DIODOS SEMICONDUCTORES

Electrónica industrial.
•Javier Alejandro Torres Ortega
•16910007

Facultad de Ingeniería
Germanio tipo P + +
+
Al- Al- + Al Al- Al-
300ºK
0ºK Al Al Al- Al + Al
-
+ + +
Generación
Al- Al Al Al- Al-
térmica
+ Al Al-+ Al- Al + Al
+ hueco
- ionizado
Aceptador no ionizado Germanio
electrón

Germanio tipo N - - - -
-
+ Sb+ Sb+ Sb+ Sb+ Sb+
Generación - - - -
térmica -
Sb+ Sb+ Sb+ Sb+ Sb+
-
••Ambos
Ambossonsonneutros
neutros
••Compensación
Compensaciónde de Donador ionizado Germanio
cargas
cargaseeiones
iones
 Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + +
- - -
+
Al- Al- Al-
-
Al - Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
- + + +
- - - +

Al - Al-+ Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+

- Sb+
+

Barrera que impide la difusión

¿Qué
¿Qué pasaría
pasaría si
si no
no existiera
existiera la
la
barrera
barrera que
que impide
impide la
la difusión?
difusión?
 Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
+
-
Al- Al-
-
Al Al - Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +

Al - Al-+ Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+

- Sb+
+

Se produce difusión de huecos de la zona P hacia la zona

N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

¿Se
¿Se va
va aa producir
producir una
una difusión
difusión
completa
completa de
de huecos
huecos yy electrones?
electrones?
ATE-UO PN 03
 ¿Se va a producir una difusión completa de huecos y
electrones?

Germanio “antes” tipo P Germanio “antes”tipo N

-
+ - +
- -
- - - - + Sb+ + Sb+ Sb+
Al Al Al Al Sb+ -
- - +
-
- Al- -
Al-
- + +
Al Al Sb+ Sb+ Sb+ Sb+
-
+ + +

Zona P no neutra, sino Zona N no neutra, sino

cargada negativamente cargada positivamente

¿Es
¿Es esta
esta situación
situación la
la situación
situación final?
final?
NO
NO
 Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
+
-
Al- Al-
-
Al Al - Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +

Al - Al-+ Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+

- Sb+
+
-  +

Aparece
Aparece un
un campo
campo eléctrico
eléctrico en
en la
la zona
zona de
de
contacto
contacto (unión
(unión metalúrgica)
metalúrgica) de
de las
las zonas
zonas
 Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + - - -
+
-
Al- Al Al- Al - Sb+ Sb+ Sb+ Sb+

Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+

- Sb+
+

-  +

Por campo eléctrico
Por difusión
El
Elcampo
campoeléctrico
eléctricolimita
limitaelelproceso
procesode
dedifusión
difusión
 +
-
+
Al- Al- -
Al- Sb+
-
Sb+ Sb+
-
Al Sb+
+
+
-
-
- - - Al- Sb+ Sb+
-
Al +Al Al+ Sb+ Sb+

Zona P NEUTRA
(huecos compensados
-  + Zona N NEUTRA
(electrones compensados
con “iones -”)  con “iones +”)

Zona
Zona de
de Transición
Transición
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial yyno
noexisten
existencasi
casiportadores
portadoresde
decarga
carga
 Muy
importante

Zona P + - Zona N
(neutra) (neutra)
Muchos
Muchoshuecos,
huecos,pero
neutra
pero -  + Muchos
Muchoselectrones,
pero
electrones,
peroneutra

neutra neutra

VO
 La unión PN polarizada (I)
+-
P N
+ - - + + -
VmP V O VNm
i=0

V=0
Luego:
V = 0, i = 0
Por tanto:
Conclusión:
Conclusión:
VmP - VO + VNm = 0 Los
Los potenciales
potenciales de de contacto
contacto de
de las
las uniones
uniones metal
metal
y semiconductor
semiconductor tienen
tienen que
que compensar
compensar elel potencial
potencial de
de
contacto
contactode
delalaunión
uniónsemiconductora.
semiconductora.
VmP + VNm = VO
 Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización directa
+-
P N
+ - - + + -
VmP V U VNm
i0
+ - Hipótesis
Hipótesis(bastante
(bastantereal):
real):los
lospotenciales
potencialesde
delos
los
V contactos metal-semiconductor no varían con
contactos metal-semiconductor no varían con
relación
relaciónalalcaso
casoanterior
anterior(V
(VmP+V
+VNm==VVO))
mP Nm O

