Universidad de Área de Tecnología

Oviedo Electrónica

Introducción a la Electrónica de
Dispositivos

•Materiales semiconductores (Sem01.ppt)

•La unión PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
•Transistores (Trans01.ppt)

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas
ATE-UO PN 00
Germanio tipo P + + +
300ºK
0ºK Al-
Al Al- +
Al Al- Al-
Al Al-
Al
+
-
+ + +
Generación
térmica Al-
Al Al-
Al Al-
Al Al-
Al Al-
Al
+ + +
+ hueco
- Aceptador ionizado
no ionizado Germanio
electrón

Germanio tipo N - - - -
Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+ Sb+
Generación + -
- - -
térmica -
Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+

••Ambos
Ambossonsonneutros
neutros
••Compensación
Compensaciónde de Donador ionizado Germanio
cargas
cargaseeiones
iones
ATE-UO PN 01
 Unión PN (I)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + + - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + +
- - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

Barrera que impide la difusión

¿Qué
¿Qué pasaría
pasaría si
si no
no existiera
existiera la
la
barrera
barrera que
que impide
impide la
la difusión?
difusión?
ATE-UO PN 02
 Unión PN (II)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

Se produce difusión de huecos de la zona P hacia la zona

N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

¿Se
¿Se va
va aa producir
producir una
una difusión
difusión
completa
completa dede huecos
huecos yy electrones?
electrones?
ATE-UO PN 03
 Unión PN (III)
¿Se va a producir una difusión completa de huecos y
electrones?

Germanio “antes” tipo P Germanio “antes”tipo N

+
-
+ - -
Al- Al- Al-
-
Al- + Sb+ Sb+ + Sb+ Sb+
-
- - +
Al- Al- Al- Al-
-
Sb+ + Sb+ Sb+ + Sb+
- -
+ + +

Zona P no neutra, sino Zona N no neutra, sino

cargada negativamente cargada positivamente

¿Es
¿Es esta
esta situación
situación la
la situación
situación final?
final?
NO
NO ATE-UO PN 04
 Unión PN (IV)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

- → +
Ε
Aparece
Aparece un
un campo
campo eléctrico
eléctrico en
en la
la zona
zona de
de
contacto
contacto (unión
(unión metalúrgica)
metalúrgica) de
de las
las zonas
zonas

ATE-UO PN 05
 Unión PN (V)
Cercanías de la unión metalúrgica
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ -+ - - -
+
Al Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ Sb+

Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+

+

- → +
Ε
Por campo eléctrico
Por difusión
El
Elcampo
campoeléctrico
eléctricolimita
limitael
elproceso
procesode
dedifusión
difusión
ATE-UO PN 06
 Zonas de la unión PN (I)

+ +
-
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ -
+
+ -
Al- Al- Al- Al-
-
Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
+ +
Zona P NEUTRA - → + Zona N NEUTRA
(electrones compensados
(huecos compensados
con “iones -”) Ε con “iones +”)

Zona
Zona de
de Transición
Transición
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial yyno
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga
carga
ATE-UO PN 07
 Zonas de la unión PN (II)
Unión
Muy
Uniónmetalúrgica
metalúrgica
importante

Zona P + - Zona N
(neutra) (neutra)
Muchos
Muchoshuecos,
pero
huecos,
peroneutra
- → + Muchos
Muchoselectrones,
pero
electrones,
peroneutra
Ε
neutra neutra

VO

Zona
Zona de
de Transición
Transición (no
(no neutra)
neutra) →
Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial (que
(quegenera
generacampo eléctrico,Ε,
campoeléctrico, Ε,yy
diferencia
diferenciade potencialeléctrico,
depotencial eléctrico,VVOO))yy no
noexisten
existencasi
casi
portadores
portadoresde
decarga.
carga.
ATE-UO PN 08
 Equilibrio de corrientes de la unión
PN sin polarizar (I)
La corriente neta en cualquier sección del dispositivo debe ser cero
-+
-+
-+
por difusión +- + ZONA N
+ por campo
-+
- + - por difusión
por campo
--+
ZONA P -+
jp difusión jp campo Se compensan
jn campo jn difusión Se compensan
ATE-UO PN 09
Equilibrio de corrientes de la un. PN sin polarizar (II)
pP (concentración de huecos en la zona P)
+
+
+
+
+
+
+
+
- +
+ + + +
- +
Zona N
+
+ + + + - +
+ + + +
- VO + +
+ + + +
+
+ +P +
Zona + - +
+ + + +
(concentración de huecos en la zona N) pN
jjppcampo = - j difusión
campo = - jppdifusión
VVOO==VVTT·ln(p
·ln(pPP/p
/pNN)) (ver
(verATE-UO
ATE-UOSem
Sem43)
43)
ATE-UO PN 10
Equilibrio de corrientes de la un. PN sin polarizar (III)
nP (concentración de electrones en la zona P)
- +
- - - -
- - - -
- + - - - -
- - - - Zona P -
-
- + - - - -
- VO + - - - -
-
- - - -
Zona P
- + - - - -

