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PRESENTACION

Nombre:

Juan Carlos Quezada Abreu

Matrcula:

DF-4813

Seccin:

01

Profesor:

Santiago Jimenez Garca

Tema:
Fabricacin de materiales
semiconductores

Asignatura:

Fundamentos de electrnica

FABRICACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES


MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura, pudiendo
comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la
conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente por el hombre.
El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores
como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin de circuitos. El silicio est
presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la
naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades mecnicas y elctricas buenas. Su
purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si puro del 99,99999%) y el Si se presta
fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en
todos los transistores de la tecnologa CMOS.
OBTENCIN DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES:

SILICIO

Se prepara en forma de polvo amorfo amarillo pardo o de cristales negros-grisceos. Se


obtiene calentando slice, o dixido de silicio (SiO2), con un agente reductor, como carbono
o magnesio, en un horno elctrico. El silicio cristalino tiene una dureza de 7, suficiente para
rayar el vidrio, de dureza de 5 a 7. El silicio tiene un punto de fusin de 1.410 C, un punto
de ebullicin de 2.355 C y una densidad relativa de 2,33. Su masa atmica es 28,086.
Se disuelve en cido fluorhdrico formando el gas tetrafluoruro de silicio, SiF4 y es atacado
por los cidos ntrico, clorhdrico y sulfrico, aunque el dixido de silicio formado inhibe la
reaccin. Tambin se disuelve en hidrxido de sodio, formando silicato de sodio y gas
hidrgeno. A temperaturas ordinarias el silicio no es atacado por el aire, pero a
temperaturas elevadas reacciona con el oxgeno formando una capa de slice que impide que
contine la reaccin. A altas temperaturas reacciona tambin con nitrgeno y cloro
formando nitruro de silicio y cloruro de silicio respectivamente.

GERMANIO

El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se


parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo
de germanio y el tetrafenilo de germanio. El germanio forma hidruros germanometano o
germano (GeH4), germanoetano (Ge2H6) y germanopropano (Ge3H8) anlogos a los
formados por el carbono en la serie alcanos (vase Qumica orgnica). Sus compuestos ms
importantes son el xido germnico (GeO2) y los haluros. El germanio se separa de otros
metales por destilacin de su tetracloruro.

SELENIO

El elemento selenio aparece en unos pocos minerales como seleniuro, siendo el ms comn
de ellos el seleniuro de plomo. Tambin se da combinado con azufre en numerosas menas
de este elemento. Se obtiene generalmente como subproducto en el refinado de menas de
sulfuro de cobre, aunque esta ltima fuente de obtencin es insuficiente para satisfacer la
creciente demanda del elemento en la industria. El mayor depsito destinado a explotacin
comercial se descubri en 1955 en Wyoming (EEUU).

APLICACIONES:

Diodo
Componente electrnico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los
primeros dispositivos de este tipo fueron los diodos de tubo de vaco, que consistan en un
receptculo de vidrio o de acero al vaco que contena dos electrodos: un ctodo y un nodo.
Ya que los electrones pueden fluir en un solo sentido, desde el ctodo hacia el nodo, el
diodo de tubo de vaco se poda utilizar en la rectificacin. Los diodos ms empleados en los
circuitos electrnicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor

Transistor
Hasta la aparicin del transistor en 1948, todos los desarrollos en el campo de la electrnica
dependieron del uso de tubos de vaco termoinicos, amplificadores magnticos,
maquinaria rotativa especializada y condensadores especiales, como los amplificadores. El
transistor, que es capaz de realizar muchas de las funciones del tubo de vaco en los circuitos
electrnicos, es un dispositivo de estado slido consistente en una pequea pieza de
material semiconductor, generalmente germanio o silicio, en el que se practican tres o ms
conexiones elctricas. Los componentes bsicos del transistor son comparables a los de un
tubo de vaco triodo e incluyen el emisor, que corresponde al ctodo caliente de un triodo
como fuente de electrones.

Circuito integrado
Dispositivo electrnico miniaturizado consistente en un sistema interconectado de
elementos activos ( diodos, transistores) y pasivos (resistencias, condensadores),
intimamente unido a un material semiconductor, y capaz de realizar las mismas funciones
que un circuito electrnico completo.

Amplificador
Dispositivo para aumentar la amplitud, o potencia, de una seal elctrica. Se utiliza para
ampliar la seal elctrica dbil captada por la antena de un receptor de radio, la emisin
dbil de una clula fotoelctrica, la corriente atenuada de un circuito telefnico de larga
distancia, la seal elctrica que representa al sonido en un sistema de megafona y para
muchas otras aplicaciones. Un dispositivo de amplificacin de uso muy comn es el
transistor. Otras formas de dispositivos amplificadores son los distintos tipos de tubos de
vaco termoinicos como el triodo, el pentodo, el klistrn y el magnetrn.