V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
delalaunión
unión
semiconductora
semiconductoradisminuye.
disminuye.
VU = VO - V
 Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización inversa
+-
P N
+ - - + + -
VmP V VNm
i0
U

- +
V

V = -VmP + VU - VNm = -VO + VU

Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
delalaunión
unión
semiconductora
semiconductoraaumenta.
aumenta.
VU = VO + V
 Notación a usar en general
+-
P N
- +
V U
i
=
+
V
-
VU = VO - V,
(aparcamos la posibilidad
siendo: V < VO
real de que V >VO)
Conclusión:
Conclusión:
Polarización
Polarizacióndirecta:
directa: 00<<VV<V
<VO Muy
O
Polarización
Polarizacióninversa:
inversa: VV<<00 importante
¿Cómo se modifica la longitud de la zona de transición, y
la intensidad máxima del campo eléctrico?

Regla
Regla general
general (válida
(válida para
para V<V
V<VOO):):
Sustituir
Sustituir VVOO por
por (V
(VOO-V)
-V) en
en las
las ecuaciones:
ecuaciones:

V
2··(N
UV A+ND)·VO
LZTO = p  e T
PN q·NA·ND

2·q·NA·ND·VO
maxO=
·(NA+ND)
Sin polarizar teníamos: Con polarización tenemos:
V
2··(N V
UV A+ND)·VO 2··(N
UV A+ND)·(VO-V)
LZTO = p  e T LZT = p  e T
PN q·NA·ND PN q·NA·ND

2·q·NA·ND·(VO-V)
2·q·NA·ND·VO max=
maxO= ·(NA+ND)
·(NA+ND)

Polarización directa
••Polarización directa(0
(0<<VV<<VVOO):):
LLZT yymax disminuyen Muy
ZT max disminuyen
importante
••Polarización
Polarizacióninversa
inversa(V
(V<<0):
0):
LLZT yymax aumentan
aumentan
ZT max
 LLZTO
Relaciones entre ,
ZT

 y VO con
Zona P
-- + ZonaNN
Zona
polarización directa
VV
O-Vext
O

Vext (x)
••Menos
Menoscarga
cargaespacial
espacial
x ••Menor
Menorintensidad
intensidadde
de
campo
campo
••Menor
Menorpotencial
potencialde
de
(x) x contaco
contaco

-max
-maxO

VU(x) VO
VO-Vext x
 LLZTO
ZT

Zona P - - ++ Zona N
Zona N

VV
O+Vext
O

Vext (x)
••Más
Máscarga
cargaespacial
espacial
x ••Mayor
Mayorintensidad
intensidadde
decampo
campo
••Mayor
Mayorpotencial
potencialde
decontaco
contaco
(x) x
-maxO
-max

VU(x)
VO+Vext
VO
x
 Conclusiones parciales
Polarización directa:
•Disminuye la tensión interna que frena la difusión
•Disminuye el campo eléctrico en la zona de transición
•Disminuye el ancho de la zona de transición

Polarización inversa:
•Aumenta la tensión interna que frena la difusión
•Aumenta el campo eléctrico en la zona de transición
•Aumenta el ancho de la zona de transición
Muy
importante
 •Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrónica física
•Definimos un nuevo componente ideal de teoría de circuitos

i
i
Ánodo
+
V
curva característica
Cátodo
- V

Muy, muy
importante
 Concepto de diodo ideal (II)

Circuito abierto: la i
corriente conducida es Diodo ideal
nula, sea cual sea el i
valor de la tensión
aplicada

