DE - Guía de Ejercicios N°1 (Rev. 0.2)

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL HAEDO
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Guía de ejercicios N°1: Semiconductores
(Rev. 0.2)
Profesor: Ing. Sebastián Gonzalez

Ayudante: Ing. Santiago Fulco
Rev. v0.2
GUÍA DE EJERCICIOS N°1
Fecha 26/3/2023
SEMICONDUCTORES
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Ingeniería Electrónica Dispositivos Electrónicos
CONTENIDO
INTRODUCCIÓN TEÓRICA ................................................................................................................ 4

I. Ionización de las impurezas donoras y aceptoras en el semiconductor. ................................... 4
I.1) Cálculo de 𝒓𝒐..................................................................................................................... 5
I.2) Cálculo de la energía de ionización de la impureza ........................................................... 6
II. Concentración de portadores en equilibrio térmico ................................................................... 7
II.1) Problemas que dan como dato las concentraciones de impurezas. ................................... 7
II.2) Problemas que dan como dato la conductividad. ............................................................... 9
III. Relación entre la concentración de impurezas y la masa del material contaminante. .......... 10
III.1) Determinación de la masa de material contaminante cuando es conocida la concentración
de impurezas y la masa del semiconductor. ............................................................................... 10
III.2) Determinación del número impurezas conociendo la masa de material contaminante y la
del semiconductor. ..................................................................................................................... 10
EJERCICIOS RESUELTOS .............................................................................................................. 11
Ejercicio 1.1 ................................................................................................................................... 11
Ejercicio 1.2 ................................................................................................................................... 12
Ejercicio 1.3 ................................................................................................................................... 13
Ejercicio 1.4 ................................................................................................................................... 14
Ejercicio 1.5 ................................................................................................................................... 15
Ejercicio 1.6 ................................................................................................................................... 16
Ejercicio 1.7 ................................................................................................................................... 18
Ejercicio 1.8 ................................................................................................................................... 19
Ejercicio 1.9 ................................................................................................................................... 20
Ejercicio 1.10 ................................................................................................................................. 20
Ejercicio 1.11 ................................................................................................................................. 21
Ejercicio 1.12 ................................................................................................................................. 22
Ejercicio 1.13 ................................................................................................................................. 23
Ejercicio 1.14 ................................................................................................................................. 23
Ejercicio 1.15 ................................................................................................................................. 24
Ejercicio 1.16 ................................................................................................................................. 26
Ejercicio 1.17 ................................................................................................................................. 28
Ejercicio 1.18 ................................................................................................................................. 29
Ejercicio 1.19 ................................................................................................................................. 30
Ejercicio 1.20 ................................................................................................................................. 35
EJERCICIOS PARA RESOLVER ...................................................................................................... 37
Ejercicio 1.101 ............................................................................................................................... 37
Ejercicio 1.102 ............................................................................................................................... 37
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Ejercicio 1.103 ............................................................................................................................... 37

Ejercicio 1.104 ............................................................................................................................... 37
Ejercicio 1.105 ............................................................................................................................... 37
Ejercicio 1.106 ............................................................................................................................... 38
Ejercicio 1.107 ............................................................................................................................... 38
Ejercicio 1.108 ............................................................................................................................... 38
Ejercicio 1.109 ............................................................................................................................... 38
Ejercicio 1.110 ............................................................................................................................... 38
Ejercicio 1.111 ............................................................................................................................... 39
Ejercicio 1.112 ............................................................................................................................... 39
Ejercicio 1.113 ............................................................................................................................... 39
Ejercicio 1.114 ............................................................................................................................... 40
Ejercicio 1.115 ............................................................................................................................... 40
CONTROL DE VERSIONES ............................................................................................................. 41
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INTRODUCCIÓN TEÓRICA
I. Ionización de las impurezas donoras y aceptoras en el semiconductor.

Queremos calcular aproximadamente la energía que se requiere para ionizar un átomo de impureza
ubicado dentro de la red cristalina del semiconductor.
La experiencia indica que aún a temperaturas muy bajas, se presentan las impurezas con un alto
grado de ionización; eso indica evidentemente que la energía que necesita el quinto electrón de una
impureza donora para abandonar su átomo es mucho más pequeña que la de los electrones ligados
del semiconductor y los de la propia impureza.
Esta menor vinculación del quinto electrón con el átomo evidencia que se halla bastante más alejado
del núcleo que los otros cuatro electrones ligados. Si partimos de la hipótesis de un mayor radio
orbital de este quinto electrón en virtud de su mayor energía respecto a los otros cuatro, podemos
hacer el siguiente razonamiento.
Toda impureza, para poder suplantar un átomo normal de semiconductor, debe tener características
similares a estos últimos y una fundamental es que todas las órbitas interiores estén totalmente
completas. Eso nos permite suponer que el átomo donor queda representado por un núcleo virtual
con cinco cargas positivas y cinco electrones orbitales, todo esto en el átomo de impureza aislado.
Cuando el átomo forma parte del cristal, utiliza cuatro de esos cinco electrones en ligarse con otros
cuatro átomos de semiconductor, quedando estos con energías similares a la de los electrones de
valencia del semiconductor. El quinto electrón, por tener mucha mayor energía (dado que requiere
menos para ionizarse) gira en una órbita de radio bastante mayor.
Esto puede apreciarse en la Figura I-2, en donde hemos supuesto que los cuatro electrones ligados
compensan con cuatro protones quedando un nuevo núcleo virtual con una carga positiva y un solo
electrón orbital muy alejado que gira en una órbita de radio 𝑟𝑜 .
En la Figura I-3 hemos considerado este supuesto dentro del cristal, lo que implica que el radio 𝑟𝑜
abarca muchos átomos normales del semiconductor.
Si esto es cierto, podemos considerar a la impureza, en lo que hace a su quinto electrón, como un
átomo hidrogenoide de carga +1 en su núcleo y un solo electrón girando a su alrededor. Es posible
calcular su energía de ionización por medio del modelo de Bohr del átomo de hidrógeno.
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Debemos tener en cuenta que en este caso el electrón se está moviendo en un medio distinto del
vacío, dado que se mueve entre átomos del semiconductor con un comportamiento cuántico. Este
comportamiento lo podemos representar por su masa efectiva 𝑚𝑛∗ en lugar de la 𝑚 del vacío y con
una constante dieléctrica 𝑘𝜀𝑜 en lugar de 𝜀𝑜 .
Para que lo anterior sea cierto, debemos verificar que en efecto 𝑟𝑜 es lo suficientemente grande como
para que abarque muchos átomos.
I.1) Cálculo de 𝒓𝒐
Un electrón gira alrededor de un núcleo, debido al equilibrio que se produce entre la fuerza centrífuga
provocada por su movimiento circular uniforme y la fuerza de atracción. Luego deberá verificarse
que:
𝑞2 𝑚𝑣 2
=
4𝜋𝜀𝑜 𝑟 2 𝑟
Expresión I-1
ℎ
Introducimos la condición cuántica de Bohr 𝑚𝑣𝑟 = 𝑛 2𝜋, que para la primera órbita (𝑛 = 1) queda:
ℎ
𝑚𝑣𝑟 =
2𝜋
Expresión I-2
Despejando la velocidad de (I-2):

ℎ
𝑣=
2𝜋𝑚𝑟
Expresión I-3
Reemplazando (I-3) en (I-1):

𝑞2 ℎ2
=
𝜀𝑜 𝜋𝑚𝑟
ℎ2 𝜀𝑜
𝑟=
𝑞 2 𝜋𝑚
Expresión I-4
Reemplazando valores se obtiene para la primera órbita del átomo de hidrógeno 𝑟 = 0,527𝐴° .
Si consideramos una impureza donora en un semiconductor, la (I-4) queda:
ℎ2 𝑘𝜀𝑜
𝑟𝑜 =
𝑞 2 𝜋𝑚𝑛∗
Expresión I-5
Dividiendo (I-5) por (I-4):

𝑟𝑜 𝑚
=𝑘 ∗
𝑟 𝑚𝑛
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𝜀
Como 𝑘 = queda finalmente:
𝜀𝑜
𝜀 𝑚
𝑟𝑜 = 𝑟
𝜀𝑜 𝑚𝑛∗
𝜀 ∗
𝑚𝑛
Si consideramos por ejemplo para el germanio, 𝜀 = 16 y 𝑚
= 0,55, luego 𝑟𝑜 = 15,33𝐴° .
𝑜
Como la separación entre átomos es de alrededor de 2𝐴° , vemos que 𝑟𝑜 abarca una enorme cantidad
de átomos (esfera de radio 15,33𝐴° ), razón por la cual es correcta la hipótesis planteada.
I.2) Cálculo de la energía de ionización de la impureza

Vamos a calcular primero la energía que tiene un electrón en la primera órbita del hidrógeno respecto
del infinito. Ese valor de energía es la necesaria para llevar al electrón desde su órbita hasta el
infinito, o sea que es su energía de ionización.
La energía de un electrón será la suma de su energía potencial más la cinética que posee al girar
orbitalmente alrededor del núcleo.
La energía potencial referida al infinito, será el trabajo de la fuerza de Coulomb de atracción desde el
infinito hasta 𝑟, o sea:
𝑟 𝑟
𝑞2
𝐸𝑝 = ∫ 𝑓𝑑𝑟 = ∫ 2
𝑑𝑟
∞ ∞ 4𝜋𝜀𝑜 𝑟
𝑞2
𝐸𝑝 = −
4𝜋𝜀𝑜 𝑟
Por otro lado, de acuerdo a la (I-1), la energía cinética será:
1 𝑞2
𝐸𝑘 = 𝑚𝑣 2 =
2 8𝜋𝜀𝑜 𝑟
Y siendo 𝐸 = 𝐸𝑝 + 𝐸𝑘 será finalmente:
𝑞2
𝐸=−
8𝜋𝜀𝑜 𝑟
Expresión I-6
Introduciendo en (I-6) el valor del radio de la primera órbita calculado en (I-4) queda:
𝑚𝑞 4
𝐸=−
8𝜀𝑜 2 ℎ2
Expresión I-7
Reemplazando valores da 𝐸 = −13,58𝑒𝑉, o sea que 𝐸𝑔 = 13,58𝑒𝑉.
Si consideramos el átomo hidrogenoide:

𝑚𝑛∗ 𝑞 4
𝐸𝑜 = −
8𝑘 2 𝜀𝑜 2 ℎ2
Expresión I-8
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Dividiendo (I-8) por (I-7) queda:

𝐸𝑜 𝑚𝑛∗ 1 𝑚𝑛∗ 𝜀𝑜 2
= = ( )
𝐸 𝑚 𝑘2 𝑚 𝜀
𝑚𝑛∗ 𝜀𝑜 2
𝐸𝑜 = ( ) 𝐸
𝑚 𝜀
Expresión I-9
La energía de ionización es positiva, pues es la que hay que entregar al electrón para llevarlo hasta
el infinito.
II. Concentración de portadores en equilibrio térmico

Los sistemas de ecuaciones que permiten calcular 𝑛0 y 𝑝0 en un cristal serán, de acuerdo a los datos
que se den en los problemas:
𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2
{
𝑛0 − 𝑝0 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 𝑁
Expresión II-1 y II-2
𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2
{
𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 )
Expresión II-3 y II-4
Queremos analizar la solución general de ambos sistemas.
II.1) Problemas que dan como dato las concentraciones de impurezas.

