JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en

español transistor de efecto de campo de juntura o JFET (Transistor de efecto
unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres campo de unión)
terminales que puede ser usado como interruptor
electrónicamente controlado, amplificador o
resistencia controlada por voltaje. Posee tres
terminales, comúnmente llamados drenaje (D),
puerta o compuerta (G) y fuente (S)..

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET,

al ser un dispositivo controlado por un voltaje de
entrada, no necesita de corriente de polarización. La
carga eléctrica fluye a través de un canal
semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el
drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica
inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" Esquema interno de un transistor JFET de canal P
de modo que ofrece resistencia al paso de la Principio de Efecto de campo
corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los funcionamiento
terminales D y S cuando la tensión entre los
Invención William Shockley, 1951
terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de
saturación), pero cuando esta tensión aumenta en Símbolo electrónico
módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia
entre los terminales D y S crece, entrando así en la
región óhmica, hasta determinado límite cuando deja
de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión
entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal
contra la corriente del terminal D (ID o corriente de
drenaje) es una curva característica y propia de cada Terminales Puerta (G), Drenaje (D)
JFET. y Fuente (S).

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que

se halla frecuentemente en el orden de 1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable
respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.

Historia
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 ​ y en los Estados
Unidos en los años 19262 ​ y 19283 4​ ​ patentes para un dispositivo que se considera el antecesor de los
actuales transistores de efecto campo, pero no lo construyó.

En 1947, los físicos estadounidenses William Shockley, Walter Houser Brattain y John Bardeen fracasaron
en sus intentos de construir un transistor de efecto de campo, pero cuando analizaban las fallas que su
diseño presentaba, descubrieron el transistor de contacto de punto por el cual los dos últimos solicitaron una
patente el 17 de junio de 19485 ​
En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,6 ​ tal como se
declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que posee en la actualidad. Al año siguiente,
George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,7
cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.8 ​

Ecuaciones del transistor J-FET

Curva característica de transferencia universal, a la izquierda y curva característica de drenaje

de un transistor JFET Canal N. Las correspondientes a un JFET Canal P son el reflejo horizontal
de estas.

Ecuación de entrada

Mediante la gráfica de entrada del transistor también llamada Curva característica de transferencia
universal, a la izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las expresiones analíticas que permiten
analizar matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen diferentes expresiones para las distintas
zonas de funcionamiento.

En la región activa del JFET, siempre que la tensión entre puerta y fuente VGS sea menor que el módulo de
la tensión de estrangulamiento o estricción, en la cual el JFET cae en la zona de saturación, Vp también
llamada VGS(off) , la curva de valores límite de ID viene dada por la expresión:

Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente ID y la tensión VGS en la zona de saturación,
mientras que los puntos del área bajo la curva representan la zona óhmica. Si |VGS| > |Vp| (zona de corte) la
corriente de drenaje es cero (ID=0).

Ecuación de salida

En la gráfica de salida también llamada curva característica de drenaje, a la derecha de la figura, se pueden
observar con más detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer
momento, la corriente de drenaje aumenta progresivamente según lo hace la tensión de salida drenaje-fuente
(VDS). Esta curva viene dada por la expresión:9 ​
en la cual "k" es:

Puede suponerse que , siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor
Ron, con lo que se observa una relación entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a
esta zona de funcionamiento se le llame zona óhmica. A partir de una determinada tensión VDS la corriente
ID deja de aumentar, quedándose fija en un valor al que se denomina ID de saturación o IDSAT. El valor de
VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresión:

La corriente de saturación IDSAT, característica de cada JFET, puede calcularse reescribiendo la ecuación de
entrada y, usando para "k" la expresión ya mencionada, queda:

Enlaces externos
Wikimedia Commons alberga una categoría multimedia sobre JFET.
Physics 111 Laboratory -- JFET Circuits I pdf (https://web.archive.org/web/20031002051132/
http://ist-socrates.berkeley.edu/~phylabs/bsc/PDFFiles/bsc5.pdf) (en inglés)
Simulador de un transistor JFET canal n (http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearci
rcuits/jfet.html) (en inglés)
Estudio en Laboratorio del JFET (http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_apl
icaciones.htm)
El transistor JFET

Referencias
1. «Patent 272437 Summary» (https://web.archive.org/web/20160302074639/http://brevets-pat
ents.ic.gc.ca/opic-cipo/cpd/eng/patent/272437/summary.html) (en inglés). Canadian
 Intellectual Property Office. Archivado desde el original (http://brevets-patents.ic.gc.ca/opic-ci
po/cpd/eng/patent/272437/summary.html) el 2 de marzo de 2016. Consultado el 19 de
febrero de 2016.
2. «Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric currents» (https://docs.go
ogle.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1745175.pdf) (en
inglés). United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
3. «Patent US 1877140: Amplifier for electric currents» (https://docs.google.com/viewer?url=pat
entimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1877140.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
4. «Patent US 1900018: Device for controlling electric current» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1900018.pdf) (en inglés). United States
Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
5. «Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials» (htt
ps://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2524035.pd
f) (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
6. «Patent US2744970: Semiconductor signal translating devices» (https://docs.google.com/vie
wer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2744970.pdf) (en inglés). United
States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
7. Robinson, C. Paul (2013). «GEORGE C. (CLEMENT) DACEY» (http://www.nap.edu/read/18
477/chapter/13). Memorial Tributes (en inglés) (The National Academies Press) 17.
doi:10.17226/18477 (https://dx.doi.org/10.17226%2F18477). Consultado el 14 de marzo de 2016.
8. «Patent US2778956: Semiconductor signal translating devices» (https://docs.google.com/vie
wer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2778956.pdf) (en inglés). United
States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
9. «Junction Field Effect Transistor (JFET)» (https://ghostarchive.org/archive/20221009/https://c
oefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/J3a.pdf) (en inglés). Archivado desde el original (https://
coefs.uncc.edu/dlsharer/files/2012/04/J3a.pdf) el 9 de octubre de 2022. Consultado el 19 de
marzo de 2016.

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