ACTIVIDAD 1.

PRACTICA DE LA GANANCIA DEL TRANSISTOR

Aguilar Aguilar Ángel Ismael, López Rangel Bryan Emanuel, Ramírez Becerra Diego,
Salazar Acosta José Elías
Instituto Tecnológico Superior de Irapuato
LIS21110281@irapuato.tecnm.mx
LIS21111021@irapuato.tecnm.mx
LIS19111657@irapuato.tecnm.mx
LIS21110902@irapuato.tecnm.mx
RESUMEN

Teniendo un análisis previo de diseño de transistores y el cual sus análisis fueron realizados
por un software de matemáticas y simulación, estos diseños se realizaron
experimentalmente usando resistencias comerciales con el fin de realizar mediciones para
encontrar las ganancias del transistor utilizado.
I. INTRODUCCION
Los transistores desempeñan un papel Durante la práctica en el laboratorio, se
crucial al actuar como dispositivos realizaron mediciones precisas de las
semiconductores que controlan y corrientes de entrada y salida en un
amplifican señales eléctricas. circuito que incluye un transistor. Se
Comprender su funcionamiento y aplicaron diferentes niveles de señales de
características es esencial para diseñar entrada para observar cómo afectan a la
circuitos electrónicos eficientes. Una corriente de salida correspondiente. Estos
práctica común en el laboratorio se centra datos se utilizarán para calcular la
en explorar las ganancias de un transistor, ganancia del transistor y analizar su
un parámetro clave que determina la comportamiento en condiciones
capacidad de amplificación del específicas.
dispositivo.

La comprensión de las ganancias de un

Los transistores pueden clasificarse en
diferentes tipos, siendo los transistores de
unión bipolar (BJT) y los transistores de
efecto de campo (FET) los más comunes.
La ganancia de un transistor, expresada
como β (beta) para los BJT o como la
ganancia de transconductancia (gm) para
los FET, mide la relación entre la
variación de la corriente de salida y la
variación de la corriente de entrada.
transistor es esencial para diseñadores de
circuitos, ingenieros electrónicos y
estudiantes de electrónica, ya que les
permite optimizar el rendimiento de los
dispositivos en aplicaciones prácticas.
Esta práctica en el laboratorio
proporcionará una experiencia práctica
valiosa para consolidar los conceptos
teóricos y mejorar las habilidades de
medición y análisis en el fascinante
campo de la electrónica.

II. DESARROLLO
ANALISIS EXPERIMENTAL
En la figura 1, se muestra el circuito
analizado para lograr encontrar la
ganancia del transistor.

Figura 2. Conexión de osciloscopio y generador

de funciones.

También se conecto un generador de

voltaje, indispensable para que nuestro
circuito trabajara, los valores
implementados se muestran en la figura 3.
Figura 1. Circuito utilizado para encontrar la
ganancia.

Se puede observar que el circuito consta

del propio transistor, cuatro resistencias y
tres capacitores, posteriormente, se
conecto un osciloscopio y un generador
de funciones al circuito, para observar el
comportamiento que este tenía.

Figura 3. Valores de voltaje y corriente inducidos.

