UNIVERSIDAD CESAR VALLEJO

EAP. INGENIERIA INDUSTRIAL

CURSO: ELECTRONICA Y ELECTRICIDAD

Prof. Ing. Wilder Foronda Bocanegra

2022
Componentes electrónicos: El diodo

• Introducción: representación de componentes eléctricos en

diagrama V-I
• Características eléctricas de un diodo semiconductor
 Característica real
 Linealización de la característica de un diodo
• Interpretación de los datos de un catálogo
• Diodos especiales
• Asociación de diodos
• Aplicaciones
Introducción: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batería Fuente
Corriente
 CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

I
I
+ ¡¡ PRESENTA UN
P COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V

N V
-

ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un único sentido.
Funcionamiento de una válvula anti-retorno

Caudal
h1 h2

h1 - h 2
Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO N

+ + +
+
+ +
Impurezas grupo V
+ +
+ +
+
+
+ +
300ºK
+ +

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
Introducción a la física de estado sólido: semiconductores
Semiconductor extrínseco: TIPO P

- - -
-
- -
- -
- -
-
-
- -
300ºK
- -

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actúan como portadores de carga positiva.
La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unión P-N
La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay

circulación de corriente.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.
La unión P-N
La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unión.
La unión P-N

Conclusiones:

Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente

Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación

de corriente eléctrica

P N

DIODO SEMICONDUCTOR
 DIODO REAL

i [mA]
ánodo cátodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5

Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
 VKDTq  q = carga del electrón
I D  I S   e  1 T = temperatura (ºK)
  ID = Corriente diodo
 DIODO REAL (Distintas escalas)
Ge: mejor en conducción
i [mA] Si: mejor en bloqueo i [mA]
30 Ge
1
Si Si
Ge

V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]

V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge
-0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I
Solo tensión
Ideal de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
V V

I I
Curva real
Tensión de codo y (simuladores,
Resistencia directa análisis gráfico)

V V
 DIODO: LIMITACIONES
Corriente máxima
I
Tensión inversa
Límite térmico,
máxima
sección del conductor
Ruptura de la Unión
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Tensión inversa máxima
hojas de características de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
1N4007). Normalmente aparecerán varios
VF = 1V Caída de Tensión directa
fabricantes para el mismo componente.
IR = 25 nA Corriente inversa
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperación inversa

iS
UE
+
UE R Bajafrecuencia
Alta frecuencia

iS

trr = tiempo de recuperación inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Tensión I como una fuente de tensión
Zener (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo lineal

la resistencia Zener.

Límite máximo Aplicaciones en pequeñas

fuentes de tensión y referencias.
Normalmente, límite
de potencia máxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

A K
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
Fotodiodos (Photodiode) una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
i Sensores de luz (fotómetros)
Comunicaciones
V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
I = f(T)
V
corriente dependiente de la luz o de
T1 0
la temperatura según el caso
T2>T1
 DIODOS ESPECIALES
Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el 4º
Células solares (Solar Cell) cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

•Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto

schottky.

•La zona N debe estar poco dopada.

•Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).

•Corriente de fugas significativamente mayor.

•Menores tensiones de ruptura.

•Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

•Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho teóricamente en

1938 por Walter H. Schottky
 ASOCIACIÓN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofásico
Diodo de alta tensión +
(Diodos en serie)

-
Trifásico
+

DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera
 APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos

no lineales.

¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición!

VE VS
EJEMPLO TÍPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
 VMAX VD
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
VTH Característica
del diodo
RTH
ID
Característica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENTO (RECTA DE CARGA)

VD VTH V
 CURSO: Electrónica y Electricidad
TEMA: Diodo Unión
Prof. Ing. Wilder Foronda Bocanegra
2022
Contenido
Conducción en aislantes y metales
Conducción en semiconductores intrínsecos
Semiconductores dopados
Difusión de huecos y electrones
La unión p-n en equilibrio
El diodo de unión
Modelos de diodo de gran señal
Modelo estático SPICE para el diodo
Corriente eléctrica
La corriente eléctrica es la rapidez con que fluye la
carga a través de un superficie en un conductor.