Las ecuaciones en este caso serán las (II-1) y (II-2). Debemos discutir la necesidad de su resolución
exacta y la validez de una resolución aproximada.
Para realizar dicho análisis, supondremos un semiconductor tipo N. Como 𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2 = 𝑐𝑡𝑒 (para
temperatura constante), si 𝑛0 = 10 𝑛𝑖 se verificará que 𝑝0 = 0,1 𝑛𝑖 siendo entonces 𝑛0 = 100 𝑝𝑜 .
Luego, en la expresión 𝑛0 − 𝑝0 = 𝑁 cometeremos un error del 1% si suponemos que 𝑛0 ≅ 𝑁.
Podemos decir en general que si se verifica que 𝑛0 = 10𝑛 𝑛i, será 𝑛0 = 102𝑛 𝑝𝑜 , de donde vemos que
la aproximación realizada dará un error tanto menor cuanto mayor sea 𝑁 respecto de 𝑛i .
En general, si como dato sabemos que 𝑁 es del orden de 𝑛i , debemos resolver el sistema de
ecuaciones (II-1) y (II-2) en forma exacta; si 𝑁 > 10𝑛i, podemos decir que:
Para material tipo N:
𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2
𝑛0 − 𝑝0 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
Con la condición de 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 > 10𝑛𝑖 será:
𝑛0 ≅ 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
𝑛𝑖 2
𝑝0 ≅
𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
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Para material tipo P:

𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2
𝑝0 − 𝑛0 = 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑
Con la condición de 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑 > 10𝑛𝑖 será:
𝑝0 ≅ 𝑁𝑎 − 𝑁𝑑
𝑛𝑖 2
𝑛0 ≅
𝑁𝑎 − 𝑁𝑑
En el caso de que esta aproximación no pueda realizarse, debemos resolver el sistema de
ecuaciones de forma exacta. Para ello despejaremos de la expresión (II-1) el portador minoritario y lo
reemplazaremos en la (II-2).
Para un material tipo N:
𝑛𝑖 2
𝑝0 =
𝑛0
Reemplazando en la (II-2):
𝑛𝑖 2
𝑛0 − =𝑁
𝑛0
𝑛𝑜 2 − 𝑁𝑛𝑜 − 𝑛𝑖 2 = 0
Cuya solución es:
𝑁 𝑁 2
𝑛0 = ± √( ) + 𝑛𝑖 2
2 2
𝑁 2 𝑁
Como siempre se verificará que √( 2 ) + 𝑛𝑖 2 > 2 , al no tener sentido un valor negativo de 𝑛0 ,
solamente debemos considerar como solución física la correspondiente al valor positivo de la raíz:
𝑁 𝑁 2
√
𝑛0 = + ( ) + 𝑛𝑖 2
2 2
Para un material tipo P:

𝑛𝑖 2
𝑛0 =
𝑝0
Reemplazando en la (II-2) y teniendo en cuenta que 𝑁 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 será negativo por ser 𝑁𝑑 < 𝑁𝑎 :
𝑛𝑖 2
− 𝑝0 = −𝑁
𝑝0
𝑝𝑜 2 − 𝑁𝑝𝑜 + 𝑛𝑖 2 = 0
Se obtiene una ecuación de la misma forma que para material tipo N.
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II.2) Problemas que dan como dato la conductividad.

En este caso, el sistema de ecuaciones que hay que resolver es el determinado por las ecuaciones
(II-3) y (II-4).
Para material tipo N, despejando 𝑝0 de la (II-3):
𝑛𝑖 2
𝑝0 =
𝑛0
Reemplazando en (II-4) y operando:
𝑛𝑖 2
𝜎 = 𝑞 𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝑞 𝜇𝑝
𝑛0
𝑞 𝜇𝑛 𝑛𝑜 2 − 𝜎 𝑛𝑜 + 𝑞 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2 = 0
Cuya solución es:
𝜎 ± √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 =
2𝑞𝜇𝑛
Expresión II-5
Las dos raíces, como demostraremos más adelante, corresponden a la concentración de electrones
como mayoritarios del material tipo N y como minoritarios del tipo P respectivamente.
Para material tipo P, despejando en este caso 𝑛𝑜 de la (II-3) y siguiendo el procedimiento anterior
obtenemos:
𝜎 ± √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2
𝑝𝑜 =
2𝑞𝜇𝑝
Expresión II-6
Sus raíces corresponden respectivamente a las lagunas como mayoritarias del material tipo P y
como minoritarias del tipo N.
Para demostrar que ambas raíces tienen sentido físico, tomaremos un material tipo N. La raíz
positiva de la (II-5) representa a los electrones mayoritarios de dicho material y la raíz negativa de la
(II-6) a sus lagunas minoritarias. Según sabemos, la relación que debe existir entre ambas
concentraciones de portadores es la dada por la (II-3), con lo cual:
𝜎 + √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2 𝜎 − √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 = 𝑝𝑜 =
2𝑞𝜇𝑛 2𝑞𝜇𝑝
Multiplicando ambas ecuaciones miembro a miembro:
𝜎 2 − 𝜎√𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2 + 𝜎√𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2 − 𝜎 2 + 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2
𝑛0 𝑝0 =
4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝
Sacando los términos que se anulan y simplificando, queda demostrado lo dicho anteriormente:
𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖 2
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III. Relación entre la concentración de impurezas y la masa del material contaminante.

III.1) Determinación de la masa de material contaminante cuando es conocida la
concentración de impurezas y la masa del semiconductor.
Si llamamos 𝑁𝑖𝑚 al número de impurezas por unidad de volumen (𝑁𝑑 o 𝑁𝑎 según sea donora o
aceptora), 𝑑𝑠𝑒 a la densidad del semiconductor (germanio o silicio según el caso), 𝑀𝑠𝑒 a la masa del
semiconductor y 𝑝𝑎𝑖𝑚 al peso atómico de la impureza, el volumen de la muestra será:
𝑀𝑠𝑒
𝑉𝑠𝑒 =
𝑑𝑠𝑒
Expresión III-1
El número de átomos de impurezas que debemos agregar será:

𝑛°𝑖𝑚 = 𝑉𝑠𝑒 𝑁𝑖𝑚
Expresión III-2
Para conocer la masa de impurezas que corresponde al número hallado, planteamos la siguiente
proporción:
𝑁𝑜 (𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝐴𝑣𝑜𝑔𝑎𝑑𝑟𝑜) 𝑛°𝑖𝑚 (𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑖𝑚𝑝𝑢𝑟𝑒𝑧𝑎𝑠)
=
𝑝𝑎𝑖𝑚 (𝑝𝑒𝑠𝑜 𝑒𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑑𝑒 1𝑚𝑜𝑙) 𝑚𝑖𝑚 (𝑝𝑒𝑠𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑒 𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠)
Expresión III-3
Luego:
𝑛°𝑖𝑚
𝑚𝑖𝑚 = 𝑝𝑎𝑖𝑚
𝑁𝑜
Expresión III-4
𝑚𝑖𝑚 da la cantidad de gramos de material contaminante que debe agregarse a la masa de

semiconductor dada.
III.2) Determinación del número impurezas conociendo la masa de material contaminante y

la del semiconductor.
En la proporción (III-3), siendo conocida en este caso la masa 𝑚𝑖𝑚 de material contaminante,
despejamos el número de átomos de impurezas 𝑛°𝑖𝑚 que corresponde a dicha masa. Luego:
𝑁𝑜
𝑛°𝑖𝑚 = 𝑚𝑖𝑚
𝑝𝑎𝑖𝑚
Expresión III-5
Ese número de átomos de impurezas corresponde a toda la masa de semiconductor 𝑀𝑠𝑒 .

Necesitamos el número de impurezas por unidad de volumen. Aplicando la (III-1) obtenemos el
volumen de semiconductor 𝑉𝑠𝑒 y con él, de acuerdo a la (III-2):
𝑛°𝑖𝑚
𝑁𝑖𝑚 =
𝑉𝑠𝑒
Expresión III-6
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EJERCICIOS RESUELTOS
Ejercicio 1.1
Calcular la energía de ionización de:
a) Una impureza donora en germanio
b) Una impureza donora en silicio
c) Una impureza aceptora en germanio
d) Una impureza aceptora en silicio
Resolución:
De acuerdo a lo visto en la introducción teórica (expresión I-9)
𝜀𝑜 2 𝑚𝑛∗ 𝜀𝑜 2 𝑚𝑛∗
𝐸𝑜 = 𝐸 ( ) = 13,58𝑒𝑉 ( )
𝜀 𝑚 𝜀 𝑚
a) Donora en germanio:
𝜀𝑜 1 ∗
𝑚𝑛
𝜀
= 16 𝑚
= 0,55
𝐸𝑜 = 0,029𝑒𝑉
b) Donora en silicio:
𝜀𝑜 1 ∗
𝑚𝑛
𝜀
= 12 𝑚
= 1,1
𝐸𝑜 = 0,104𝑒𝑉
Para impurezas aceptoras, el modelo es válido, suponiendo un núcleo virtual con una carga negativa
y una laguna orbitando a su alrededor.
c) Donora en germanio:
∗
𝑚𝑝
𝜀𝑜 1
𝜀
= 16 𝑚
= 0,37
𝐸𝑜 = 0,019𝑒𝑉
d) Donora en silicio:
∗
𝑚𝑝
𝜀𝑜 1
= = 0,37
𝜀 12 𝑚
𝐸𝑜 = 0,056𝑒𝑉
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Ejercicio 1.2
Hallar las concentraciones de portadores 𝑛0 y 𝑝0 en un trozo de germanio a las temperaturas de
200°K, 300°K y 400°K.
a) Si se agregan 2,4 × 1013 átomos/cm3 de Sb
b) Si se agregan 4,8 × 1013 átomos/cm3 de In además del Sb
Resolución:
a) Se aplican las siguientes expresiones vistas en la introducción teórica:
𝑁 𝑁2
𝑛𝑜 = + √ + 𝑛𝑖 2
2 4
𝑛𝑖 2
𝑝𝑜 =
𝑛𝑜
Se utiliza solamente el signo positivo de la raíz dado que el signo negativo no tiene significado físico
(punto II.1)
Para el punto a), dado que no hay impurezas aceptoras, se tiene:
𝑁 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3
Se obtiene de tabla 𝑛𝑖 (𝑇) para cada temperatura:
200°𝐾 → 𝑛𝑖 = 7 × 109 𝑐𝑚−3
300°𝐾 → 𝑛𝑖 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3
400°𝐾 → 𝑛𝑖 = 2 × 1015 𝑐𝑚−3
Reemplazando valores para cada temperatura se tiene:
𝑛𝑜 (𝑇=200°𝐾) = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 𝑛𝑜 (𝑇=300°𝐾) = 3,9 × 1013 𝑐𝑚−3 𝑛𝑜 (𝑇=200°𝐾) = 2 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜 (𝑇=200°𝐾) = 2,04 × 106 𝑐𝑚−3 𝑝𝑜 (𝑇=300°𝐾) = 1,49 × 1013 𝑐𝑚−3 𝑝𝑜 (𝑇=200°𝐾) = 2 × 1015 𝑐𝑚−3
Para el caso de T=200°K, se observa que 𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 . Se podría haber aplicado la resolución

aproximada.
Para el caso de T=300°K, 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 son del mismo orden.
Para el caso de T=300°K, 𝑛𝑜 ≅ 𝑝𝑜
b) En este caso hay impurezas aceptoras y donoras en el semicondutor, con lo cual:
𝑁 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 − 4,8 × 1013 𝑐𝑚−3

