TEMA 6 DISPOSITIVOS

ELECTRÓNICOS
1.1Teoría de las bandas de los sólidos
1.2 Conducción eléctrica en semiconductores
1.2.1 Conducción en semiconductores intrínsecos
1.2.2 Conducción en semiconductores extrínsecos
1.2.3 Mecanismos de transporte de carga
1.3 Diodos
1.3.1 Polarización directa de un diodo
1.3.2 Polarización inversa de un diodo
1.3.3 Curva característica
1.3.4 Modelos equivalentes
1.3.5 Diodos en conmutación
Ejercicio 7 2ª semana 2011
Silicio: Átomo,
Modelo de enlace y
estructura crsitalina
Semiconductor Intrínseco– Extrínseco.
Semiconductor extrínseco : TIPO N +
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb
Sb: antimonio +
Impurezas grupo V
Si Si Si +
Sb Sb
+
Sb +
Sb
Impurezas del grupo V de +
Sb
la tabla periódica +
Sb
+
Sb
300ºK
+
Sb +
Sb +
Sb
Es necesaria muy poca
Si Sb
Si Si energía para ionizar el
+ Electrones libres Átomos de impurezas ionizados
átomo de Sb

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Si Si Si
Electrones libres

Semiconductor extrínseco : TIPO P -

Al
-
Al
-
Al -
Al

-
Al -
Al
Al: aluminio -
Al -
Al
Si Si Si -
Al -
Al
Impurezas del grupo III de -
Al
-
Al
-
300ºK
la tabla periódica -
Al -
Al -
Al Al

Es necesaria muy poca

Si Al
Si Si energía para ionizar el
Huecos libres Átomos de impurezas ionizados
+ - átomo de Al
A temperatura ambiente Los portadores mayoritarios de carga en un
todos los átomos de
Si Si Si impurezas se encuentran semiconductor tipo P son
ionizados Huecos. Actúan como portadores de carga
Semiconductores. La unión PN: el DIODO.

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada ‘zona de transición’. En ella los huecos de la zona P se
combinan con electrones de la zona N creando un campo eléctrico local que
actúa como una barrera para el paso de más portadores mayoritarios de cada
zona.
Semiconductores. La unión PN: el DIODO.
La unión P-N polarizada en directa
La zona de transición se hace P - - - + + + +
N
- +
-
más pequeña. -
-
- +
+
+

- + +
Los portadores mayoritarios - - -
+
- +
se dirigen a la unión - - - + + + +

La corriente comienza a
I +
circular por el diodo a partir
de un cierto umbral de tensión
directa. P N

La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
-
DIODO SEMICONDUCTOR
- +
-
-
-
-
+
+
+ +
+
La zona de transición se
- -

-
-
-
- + +
+
+
+
+
hace más grande.
-
Con polarización inversa
+
no hay circulación de
Conclusiones: corriente.
Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de
corriente eléctrica
Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente.
 1.3.4 Modelos equivalentes
• Modelo de Shockley
 Ejercicio 7 2ª semana 2011

• Considerando que el diodo está

en directa (on) ponemos su
circuito equivalente i
• Recorriendo la malla del circuito:
-6+i*(100+20)+0,6=0
i=(6-0,6)/120=0,045A • Como la corriente es mayor que 0
el supuesto de que el diodo
estaba on ha sido correcta
Ejercicio 9 septiembre 2011 tic

considerando que el diodo está en ON

malla1 : 10  i1  (5000  5000)  i2  (5000)  0

malla 2 : 6  i2  (5000  5000)  i1  5000  0

i1  0,93mA; i2  0,13mA; diodo off

vc  6V la corriente nos ha salido
en sentido contrario
 DIODO ZENER
• El diodo Zener tiene el mismo modelo equivalente de un diodo normal cuando
trabaja en directa (la corriente se debe a conducción de portadores minoritarios).
• En inversa tiene el siguiente modelo equivalente
 Ejercicio 8 septiembre 2011

► Considerando que el diodo está

en inversa ponemos su circuito
equivalente
► Recorriendo la malla del circuito:
20+i*(100+10)-5=0 i
i=(-15)/110=-0,136 A
1.3. Circuitos rectificadores de media
onda
vi vO
4V

Vo
R

Vi
0 t
-4V 0 t
• Ej9 1ª semana 2013
Rectificador de onda completa (1)

A
D1 D2

Vo
Vi

D3
D4
B
 Rectificador de onda completa (2)
B

A
D1 D2

Vo
Vi

A
D3
D4
D1 D2
B

Vo
Vi

D3 A
D4
D1
D2
B

Vo
Vi

D3
D4