Q
I prom 
t + +

+ +
dQ
I + +
dt A
Movimiento en zigzag del electrón en un conductor.
Los cambios de dirección se deben a choques entre el
electrón y los átomos en el conductor
vd
–

–
–
–
vd = 0
E
 Modelo microscópico de la
corriente
x
n – densidad de portadores de vd
carga.
A
q
vd – velocidad arrastre
x = vdt
t – intervalo de tiempo
Q = nqAvdt = número de portadores en una
sección de longitud x.
La corriente es: Q
I prom   nqvd A
t
Un alambre de calibre 12 de sección transversal 3.31x10–6
conduce una corriente de 10 A, ¿cuál es la rapidez de arrastre
de los electrones? La densuidad del cobre es de 8.95 g/cm3.
El volumen ocupado por un mol de cobre de 63.5 g es:
V = m/ = 63.5/8.95 = 7.09 cm3
La densidad de portadores es:
n = NA/V = 6.02x1023/7.09 = 8.49x1028 elec/m3
vd = I/nqA
= 10/((8.49x1028)(1.6x10–19) (3.31x10–6)) = 2.2x10–4 m/s
La densidad de corriente a través de un
conductor es:
l
J = I/A = nqvd
I
Para muchos materiales se cumple que
A
J = E Vb Va
Donde  es la conductividad del material. E
La diferencia de potencial entre a y b es:
Definimos la
Vab = E l resistividad como el
De aquí: recíproco de la
conductividad
J = E = V/l => I/A = V/l
 = 1/
V = I l /  A = RI con R = l /  A
n – movilidad de los
electrones
 – conductividad
I = n q A n E = n q A n V/d
Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los
materiales como conductores, semiconductores y aislantes
Conductor semiconductor aislante
 = 10–6 Ohm/m  = 50 Ohm/m  = 1012 Ohm/m
Cobre Germanio mica
 = 50000 Ohm/m
Silicio
Los cuatro electrones de la capa exterior se comparten entre los
átomos vecinos.

Estructura de un
Enlaces cristal de Si o Ge
covalentes

Átomos de Si
o Ge
Niveles de energía de la Niveles de energía de la Niveles de energía de la
capa 3s de 2 átomos de capa 3s de 6 átomos de capa 3s cuando un gran
sodio que se acercan sodio que se acercan número de átomos de sodio
se juntan en un sólido.
Energía

Energía

Energía
r r r
Los niveles de energía de los electrones de los átomos de un cristal
se separan en bandas de energía debido al principio de exclusión
de Pauli.
Eg – energía de desdoblamiento. Es la energía necesaria para llevar un electrón de
la banda de valencia a la banda de conducción.

Eg

Eg  10 eV Eg = 1.1 eV (Si) Eg = 0
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (ArGa)
A temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen y producen
electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción.

Banda de conducción
Electrón libre

Enlace covalente
roto

Huecos
Banda de valencia

Electrón libre
Cuando se aplica un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco, se
produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones
en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo.

I = q A p p E + q A n n E = q A (p p + n n )E

Donde p es la densidad de huecos, n la densidad de electrones, p es la

movilidad de huecos y n es la movilidad de electrones.

A temperatura ambiente n = 1012 para Si y 109 para Ge.

Banda de conducción
E

Banda de valencia
 Electrones libres

Nivel de energía del

donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Electrón de valencia del

antimonio
 Nivel de energía del
donador
Eg = 0.05 Si
= 0.01 Ge

Huecos libres

Enlace (hueco) no
completado por el átomo
de B, Ga, In
 Bandas en semiconductores intrínsecos y dopados:

Los portadores mayoritarios son los portadores que están en exceso en un

semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los
electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llamas
portadores minoritarios.
Propiedades de Si y Ge
Los fotones de energía luminosa alteran el equilibrio produciendo
nuevos pares electrón-hueco. Si R >> RL el divisor de tensión hace que:

vo(t) = RL /( RL + R) V ~ RL /R V = RL V A / L q[p p(t)+ n n(t))]

