1

FABRICACIÓN DE CIRCUITOS
MONOLÍTICOS

Dispositivos Electrónicos 2020

1
Introducción

Los circuitos integrados están presentes actualmente en todos los dispositivos electrónicos y
su fabricación es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas.
En esta monografía se pretende dar un resumen sobre el proceso de la fabricación de circuitos
integrados monolíticos , se describirán cualitativamente las etapas empleadas dando una
breve descripción de los mismos.

Resumen:

Un circuito integrado está formado por un monocristal de silicio de superficie normalmente

comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que contiene elementos activos y pasivos.

En los circuitos integrados monolíticos todos los componentes se encuentran en una sola
pastilla de silicio. Para fabricar un circuito integrado monolítico se parte de una lámina de
silicio denominada "oblea" la cual a su vez está dividida en un gran número de plaquetas
cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un CI. Por lo tanto, con una oblea se
puede fabricar a la vez un montón de CI.

Desarrollo del tema:

Pasos generales de fabricación de un CI. formado por Silicio:

➢ Preparación de la Oblea: El material inicial para los circuitos integrados modernos

es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color
gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . Este
cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a 600 μm de espesor, (1
μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de
espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Las propiedades
eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación de los planos cristalinos,
concentración e impurezas existentes.
➢ Crecimiento Epitaxial: Este es un método de crecimiento de cristales en el que los
átomos se depositan sobre un sustrato de tal modo que forman un mono cristal
continuo. La estructura cristalina está determinada por el sustrato, pero la
concentración de impureza se controla de forma independiente e incluso es posible
cambiarla de un tipo a otro en la capa. El crecimiento epitaxial se realiza en un
recipiente denominado reactor. Las tablas de silicio se colocan sobre un bloque
gráfico, denominado susceptor, que se calienta hasta unos 1200º C. Las obleas se
graban inicialmente con vapor de agua o cloruro de hidrógeno anhidro a fin de
eliminar todo el material dañado. Es posible utilizar varias reacciones químicas para
formar la fuente de átomos de silicio libre; la reducción del hidrógeno del tetracloruro
de silicio es el método más común. Es necesario controlar con cuidado las
condiciones del crecimiento.

➢ Oxidación: El proceso de oxidación es uno de los más esenciales, ya que uno de sus
papeles es enmascarar durante la difusión y de proteger la superficie una vez acabado
el proceso, entre otros. Las capas de dióxido de silicio sobre las superficies de las
obleas pueden formarse por varios métodos, la forma más común es mediante
oxidación térmica del silicio. El espesor de las capas de óxido está generalmente
comprendido entre 0,02 y 2 µm, y el valor que se elija depende de la barrera para
evitar la penetración del dopante.
➢ Fotolitografía: Su propósito es interconectar los diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, utiliza luz para
transferir un patrón geométrico de una foto máscara a una "fotorresistencia" química
sensible a la luz. Una serie de tratamientos químicos luego graba el patrón de
exposición en, o permite la deposición de un nuevo material en el patrón deseado
sobre el material debajo de la fotorresistencia.

➢ Colocación de impurezas:
 Difusión: Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región
de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor. En el
proceso de manufactura la difusión es un método mediante el cual se
introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por
lo tanto, para acelerar el proceso de difusión de impurezas se realiza a altas
temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado.
Las impurezas más comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo
p), el Fósforo (tipo n) y el Arsénico (tipo n). Si la concentración de la
impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida también puede utilizarse
como conductor

Implantación de iones: Es otro método que se utiliza para introducir átomos de

impurezas en el cristal semiconductor. Un implantador de iones produce iones
del contaminante deseado, los acelera mediante un campo eléctrico y les
permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones
que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de
iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del perfil
del dopaje es esencial para la operación del dispositivo.

➢ Metalización: Se emplea para formar las interconexiones entre los componentes de

un chip. Estas conexiones se forman depositando una tenue capa de metal sobre toda
la superficie del chip. El metal que forma las interconexiones, los contactos y las vías
se deposita mediante “Physical Vapour deposition” (PVD) o CVD. PVD consiste en
evaporar el metal o bombardearlo con iones de forma que las partículas de metal se
desprenden y caen sobre la superficie de la oblea. Los patrones de metal se obtienen
mediante un proceso fotolitográfico como el que se utiliza para otros materiales. El
metal más utilizado es el Al por su baja resistividad. Otros materiales tales como Cu,
siliciuros de metales o aleaciones de Al-Si-Cu se utilizan también para mejorar las
características de las interconexiones.

➢ Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados,
cada chip puede contener de 10 o más transistores en un área rectangular, típicamente
entre 1 mm y 10 mm por lado. Después de haber probado los circuitos eléctricamente
se separan unos de otros y los buenos (“pastillas”) se montan en cápsulas
(“soportes”).Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del
paquete al patrón de metalización en la pastilla; por último, se sella el paquete con
plástico o resina epóxica al vacío o en una atmósfera inerte.
 ➢ Encapsulado: El encapsulado tiene varias funciones muy importantes que son las
siguientes: Proteger el circuito del ambiente exterior, principalmente frente a la
humedad que puede producir la corrosión de las metalizaciones Disipar eficazmente
el calor generado dentro del chip, para lo cual debe emplearse un material que tenga
una baja resistencia térmica. Realizar la interconexión entre los pads del chip y los
pines exteriores, los cuales deben tener un tamaño manejable para su interconexión en
la placa y a la vez una capacidad que no limite la velocidad de funcionamiento del
circuito. Estas funciones, aparentemente sencillas, no son fáciles de conseguir. El
coste del encapsulado puede suponer un porcentaje importante (superior al 50% en
algunos casos) del coste total del circuito, especialmente si el consumo del circuito es
elevado. Los encapsulados pueden ser plásticos o cerámicos. Los encapsulados
plásticos son más baratos, pero tienen mayor resistencia térmica y proporcionan
menor aislamiento frente a la humedad. Los encapsulados cerámicos son más caros,
pero disipan mejor el calor y proporcionan un sellado hermético.

Conclusiones:

A pesar de que un CI. es una estructura de pequeñas dimensiones, su elaboración conlleva

una serie de pasos que deben ser precisos y bien ejecutados, es por ello que al finalizar este
trabajo monográfico se pudo aprender todo el proceso que conlleva la fabricación de los
circuitos integrados y que cada una de las etapas del mismo tienen un propósito y son muy
necesarias para su realización.