SOLUCIÓN

EXAMEN FINAL DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA. 24/06/11

PROBLEMAS 1er PARCIAL

Puntuación del examen de problemas: P 1.1 : 5 PUNTOS, P 1.2 : 5 PUNTOS

P1.1) En la figura se muestra un convertidor de potencia que trabaja en conmutación y

las formas de onda de tensión y corriente en el transistor.

+ vL - D
+
L
Vi S1 Vo
C
-

La frecuencia de conmutación del convertidor es de 20 kHz y el ciclo de trabajo δ = 0.4.

Los valores representados en la figura son los siguientes:
VS1 max = 50 V ; IS1 max = 31 A ; IS1 min = 20 A

El convertidor debe implementarse con el transistor del cual se adjuntan las

características. Considerando que la resistencia térmica cápsula-radiador es de
RTH cr = 2 K/W, se pide:
1. Calcular la potencia disipada por el transistor en la aplicación propuesta. (5 puntos)
2. Determinar justificadamente cuál de los dos disipadores que se muestran puede ser
utilizado para evacuar adecuadamente la potencia disipada. (5 puntos)

Ta = 40 ºC
0S032

Part Thermal Resistance Width Height Surface Area Weight Part

Number °C/W at 150.0mm length mm mm mm?mm kg/m Class
0S032 2.84 32.00 26.00 460.0 1.02 A

530122B00162G

High rise style heat sink features twisted fins and

solderable Wave On mounts and 2 device clips.
For use with Dual TO-220 packages.

Thermal Curve

Thermal
6.20
Resistance

Thermal resistance value is based on a

75°C rise in natural convection
 SOLUCIÓN

a) De las hojas de características del transistor IRGI4090 se obtienen los

siguientes datos:

VCE(on) (@VGE = 15 V, ICE = 30 A) = 1.94 V (Valor Máximo)

tr (@ Tj = 150ºC) = 15 ns

tf (@ Tj = 150ºC) = 129 ns

La forma de onda de potencia en el transistor es la siguiente:

1 ton 1 I S max − I S min I S max + I S min

T ∫0
PCond . = i1 ⋅ Von d t = V on ⋅ (t on ⋅ I S min + t on ⋅ ) = Von ⋅ ⋅δ =
T 2 2
31 + 20
= 1.94 ⋅ ⋅ 0.4 = 19.78W
2
1 1 1 
PCond . =  ⋅ 2 ⋅ t r ⋅ VS 1(max) ⋅ I S min + ⋅ 2 ⋅ t f ⋅ VS 1(max) ⋅ I S max  = f ⋅ VS 1(max) (tr ⋅ I S min + t f ⋅ I S max ) =
T 2 2 
= 20 ⋅103 ⋅ 50 ⋅ (15 ⋅ 10 −9 ⋅ 20 + 129 ⋅ 10 −9 ⋅ 31) = 4.29W

PS = 19.78 + 4.29 = 24.08 W

 b) De las hojas de características del transistor IRGI4090 se obtienen los
siguientes datos:

Tj(max) = 150 ºC

RTH j-c = 3.65 ºC/W

TJ max ⋅ 0.8 − Ta 150 ⋅ 0.8 − 40

RTH r − a = − RTH j −c − RTH c− s = − 3.65 − 2 = −2.32 º C / W
PS 24.08

Por lo tanto la potencia no puede ser extraída del semiconductor. Para

que pueda ser utilizado este semiconductor es necesario conectar dos en
paralelo para implementar el conmutador.

En este caso IS(min) = 10 A e IS(max) = 15.5 A, ya que por tratarse de un IGBT

no es necesario ecualizar las corrientes por cada uno de ellos.

Como la corriente ha cambiado, la tensión de conducción también cambia:

VCE(on) (@VGE = 15 V, ICE = 11 A) = 1.20 V (Valor Típico)

Por lo tanto:

1 ton 1 I − I S min I + I S min

PCond . =
T ∫ 0
i1 ⋅ Von d t = Von ⋅
T
(ton ⋅ I S min + ton ⋅ S max
2
) = Von ⋅ S max
2
⋅δ =

15 + 10
= 1.2 ⋅ ⋅ 0 .4 = 6 W
2
1 1 1 
PCond . =  ⋅ 2 ⋅ t r ⋅ VS 1(max) ⋅ I S min + ⋅ 2 ⋅ t f ⋅ VS 1(max) ⋅ I S max  = f ⋅ VS 1(max) (t r ⋅ I S min + t f ⋅ I S max ) =
T 2 2 
( )
= 20 ⋅ 103 ⋅ 50 ⋅ 15 ⋅ 10 −9 ⋅ 10 + 129 ⋅ 10 −9 ⋅ 15.5 = 2.145W

PS (2Q) = 6 + 2.145 = 8.145 W

TJ max ⋅ 0.8 − Ta 150 ⋅ 0.8 − 40

RTH r −a = − RTH j −c − RTH c − s = − 3.65 − 2 = 4.17 º C / W
PS 8.145

Por lo que se emplearían dos disipadores del modelo OS032 con

RTHr-a = 2.84 ºC/W