semiconductor tenga

mas electrones libres, o mas huecos libres que el material intrínseco.

MATERIAL TIPO P MATERIAL

El modelo matemático más utilizado es el de Shockley (en honor de

VD Tensión aplicada al diodo

Tensión de Rizado (VR) 10V

Formas de onda: Entrada - Salida Curva característica de transferencia

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