Durante el pulso la concentración de portadores aumenta

disminuyendo R y aumentando la tensión de salida V sobre el valor
de equilibrio V1, la constante p es el tiempo de vida de los portadores
minoritarios y depende del material.
Siempre que hay una diferencia de concentración de algún material, se
produce una corriente de difusión de la zona de alta concentración hacia la
zona de baja concentración.
dp
La corriente sigue la ley de Fick: J p  qD p
dx
dp
J n  qDn
dx
Relación de Einstein:

Dp Dn kT
  VT 
 p n q
px   Pn 0  pe
 x Lp
Debido a la deferencia de concentración de portadores debe existir una
corriente de difusión en el material, por lo tanto debe existir una corriente de
arrastre (y un campo eléctrico) que equilibre la corriente de difusión.

p1 > p2

V1 V2
 Al unir una región tipo p con otra tipo n, se produce una igualación del
nivel de Fermi.
Esto implica que la banda de conducción del lado p se encuentre en un
nivel más alto respecto a la del lado n.
Banda de conducción

Banda de conducción Tipo P

Tipo N Tipo P Tipo N

Nivel de Fermi
Nivel de Fermi
Nivel de Fermi Nivel de Fermi

Banda de valencia Banda de valencia

Los huecos del lado p se difunden a través de la unión hacia el lado n y lo
mismo pasa con los electrones del lado n hacia el lado p.
Los electrones difundidos del lado p se combinan con los átomos aceptores
formando una región de átomos cargados negativamente y los huecos que se
difunden del lado n se combinan con los átomos donadores formando una
región de átomos cargados positivamente.
El proceso se interrumpe cuando el potencial formado por las dos regiones
cargadas es suficiente para impedir el flujo de más cargas eléctricas.

El ancho de la región de
 + agotamiento depende de las
 + concentraciones Nd y Na.
P N
 +
 +
Nd
xp  xn
Na
Región de agotamiento
Variación de Q, E y V en la zona de
agotamiento
La concentración de huecos y electrones en el diodo de unión se muestra en la
siguiente figura. Se suponen Na > Nd.
Corriente de difusión:  dpx 
I diff x   AJ p x   A qD p
 dx 
Corriente de desplazamiento: I dr x   A E x  Aq p px E x

Igualando: dpx 
 Dp   p px E x
dx
Resolviendo se obtiene:
dp  p Es
 dx ni2 V j 0 VT
p Dp p e
Nd
 p E s xn
con p0   ni2 N a
p
ln p p0   D
p y n  Na
p
V
ln p p0

VT
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarización jala a los huecos y a los electrones alejándolos de la
unión incrementando el ancho de la región de agotamiento.
Se produce una pequeña corriente de huecos provenientes del lado n y
electrones de lado p llamada Corriente Inversa de Saturación.

p n

 +
Consideremos un diodo pn polarizado como se muestra.
La polarización empuja a los huecos y a los electrones acercándolos a la
unión disminuyendo el ancho de la región de agotamiento.
Se produce una corriente de huecos provenientes del lado p y electrones
de lado n. Los huecos insertados en el lado n forman una corriente de
difusión de portadores minoritarios

p n

+ 
 Corriente de portadores
minoritarios en el diodo polarizado
directamente
Se puede demostrar que la p n
corriente de huecos inyectada al
lado n es:
V
AqD p pn 0 V VT
I pn 0  
Lp
 e 
1
+ 
Similarmente para electrones
AqDn nn 0 V VT NA > ND corriente
I np 0  
Ln

e 1  I
Ipn(0)

Ipn(x)
Inp(x)
Inp(0)

distancia
 Además de la corriente de portadores minoritarios en cada sección del diodo,
deben existir corrientes de arrastre de portadores mayoritarios Ipp y Inn.

NA > ND corriente
La corriente total que circula por
un diodo p-n polarizado esta dada I
por:
Inn
Ipp

I  I o eV VT  1  Ipn
Inp

distancia
Característica corriente voltaje del
diodo
La corriente del diodo real en función del voltaje esta dada por:


I  I o eV VT  1 
Donde  es 1 para Ge y 2 para Si.
 Voltaje de corte V
El voltaje de corte se define donde la curva exponencial de corriente
comienza a subir.
V para Si es 0.7 y 0.2 para Ge
Características logarítmicas
Dependencia de la
temperatura
La corriente inversa de saturación I0 se duplica cada 10ºC, o sea
I0(T) = I012(t – t1)/10
Resistencia estática
La resistencia estática se define como el cociente del voltaje del diodo entre la
corriente para un valor fijo de voltaje
RD = VD/ID
La resistencia dinámica se define como la razón de un cambio de voltaje a
la variación en corriente para un punto de operación Q.