6.-Oscilador
Aparato destinado a producir oscilaciones elctricas, es decir, corrientes alternas peridicas.

FABRICACION DE UN SEMICONDUCTOR

El proceso de fabricacin consta de 4 etapas las cuales son :

1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)

El primer paso en la fabricacin de un dispositivo semiconductor es obtener materiales


semiconductores, como germanio y silicio, del nivel de impurezas deseado. Los niveles de
impurezas de menos de una parte en mil millones (1 en 1.000.000.000) se requiere para la
mayor parte de la fabricacin de semiconductores de hoy da.
La materia prima se somete primero a una serie de reacciones qumicas y a un proceso de
refinacin de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los
tomos del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los
tomos se acomodan en forma simtrica, uniforme, con estructura geomtrica en enrejado.

La operacin final antes de que la fabricacin del semiconductor se lleve a cabo es la


formacin de un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la tcnica de
Czochralski o la de zona flotante, la ltima es la que se ha diseado recientemente. El
aparato empleado en la tcnica de Czochralski se muestra en la siguiente diapositiva.

2.- Oxidacin

Este paso consiste en la oxidacin de la superficie exterior de la oblea para hacer crecer una
capa delgada (de alrededor de una micra) de dixido de silicio (SiO2). Esta capa protege en
primer lugar la superficie de impurezas y sirve adems de mscara en el proceso de difusin
posterior. La capacidad de hacer crecer una capa protectora y qumicamente estable de
dixido de silicio sobre silicio convierte a las obleas de silicio en el sustrato de
semiconductores de uso ms extendido.
La oxidacin, que se suele llamar oxidacin trmica, es un proceso por lotes que tiene lugar
en un horno de difusin a alta temperatura. La capa protectora de dixido de silicio se forma
en atmsferas que contienen oxgeno (O2 ) (oxidacin seca) u oxgeno combinado con vapor
de agua (H2 O) (oxidacin hmeda). La temperatura del horno vara de 800 a 1.300 C.
Tambin pueden aadirse compuestos de cloro en forma de cloruro de hidrgeno (HCl) que
ayuden a controlar las impurezas no deseadas.
Existen dos tipos de oxidacin

Oxidacion humeda

Se introduce vapor de agua en el horno .Es mucho mas rpida y se utiliza para crear
xidos gruesos.
Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g)

Oxidacion seca

Se introduce gas de oxigeno puro .Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms
lenta .Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede
producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos .
Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g)

3.- Litografa y Grabado

La litografa, conocida tambin como fotolitografa o enmascaramiento, es un mtodo de


formar patrones exactos sobre la oblea oxidada. El microcircuito electrnico se
construye capa por capa, y cada una de stas recibe un patrn de una mscara
especificada en el diseo del circuito.
Los oficios de impresin desarrollaron los antecedentes verdaderos de los procesos
actuales de microfabricacin de dispo sitivos semiconductores. Estos avances son los
relativos a la fabricacin de planchas de impresin, por lo comn metlicas, sobre las
que la eliminacin de material mediante mordientes qumicos produce un patrn en
relieve superficial. Esta misma tcnica bsica es la utilizada en la produccin de las
mscaras maestras empleadas en la fabricacin de cada capa del procesamiento de un
dispositivo.
Los proyectistas de circuitos digitalizan el sistema de circuitos bsico de cada capa. Este
esquema computarizado permite la generacin rpida de los sistemas de circuitos de la
mscara y facilita la realizacin de los cambios que puedan ser necesarios.
Esta tcnica se conoce como diseo asistido por ordenador (CAD). Con ayuda de
potentes algoritmos de ordenador, estos sistemas de diseo en lnea permiten al
proyectista disponer y modificar el sistema de circuitos sobre la misma pantalla de
visualizacin con funciones de grficos interactivas.
El dibujo final, o mscara, de cada capa de circuitos es creada por un ploter, o generador
de patrones, controlado por ordenador. Estos dibujos obtenidos con el ploter se reducen
despus al tamao real del circuito, una mscara maestra practicada sobre vidrio con
relieve en cromo, y luego se reproducen en una placa de trabajo que sirve para la
impresin por contacto o proyeccin sobre la oblea.

Estas mscaras delimitan el modelo de las zonas conductoras y aisladoras que se


transfieren a la oblea mediante fotolitografa. La mayora de las empresas no fabrican
sus propias mscaras, sino que utilizan las suministradas por un fabricante de mscaras.

4.- Impurificacin

Impurificacion por difusin


Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte
que contenga el dopante deseado.
Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico y Fsforo.
Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusin.
Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:
a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de impurezas durante
el proceso
b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden mas dopantes
Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.
La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura. La concentracin
de dopante disminuye montonamente a medida que se aleja de la superficie.La tcnica de
difusin tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente .

http://www.cinevimple.net/2013/01/ver-parker-2013-online.html