Se procedió a darle una forma de onda

senoidal a nuestro circuito, con una
frecuencia de 1kHz, como se muestra en
la figura 4.
 Figura 4. Valores del generador de funciones.
En la figura 5, se muestra otra perspectiva
de la conexión del circuito.
Figura 5. Conexión del osciloscopio, y generador
de funciones al circuito.
Se procedió a observad la señal en el
osciloscopio, arrojando las siguientes
funciones. Mostradas en la figura 6.
Figura 6. Señales mostradas en osciloscopio.
Se pueden observar dos señales, una de
color amarillo que significa el voltaje de
entrada, y la morada, que muestra el
voltaje de salida del circuito, en la figura
7 se muestran de una manera más
específica.
Figura 7. Valores de voltaje de entrada y de
salida.
Por último, con ayuda de un multímetro,
se realizó la medición para encontrar el
valor de Ie, el valor se muestra en la
figura 8.
 𝑉𝑏𝑒 = 0.7𝑉
ℎ𝑓𝑒 = 220
ℎ𝑖𝑒 = 2000
Primeramente, se encontró una
Resistencia equivalente entre las
resistencias R1 Y R2, mostrados en la
ecuación 1.
(𝑅1)(𝑅2)
𝑅𝑒𝑞 = (1)
𝑅1 + 𝑅2
(8.2𝑘Ω)(39𝑘Ω)
𝑅𝑒𝑞 =
8.2𝑘Ω + 39𝑘Ω
𝑅𝑒𝑞 = 6.775𝑘Ω
Después de haber encontrado la
resistencia equivalente, se procedió a
hallar el valor de k, mostrado en la
ecuación 2.
Figura 8. Valor de Ie encontrado por 𝑅𝑒𝑞
medio de multímetro. 𝑘= (2)
𝑅𝑒𝑞 + ℎ𝑖𝑒
ANALISIS MATEMATICOS 6.775𝑘Ω
𝑘 = 6.775𝑘Ω+2000
REALIZADOS PARA ENCONTRAR
LA GANANCIA DEL TRANSISTOR. 𝑘 = 0.772
Ahora, se mostrará el procedimiento para
En este diseño se realizaron análisis encontrar el valor de Δic, ecuación 3.
matemáticos esenciales para conocer las 𝛥𝑖𝑐 = (ℎ𝑓𝑒)(𝑘) (3)
ganancias del transistor, los valores
obtenidos fueron los siguientes obtener 𝛥𝑖𝑐 = (220)(0.772)
las correctas proporciones entre las
𝛥𝑖𝑐 = 169.86
resistencias.
El procedimiento para encontrar la
Valores iniciales:
impedancia 𝑍0 se muestra en la ecuación
𝑅1 = 8200Ω 4.

𝑅2 = 39𝑘Ω 𝑍0 = 𝑅𝑐 (4)

𝑅𝑐 = 3.9𝑘Ω 𝑍0 = 3.9𝑘Ω

𝑅𝑒 = 1.2𝑘Ω La impedancia 𝑍𝐼 , se obtiene en la

ecuación 5.
𝑉𝑐𝑐 = 12𝑉
 (𝑅𝑒𝑞)(ℎ𝑖𝑒) 𝑉𝑏 − 𝑉𝑏𝑒
𝑍𝐼 = (5) 𝐼𝑐 = (9)
𝑅𝑒𝑞 + ℎ𝑖𝑒 𝑅𝑏 + (ℎ𝑓𝑒)(𝑅𝑒)
ℎ𝑓𝑒
(6775)(2000)
𝑍𝐼 = 2.085𝑉 − 0.7𝑉
6775 + 2000 𝐼𝑐 =
6.775𝑘Ω + (220)(1.2𝑘Ω)
𝑍𝐼 = 1,544𝑘Ω 220
Posteriormente se encontró el valor de la 𝐼𝑐 = 1.125𝑚𝐴
delta V (𝛥𝑣),mostrado en la ecuación 6.
Sabemos que Ic es igual a Ie, por lo tanto.
(𝑅𝑐)(−ℎ𝑓𝑒) (ecuación 10).
𝛥𝑣 = (6)
ℎ𝑖𝑒
𝐼𝑐 = 𝐼𝑒 (10)
Por último, encontraremos el valor de hi,
(3.9𝑘Ω)(−220) mediante la fórmula 11.
𝛥𝑣 =
2000
(ℎ𝑓𝑒)(25.8𝑚𝐴)
𝛥𝑣 = −429 ℎ𝑖 = (11)
𝐼𝑒
La ecuación para encontrar el hi de (220)(25.8𝑚𝐴)
manera experimental es la siguiente: ℎ𝑖 =
1.125𝑚𝐴
(ℎ𝑓𝑒)(𝑅𝑐) ℎ𝑖 = 5.045𝑥10−3
ℎ𝑖 = (7)
𝛥𝑣
III. RESULTADOS
Se observarán a continuación, los
Ahora, encontraremos el valor de hi de resultados de la simulación del mismo
manera analítica, para esto, se hará uso de circuito que se analizó anteriormente de
la Resistencia equivalente obtenida en la manera experimental.
ecuación (1).
En la figura 9 se muestra el circuito
𝑅𝑒𝑞 = 6.775𝑘Ω simulado.
En la ecuación 8, encontraremos el valor
del voltaje Vb.
(𝑅1)(𝑉𝑐𝑐)
𝑉𝑏 = (8)
𝑅1 + 𝑅2
(3.9𝑘Ω)(12𝑉)
𝑉𝑏 =
3.9𝑘Ω + 39𝑘Ω
𝑉𝑏 = 2.085𝑉
Posteriormente, encontraremos el valor de
Ic, mediante la fórmula 9.

