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Electrónica - Explicación del Transistor

Javier Fuentes Valenzuela


2023

1 Introducción
Los dispositivos semiconductores son elementos que dependiendo de las condi-
ciones externas pueden o no conducir la corriente eléctrica

2 ¿Qué es un transistor?
Un transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple una var-
iedad de funciones en circuitos eléctricos y electrónicos. Fue inventado en el
siglo XX y ha revolucionado la tecnologı́a moderna debido a su capacidad para
amplificar señales eléctricas, controlar el flujo de corriente eléctrica y funcionar
como interruptor.
Los transistores se utilizan principalmente para amplificar y conmutar señales
eléctricas.
Hay dos tipos principales de transistores: transistores de unión bipolar
(BJT), y transistores de efecto de campo (FET). En los apuntes de la sem-
ana se enfatiza principalmente en los BJT.

2.1 Transistores de Unión Bipolar (BJT)


:
Los BJT tienen tres terminales: el emisor, la base y el colector. Funcionan
controlando el flujo de corriente entre el emisor y el colector en función de la
corriente que fluye en la base. Los BJT se utilizan principalmente en aplica-
ciones de amplificación de señales, donde pequeñas corrientes en la base pueden
controlar corrientes mucho más grandes entre el emisor y el colector.
Los terminales se muestran en la figura 1.
En los amplificadores operacionales, la corriente que pasa por la base es ex-
tremadamente baja, por lo que casi siempre, para efectos prácticos se considera
que la corriente del colector es igual a la corriente de la base, por lo que se dice
que:

IC = IB (1)

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Figura 1: Pines del transistor

Figura 2: Mallas de entrada y de salida

Otro de los puntos importantes dentro de los amplificadores operacionales


es que el voltaje entre la base y el emisor es igual a 0,7[V].

VBE = 0, 7[V ] (2)


En base a lo anterior es que podemos empezar a realizar un análisis a las
mallas de la base y a la malla de la salida.

3 Malla de la base
Recordemos, una malla es un camino cerrado de la corriente, para propósitos
de análisis realizaremos análisis a las dos mallas mostradas en la figura 2.
Nuestra malla de entrada se define por la siguiente ecuación:

−VZ + VBE + VRE = 0 (3)

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Luego, tenemos que reemplazar los valores, sabiendo que podemos descom-
poner (usando ley de Ohm el voltaje de la resistencia de emisor VRE ).

−5[V ] + 0, 7[V ] + VRE = 0


−4, 3[V ] + VRE = 0
VRE = 4, 3[V ]
IE · RE = 4, 3[V ]

Es en este punto cuando tenemos que recordar lo planteado en la ecuación


(1), por lo que podemos realizar el reemplazo de las corrientes de base por las
corrientes de colector.

IC · RC = 4, 3[V ]

Tenemos que recordar que conocemos el valor de la resistencia de colector


que es de 1[kΩ]. Luego despegamos el valor de la corriente de colector utilizando
la Ley de Ohm.

VRC = IC · RC
4,3[V ]
IC = 1000[Ω]
IC = 4, 3[mA]

4 Malla de la salida
El circuito de salida está compuesto por la fuente de poder, el voltaje que
se genera en el transistor entre colector y emisor, y el voltaje que hay en la
resistencia de emisor. Recordemos siempre la ecuación (1).
La ecuación que define la malla de salida es la siguiente:

−VCC + VCE + VE = 0 (4)


Es importante mencionar que tenemos que considerar 3 situaciones:

• VCE tiene valor cero: Esto sucede cuando el transistor se encuentra en la


etapa de saturación.
• VCE tiene valor máximo: Esto sucede cuando el transistor se encuentra
en la etapa de corte. En este caso no hay corriente de colector o emisor.
• VCE tiene un valor calculable basado en el análisis de malla de entrada.

En base a lo anterior es que tenemos que realizar 3 pequeños análisis.

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4.1 Transistor saturado
Cuando el transistor se encuentra saturado, el voltaje VCE es igual a cero. En
base a lo anterior determinamos la corriente de saturación, la que está determi-
nada por:

VCC = IC · RC
15[V ]
1000[Ω] = IC
15[V ]
IC = 1000[Ω]
IC = 15[mA]

Es con este punto que podemos determinar el primer punto de la recta de


carga del transistor.

4.2 Transistor en corte


Este cálculo es el más sencillo dado que al estar en corte el transistor no circula
corriente por este. En base a lo anterior es que todo el voltaje de la fuente ”cae”
entre colector y emisor del transistor quedando:

VCC = VCE
VCE = VCC
VCE = 15[V ]

Es con este punto que podemos determinar el segundo punto de la recta de


carga del transistor.

4.3 Valor actual del transistor


Dado que se realizó inicialmente un cálculo de la malla de entrada del transistor,
sabemos de antemano que el voltaje de la resistencia de emisor actualmente” es
de 4, 3[V ]. Sabiendo eso, podemos calcular que voltaje existe entre el colector -
emisor en un punto actual. Si este valor se encuentra entre los valores lı́mites
calculados previamente, entonces el transistor se encuentra en zona activa.
Resolviendo:

−VCC + VCE + VE = 0
−15[V ] + VCE + 4, 3[V ] = 0
VCE = 10, 7[V ]

Por lo tanto, al graficar la recta de carga, se observa que el transistor se


encuentra en la zona activa:

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Figura 3: Recta de carga y zona activa

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