Corto circuito: la i
tensión soportada es
nula, sea cual sea el V
valor de la corriente
conducida

V
 Comparación entre el diodo ideal y
el comportamiento de una unión PN

Diodo ideal i Diodo real i [mA]

30

V [Volt.]
V -20 0 5

El
Elcomportamiento
comportamientode
deuna
unaunión
uniónPNPNesesmuy
muysemejante
semejantealalde
deun
undiodo
diodo
ideal
ideal
El diodo semiconductor. Diodo de señal

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
N semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando
el cátodo
Cátodo Terminal
 Diodos semiconductores

OA95
(Ge)

BY251
(Si)
1N4148
(Si)

BY229
BYS27-45 (Si)
1N4007 (Schottky Si)
(Si)
 Agrupación de diodos semiconductores
2 diodos en
Puente de diodos Anillo de diodos
cátodo común
  +
+   -
+  
B380 C3700
(Si)

-
 +
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si)
 Curvas características y circuitos equivalentes
i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
Muy
0 V importante

ideal
Circuito equivalente
rd
asintótico
real (asintótico) V
 Recordatorio del Teorema de Thévenin

A A
+
Circuito lineal vABO Circuito lineal iABS
-
B B

ZO
A
+
+ V = vABO
V = vABO
- - ZO = vABO/iABS
B
Equivalente Thévenin
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 1º:
Un diodo ideal en un circuito en el que el resto
de los componentes son lineales
A
ideal
iAB +
Circuito de
Circuito lineal
partida vAB
B -
Solución
Circuito no lineal

A Si vABO > 0  diodo directamente

+ + ideal
polarizado  vAB=0, iAB>0 (0)
Circuito Z vABO
=
-
- v
lineal
O

-
Si vABO < 0  diodo inversamente
B
Equivalente Thévenin polarizado  iAB=0, vAB=vABO (0)
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 2º:
Un diodo real (modelo asintótico) en un circuito en
el que el resto de los componentes son lineales
A A
+ +
iAB iAB ideal
real real
Circuito lineal Circuito lineal
vAB vAB rd
- - V
B B
A
+ Si vABO > V  diodo directamente
polarizado  vAB=V+ rd·iAB
Circuito lineal
vABO
Si vABO < V  diodo inversamente
- polarizado  iAB=0, vAB=vABO
B
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 3º:
Un diodo real (modelo exponencial) en un circuito
en el que el resto de los componentes son lineales
A
+
iAB
real
Circuito lineal
vAB
-
B
En circuito impone la condición vAB = F(iAB)
En diodo impone la condición iAB = IS·(eVAB/VT -1)
Hay
Hay que
que resolver
resolver este
este sistema,
sistema, que
que no
no tiene
tiene
solución
soluciónexplícita
explícita
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 4º:
Varios diodos ideales

A Al ser no lineal el
circuito que queda al
ideal eliminar el diodo D , no
Circuito lineal 1

D1 pueden aplicarse los

métodos anteriores
B
Circuito no lineal

Método
Métodoaaseguir:
seguir:Establecer
Establecerunaunaprimera
primerahipótesis
hipótesissobre
sobreelelestado
estadode deconducción
conducciónde de
cada
cada diodo.
diodo. AA continuación
continuación resolver
resolver elel circuito
circuito yy verificar
verificar sisi se
se llega
llega aa alguna
alguna
situación
situación incompatible
incompatible con
con lala idealidad
idealidad de
de los
los diodos.
diodos. En
En caso
caso afirmativo,
afirmativo, repetir
repetir elel
proceso
proceso hasta
hasta que
que sese llegue
llegue aa una
una hipótesis
hipótesis compatible
compatible con con lala idealidad
idealidad dede los
los
diodos.
diodos.
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 5º:
Varios diodos reales (modelo asintótico)
ideal rd V
real
E F
C
A
V
ideal
real
rd
real Circuito lineal rd
ideal
V
D B
Circuito lineal
Circuito no lineal
Igual
Igualque
queelelcaso
casoanterior
anterior
 Resolución gráfica de circuitos con un
diodo, fuentes y resistencias
Circuito V, I, R
A iAB
+ vABO/RO
RO iAB
+
-= vAB
- vABO
- vAB
Eq. Thévenin
B 0 vABO
•En circuito impone la condición: vAB = vABO - RO·iAB
(recta de carga)
•En diodo impone la condición definida por su curva
característica
ElElpunto
puntodedetrabajo
trabajoestá
estádefinido
definidopor
porlalaintersección
intersecciónde
delalarecta
rectade
decarga
cargayy
lalacurva
curvacaracterística
característica
 Comparación entre uniones de Silicio y Germanio