(concentración de electrones en la zona N) nN

jjnncampo= -j difusión
campo= -jnndifusión
VVOO=V
=VTT·ln(n
·ln(nNN/n
/nPP)) (ver
(verATE-UO
ATE-UOSem
Sem41)
41)
ATE-UO PN 11
 Cálculo de la tensión de contacto VO
Muy
importante
Zona P - + Zona N
VO
NA, pP, nP ND, nN, pN
Si NA >> ni Si ND >> ni
pP =NA nP = ni2/ NA nN =ND pN = ni2/ ND
Ecuación del equilibrio de las corrientes de huecos:
VO = VT·ln(pP/pN) = VT·ln(NA·ND/ni2)

Ecuación del equilibrio de las corrientes de electrones:

VO=VT·ln(nN/nP) = VT·ln(ND·NA/ni2)

El
Elvalor
valorde
deVVOOcalculado
calculadopor
porambos
amboscaminos
caminoscoincide
coincide
ATE-UO PN 12
 Ε(x) Relaciones
+ -
entre ρ, Ε y VO
Zona P - + Zona N
VO

ρ(x)
Densidad
de carga x
•Teorema de Gauss:
·Ε(x) = ρ(x)/ε )
∆
Campo
eléctrico Ε(x) x

-ΕmaxO
•Diferencia de potencial:
VU(x) Ε(x) = -
∆
V
VO
Tensión x ATE-UO PN 13
 Unión abrupta e hipótesis de vaciamiento

Zona P - + Zona N

Situación real ρ(x) Hipótesis de

q·ND vaciamiento
x

-q·NA Se
Seadmite
admiteque:
que:
Ε(x) x
•Hay
•Haycambio
cambiobrusco
brusco
de
dezona
zonaPPaazona
zonaNN
-ΕmaxO •No
•Nohay
hayportadores
portadoresen
en
la
lazona
zonade
detransición
transición
ATE-UO PN 14
 Unión metalúrgica
Zona P Zona N La zona de
transición
cuando NA<ND
Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+
Al- Al- -
+
Sb+ Sb+ Sb+ -
Al- Al- Al- Al-
Sb+ Sb+ Sb+
-
+

NA LZTPO LZTNO N
D
LZTO En
Enla
lazona
dopada
zonamás
más
dopadahay
haymenos
menos
zona
zonade
detransición
transición
La
La neutralidad
neutralidad de de la
la carga
carga total
total
en
en la
la zona
zona de de transición
transición exige:
exige:
NNAA·· LLZTPO = N · L ZTNO
ZTPO = NDD· LZTNO
ATE-UO PN 15
 Ε(x)
+ - Relaciones
Zona P - + Zona N entre ρ, Ε y VO
VO
cuando NA<ND
q·ND
Densidad
ρ(x)
de carga
x

Campo
-q·NA
eléctrico x
Ε(x) -ΕmaxO

VU(x)
VO
Tensión x ATE-UO PN 16
 Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (I)
•Equilibrio difusión-campo en la zona de transición:
VO=VT·ln(NA·ND/ni2) (1) VT=k·T/q, 26mV a 300ºK

•Neutralidad neta entre ambas partes de la zona de

transición:
NA· LZTPO = ND· LZTNO (2)

•Longitud total de la zona de transición:

LZTO =LZTPO+ LZTNO (3)