𝑁 = −2,4 × 1013 𝑐𝑚−3
La solución es idéntica que para el caso a) e idénticos los valores con la diferencia de que el material
es tipo P.
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Ejercicio 1.3
a) Estimar la movilidad en un metal típico de resistividad 10−5 Ω 𝑐𝑚
b) Estimar el tiempo de relajación 𝜏𝑐 si 𝑚∗ = 𝑚
Resolución:
a) En un metal no existen lagunas, o sea que la conductividad quedará determinada por los
electrones:
1 1
𝜎 = 𝑞×𝑛×𝜇 = → 𝜇=
𝜌 𝜌×𝑞×𝑛
𝜌 = 10−5 Ω 𝑐𝑚 𝑛 ≅ 1023 𝑐𝑚−3 𝑞 = 1,6 × 10−19 𝐶
Decimos que 𝑛 ≅ 1023 𝑐𝑚−3 pues la característica del metal es que no tiene banda prohibida y tiene
un electrón en su última órbita. Para cualquier temperatura estarán todos los átomos ionizados y
habrá un electrón de conducción por cada átomo del metal.
Análisis dimensional:
𝑐𝑚3 𝑐𝑚2 𝑐𝑚2
[𝜇] = = =
Ω 𝑐𝑚 𝐶 𝑉 𝐴 𝑠 𝑉𝑠
𝐴
Reemplazando valores se obtiene el valor de la movilidad:
𝑐𝑚2
𝜇 = 6,25
𝑉𝑠
b) Se obtiene el tiempo de relajación utilizando la siguiente expresión:
𝑞 × 𝜏𝑐 𝜇 × 𝑚∗
𝜇= → 𝜏𝑐 =
𝑚∗ 𝑞
Análisis dimensional:
𝑚2 𝑘𝑔 𝑚2 𝑘𝑔 𝑚2 𝑘𝑔 𝑚2 𝑘𝑔 𝑚2 𝑘𝑔 𝑚2 𝑘𝑔
[𝜏𝑐 ] = = = = = = =𝑠
𝑉𝑠𝐶 𝐴 𝑊 𝐽 𝑠 𝑁 𝑚 𝑠 𝑘𝑔 𝑚
𝑉𝑠 𝑠 𝑚𝑠
𝑠2
Reemplazando valores con 𝑚∗ = 𝑚 = 9,11 × 10−31 𝑘𝑔:
𝜏𝑐 = 3,56 × 10−15 𝑠
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Ejercicio 1.4
Suponiendo que las movilidades sean independientes de las concentraciones de impurezas:
a) Hallar la conductividad mínima de un material semiconductor dado, que se pueda alcanzar
eligiendo la concentración de impurezas.
b) Comparar la conductividad mínima con la intrínseca del Ge a 300°K
Resolución:
a) Si 𝜇𝑛 y 𝜇𝑝 no dependen de 𝑛 ni de 𝑝, serán solamente función de la temperatura, o sea
constantes para un valor dado de esta.
Como 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 2 /𝑛𝑜 , se obtiene 𝜎 = 𝑓(𝑛𝑜 )

𝑛𝑖 2
𝜎 = 𝑞 (𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 )
𝑛𝑜
Derivando 𝜎 respecto de 𝑛𝑜 y hallando el mínimo:

𝑑𝜎 𝑛𝑖 2
= 𝑞 (𝜇𝑛 − 𝜇𝑝 2 ) = 0
𝑑𝑛𝑜 𝑛𝑜
𝜇𝑝
𝑛𝑜 𝑚𝑖𝑛 = 𝑛𝑖 √
𝜇𝑛
Además:
𝑛𝑖 2 1
𝑝𝑜 𝑚𝑖𝑛 = = 𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 𝑚𝑖𝑛 𝜇𝑝
𝑛𝑖 √𝜇
𝑛
𝜇𝑛
𝑝𝑜 𝑚𝑖𝑛 = 𝑛𝑖 √
𝜇𝑝
NOTA: 𝑛𝑜 𝑚𝑖𝑛 y 𝑝𝑜 𝑚𝑖𝑛 no son los mínimos valores de 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 sino los valores de 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 que hacen
mínima la conductividad.
Para verificar si las concentraciones halladas corresponden a un mínimo, se realiza la derivada
segunda:
𝑑2 𝜎 𝑛𝑖 2
= 2 𝜇𝑝 > 0 ∀ 𝑛𝑜 → 𝑠𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜
𝑑𝑛𝑜 2 𝑛𝑜 3
La conductividad mínima será:
𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 𝑚𝑖𝑛 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 𝑚𝑖𝑛 )
𝜇𝑝 𝜇𝑛
𝜎𝑚𝑖𝑛 = 𝑞 (𝜇𝑛 𝑛𝑖 √ + 𝜇𝑝 𝑛𝑖 √ )
𝜇𝑛 𝜇𝑝
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Reemplazando valores resulta:
𝜎𝑚𝑖𝑛 𝐺𝑒 = 20,9 × 10−3 (Ω 𝑐𝑚)−1
b) La conductividad intrínseca del germanio a la misma temperatura será:

𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝑛𝑖
Reemplazando valores se obtiene:

𝜎𝑖𝑛𝑡 𝐺𝑒 = 22,27 × 10−3 (Ω 𝑐𝑚)−1
Ejercicio 1.5
Considérese una barra semiconductora homogénea en equilibrio térmico con una concentración de
electrones de 𝑛0 𝑐𝑚−3 y de lagunas 𝑝0 𝑐𝑚−3 en la que se generan una cantidad de pares electrón-
laguna 𝐺𝑇 𝑐𝑚−3 𝑠 −1 . Si esta barra se ilumina uniformemente con una luz penetrante que crea un
número constante de pares electrón-laguna 𝑔𝐿 , hallar los valores estacionarios de 𝑛 y 𝑝.
Resolución:
De acuerdo a lo visto en teoría:
𝐺𝑇 + 𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇) 𝑛 𝑝
Como 𝑛 = 𝑛𝑜 + 𝑛′ y 𝑝 = 𝑝𝑜 + 𝑝′:
𝐺𝑇 + 𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇) (𝑛𝑜 + 𝑛′ )(𝑝𝑜 + 𝑝′)

𝐺𝑇 + 𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝𝑜 + 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝′ + 𝑟(𝑇) 𝑛′ 𝑝𝑜 + 𝑟(𝑇)𝑛′ 𝑝′
Como 𝑛′ = 𝑝′ y 𝐺𝑇 = 𝑟(𝑇) 𝑛𝑜 𝑝𝑜 :
𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑛′ + 𝑟(𝑇) 𝑛′ 𝑝𝑜 + 𝑟(𝑇)𝑛′ 𝑛′

𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇)[(𝑛𝑜 + 𝑝𝑜 ) 𝑛′ + 𝑛′2 ]
Ordenando y sustituyendo 𝑟(𝑇):
𝑔𝐿
𝑛′2 + (𝑛𝑜 + 𝑝𝑜 ) 𝑛′ − =0
𝑟(𝑇)
𝑔𝐿 𝑛𝑜 𝑝𝑜
𝑛′2 + (𝑛𝑜 + 𝑝𝑜 ) 𝑛′ − =0
𝐺𝑇
Cuya solución es:
𝑛𝑜 + 𝑝𝑜 (𝑛𝑜 + 𝑝𝑜 )2 𝑔𝐿 𝑛𝑜 𝑝𝑜
𝑛 ′ = 𝑝′ = − +√ +
2 4 𝐺𝑇
El signo negativo de la raíz, que daría una concentración de portadores en exceso negativa, no tiene
sentido físico.
La concentración total de portadores en régimen estacionario será:
𝑛 = 𝑛𝑜 + 𝑛′ 𝑝 = 𝑝𝑜 + 𝑝′
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Ejercicio 1.6
a) ¿Qué porcentajes de enlaces covalentes hay rotos en Ge puro a 300°K
b) ¿Qué porcentajes de enlaces covalentes hay rotos en Si puro a 300°K
c) Repita a) y b) para 400°K
d) Repita a) y b) si se agrega a ambos materiales, impurezas donoras con una concentración
𝑁𝑑 = 1014 𝑐𝑚−3
Resolución:
a) En Ge a 300°K, 𝑛𝑖 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3:
Para conocer el porcentaje de enlaces covalentes rotos debemos saber qué número de átomos hay
por cm3 de cristal de Ge. A este número lo llamaremos NGe.
No es el número de Avogadro, que es la cantidad de átomos que hay en un mol o sea, en un volumen
Vm. Se cumple entonces que:
𝑁𝑜
𝑁𝐺𝑒 =
𝑉𝑚
Pero Vm es el volumen de 1 mol expresado en cm-3, o sea que:
𝑃𝑎 [𝑔/𝑚𝑜𝑙] 𝑃𝑎 : 𝑝𝑒𝑠𝑜 𝑎𝑡ó𝑚𝑖𝑐𝑜
𝑉𝑚 [𝑐𝑚3 /𝑚𝑜𝑙] = 𝑑ó𝑛𝑑𝑒:
𝑑 [𝑔/𝑐𝑚3 ] 𝑑: 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑
Luego:
𝑑𝐺𝑒
𝑁𝐺𝑒 = 𝑁𝑜
𝑃𝑎 𝐺𝑒
5,33𝑔/𝑐𝑚3
𝑁𝐺𝑒 = 6,02 × 1023 𝑚𝑜𝑙 −1
72,6𝑔/𝑚𝑜𝑙
𝑁𝐺𝑒 = 4,4 × 1022 𝑐𝑚−3
El porcentaje de enlaces rotos será:
𝑛𝑖 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3
× 100 = × 100
𝑁𝐺𝑒 4,4 × 1022 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖
× 100 = 5,45 × 10−8 %
𝑁𝐺𝑒
b) En Si a 300°K: 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3 , 𝑃𝑎 𝑆𝑖 = 28 𝑔/𝑚𝑜𝑙, 𝑑𝑆𝑖 = 2,33𝑔/𝑚𝑜𝑙

𝑑𝑆𝑖
𝑁𝑆𝑖 = 𝑁𝑜
𝑃𝑎 𝑆𝑖
𝑁𝑆𝑖 = 5 × 1022 𝑐𝑚−3

El porcentaje de enlaces rotos será:
𝑛𝑖
× 100 = 3 × 10−11 %
𝑁𝑆𝑖
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c) Si la temperatura es de 400°K: 𝑛𝑖 𝐺𝑒 = 1,6 × 1015 𝑐𝑚−3 ; 𝑛𝑖 𝑆𝑖 = 8 × 1012 𝑐𝑚−3 .
Los pocentajes para germanio y silicio serán:

𝑛𝑖 𝑛𝑖
× 100 = 3,6 × 10−6 % × 100 = 1,6 × 10−8 %
𝑁𝐺𝑒 𝑁𝑆𝑖
d) Si se agregan impurezas donoras, se agregarán electrones libres en igual cantidad, siendo en

consecuencia mayor el número de electrones en estas condiciones. Como la generación térmica es
siempre la misma, deberá ser también la misma la recombinación, lo que obliga a disminuir la
cantidad de lagunas. Al no haber impurezas aceptoras, las lagunas solamente pueden provenir de
ligaduras rotas, razón por la cual ambas cantidades tendrán que ser iguales. Como regla general, en
un material extrínseco el número de ligaduras rotas es igual al de portadores minoritarios.
Cómo viéramos en la introducción teórica, no puede hallarse directamente la concentración de
minoritarios, debiéndosela calcular a través de los mayoritarios. Por esta razón hallaremos
previamente la concentración de electrones.
Para Germanio a 300°K:
𝑁𝑑 𝑁𝑑 2 1014 𝑐𝑚−3 (1014 𝑐𝑚−3 )2

𝑛𝑜 = + √ + 𝑛𝑖 2 = +√ + (2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 )2
2 4 2 4
𝑛𝑜 = 1,054 × 1014 𝑐𝑚−3

Luego, 𝑝𝑜 será:
𝑛𝑖 2 (2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 )2
𝑝𝑜 = =
𝑛𝑜 1,054 × 1014 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜 ≅ 5,5 × 1012 𝑐𝑚−3 𝑒𝑛𝑙𝑎𝑐𝑒𝑠 𝑟𝑜𝑡𝑜𝑠
El porcentaje será:
𝑝𝑜 5,5 × 1012 𝑐𝑚−3
× 100 = × 100
𝑁𝐺𝑒 4,4 × 1022 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜
× 100 = 1,24 × 10−8 %
𝑁𝐺𝑒
Para Silicio a 300°K:

Como 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3, será 𝑁𝑑 = 1014 ≫ 𝑛𝑖 , por lo tanto:
𝑛𝑜 ≅ 𝑁𝑑 = 1014
Luego:
𝑛𝑖 2 (1,5 × 1010 𝑐𝑚−3 )2
𝑝𝑜 = =
𝑛𝑜 1014 𝑐𝑚−3
El porcentaje de enlaces rotos es:
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𝑝𝑜 2,26 × 106 𝑐𝑚−3

× 100 = × 100
𝑁𝑆𝑖 5 × 1022 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜
× 100 = 4,5 × 10−15 %
𝑁𝑆𝑖
Para Germanio a 400°K:

Como 𝑛𝑖 = 1,6 × 1015 𝑐𝑚−3 la introducción de 𝑁𝑑 = 1014 𝑐𝑚−3 átomos de impureza mantiene 𝑛𝑜 ≅ 𝑝𝑜
(material casi intrínseco) y el porcentaje de enlaces covalentes rotos coincide con el hallado en el
punto c).
𝑛𝑖
× 100 = 3,6 × 10−6 %
𝑁𝐺𝑒
Para Silicio a 400°K:

𝑛𝑖 = 8 × 1012 𝑐𝑚−3
𝑁𝑑 𝑁𝑑 2 1014 𝑐𝑚−3 (1014 𝑐𝑚−3 )2

𝑛𝑜 = + √ 2
+ 𝑛𝑖 = +√ + (8 × 1012 𝑐𝑚−3 )2
2 4 2 4
𝑛𝑜 ≅ 1014
Luego:
𝑛𝑖 2 (8 × 1012 𝑐𝑚−3 )2
𝑝𝑜 = ≅
𝑛𝑜 1014 𝑐𝑚−3
El porcentaje de enlaces rotos es:
𝑝𝑜 6,4 × 1011 𝑐𝑚−3
× 100 = × 100
𝑁𝑆𝑖 5 × 1022 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜
× 100 = 1,28 × 10−11 %
𝑁𝑆𝑖
Ejercicio 1.7
Dado un cristal de Ge tipo N con una conductividad de 300 (Ω cm)−1 a una temperatura de 300°K,
hallar la densidad de electrones libres y de lagunas.
Resolución:
Debemos hallar las concentraciones de electrones y lagunas 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 .
𝜎 + √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 =
2𝑞𝜇𝑛
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𝑛𝑜 = 4,8 × 1017 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖 2
𝑝𝑜 = = 1,2 × 109 𝑐𝑚−3
𝑛𝑜
Ejercicio 1.8
Una muestra de Ge tiene una resistividad de 0,6 Ωcm a una determinada temperatura. Encontrar las
densidades de corriente de electrones y lagunas con un campo eléctrico aplicado de 1V/cm. Hallar la
temperatura de la muestra.
𝑐𝑚2 𝑐𝑚2
𝜇𝑛 = 3600 𝑉∙𝑠
𝜇𝑝 = 1700 𝑉∙𝑠
𝑛𝑖 = 2,4 × 1014 𝑐𝑚−3
Resolución:
Conociendo el valor de ρ buscamos el valor de la conductividad total:
1 1
𝜎= =
𝜌 0,6Ω𝑐𝑚
𝜎 = 1,66(Ω𝑐𝑚)−1
Luego, hallamos 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 a partir de las expresiones halladas en la introducción teórica:
𝜎 + √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑜 𝑛𝑖 2 𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 = 𝑝𝑜 =
2𝑞𝜇𝑛 𝑛𝑜
𝑝𝑜 = 1,98 × 1013 𝑐𝑚−3
𝑛𝑜 = 2,9 × 1015 𝑐𝑚−3
Las densidades de corriente serán:

𝐽𝑛 = 𝜎𝑛 𝜀 = 𝑞𝑛𝑜 𝜇𝑛 𝜀 𝐽𝑝 = 𝜎𝑝 𝜀 = 𝑞𝑝𝑜 𝜇𝑝 𝜀
𝐴 𝐴
𝐽𝑛 = 1,67 𝐽𝑝 = 5,4 × 10−3
𝑐𝑚2 𝑐𝑚2
Para hallar la temperatura de la muestra, entramos en el gráfico 𝑛𝑖 = 𝑓(𝑇) con el valor de 𝑛𝑖 que es
dato, obteniendo una temperatura 𝑇 = 350°𝐾.
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Ejercicio 1.9
Dado un cristal de Si tipo N, con 𝑛0 = 3 × 1015 𝑐𝑚−3 y 𝜎 = 0,65 (Ω cm)−1, calcular 𝑝0 y la temperatura
𝑐𝑚2 𝑐𝑚2
del cristal siendo 𝜇𝑛 = 1250 𝑉∙𝑠
y 𝜇𝑝 = 400 𝑉∙𝑠
.
Resolución:
Despejamos 𝑝0 de la expresión de la conductividad:
𝜎 − 𝑞𝜇𝑛 𝑛𝑜
𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 ) → 𝑝𝑜 =
𝑞𝜇𝑝
𝑝𝑜 = 7,81 × 1014 𝑐𝑚−3
Para hallar la temperatura del cristal, debemos conocer el valor de la concentración intrínseca de
portadores 𝑛𝑖 :
𝑛𝑖 = √𝑛𝑜 𝑝𝑜
𝑛𝑖 = 1,53 × 1015 𝑐𝑚−3

De la tabla de 𝑛𝑖 = 𝑓(𝑇) hallamos:
𝑇 = 550°𝐾
Ejercicio 1.10
Una muestra de Si tipo N tiene una conductividad 𝜎 = 0,8 (Ω cm)−1 .
a) Encontrar las densidades de corrientes de electrones y lagunas producidas por un campo
eléctrico de 2V/cm.
b) Calcular la cantidad de gramos de P por cm3 de Si que se deben agregar para tener la
conductividad dada.
Resolución:
a) Para hallar las densidades de corrientes, debe hallarse la conductividad debida a lo
electrones y lagunas. Para ello, es necesario conocer las concentraciones 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 :
𝜎 + √𝜎 2 − 4𝑞 2 𝜇𝑛 𝜇𝑝 𝜇𝑖 2
𝑛𝑜 =
2𝑞𝜇𝑛
𝑛𝑜 = 3,7 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖 2
𝑝𝑜 = = 60,8 × 103 𝑐𝑚−3
𝑛𝑜
Luego, se encuentran las densidades de corriente:
𝐽𝑛 = 𝜎𝑛 𝜀 = 𝑞𝑛𝑜 𝜇𝑛 𝜀 𝐽𝑝 = 𝜎𝑝 𝜀 = 𝑞𝑝𝑜 𝜇𝑝 𝜀
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𝐴 𝐴
𝐽𝑛 = 1,6 𝐽𝑝 = 9,34 × 10−12
𝑐𝑚2 𝑐𝑚2
b) Según lo visto en a), esa conductividad requiere una concentración de 𝑛𝑜 = 3,7 × 1015 𝑐𝑚−3 y
𝑝𝑜 = 60,8 × 103 𝑐𝑚−3. Siendo 𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 , se verifica que 𝑛𝑜 ≅ 𝑁𝐷 . Aplicando la proporción y
reemplazando valores:
𝑁𝑜 𝑁𝐷 𝑝𝑎𝑃
= → 𝑚𝑃 = 𝑁𝐷
𝑝𝑎𝑃 𝑚𝑃 𝑁𝑜
𝑔
𝑚𝑃 = 193,6 × 10−9
𝑐𝑚3
Ejercicio 1.11
¿Cuál tiene que ser la conductividad del germanio a 300°K para asegurar que menos del 0,1% de la
corriente total sea debida a las lagunas?
Resolución:
Imponiendo la condición requerida en la expresión de la densidad de corriente:
𝐽 = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝
𝐽 = 𝐽𝑛 + 0,001𝐽
Dado que 𝐽 = 𝜎𝜀, debe verificarse también que:
0,001𝜎 = 𝜎𝑝
0,001 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 ) = 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝑜
0,001𝜇𝑛 𝑛𝑜 = 0,999 𝜇𝑝 𝑝𝑜
𝜇𝑝
𝑛𝑜 = 999 𝑝
𝜇𝑛 𝑜
Dado que 𝑛𝑜 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 2 , multiplicando ambos miembros por 𝑝𝑜 :
𝜇𝑝 2
𝑛𝑖 2 = 999 𝑝
𝜇𝑛 𝑜
Despejando 𝑝𝑜 :
𝑛𝑖
𝑝𝑜 =
𝜇𝑝
√999 𝜇
𝑛
Reemplazando 𝑛𝑖 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3, 𝜇𝑝 = 1900𝑐𝑚2, 𝜇𝑛 = 3900𝑐𝑚2:
𝑝𝑜 = 1,09 × 1012 𝑐𝑚−3

𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 = = 528,44 × 1012 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜
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Con 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 se puede calcular la conductividad:
𝜎 = 0,33(Ωcm)−1
Ejercicio 1.12
Calcular el exceso de lagunas en la abscisa 𝑥 = 10−4 𝑐𝑚 medida a partir del plano que divide la zona
iluminada de la oscura. En la zona iluminada, los excesos 𝑛′ y 𝑝′ están en un número de 107 𝑐𝑚−3 .
El tiempo de vida de los minoritarios de este material es igual a 10−6 𝑠 y su constante de difusión de
10−2 𝑐𝑚2 /𝑠.
Resolución:
Según sabemos, si tenemos exceso en una zona, el mismo se difundirá hacia el resto del amterial
siguiendo una ley exponencial de la siguiente forma:
𝑝′ = 𝑝′(0)𝑒 −𝑥/𝐿𝑝
En donde 𝑝′(0) es el exceso en el plano 𝑥 = 0 y 𝐿𝑃 es la longitud de difusión. Como conocemos el

valor de los excesos en la zona iluminada, conocemos el valor de 𝑝′ (0) = 107 𝑐𝑚−3.
Para hallar 𝐿𝑝 , sabemos que:
𝐿𝑝 = √𝜏𝑝 𝐷𝑝
𝐿𝑝 = 10−4 𝑐𝑚
Reemplazando valores en la expresión inicial:
𝑝′ = 3,68 × 106 𝑐𝑚−3

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Ejercicio 1.13
En los extremos de una barra de germanio puro a 27°C, de 2cm de longitud y 1mm2 de sección, se
aplica una diferencia de potencial de 0,2V. ¿Qué corriente circula por la barra?
Resolución:
Para calcular la corriente que circula por la barra, conociendo la tensión que se aplica en los
extremos de ella, debemos calcular el valor de su resistencia:
𝑙
𝑅=𝜌
𝑆
Para hallar la resistividad calcularemos su inversa, o sea la conductividad.
𝜎 = 𝑞𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )
𝜎 = 22,3 × 10−3 (Ωcm)−1

Luego:
𝑙
𝑅=
𝜎𝑆
𝑅 = 8968Ω
La corriente será:
𝑉
𝐼=
𝑅
𝐼 = 22,3𝜇𝐴
Ejercicio 1.14
a) Expresar el radio eficaz de la órbita de un electrón ligado a un donante en función de la
constante dieléctrica relativa 𝑘 = 𝜀/𝜀0 y de la masa eficaz normalizada 𝑚𝑛 ∗ /𝑚 para el
germanio y extraer conclusiones.
b) Ídem para el silicio.
Resolución:
De acuerdo a lo visto en la introducción teórica, el radio eficaz de la órbita de un electrón ligado
donante, corresponde a la órbita del quinto electrón de la impureza considerada como átomo
hidrogenoide y vale:
𝜀 𝑚
𝑟𝑜 = 0,527Å
𝜀𝑜 𝑚𝑛∗
a) Para el germanio:
𝜀 𝑚𝑛∗
= 16 = 0,55
𝜀𝑜 𝑚
𝑟𝑜 = 15,33Å
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b) Para el silicio:
𝜀 𝑚𝑛∗
= 12 = 1,1
𝜀𝑜 𝑚
𝑟𝑜 = 5,75Å
Ejercicio 1.15
Se realiza una medición de efecto Hall en una muestra de Ge de las siguientes dimensiones:
𝑥 = 0,8𝑐𝑚; 𝑦 = 1𝑐𝑚; 𝑧 = 0,025𝑐𝑚
Los resultados obtenidos fueron:

𝐵𝑧 = 4400 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠; 𝐼𝑥 = 2,5𝑚𝐴; 𝑉𝑦 = 0,3𝑉; 𝑉𝑥 = 1𝑉
a) Hallar la movilidad de la muestra.

b) Hallar la conductividad de la muestra.
Resolución:
a) Cálculo de la conductividad.
𝐽𝑥
𝐽𝑥 = 𝜎𝜀𝑥 → 𝜎 =
𝜀𝑥
𝐼𝑥 𝑥
𝜎=
𝑦 × 𝑧 𝑉𝑥
𝜎 = 0,08(Ω𝑐𝑚)−1
b) Cálculo de la movilidad.
El efecto Hall se define como el cociente entre el campo eléctrico que aparece dentro del
semiconductor y el campo magnético aplicado (inducción magnética B) por la densidad de corriente
circulante.
𝜀𝑦 (𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑜)
𝑅=
𝐽𝑥 𝐵𝑧 (𝑐𝑎𝑢𝑠𝑎)
Como consecuencia del desplazamiento de portadores provocado por la corriente 𝐽𝑥 dentro de un
campo de inducción magnética 𝐵𝑧 , aparece un campo eléctrico 𝜀𝑦 perpendicular al plano formado por
𝐽𝑥 y 𝐵𝑧 . Este campo eléctrico llega a un valor de equilibrio en forma automática cuando la trayectoria
de los portadores es rectilínea, lo que se verificará cuando la fuerza provocada por el campo eléctrico
sea igual en valor absoluto a la fuerza del campo magnético, o sea:
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|𝑓𝜀 | = |𝑓𝐵 |
𝜀𝑦
𝑞𝜀𝑦 = 𝑞𝑣𝑥 𝐵𝑧 → 𝐵𝑧 =
𝑣𝑥
Reemplazando 𝐵𝑧 en la expresión del coeficiente de Hall (𝑅):
𝑣𝑥
𝑅=
𝐽𝑥
Según el tipo de material que se trate, puede reemplazarse la velocidad de los portadores 𝑣𝑥 por:
Material tipo N Material tipo P
𝐽𝑥 𝐽𝑥
𝑣𝑥 = − 𝑣𝑥 =
𝑞𝑛𝑜 𝑞𝑝𝑜
Reemplazando en 𝑅:
𝑣𝑥 𝑣𝑥
𝑅𝑛 = 𝑅𝑝 =
−𝑞𝑛𝑜 𝑣𝑥 𝑞𝑝𝑜 𝑣𝑥
1 1
𝑅𝑛 = − 𝑅𝑝 =
𝑞𝑛𝑜 𝑞𝑝𝑜
Teniendo en cuenta la expresión de la conductividad:
𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 → 𝜎 = 𝜎𝑛 = 𝑞𝑛𝑜 𝜇𝑛 𝑝𝑜 ≫ 𝑛𝑜 → 𝜎 = 𝜎𝑝 = 𝑞𝑝𝑜 𝜇𝑝
Finalmente, reemplazando en la expresión del coeficiente de Hall:

𝜇𝑛 𝜇𝑝
𝑅𝑛 = − 𝑅𝑝 =
𝜎 𝜎
Según vimos, el coeficiente de Hall es negativo si el material es tipo n y positivo si es tipo p. Este se
debe a lo siguiente. Si tenemos un conductor por el cual circula una corriente 𝐼𝑥 sumergido en un
campo de inducción magnética 𝐵𝑧 , sobre él se aplica una fuerza:
̅̅̅
𝑓 ̅ ̅̅̅
𝐵 = 𝐿 𝐼𝑥 × 𝐵𝑧
En donde L es la longitud de conductor que se halla sumergida en el campo B.

Si en lugar de ser un conductor fuera un semiconductor el que se encontrara en esta situación, el
problema es el mismo y la expresión anterior sigue valiendo aunque por ser un semiconductor, la
corriente es:
𝐼̅𝑥 = 𝐴(𝐽̅𝑛 + 𝐽̅𝑝 ) = 𝐴(−𝑞𝑛𝑜 ̅̅̅

𝑣𝑥 + 𝑞𝑝𝑜 ̅̅̅)
𝑣𝑥
Luego, la expresión de la fuerza magnética queda:

̅̅̅
𝑓 𝐵 = 𝐿𝐴(−𝑞𝑛𝑜 ̅̅̅ 𝑣𝑥 × ̅̅̅
𝑣𝑥 + 𝑞𝑝𝑜 ̅̅̅) 𝐵𝑧
En la figura 15-2 se aprecia una barra de material tipo n, en donde como consecuencia en la acción
de 𝐽𝑥 y 𝐵𝑧 aparece una fuerza 𝑓𝐵 𝑛 que desplaza a los electrones en su dirección originando un campo
eléctrico −𝜀𝑦 . En la figura 15-3, para un material tipo p, el desplazamiento en la dirección de la fuerza
es de lagunas, originando un campo eléctrico 𝜀𝑦 de sentido contrario al material tipo n.
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Para la terna elegida 𝜀𝑦 es negativo, 𝐽𝑥 y 𝐵𝑧 positivos. Por lo tanto, el coeficiente de Hall es negativo y
el material es tipo n.
𝐽𝑥
Reemplazando 𝜎 = en la expresión del coeficiente de Hall:
𝜀𝑥
𝜇𝑛 = −𝜎𝑅𝑛
𝐽𝑥 𝐽𝑥 𝜀𝑦
𝜇𝑛 = − 𝑅𝑛 = −
𝜀𝑥 𝜀𝑥 𝐽𝑥 𝐵𝑧
1 𝑣𝑦 𝑣𝑦 𝑥
𝜇𝑛 = 𝑣 =
𝑥 𝑦 𝐵𝑧 𝑣𝑥 𝑦𝐵𝑧
𝑥
𝑉𝑠
Reemplazando valores y recordando que 1𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠 = 10−8 se obtiene:
𝑐𝑚2
𝑐𝑚2
𝜇𝑛 = 5454
𝑉𝑠
Ejercicio 1.16
Dado un cristal de Ge de las siguientes dimensiones:
𝑥 = 1𝑐𝑚 𝑦 = 0,4𝑐𝑚 𝑧 = 0,1𝑐𝑚
Siendo además:
𝐵𝑧 = 1 𝑘𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠 𝜌 = 0,5Ω 𝑐𝑚
𝑐𝑚3 𝑉𝑥 = 0,5𝑉
𝑅𝑛 = −8000
𝐶
a) ¿Cuál es la indicación del voltímetro?

