Componentes Electrónicos

El diodo

Profesor: Rodrigo Garrido V

Componentes electrónicos: El diodo

• Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

• La unión P-N

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco

Si Si Si 0ºK

Si Si Si Si: silicio
Grupo IV de la
tabla periódica

Si Si Si

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco

Si Si Si 0ºK

+
Si Si Si 300ºK
Electrón
Hueco
Si Si Si

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco: acción de un campo eléctrico

- +
Si Si Si
- +

- + + +
Si Si Si
- +

- +
Si Si Si

- +

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor intrínseco: acción de un campo eléctrico

Conclusiones:

➢La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de

portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES

➢La temperatura afecta fuertemente a las propiedades

eléctricas de los semiconductores:

mayor temperatura ➔ más portadores de carga ➔

menor resistencia

Profesor: Rodrigo Garrido V

 Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO N

Sb: antimonio
Si Si Si Impurezas del
grupo V de la
tabla periódica

Si Sb
Si Si
+
Es necesaria muy
poca energía para
ionizar el átomo
Si Si Si de Sb

A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco : TIPO N

+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb
Impurezas grupo V
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
300ºK
+
Sb +
Sb +
Sb

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres

Profesor: Rodrigo Garrido V

 Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco : TIPO P

Al: aluminio
Si Si Si Impurezas del
grupo III de la
tabla periódica

Si Al
Si Si
+ - Es necesaria muy
poca energía para
ionizar el átomo
Si Si Si de Al

A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se encuentran ionizados

Profesor: Rodrigo Garrido V

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO P

-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
Impurezas grupo III
-
Al -
Al
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
300ºK
-
Al -
Al -
Al

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N
La unión P-N en equilibrio
La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N
La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay

circulación de corriente.

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unión.

Profesor: Rodrigo Garrido V

Caída de tensión en el diodo cuando es recorrido por una
Corriente eléctrica
Diodo alternador Puente rectificador Diodo zener

Diodo shotty Diodo rosca

Diodo
rectificador Diodo alta potencia

Diodo led
Diodo fast
 Características de los Diodos Mas Utilizados

Diodos Conmutadore
s
Diodos Serie: 1N4000
Diodos Serie: P600
Descripción
1N4001 1 Amper 50V
RECTIFICADOR Descripción Descripción
1N4002 1 Amper 100V P600A/6A05 6A 50V
RECTIFICADOR 1N
1N4003 1 Amper 200V
P600B/6A1 6A 100V 4148 200mA
RECTIFICADOR
P600D/6A2 6A 200V
75 V
1N4004 1 Amper 400V
RECTIFICADOR
P600G/6A4 6A 400V
1N4005 1 Amper 600V
RECTIFICADOR 1N
P600J/6A6 6A 600V
1N4006 1 Amper 800V 914 200mA 1
RECTIFICADOR
P600K/6A8 6A 800V 00 V
1N4007 1 Amper 1000V
RECTIFICADOR
P600M/6A10 6A
1000V
Características de los Diodos Mas
Utilizados

Diodos Serie: 1N5400

Descripción
1N5400 50 VPI 3AMP
Rectificador
1N5401 100 VP 3AMP
Rectificador
1N5402 200 VPI 3AMP
Rectificador
1N5403 300 VPI 3AMP
Rectificador
1N5404 400 VPI 3AMP
Rectificador
1N5405 500 VPI 3AMP
Rectificador
1N5406 600 VPI 3AMP
Rectificador
1N5407 800 VPI 3AMP
Rectificador
1N5408 1000 VPI 3AMP
Rectificador

Profesor: Rodrigo Garrido V

La unión P-N

Conclusiones:

➢Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente

➢Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación

de corriente eléctrica

P N
A K

DIODO SEMICONDUCTOR

Profesor: Rodrigo Garrido V