•Relaciones entre las partes de la zona de transición

(partiendo de (2) y (3) ):
LZTPO= LZTO·ND/(NA+ND) (4) LZTNO= LZTO·NA/(NA+ND) (5)
ATE-UO PN 17
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (II)
•Teorema de Gauss en la zona de transición:
Ε(x)=-(LZTPO+x)·q·NA/ε (zona P) Ε(x)
LZTNO
Ε(x)=-(LZTNO-x)·q·ND/ε (zona N) LZTPO
0 x

Ε(0)= -ΕmaxO=-LZTNO·q·ND/ε =-LZTPO·q·NA/ε (6) -ΕmaxO

•Definición de diferencia de potencial ( Ε(x) = - VU(x) ):

∆
x
VU(x) = -
∫ Ε(x)·dx
-LZTPO
VU(x) VO
x
VO = -area limitada por Ε(x)= (LZTPO+ LZTNO)·ΕmaxO/2 (7)
ATE-UO PN 18
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (III)
partiendo de (3-7) se obtiene:
VO=q·L2ZTO·NA·ND·/(2·ε·(NA+ND)) (8)

Teniendo en cuenta (1) y eliminando VO se obtiene:

2·ε·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO= (9)
q·NA·ND

Partiendo de (4-6) se obtiene:

ΕmaxO = q·LZTO·ND·NA/((NA+ND)·ε) (10)
y eliminando LZTO entre (8) y (10) se obtiene:

2·q·NA·ND·VO (11)
ΕmaxO=
ε·(NA+ND)
ATE-UO PN 19
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (IV)
Resumen
VO=VT·ln(NA·ND/ni2) (1)

2·ε·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO= (9)
q·NA·ND

2·ε·(NA+ND)·VO
LZTO= (9)’
q·NA·ND

2·q·NA·ND·VO Muy (11)

ΕmaxO=
ε·(NA+ND) importante
ATE-UO PN 20
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (IV)
Conclusiones importantes
VO crece con el productos de
VO=VT·ln(NA·ND/ni2)
los dopados, pero crece poco

2·ε·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2) LZTO decrece con

LZTO=
q·NA·ND los dopados

Basta con que un dopado

2·q·NA·ND·VO
ΕmaxO= se pequeño para que
ε·(NA+ND)
ΕmaxO sea pequeño.
Muy
importante
ATE-UO PN 21
 La unión PN polarizada (I)
+-
P N
+ - - + + -
VmP VO VNm
i=0

V=0 No
Nose
sepuede
puedeestar
estardisipando
disipando
Luego:
energía
energía si
si no
no llega
llega energía
energía al
al
V = 0, i = 0 dispositivo
dispositivo
Por tanto:
Conclusión:
VmP - VO + VNm = 0 Conclusión:
y Los
Los potenciales
potenciales de de contacto
contacto de
de las
las
uniones
uniones metal
metal semiconductor
semiconductor tienen
tienen
VmP + VNm = VO
que
que compensar
compensar el el potencial
potencial de de
contacto
contactodedela
launión
uniónsemiconductora.
semiconductora.
ATE-UO PN 22
 La unión PN polarizada (II)
Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización directa

+-
P N
+ - - + + -
VmP V U VNm
i≠0
+ - Hipótesis
Hipótesis(bastante
(bastantereal):
real):los
lospotenciales
potencialesdedelos
V contactos
los
contactosmetal-semiconductor
metal-semiconductorno novarían
varíancon
con
relación
relaciónal
alcaso
casoanterior
anterior(V(VmP+V
+VNm==VVO))
mP Nm O

V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
dela
launión
unión
semiconductora
semiconductoradisminuye.
disminuye.
VU = VO - V
ATE-UO PN 23
 La unión PN polarizada (III)
Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización inversa

+-
P N
+ - - + + -
VmP V U VNm
i≠0
- +
V

V = -VmP + VU - VNm = -VO + VU

Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
dela
launión
unión
semiconductora
semiconductoraaumenta.
VU = VO + V aumenta.

ATE-UO PN 24
 La unión PN polarizada (IV)
Notación a usar en general

+-
P N
- +
V U
i
=
+
V
-
VU = VO - V,
siendo: V < VO (aparcamos la posibilidad
real de que V >VO)
Conclusión:
Conclusión:
Muy
Polarización
Polarizacióndirecta:
directa: 00<<VV<V
<VOO importante
Polarización
Polarizacióninversa:
inversa: VV<<00
ATE-UO PN 25
 La unión PN polarizada (V)
¿Cómo se modifica la longitud de la zona de transición, y
la intensidad máxima del campo eléctrico?