Figura 9. Circuito simulado

En la figura 10 y 11. Se muestran las
señales de voltaje de entrada donde se
puede apreciar que 13.895 + 13.483=
27.378 mV voltaje pico a pico (voltaje de
entrada proveniente del generador de
señales).
Figura 10. Simulación de la señal de entrada.
Figura 11. Segunda simulación del valor de la
señal de entrada.
Por último, se mostrarán los valores de la
señal de salida, mediante la simulación
donde se puede apreciar que el Voltaje
pico a pico es 385.15 + 230.85 = 616 mV,
es el voltaje de salida señal morada (se ve
de ese tamaño porque se acomodó mal la
escala), esto es del voltaje de salida que
amplifica el circuito, mostrado en la
figura 12.
Figura 12. Voltaje de salida
En la figura 13 se muestra otra imagen
del voltaje de salida, ósea, la
amplificación del circuito.
Figura 13. Amplificación del circuito.
Los valores experimentales se acercan a
los valores de simulación, esta
discrepancia de diferencia se puede deber
a factores en la fabricación del transistor
que no se tomó en la simulación o lo mas
probable se debe a las resistencias que
con sus tolerancias pueda cambiar las
mediciones, también puede ser por error
de la medición con el multímetro y otros
factores externos.
 IV. CONCLUSIONES importante destacar que la atenuación no
• López Rangel Bryan Emanuel es un aspecto incorrecto, ya que esta
propiedad se puede aplicar de diversas
Se concluye que el análisis teórico visto
maneras en diferentes contextos y
en clase, con lo elaborado en la práctica aplicaciones. Este resultado inicial
coinciden mucho y a su vez, permite proporciona una base valiosa para
comprender mejor como es que se explorar y comprender cómo adaptar y
comporta dicho circuito y así ver la forma utilizar las características del transistor en
de amplificación y ganancias la creación de circuitos eficientes y
correspondientes ante los cálculos que se funcionales.
obtienen.
• Aguilar Aguilar Ángel Ismael
V. REFERENCIA
En conclusión, la práctica en el
laboratorio sobre las ganancias de un [1]. R. L. Boylestad y L. Nashelsky,
transistor nos ofreció una valiosa Electrónica: Teoría de Circuitos y
oportunidad para profundizar en la Dispositivos Electrónicos, 10a ed.
comprensión de estos dispositivos clave México: PEARSON EDUC., 2009.
en electrónica. La medición precisa de
corrientes de entrada y salida proporciona
datos cruciales para calcular la ganancia
del transistor, permitiéndonos evaluar su
rendimiento en diferentes condiciones.
Este ejercicio práctico no solo refuerza
los conceptos teóricos, sino que también
desarrolla habilidades cruciales de
medición y análisis, preparándonos para
diseñar circuitos electrónicos eficientes
en el mundo real.
• Ramírez Becerra Diego
La ganancia del transistor desempeña un
papel crucial en la configuración y diseño
de circuitos con transistores, ya que
permite la realización de diversas
aplicaciones, como la amplificación.
Aunque en el diseño inicial realizado en
la práctica de laboratorio observamos una
atenuación del voltaje de salida en
comparación con el voltaje de entrada,
este fenómeno marca un buen punto de
partida para comprender el
comportamiento del transistor. Es