b) Hallar la concentración de portadores.
c) Calcular la movilidad del semiconductor.
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Resolución:
a) La indicación del voltímetro corresponderá a la diferencia de potencial 𝑉𝑦 determinada por la
aparición del campo eléctrico 𝜀𝑦 . Luego:
𝑉𝑦
𝜀𝑦 −𝑦 𝑉𝑦 𝑧
𝑅𝑛 = = =−
𝐽𝑥 𝐵𝑧 𝐼𝑥 𝐵 𝐼𝑥 𝐵𝑧
𝑦𝑧 𝑧
𝑉𝑦 𝑉𝑦
El signo negativo de se debe a que 𝜀𝑦 = −∇𝑉𝑦 = −
𝑦 𝑦
Además:
𝑉𝑥 𝑉𝑥 𝑉𝑥 𝑦 𝑧
𝐼𝑥 = = 𝜌𝑥 =
𝑅𝑥 𝜌𝑥
𝑦𝑧
En donde 𝑅𝑥 es la resistencia de la pastilla en la dirección 𝑥. Reemplazando la expresión de la
corriente en la expresión del factor de Hall, se obtiene:
𝑉𝑦 𝑧 𝑉𝑦 𝜌 𝑥
𝑅𝑛 = − =−
𝑉𝑥 𝑦 𝑧 𝑉𝑥 𝑦 𝐵𝑧
𝜌 𝑥 𝐵𝑧
Despejando el valor de 𝑉𝑦 :
𝑅𝑛 𝑉𝑥 𝑦 𝐵𝑧
𝑉𝑦 = −
𝜌𝑥
𝑉𝑠
Teniendo en cuenta que 1𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠 = 10−8 𝑐𝑚2, se reemplazan valores obteniendo:
𝑉𝑦 = 3,2𝑚𝑉
b) Concentración de portadores.
Utilizando la expresión de la constante de Hall vista en el ejercicio 1.15:
1 1
𝑅𝑛 = − → 𝑛𝑜 = −
𝑞𝑛𝑜 𝑞𝑅𝑛
𝑛𝑜 = 7,8 × 1014 𝑐𝑚−3
c) Movilidad.
𝜇𝑛 = −𝜎𝑅𝑛
𝑅𝑛
𝜇𝑛 = −
𝜌
𝑐𝑚2
𝜇𝑛 = 1600
𝑉𝑠
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Ejercicio 1.17
¿Cuántos gramos de In se deben agregar a 100g de Si para tener una resistividad de 10Ω𝑐𝑚?
Suponer que el In está uniformemente distribuido y que todos los átomos de impureza están
ionizados.
Resolución:
Como el In es aceptor, el material resultante de la contaminación será tipo P. Vamos a suponer que
𝑝𝑜 ≫ 𝑛𝑜 a los efectos de un primer tanteo. Si esto se verifica podremos decir que:
1 𝜎
𝜎= = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 ) ≅ 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝑜 → 𝑝𝑜 ≅
𝜌 𝜌𝑞𝜇𝑝
Reemplazando valores:
𝑝𝑜 ≅ 1,3 × 1015 𝑐𝑚−3
Como el material es silicio, en donde 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3, se verifica que 𝑛𝑜 será del orden de
105 𝑐𝑚−3, o sea que la suposición hecha es correcta.
Como trabajamos a la temperatura ambiente, supondremos que todos los átomos de impureza están
ionizadas, con lo que se verificará que:
𝑝𝑜 = 𝑁𝑎 = 1,3 × 1015 𝑐𝑚−3
Tenemos como datos la densidad del silicio y el peso atómico del In:
𝑔 𝑔
𝑑𝑆𝑖 = 2,33 𝑃𝑎𝐼𝑛 = 114,8
𝑐𝑚3 𝑚𝑜𝑙
El volumen de la muestra será:

𝑀𝑆𝑖 100𝑔
𝑉𝑆𝑖 = = = 42,9𝑐𝑚3
𝑑𝑆𝑖 2,33 𝑔
𝑐𝑚3
El número total de átomos de In que debemos agregar será:
𝑛°𝐼𝑛 = 𝑉𝑆𝑖 𝑁𝑎 = 42,9𝑐𝑚3 1,3 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑛°𝐼𝑛 = 5,58 × 1016 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
Para saber cuántos gramos de In corresponde a esa cantidad de átomos, planteamos la siguiente
proporción:
𝑁𝑜 (𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝐴𝑣𝑜𝑔𝑎𝑑𝑟𝑜) 𝑛°𝐼𝑛
=
𝑃𝑎𝐼𝑛 𝑃𝐼𝑛
𝑛°𝐼𝑛 𝑔 5,58 × 1016 á𝑡
𝑃𝐼𝑛 = 𝑃𝑎𝐼𝑛 = 114,8
𝑁𝑜 𝑚𝑜𝑙 6,02 × 1023 á𝑡/𝑚𝑜𝑙
𝑃𝐼𝑛 = 1,064 × 10−5 𝑔

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Ejercicio 1.18
A 10kg de Si se le agregan 2mg de As y 5mg de In. ¿Qué tipo de material queda y cuál es su
conductividad?
Resolución:
Debemos averiguar qué cantidad de impurezas donoras agregan por cm3 de silicio los 2mg de As y
qué cantidad de impurezas aceptoras agregan los 5mg de In. De esta manera tendremos Nd y Na y
podremos calcular 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 para obtener la conductividad del material.
El número de átomos de As que corresponde a un peso de 2mg en 10kg de Si será:
𝑁𝑜 −3
6,02 × 1023 á𝑡/𝑚𝑜𝑙
𝑛°𝐴𝑠 = 𝑚𝐴𝑠 = 2 × 10 𝑔
𝑃𝑎𝐴𝑠 74,9𝑔/𝑚𝑜𝑙
𝑛°𝐴𝑠 = 1,61 × 1019 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
El número de átomos de In que corresponde a un peso de 5mg en 10kg de Si será:
𝑁𝑜 −3
6,02 × 1023 á𝑡/𝑚𝑜𝑙
𝑛°𝐼𝑛 = 𝑚𝐼𝑛 = 5 × 10 𝑔
𝑃𝑎𝐼𝑛 114,8𝑔/𝑚𝑜𝑙
𝑛°𝐼𝑛 = 2,62 × 1019 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
Ese número de átomos es para 10kg de Si. Como lo queremos por unidad de volumen, debemos ver
qué volumen de Si corresponde a 10kg:
𝑚𝑆𝑖 10 × 103 𝑔
𝑉𝑆𝑖 = =
𝑑𝑆𝑖 2,33𝑔/𝑐𝑚3
𝑉𝑆𝑖 = 4,29 × 103 𝑐𝑚3
Las cantidades de impurezas por cm3 de cristal serán:
𝑛°𝐴𝑠 1,61 × 1019
𝑁𝑑 = = = 3,75 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑉𝑆𝑖 4,29 × 103 𝑐𝑚3
𝑛°𝐼𝑛 2,62 × 1019
𝑁𝑎 = = = 6,11 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑉𝑆𝑖 4,29 × 103 𝑐𝑚3
Queda material tipo p, pues Na > Nd:
𝑁 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
𝑁 = −2,36 × 1015 𝑐𝑚−3
Estamos en condiciones de hallar 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 para calcular la conductividad. Como 𝑁 ≫ 𝑛𝑖 puede
escribirse:
𝑝𝑜 ≅ 𝑁 ≅ 2,36 × 1015 𝑐𝑚−3
𝑛𝑖 2 2,25 × 1020 𝑐𝑚−3
𝑛𝑜 ≅ = = 95,74 × 103 𝑐𝑚−3
𝑝𝑜 2,36 × 1015 𝑐𝑚−3
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La conductividad será:
𝑐𝑚2
𝜇𝑛 = 1350
𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 ) 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑠
𝑐𝑚2
𝜇𝑝 = 480
𝑉𝑠
𝜎 = 0,18Ω𝑐𝑚−1
Ejercicio 1.19
A una muestra de Ge a 300°K se le ha agregado Ga en la proporción de 1015 átomos/ cm3. Obtener:
a) El número de lagunas por cm3.
b) La posición del nivel de Fermi.
c) El porcentaje de ionización de impurezas.
d) El número de electrones libres por cm3.
Resolución:
a) Cálculo de 𝒑𝒐
Sabemos que el número de lagunas por cm3 surge de la resolución del sistema de ecuaciones:
𝑛𝑜 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 2
{
𝑛𝑜 − 𝑝𝑜 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
Siendo 𝑁𝑎 = 1015 𝑐𝑚−3 y 𝑁𝑑 = 0. En realidad tendría que ser 𝑁𝑎 − , o sea el número de impurezas que
se hallan ionizadas. Siempre hemos supuesto que a la temperatura ambiente están ionizadas en su
totalidad, con lo que 𝑁𝑎 − = 𝑁𝑎 . Si esto es cierto, por ser en nuestro caso 𝑝𝑜 ≫ 𝑛𝑜 , será:
𝑝𝑜 ≅ 𝑁𝑎 = 1015 𝑐𝑚−3
Cuando desarrollemos el punto c), verificaremos si es correcto suponer que todas las impurezas se
hallan ionizadas.
b) Posición del nivel de Fermi

La posición del nivel de Fermi quedará conocida en cuanto hallemos 𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 y 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 (ver figura),
siendo 𝐸𝑐 la energía del fondo de la banda de conducción, 𝐸𝑓 la del nivel de Fermi y 𝐸𝑣 la de la tapa
de la banda de valencia.
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Según se ha visto en las clases teóricas, la concentración de lagunas en un semiconductor

extrínseco en equilibrio térmico en función de la energía y de la temperatura es:
𝐸𝑓 −𝐸𝑣
𝑝𝑜 = 𝑁𝑣 𝑒 − 𝐾𝑇
Siendo:
3/2
2𝜋 𝑚𝑝∗ 𝐾𝑇
𝑁𝑣 = 2 ( )
ℎ2
𝑁𝑣 es el máximo valor que puede adoptar 𝑝𝑜 para que la expresión siga siendo válida, dado que si 𝑝𝑜
fuera mayor que 𝑁𝑣 la exponencial tendría que ser positiva, lo que implicaría que 𝐸𝑣 > 𝐸𝑓 . Esto solo
sucede en los semiconductores degenerados o semimetales en los que el nivel de Fermi se
encuentra dentro de la banda de valencia y corresponde a semiconductores fuertemente
contaminados. En realidad, 𝑁𝑣 tiene el concepto aquí de un 𝑝𝑜 “crítico”, por encima del cual aparece
interacción entre los portadores o sea que no podemos hacer la suposición de contaminación diluida.
No olvidemos que la expresión de 𝑝𝑜 anterior tiene la forma de la estadística de Maxwell-Boltzman, la
cual sólo tiene aplicación para partículas clásicas o para partículas cuánticas que no interaccionan
entre sí, lo que se da en semiconductores contaminados débilmente (𝑝𝑜 < 𝑁𝑣 ).
En efecto la estadística de Fermi-Dirac es:
1
𝑓𝑗 = 𝐸𝑗 −𝐸𝑓
1+𝑒 𝐾𝑇
Si la contaminación es débil significa que hay muy pocos portadores ocupando los numerosos
estados permitidos de la banda de valencia, de manera que será 𝑓𝑗 ≪ 1. Para que esto suceda
𝐸𝑗−𝐸𝑓
deberá ser 𝑒 𝐾𝑇 ≫ 1, de donde:
𝐸𝑗 −𝐸𝑓
𝑓𝑗 = 𝑒 − 𝐾𝑇
Que es la forma de la estadística de Maxwell-Boltzman.