Regla
Regla general
general (( válida
válida para
para V<V
V<VOO):):
Sustituir
Sustituir VVOO por
por (V
(VOO-V)
-V) en
en las
las ecuaciones:
ecuaciones:

2·ε·(NA+ND)·VO
LZTO =
q·NA·ND

2·q·NA·ND·VO
ΕmaxO=
ε·(NA+ND)

ATE-UO PN 26
 La unión PN polarizada (VI)
Sin polarizar teníamos: Con polarización tenemos:

2·ε·(NA+ND)·VO 2·ε·(NA+ND)·(VO-V)
LZTO = LZT =
q·NA·ND q·NA·ND

2·q·NA·ND·(VO-V)
2·q·NA·ND·VO Εmax=
ΕmaxO= ε·(NA+ND)
ε·(NA+ND)

•Polarización
•Polarizacióndirecta
directa(0
(0<<VV<<VVOO):):
LLZT y Ε maxdisminuyen
ZT y Εmax disminuyen Muy
importante
•Polarización
•Polarizacióninversa
inversa(V
(V<<0):
0):
LLZT y Ε maxaumentan
ZT y Εmax aumentan
ATE-UO PN 27
 LLZTO
ZT
Relaciones entre ρ,
Ε y VO con
Zona P -- + ZonaNN
Zona
polarización directa
VOV-V
O
ext

Vext ρ(x)
•Menos
•Menoscarga
carga
x
espacial
espacial
•Menor
•Menorintensidad
intensidad
Ε(x) x de
decampo
campo
•Menor
•Menorpotencial
potencial
-Εmax
-ΕmaxO de
decontaco
contaco

VU(x) VO
VO-Vext x ATE-UO PN 28
 LLZTO
ZT
Relaciones entre ρ,
Ε y VO con
Zona P - - ++ Zona N
Zona N
polarización inversa
VOV+V
O
ext

Vext ρ(x)
•Más
•Máscarga
cargaespacial
espacial
x
•Mayor
•Mayorintensidad
intensidad
de
decampo
campo
Ε(x) x
•Mayor
•Mayorpotencial
potencialde
de
-ΕmaxO
contaco
contaco
-Εmax

VU(x)
VO+Vext
VO
x ATE-UO PN 29
 Conclusiones parciales
Polarización directa:
•Disminuye la tensión interna que frena la difusión
•Disminuye el campo eléctrico en la zona de transición
•Disminuye el ancho de la zona de transición

Polarización inversa:
•Aumenta la tensión interna que frena la difusión
•Aumenta el campo eléctrico en la zona de transición
•Aumenta el ancho de la zona de transición
Muy
importante ATE-UO PN 30
¿Qué pasa con la concentración de portadores
cuando se polariza? Ejemplo: electrones en
nPV
P
polarización directa
- - - - -
- +- - - - -
- + - - - - -
- Zona P
- - - - -
- - +
- - - - - -
- VOO-V
V + - - - - -
-
- - - - -
Zona P
- + - - - - -

nNV
N
VO = VT·ln(nN/nP)
nnNV/n PVcambia
NV/nPV cambia
VO-V =VT·ln(nNV/nPV) mucho
mucho
ATE-UO PN 31
Concentración de portadores con polarización (I)
Electrones: Huecos:
VO - V = VT·ln(nNV/nPV) VO - V = VT·ln(pPV/pNV)
Analizamos la situación en los bordes externos de la zona de
transición:
En zona P: ∆pP = pPV - pP ∆nP = nPV - nP
En zona N: ∆nN = nNV - nN ∆pN = pNV - pN
Por neutralidad de carga (aproximada):
∆pP ≈ ∆nP ∆nN ≈ ∆pN
Como pP>>nP y nN>>pN y admitimos que pPV>>nPV y nNV>>pNV
(hipótesis de baja inyección), se cumple:
pPV/pNV = (pP + ∆pP) /pNV ≈ (pP + ∆nP) /pNV ≈ pP/pNV
nNV/nPV = (nN + ∆nN) /nPV ≈ (nN + ∆pN) /nPV ≈ nN/nPV

