Física de Estado Sólido: El

Diodo
Física del estado sólido: El Diodo

Índice de la Lección

1. Introducción a la física de estado sólido: Semiconductores

intrínsecos
2. Introducción a la física de estado sólido: Semiconductores
extrínsecos
▪ Semiconductor extrínseco tipo N
▪ Semiconductor extrínseco tipo P
3. La unión P-N
▪ Unión P – N polarizada inversa
▪ Unión P – N polarizada directa
4. La unión P – N: El Diodo
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor intrínseco

C, Si, Ge
Si Si Si 0ºKIV de la
Grupo
tabla periódica
1s2
Si Si Si 2s2 2p2
3s2 3p2 3d10
4s2 4p2
Si Si Si Faltan 4
electrones en la
última capa
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Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor intrínseco

Si Si Si 0ºK

+
Si Si Si
300ºK
Electrón Hueco
Si Si Si
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor intrínseco: Acción de campo eléctrico

- +
Si Si Si
- +

- + + +
Si Si Si
- +

- +
Si Si Si

- +
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor intrínseco: Acción de campo eléctrico

Conclusiones:

▪ La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de

portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES

▪ La temperatura afecta fuertemente a las propiedades

eléctricas de los semiconductores:

mayor más portadores menor

temperatura de carga resistencia
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor extrínseco: Tipo N

Sb: antimonio
Si Si Si Impurezas del
Es grupo V de la tabla
necesaria periódica:
muy poca
energía Si Sb
Si Si 1s22s22p63s23p64s2
para + 3d104p65s24d105p3
ionizar el
átomo de
+
Sb Si Si Si Faltan 3 electrones
en la última capa

A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se

encuentran ionizados
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Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor extrínseco: Tipo N

Impurezas
+
Sb +
Sb +
Sb grupo V
+
Sb
Huecos +
Sb +
Sb
libres→ +
Sb +
Sb
Carga móvil +
Sb +
Sb 300ºK
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb

Átomos de impurezas
Electrones Ionizados→Carga estática
libres→Carga móvil

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres. Actúan como portadores de carga negativa

Los portadores minoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor extrínseco: Tipo P

Al: aluminio
Si Si Si Impurezas del
Es grupo III de la
necesaria tabla periódica:
muy poca
energía Si Al
Si Si 1s22s22p63s23p1
para ionizar + -
el átomo de
Al
+
Si Si Si

A temperatura ambiente todos los átomos de impurezas se

encuentran ionizados
 Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Semiconductor extrínseco: Tipo P

Impurezas
-
Al -
Al grupo III
-
Al
-
Al
Electrones -
Al -
Al

libres→ -
Al -
Al 300ºK
-
Al -
Al
Carga móvil -
Al
-
Al Átomos de
-
Al -
Al -
Al -
Al
impurezas
ionizados→Carga
Huecos libres→Carga móvil estática

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.

Los portadores minoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Electrones. Actúan como portadores de carga negativa.
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N
Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N polarizada inversamente (portadores mayoritarios)

+
- - +

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no

hay circulación de corriente por parte de los mayoritarios.
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N polarizada inversamente (portadores minoritarios)

+
- - +

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa

hay circulación de corriente por parte de los minoritarios→ Corriente
inversa muy baja (mA-pA)
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N polarizada directamente

- - ++

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N polarizada directamente

- +

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +
Concentración de huecos Concentración de electrones
+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de

electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión.
Física del estado sólido: El Diodo

Introducción a la física de estado sólido: semiconductores

Unión P- N: El Diodo

Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente

Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de

corriente eléctrica

P N

DIODO SEMICONDUCTOR
 Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
i
conducida
i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
 El diodo semiconductor encapsulado

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
 Encapsulados de diodos

• Axiales
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
 Encapsulados de diodos

• Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Para grandes potencias

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+   -
 Encapsulados de diodos

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Electrónica militar
Control de Motores
 Circuito equivalente estático