Vd
rD 
I d
 ejemplo
De la figura para el caso de arriba
ID = 30 – 20 =10 mA
VD = 0.8 – 0.78 = 0.02
rd = 0.02/0.010 = 2 
para el caso de abajo
ID = 4 –0 = 4 mA
VD = 0.76 – 0.65 = 0.11
rd = 0.11/0.004 = 27.5 
Las resistencias estáticas son:
RD = 0.79/0.025 = 31.62 
RD = 0.7/0.002 = 350 
Podemos modelar el comportamiento de un diodo con componentes
lineales de circuito como se muestra.
El diodo se comporta como un circuito abierto para V < V y se comporta
como una resistencia Rf en serie con una fuente V para V > V. Rf es la
resistencia dinámica en región de corte y depende del punto de operación

Si Ge
I
V 0.7 0.3

Pendiente Circuito equivalente

1/Rf
V Rf

V
V = 0.7 Diodo ideal
Si la resistencia Rf es pequeña comparada con otro elementos se puede
suponer 0.

Circuito simplificado Circuito ideal

I I

0

V V
V = 0.7
Las hojas de datos deberán especificar:
Voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas)
Corriente directa máxima IF (a una corriente y temperatura especificadas)
La corriente inversa de saturación I0, Is o IR (a una corriente y temperatura
especificadas)
El valor del voltaje inverso PIV, PRV oVBR.
El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular
Los niveles de capacitancia
El tiempo inverso de recuperación
El rango de temperatura de operación ver p.55 Boylestad
Capacitancias
En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de región de
transición o de agotamiento (CT), mientras que en la región de polarización
directa se tienela capacitancia de difusión (CD) o de almacenamiento.
 Tiempo de recuperación
inverso
El tiempo de recuperación inverso
trr es el tiempo que tarda en diodo
en pasar de una polarización
directa a una polarización inversa
llegando atener una corriente de
saturación inversa.
trr = ts + tt
Donde ts es el tiempo de
almacenamiento, es decir el tiempo
que se agotan los portadores
minoritarios.
Y tt es el tiempo de transición en el
que la corriente pasa de
conducción en sentido inverso a
disminuir la corriente a Is.
Ruptura Zener
Si se aplica un voltaje inverso lo suficientemente alto, se producirá un efecto
de avalancha en el que los portadores minoritarios son acelerado y adquieren
suficiente energía para romper más enlaces covalente y liberar más portadores
de carga.
Este efecto se produce a un voltaje VZ (voltaje de ruptura Zener). Al voltaje de
ruptura se le conoce como PIV (Peak Inverse voltage)
ID

+ V 
D

IZ

 +
VZ
Ejemplo de diodo Zener
Fairchild 1N961

VZ
TC  100%
VZ T1  T0 
T0 = 25ºC
T1 = temperatura de trabajo
Ejemplo
Encuentre el voltaje nominal para el zener anterior para una temperatura de
100ºC
VZ TCVZ T1  T0 
TC  100% VZ 
VZ T1  T0  100

V = 0.072*10*(100 – 25)/100 = 0.54

VZ’ = VZ + 0.54 = 10.54
LED
Cerca de la unión p-n existe un proceso de recombinación de huecos y
electrones. En este proceso se genera energía térmica o luminosa. En
diodos de Si o Ge la mayor parte es energía térmica, pero en diodos de
fosfuro arseniuro de galio GaArP y fosfuro de galio GaP, se genera
suficiente luz visible.

ID

+ 
VD
Valores en hojas de datos
D1 2 3 D1
Nombre nodo1 nodo2 nombre del
diodo
.MODEL D1 D(IS = 2E-15)
nombre especificación de
del modelo parámetro