Es
Escomo
comosi
silos
losmayoritarios
mayoritariosno
no
cambiaran
cambiarandedeconcentración
concentración
ATE-UO PN 32
Concentración de portadores con polarización (II)
Cambio de la concentración de Cambio de la concentración de
huecos a los dos lados de la electrones a los dos lados de la
zona de transición : zona de transición :
VO - V = VT·ln(pP/pNV) VO - V = VT·ln(nN/nPV)
(VO-V)/ VT (VO-V)/ VT
pP/pNV = e nN/nPV = e
- (VO-V)/ VT - (VO-V)/ VT
nPV = ND· e pNV = NA· e

+-
Zona P Zona N
- +
V U
pP = NA nN = ND
=
+
V
-
ATE-UO PN 33
 ¡¡¡Ojo!!! Hay una pequeña “trampa”
Hemos llegado a: Hemos llegado a:
VO - V = VT·ln(pP/pNV) VO - V = VT·ln(nN/nPV)
Partíamos de: Partíamos de:
VO = VT·ln(pP/pN) VO = VT·ln(nN/nP)

Y esta fórmula venía de: Y esta fórmula venía de:

jp campo + jp difusión = jp total = 0 jn campo + jn difusión = jn total = 0

Pero con polarización jp total ≠ 0 y jn total ≠ 0. Por tanto, las

expresiones mostradas no son válidas con polarización.
Sin embargo, se pueden seguir usando como una
aproximación razonable ya que en la unión:
jp total << jp campo jp total << jp difusión
jn total << jn campo jn total << jn difusión
ATE-UO PN 34
 Ejemplo 1: unión de Germanio sin polarizar
Datos del Ge a 300ºK
Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
µp=1900 cm2/V·s µn=3900 cm2/V·s εr=16
Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm τp= τn= 10 µs

NA=1016 atm/cm3 VO=0,31 V ND=1016 atm/cm3

+-
P N
0,313µm
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN
1014

1012 nP pN
1010
-1µm 0 1µm ATE-UO PN 35
 Ejemplo 1 con polarización directa
V=180mV

V =0,13 VV
VUu=0.31
+-
PP -+ NN
0.313µm
0,215µm
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN En
En esta
esta parte
parte del
del
1014
nPV pNV cristal
cristal se
se produce
produce
1012 nP pN un
un aumento
aumento muymuy
1010 fuerte
fuerte de
de los
los
-1µm 0 1µm minoritarios
minoritarios

ATE-UO PN 36
 Ejemplo 1 con polarización inversa
V=180mV

V =0,49 VV
VUu=0.31

-+
+-
PP NN
0,416µm
0.313µm
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN En
En esta
esta parte
parte del
del
1014 cristal
cristal se
se produce
produce
1012 nP pN una
una disminución
disminución
1010 muy
muy fuerte
fuerte de
de los
los
nPV pNV minoritarios
108 minoritarios
-1µm 0 1µm
ATE-UO PN 37
 ¿Cómo evoluciona la concentración de
minoritarios en las zonas alejadas de la unión?
Ejemplo: huecos en zona N con pol. directa
+
+ +
+ +
Zona N
+ + + + + +
+ +
+ + +
Zona de pNV0
transición
pNV(x)
pNV∞

0 x
Inyección
Inyeccióncontinua
continuade
deminoritarios
minoritariospor
por
una
unasección
sección(ATE-UO
(ATE-UOSem
Sem60)60) ATE-UO PN 38
 Concentraciones en zonas alejadas de la unión

V=180mV V=180mV
Zona P Zona N Zona P Zona N
1016 1016
Portad./cm3

pP nN pP nN
1014 1014

Portad./cm3
Esc. log.
1012 nPV pNV
p
nP N 1012
nP pN
1010 1010 nPV pNV
Por./cm3

pP Esc. log.
1016 nN 108

5·1015
Escala
lineal
nPV
P pNV
N
0 ATE-UO PN 39
 Concentración de minoritarios en zonas alejadas
de la unión (zonas neutras) en escala lineal

V=180mV V=180mV
Zona P Zona N Zona P Zona N
Portad./cm3 Portad./cm3
8·1013 8·1010 nP pN