Ejemplo 2 (Si) con Ejemplo 1 (Ge) con

V=0,48 (i=544A) V=0,18 (i=566A)
Portad./cm3 Portad./cm3
1016
1016
1014 pP nN pP nN
1012 1014

1010 nPV nPV pNV

1012
pNV
108
1010
106 -3 -2 -1 0 1 2 3
104 Longitud [mm]
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]
 Comparación Ge/Si: curvas características
i [mA]
i
i [mA] 30 Ge
+ 1
P
Ge Si Si
V N

- V [Volt.]

0 -4 0 1
- 0,25 0,25 0,5
V [Volt.]

i [A] i [pA]
Ge:
Ge:mejor
mejoren
en
V [Volt.] V [Volt.] conducción
conducción
-0,5 0 0 Si:
-0,5 Si:mejor
mejoren
en
bloqueo
bloqueo
Si
Ge -0,8 Muy -10
importante
 Efectos dinámicos de las uniones PN

No,
No, ya
ya que
que lala conducción
conducción está
está ligada
ligada aa lala concentración
concentración de de portadores
portadores de
de
carga
cargaenenlos
losbordes
bordesexternos
externosde
delalazona
zonade detransición
transiciónyyalalancho
anchodedelalazona
zona
de
de transición,
transición, siendo
siendo en
en ambos
ambos casos necesario crear,
destruir
destruir oo
casos necesario crear,
mover
mover portadores
portadores de
de carga
carga, ,loloque requieretiempo.
querequiere tiempo.

Se caracterizan como:
•Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
•Tiempos de conmutación (en conmutación)
 R
i
a b Transición de “a” a “b”
+ (apagado), en una escala
V2 V amplia (ms o s).
V1
-
i
V1/R
t
Comportamiento
Comportamientodinámicamente
dinámicamente
ideal
ideal

V t

-V2
 Transición de “a” a “b” (apagado), en una escala
detallada (s o ns).
R
i
a b i V1/R
+
V2 V trr
t
V1
- ts
ts = tiempo de almacenamiento -V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
(storage time )
tf = tiempo de caída (fall time ) V
trr = tiempo de recuperación
t
inversa (reverse recovery time )

-V2
Muy
importante
 R ¿Por qué ocurre esto?
i
a b Porque no habrá capacidad de bloqeo
+ hasta que las concentraciones de
V2 V minoritarios sean menores que las de
V1 equilibrio
-
Portad./cm3
i V1/R
8·1013

t3 t4 t nPV pNV
4·1013
t0 t1 t2
t1 t0
-V2/R
0
V t2 t3 t4
t
-1 0 1
Longitud [mm]
-V2
 R
i
a b Transición de “b” a “a”
+
V2 V (encendido)
V1
Portad./cm3
- 8·1013

i
0,9·V1/R nPV pNV
4·1013
t1 t4
0,1·V1/R t4 t3
t0
td t2 t3 0
tr t2 t1 t0
tfr
-1 0 1
td = tiempo de retraso (delay time ) Longitud [mm]
tr = tiempo de subida (rise time )
El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esmás
más
tfr = td + tr = tiempo de recuperación rápido
rápidoque
queelelapagado.
apagado.
directa (forward recovery time )