Calcularemos el valor de 𝑁𝑣 reemplazando valores en su expresión siendo para germanio:
𝑚𝑝∗ = 0,37𝑚 ℎ = 6,62 × 10−34 𝐽/𝑠
𝐾 = 1,38 × 10−23 𝐽/°𝐾 𝑚 = 9,11 × 10−31 𝑘𝑔
24
𝑘𝑔 3/2
𝑁𝑣 = 5,66 × 10 ( 2)
𝐽𝑠
𝑘𝑔 𝑚 𝑘𝑔 𝑚2
Recordando que 𝐽 = 𝑁𝑚 = 𝑠2
𝑚 = 𝑠2
:
𝑁𝑣 = 5,66 × 1024 ( 𝑚−2 )3/2

𝑁𝑣 = 5,66 × 1024 𝑚−3
𝑁𝑣 = 5,66 × 1018 𝑐𝑚−3
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Calcularemos el valor de 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 despejándolo de la expresión de 𝑝𝑜 :

𝐸𝑓 −𝐸𝑣 𝑁𝑣
𝑝𝑜 = 𝑁𝑣 𝑒 − 𝐾𝑇 → 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 𝐾𝑇 ln
𝑝𝑜
𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 3,58 × 10−20 𝐽
Siendo 1𝑒𝑉 = 1,6 × 10−19 𝐽 queda:
𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 223,75 × 10−3 𝑒𝑉
Del diagrama de energía vemos que si conocemos 𝐸𝑐 − 𝐸𝑣 = 𝐸𝑔 podemos hallar 𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 = por simple
resta. De la tabla de constantes, para el germanio a T=300°K:
𝑒𝑉
𝐸𝑔 = 0,782𝑒𝑉 − 3,9 × 10−4 𝑇
°𝐾
𝐸𝑔 = 0,665𝑒𝑉
Luego:
𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 = 𝐸𝑔 − (𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 )
𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 = 441,25 × 10−3 𝑒𝑉
En la figura anterior hemos ubicado el nivel de Fermi dentro de la banda prohibida, para 300°K. Es
importante recalcar que la posición del nivel de Fermi hallada es para 300°K, dado que el mismo
varía con la temperatura.
c) Porcentaje de ionización de impurezas

Según se sabe de la explicación teórica, el valor de la función 𝑓𝑗 de la estadística de Fermi-Dirac nos
da la probabilidad de ocupación de un estado dinámico cuya energía sea 𝐸𝑗 , a través de la expresión:
1
𝑓𝑗 = 𝐸𝑗 −𝐸𝑓
1+𝑒 𝐾𝑇
Su valor puede oscilar entre 0 y 1 según sea que el estado no tenga ninguna probabilidad de
ocupación o que su ocupación sea una certeza.
Un sistema cuántico cualquiera, de acuerdo con el principio de exclusión de Pauli, no puede tener
dos estados dinámicos j iguales, entendiendo por sistema cuántico a aquel que está integrado por un
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conjunto atómico que interaccionan entre sí (por ejemplo un cristal). Para medir conceptualmente el
valor de 𝑓𝑗 de un estado determinado del sistema existen dos posibilidades:
1) Examinar el estado de un sistema durante un lapso de tiempo muy largo T y medir la

sumatoria de intervalos de tiempo en que ese estado estuvo ocupado ∑ Δ𝑡𝑜 . El valor de 𝑓𝑗
será:
∑ Δ𝑡𝑜
𝑓𝑗 =
𝑇
2) Tomar un conjunto n muy grande de sistemas iguales y contar en un instante de tiempo
determinado la cantidad de estados n’ que se hallan ocupados. El valor de 𝑓𝑗 será:
𝑛′
𝑓𝑗 =
𝑛
Vemos entonces que 𝑓𝑗 representa el porcentaje de ocupación de un estado energético 𝐸𝑗 . Como en
un sistema cuántico no puede haber dos estados iguales, no podremos tener dos energías 𝐸𝑗 iguales
y por ende cada valor de 𝑓𝑗 será único.
El problema nuestro es determinar el porcentaje de ionización de impurezas, que no es otra cosa que
la determinación de 𝑓𝑗 para todos los estados permitidos creados por las impurezas aceptoras. Al
valor de 𝑓𝑗 correspondiente a las impurezas lo llamaremos 𝑓𝑗𝑖 . Esos estados permitidos coincidirán
con la cantidad de impurezas introducidas en el cristal y su energía coincidirá con la energía 𝐸𝑎 del
nivel aceptor:
𝐸𝑗𝑖 = 𝐸𝑎
En este caso, por ser 𝑁𝑎 = 1015 𝑐𝑚−3 , la concentración será diluida. Dado que la concentración por
encima de la cual comienza a haber interacción es del orden de 1018 𝑐𝑚−3 (Nv), para nuestro caso la
interacción será nula y pueden coexistir todos los estados permitidos en el mismo nivel energético.
Eso es posible pues al no haber interacción, cada estado creado por una impureza constituye un
sistema cuántico distinto.
Debemos aplicar la expresión de la estadística de Fermi-Dirac, que queda representada por la figura
siguiente:
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Según la tabla de constantes, vemos que el galio tiene una energía de ionización igual a 0,0108eV,
luego:
𝐸𝑎 − 𝐸𝑣 = 𝐸𝑗 − 𝐸𝑣 = 0,0108𝑒𝑉
Del diagrama de energías vemos que:

𝐸𝑓 − 𝐸𝑗 = 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 − (𝐸𝑗 − 𝐸𝑣 )
𝐸𝑓 − 𝐸𝑗 = 0,22375𝑒𝑉 − 0,0108𝑒𝑉 = 0,21295𝑒𝑉
Luego:
𝐸𝑗 − 𝐸𝑓 = −0,21295𝑒𝑉
Que expresada en Joules queda:

𝐸𝑗 − 𝐸𝑓 = −3,41 × 10−20 𝐽
Reemplazando valores en la expresión de Fermi-Dirac:

1
𝑓𝑗𝑖 = −3,41×10−20 𝐽
−23 𝐽
1 + 𝑒 1,38×10 °𝐾×300°𝐾
𝑓𝑗𝑖 = 0,999735
Vemos que las impurezas de galio están ionizadas en un 99,735%, lo que da validez a nuestra
suposición hecha en el punto a) de que la totalidad de las impurezas estaban ionizadas.
d) Número de electrones libres.

Sabemos que:
2
𝑛𝑖 2
𝑛𝑜 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 → 𝑛𝑜 =
𝑝𝑜
Siendo 𝑛𝑖 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 y 𝑝𝑜 = 1015 𝑐𝑚−3 se obtiene:
𝑛𝑜 = 5,76 × 1011 𝑐𝑚−3

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Ejercicio 1.20
a) Determinar analíticamente el valor de la concentración intrínseca de portadores en germanio
a 290°K.
b) Determinar la posición del nivel de Fermi.
Resolución:
a) Concentración intrínseca
Aplicamos la expresión:
𝐸𝑔
𝑛𝑖 (𝑇) = 𝐶𝑇 3/2 𝑒 −2𝑘𝑇
Siendo:
2𝜋𝑘 3/2 3/4

𝐶 = 2 ( 2 ) (𝑚𝑛∗ 𝑚𝑝∗ )
ℎ
𝑘 = 1,38 × 10−23 𝐽/𝐾 𝑚𝑝∗ = 0,37 × 𝑚
𝐺𝑒
ℎ = 6,63 × 10−34 𝐽𝑠 𝑚 = 9,11 × 10−31 𝑘𝑔

𝑚𝑛∗ 𝐺𝑒 = 0,55 × 𝑚
𝐶 = 1,46 × 1021 𝐾 −3/2 𝑚−3
𝐶 = 1,46 × 1015 𝐾 −3/2 𝑐𝑚−3
𝑒𝑉
𝐸𝑔 = 0,782𝑒𝑉 − 3,9 × 10−4 ×𝑇
𝐾
𝐸𝑔 = 0,6689𝑒𝑉 = 1,07 × 10−19 𝐽
Reemplazando valores, se obtiene la concentración intrínseca de portadores:
𝑛𝑖 (290𝐾) = 1,13 × 1013 𝑐𝑚−3
b) Nivel de Fermi
Para hallar la posición del nivel de Fermi, utilizamos las expresiones que nos dan las
concentraciones 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 en función de la energía y de la temperatura:
2𝜋 𝑚𝑛∗ 𝑘 𝑇 3/2 −𝐸𝑐 −𝐸𝑓

𝑛𝑜 = 2 ( ) 𝑒 𝑘𝑇
ℎ2
3/2
2𝜋 𝑚𝑝∗ 𝑘 𝑇 𝐸𝑓 −𝐸𝑣
𝑝𝑜 = 2 ( ) 𝑒− 𝑘𝑇
ℎ2
Como el material es intrínseco, será 𝑛𝑜 = 𝑝𝑜 . Dividiendo miembro a miembro las ecuaciones

anteriores:
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3/2
𝑚𝑛∗ (𝐸𝑐 −𝐸𝑓 )−(𝐸𝑓 −𝐸𝑣 )
1 = ( ∗) 𝑒− 𝑘𝑇
𝑚𝑝
3/2
𝑚𝑛∗ (𝐸𝑐 −𝐸𝑓 )−(𝐸𝑓 −𝐸𝑣 )
( ) =𝑒 𝑘𝑇
𝑚𝑝∗
3 𝑚𝑛∗
𝑘𝑇 ln ( ∗ ) = (𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 ) − (𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 )
2 𝑚𝑝
En esta ecuación tenemos dos incógnitas: (𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 ) y (𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 ). Debemos plantear otra ecuación en
la que intervengan estas mismas incógnitas, que será:
𝐸𝑔 = (𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 ) + (𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 )
Resolviendo el sistema de ecuaciones (suma miembro a miembro):