Curva característica
i real

Curva
característica ideal Curva característica
asintótica.
Pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0
V
ideal
• Circuito equivalente asintótico
rd
Modelo asintótico V
 Características fundamentales de cualquier diodo

1ª -Máxima tensión inversa soportada

2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente de inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 1ª Máxima tensión inversa soportada

• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
 2ª Máxima corriente directa conducida

• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cápsula
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
 3ª Caída de tensión en conducción

• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conducción
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
 3ª Caída de tensión en conducción

Schottky

Schottky
DIODOS DE POTENCIA

Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN
 4ª Corriente de inversa en bloqueo

• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 4ª Corriente de inversa en bloqueo • Crece con IF(AV)
• Crece con Tj
• Dos ejemplos de diodos Schottky
• Decrece con VRRM
IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

R
i Transición de “a” a “b”,
a b + es decir, de conducción
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
 5ª Velocidad de conmutación
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b + 0,1·V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
 5ª Velocidad de conmutación

• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 5ª Velocidad de conmutación • Más información suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
 5ª Velocidad de conmutación

• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 ms

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas

Pérdidas estáticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

V pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

T


1
PDcond = pDcond (t )·dt  PDcond = V·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo

• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción

10 A iD
trr

t
DIODOS DE POTENCIA

3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr


1
PD = pDsc (t )·dt
T
-200 V 0
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Características Térmicas
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC

• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA

P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH  R
ΔT  V
Encapsulado Equivalente
eléctrico
PI
 Características Térmicas
RTH  R
ΔT  V
Equivalente
eléctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unión
0º K

c
Encapsulado

Por tanto: ΔT = P·ΣRTH  Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca
 Características Térmicas

• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA

RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40

• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
 Características Térmicas
RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si RTHjc RTHca
P 0º K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA

Unión

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc +

(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

El Diodo

Características eléctricas de un diodo semiconductor

Limitaciones Corriente máxima:

I Límite térmico,
Tensión inversa
sección del
máxima: Ruptura de la
conductor→ Efecto
Unión por avalancha
Joule

600 V/6000 A
200 V /60 A 1000 V /1 A
El Diodo

Características eléctricas de un diodo semiconductor

Tiempo de recuperación inversa

iS
VE
+ Baja frecuencia
VE R

iS

Alta frecuencia

trr = tiempo de recuperación inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
Características Estáticas
 Parámetros en bloqueo
• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser
soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de
entrar en ruptura por avalancha.

• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser

soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma
continuada.

• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que

puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o
más.

• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola

vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las
características del mismo.

• Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta

el diodo en estado de bloqueo.
 Parámetros en conducción
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio
de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de
180º que el diodo puede soportar.

• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que

puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de
pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cápsula (normalmente 25º).

• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el

máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10
minutos, con una duración de 10 ms.

• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el

diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.
Características Dinámicas
Tiempo de recuperación inverso
• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde
el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.

• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico

negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la
descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la
práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la
intensidad hasta el 10 % de éste.

• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

• Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el

área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo.

• di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

• Irr: es el pico negativo de la intensidad.

El Diodo

Interpretación de los datos de un catálogo

 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Tensión inversa máxima
hojas de características de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa 1N4007). Normalmente aparecerán varios
IR = 25 nA Corriente inversa fabricantes para el mismo componente.
El Diodo

Diodos especiales

El Diodo Schottky: Comparativa

11N4148 → Diodo de alta tensión de propósito general

1N4148 → Diodo de pequeña señal
11DQ10 → Diodo Schottky

VRRM IF VF tRR (ns)

1N4007 1000 1A 0,95 V 1000

1N4148 75 200 mA 1V 4
11DQ10 100 1A 0,85 V <1
 El Diodo

Circuitos con diodos

El Diodo como rectificador

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos

no lineales → ¡Cuidado, no se aplica el principio de superposición!
iS VE VS
+
Vs R
VE

I
VE Vmax Vmax/R VS Vmax

Vmax
V