3 𝑚𝑛∗ 1
𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 = 𝑘𝑇 ln ( ∗ ) + 𝐸𝑔
4 𝑚𝑝 2
Reemplazando valores se obtiene (utilizar constante de Boltzmann en unidades [eV/K]):
𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 = 0,3419𝑒𝑉
Despejando la otra incógnita y reemplazando se obtiene:
𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 𝐸𝑔 − (𝐸𝑐 − 𝐸𝑓 )
𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 0,327𝑒𝑉
Se observa que el nivel de Fermi no estará exactamente en el centro de la banda prohibida, sino más
cerca de la banda de valencia. Esto es debido a que 𝑁𝑐 no es igual a 𝑁𝑣 por la diferencia de valores
entre las masas efectivas de electrones y lagunas.
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EJERCICIOS PARA RESOLVER
Ejercicio 1.101
Calcular la concentración de impurezas donoras en Ge, necesaria para obtener una resistencia de
100Ω en un volumen de semiconductor de 0,1𝑚𝑚 de longitud y una sección de 0,02𝑚𝑚 × 0,01𝑚𝑚.
Respuesta: 𝑛𝑜 = 8 × 1016 𝑐𝑚−3
Ejercicio 1.102
Determinar la movilidad de los electrones en el cobre siendo la resistividad de 1,69 × 10−6 Ω𝑐𝑚 y
considerando que, como metal, cada átomo provee un electrón al proceso de conducción.
Respuesta: 𝜇𝑛 = 43,17𝑐𝑚2 /𝑉𝑠
Ejercicio 1.103
Calcular el tiempo de vida medio de los portadores en cobre, germanio y silicio intrínsecos a 300°K.
Respuesta: 𝜏𝐶𝑢 = 2,46 × 10−14 𝑠
𝜏𝐺𝑒 = 1,22 × 10−12 𝑠
𝜏𝑆𝑖 = 8,46 × 10−13 𝑠
Ejercicio 1.104
Determinar en qué porcentaje aumenta la conductividad en Ge intrínseco al aumentar 1°K la
temperatura, partiendo de 300°K. Suponer que la movilidad es independiente de la temperatura.
∆𝜎
Respuesta: [%] = 4,78%
𝜎
Ejercicio 1.105
Evaluar 𝑝𝑜 y 𝑛𝑜 y determinar el tipo de material, P o N, en una pastilla de germanio en los casos
siguientes:
a) 𝑁𝑑 = 2 × 1014 𝑐𝑚−3, 𝑁𝑎 = 3 × 1014 𝑐𝑚−3, 𝑇 = 300°𝐾.
b) 𝑁𝑑 = 𝑁𝑎 = 1015 𝑐𝑚−3, 𝑇 = 300°𝐾.
c) 𝑁𝑑 = 2 × 1014 𝑐𝑚−3, 𝑁𝑎 = 3 × 1014 𝑐𝑚−3, 𝑇 = 400°𝐾.
Respuesta:
a) Material tipo P, 𝑛𝑜 = 5,46 × 1012 𝑐𝑚−3 , 𝑝𝑜 = 1,055 × 1014 𝑐𝑚−3
b) Material intrínseco, 𝑛𝑜 = 𝑝𝑜 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3
c) Material tipo P, 𝑛𝑜 = 5,46 × 1012 𝑐𝑚−3 , 𝑝𝑜 = 1,055 × 1014 𝑐𝑚−3
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Ejercicio 1.106
Determinar la conductividad de una barra semiconductora que tiene una concentración intrínseca
𝑛𝑖 = 1017 𝑐𝑚−3, siendo 𝑝𝑜 = 1,1 × 1012 𝑐𝑚−3 a una temperatura de 575°K.
Considerar que:
−1,66 −2,33
𝑚2 𝑇 𝑚2 𝑇
𝜇𝑛 = 0,39 ( ) 𝜇𝑝 = 0,19 ( )
𝑉𝑠 300°𝐾 𝑉𝑠 300°𝐾
Respuesta: 𝜎 = 1,93 × 106 (Ω𝑐𝑚)−1
Ejercicio 1.107
Determinar la concentración de impurezas necesaria para obtener la menor conductividad posible en
germanio y silicio a 300°K.
Respuesta: 𝑁𝑎𝐺𝑒 = 1,76 × 1013 𝑐𝑚−3
𝑁𝑎𝑆𝑖 = 1,63 × 1010 𝑐𝑚−3
Ejercicio 1.108
Se tiene 1𝜇𝑔 de Sb y 1𝜇𝑔 de In.
a) ¿Cuál debe usarse para obtener la mínima conductividad posible en Si a 300°K?
b) ¿Cuántos gramos de Si se pueden obtener en estas condiciones usando el microgramo del
material seleccionado?
Respuesta:
a) Indio.
b) 𝑚𝑆𝑖 = 749588𝑔
Ejercicio 1.109
Una barra semiconductora de Ge en equilibrio térmico posee una concentración de electrones
𝑛 = 4 × 1013 𝑐𝑚−3 a 250°K, generándose una cantidad de pares electrón-laguna 𝐺𝑇 [𝑐𝑚−3 𝑠 −1 ].
La barra se ilumina uniformemente con una luz penetrante que crea un número constante de pares
𝑔𝑙 = 104 𝐺𝑇 . Determinar los valores estacionarios de 𝑛 y 𝑝.
Respuesta: 𝑛 = 1,66 × 1014 𝑐𝑚−3 ; 𝑝 = 1,26 × 1014 𝑐𝑚−3
Ejercicio 1.110
Se tiene un semiconductor a 300°K cuyas dimensiones son: 𝑥 = 0,2𝑐𝑚, 𝑦 = 0,5𝑐𝑚, 𝑧 = 0,1𝑐𝑚. Se
aplica un campo magnético 𝐵𝑧 = 1𝑘𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠 y una tensión 𝑉𝑦 = 2,5𝑉. En el amperímetro se lee 𝐼𝑦 =
0,01𝐴 y en el voltímetro 𝑉𝑥 = −1,35 × 10−2 𝑉.
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Determinar:
a) Material (Si o Ge)
b) Tipo (P o N)
c) 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 .
[Rta: a) Si, b) N, c) 𝑛𝑜 = 4,63 × 1014 𝑐𝑚−3 ; 𝑝𝑜 = 48,6 × 102 𝑐𝑚−3]
Respuesta:
a) Silicio.
b) Tipo N.
c) 𝑛𝑜 = 4,62 × 1014 𝑐𝑚−3
d) 𝑝𝑜 = 4,87 × 105 𝑐𝑚−3
Ejercicio 1.111
Cuántos mg de Sb se deben agregar a 6kg de silicio que ya tiene incorporado 2mg de Boro, de modo
que la cantidad de impurezas por 𝑐𝑚3 sea 𝑁 = 2,5 × 1016 𝑐𝑚−3 .
Respuesta: 𝑚𝑆𝑏 = 35,61𝑚𝑔
Ejercicio 1.112
Calcular la energía que separa 𝐸𝑓 de 𝐸𝑣 en una muestra de Si tipo P, con una concentración de
átomos aceptores 𝑁𝑎 = 5 × 1014 𝑐𝑚−3 a 300°K.
Respuesta: 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 0,2593𝑒𝑉
Ejercicio 1.113
Determinar el nivel de contaminación necesario de Ga en silicio, para obtener un 99,99% de
ionización a 300°K.
Respuesta: 𝑁𝑎 = 9,27 × 1013 𝑐𝑚−3
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Ejercicio 1.114
Calcular la energía del nivel de Fermi en silicio intrínseco, respecto de la tapa de la banda de
valencia, medida en eV.
Respuesta: 𝐸𝑓 − 𝐸𝑣 = 0,5294𝑒𝑉
Ejercicio 1.115
Definir la cantidad de gramos de Al necesaria para que una barra de Ge de 100g tenga una
conductividad 10 veces mayor que la intrínseca.
Respuesta: 𝑚𝐴𝑙 = 6,15 × 10−7 𝑔
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CONTROL DE VERSIONES
FECHA REVISIÓN CAMBIO

07/4/2021 0.1 Corrección de unidad (mm2) en enunciado de ejercicio 1.13
26/3/2023 0.2 Corrección de signo de Ej – Ef en ejercicio 1.19 c)

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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL HAEDO

Profesor: Ing. Sebastián Gonzalez

INTRODUCCIÓN TEÓRICA ................................................................................................................ 4

Ejercicio 1.103 ............................................................................................................................... 37

I. Ionización de las impurezas donoras y aceptoras en el semiconductor.

Despejando la velocidad de (I-2):

Reemplazando (I-3) en (I-1):

Dividiendo (I-5) por (I-4):

I.2) Cálculo de la energía de ionización de la impureza

Reemplazando valores da 𝐸 = −13,58𝑒𝑉, o sea que 𝐸𝑔 = 13,58𝑒𝑉.

Si consideramos el átomo hidrogenoide:

Dividiendo (I-8) por (I-7) queda:

II. Concentración de portadores en equilibrio térmico

Queremos analizar la solución general de ambos sistemas.

II.1) Problemas que dan como dato las concentraciones de impurezas.

Para material tipo P:

Para un material tipo P:

II.2) Problemas que dan como dato la conductividad.

Cuya solución es:

Multiplicando ambas ecuaciones miembro a miembro:

III. Relación entre la concentración de impurezas y la masa del material contaminante.

El número de átomos de impurezas que debemos agregar será:

𝑚𝑖𝑚 da la cantidad de gramos de material contaminante que debe agregarse a la masa de

III.2) Determinación del número impurezas conociendo la masa de material contaminante y

Ese número de átomos de impurezas corresponde a toda la masa de semiconductor 𝑀𝑠𝑒 .

Para el caso de T=200°K, se observa que 𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 . Se podría haber aplicado la resolución

Para el caso de T=300°K, 𝑛𝑜 ≅ 𝑝𝑜

b) En este caso hay impurezas aceptoras y donoras en el semicondutor, con lo cual:

𝑁 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3 − 4,8 × 1013 𝑐𝑚−3

b) Se obtiene el tiempo de relajación utilizando la siguiente expresión:

Como 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖 2 /𝑛𝑜 , se obtiene 𝜎 = 𝑓(𝑛𝑜 )

Derivando 𝜎 respecto de 𝑛𝑜 y hallando el mínimo:

La conductividad mínima será:

𝜎 = 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 𝑚𝑖𝑛 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 𝑚𝑖𝑛 )

Reemplazando valores resulta:

𝜎𝑚𝑖𝑛 𝐺𝑒 = 20,9 × 10−3 (Ω 𝑐𝑚)−1

b) La conductividad intrínseca del germanio a la misma temperatura será:

Reemplazando valores se obtiene:

𝐺𝑇 + 𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇) (𝑛𝑜 + 𝑛′ )(𝑝𝑜 + 𝑝′)

𝑔𝐿 = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑛′ + 𝑟(𝑇) 𝑛′ 𝑝𝑜 + 𝑟(𝑇)𝑛′ 𝑛′

b) En Si a 300°K: 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3 , 𝑃𝑎 𝑆𝑖 = 28 𝑔/𝑚𝑜𝑙, 𝑑𝑆𝑖 = 2,33𝑔/𝑚𝑜𝑙

𝑁𝑆𝑖 = 5 × 1022 𝑐𝑚−3

c) Si la temperatura es de 400°K: 𝑛𝑖 𝐺𝑒 = 1,6 × 1015 𝑐𝑚−3 ; 𝑛𝑖 𝑆𝑖 = 8 × 1012 𝑐𝑚−3 .

Los pocentajes para germanio y silicio serán:

d) Si se agregan impurezas donoras, se agregarán electrones libres en igual cantidad, siendo en

𝑁𝑑 𝑁𝑑 2 1014 𝑐𝑚−3 (1014 𝑐𝑚−3 )2

𝑛𝑜 = 1,054 × 1014 𝑐𝑚−3

Para Silicio a 300°K:

𝑝𝑜 2,26 × 106 𝑐𝑚−3

Para Germanio a 400°K:

Para Silicio a 400°K:

𝑁𝑑 𝑁𝑑 2 1014 𝑐𝑚−3 (1014 𝑐𝑚−3 )2

Reemplazando valores se obtiene:

𝑛𝑜 = 4,8 × 1017 𝑐𝑚−3

Las densidades de corriente serán:

𝑝𝑜 = 7,81 × 1014 𝑐𝑚−3

𝑛𝑖 = 1,53 × 1015 𝑐𝑚−3

0,001 𝑞(𝜇𝑛 𝑛𝑜 + 𝜇𝑝 𝑝𝑜 ) = 𝑞𝜇𝑝 𝑝𝑜

Reemplazando 𝑛𝑖 = 2,4 × 1013 𝑐𝑚−3, 𝜇𝑝 = 1900𝑐𝑚2, 𝜇𝑛 = 3900𝑐𝑚2:

𝑝𝑜 = 1,09 × 1012 𝑐𝑚−3

Con 𝑛𝑜 y 𝑝𝑜 se puede calcular la conductividad:

En donde 𝑝′(0) es el exceso en el plano 𝑥 = 0 y 𝐿𝑃 es la longitud de difusión. Como conocemos el