4·1013 nPV pNV 4·1010 nPV pNV

nP pN
0 0
-3 -2 -1 0 1 2 3 -3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] Longitud [mm]
El
Elaumento
aumentodedeconcentración
concentración La
Ladisminución
disminucióndedeconcentración
concentración
diminuye
diminuyeexponencialmente
exponencialmenteal
al diminuye
diminuyeexponencialmente
exponencialmenteal
al
alejarse
alejarsede
dela
launión
unión alejarse
alejarsede
dela
launión
unión
ATE-UO PN 40
 Exceso de concentración en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en
los bordes de la zona de transición (I)
Polarización directa Polarización inversa
Portad./cm3 Portad./cm3
8·1013 8·1010
Alto nPV pNV
4·1013 gradiente 4·1010
Pequeño
nPV pNV gradiente
0 0
-3 -2 -1 0 1 2 3 -3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] Longitud [mm]
Alto exceso de minoritarios Escaso exceso de minoritarios

Debido
Debido aa los
los diferentes
diferentes valores
valores de
de las
las escalas
escalas dede
concentraciones,
concentraciones, los
los valores
valores del
del exceso
exceso dede carga
carga yy del
del
gradiente
gradienteson
sonmuy
muydistintos
distintos
ATE-UO PN 41
 Exceso de concentración en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en
los bordes de la zona de transición (II)
Portad./cm3
Aquí
Aquíse
seve
vemejor
mejor
8·1013
Zona P Zona N
V=180mV
4·1013 (pol. directa)

nPV pNV
0 nP pN

nPV pNV
V=-180mV
(pol. inversa)
ATE-UO PN 42
¿Por qué tanto interés en la evolución de la
concentración de los minoritarios en los
bordes externos de la zona de transición?
Porque dicha evolución es la clave para deducir la
relación entre la tensión V y la corriente I en una unión
PN polarizada, que es lo que realmente nos interesa.

+-
P N

i
=
+
V
-
ATE-UO PN 43
 ¿Cómo calcular la corriente (I)?
¿Analizando la zona de transición?
V
VU
Zona P P -+ N Zona N

varios mm 0,215µm
Portad./cm3
1016 p nP
1014
N
nPV pNV Esc. log.

1µm
En la zona de transición hay gradientes de concentración e
intensidades de campo eléctrico muy grandes, que causan que:
jp total << jp campo jp total << jp difusión jn total << jn campo jn total << jn difusión

No
Noes
esposible
posibleobtener
obtenerinformación
informaciónsobre
sobrela
la
corriente
corrientetotal
totalpor
poreste
estecamino
camino
ATE-UO PN 44
 ¿Cómo calcular la corriente (II)?
¿Analizando los mayoritarios de las zonas“neutras”?
V

Zona P P -+ N

3 mm •Sabemos que los mayoritarios

Portad./cm3 aumentan aproximadamente así,
1016 + 8·1013 por lo que podríamos calcular la
corriente de difusión de
mayoritarios.
1016 + 4·1013 pPV •Pero no podemos calcular la
corriente debida a campo eléctrico
1016 (de arrastre) ya que no sabemos lo
pP que vale el campo (aunque sí
0 sabemos que es muy pequeño).
Escala lineal
Tampoco
Tampocovale
valeeste
estemétodo
método
ATE-UO PN 45
 ¿Cómo calcular la corriente (III)?
¿Analizando los minoritarios de las zonas“neutras”?

V 0,215µm

Zona P P -+ N Zona N

Portad./cm3 6 mm
Portad./cm3
8·1013 8·1013
Esc. lin.
Esc. lin.
4·1013 nPV 4·1013
pNV
6,25·1010 6,25·1010
0 0
La corriente de minoritarios debida a campo eléctrico es
despreciable (pequeños valores del campo y pequeña
concentración).
Toda
Todalalacorriente
corrientede
deminoritarios
minoritarios
ATE-UO PN 46 es
esdebida
debidaaadifusión
difusión
 ¿Cómo calcular la corriente (IV)?
Cálculo de la corriente de minoritarios en las zonas“neutras”
V

Zona P jnP -+ jpN Zona N

8·1013 Portad./cm3
Portad./cm3
nPV pNV
4·1013
6,25·1010 6,25·1010
0
jnP=q·Dn·dnPV/dx jpN=-q·Dp·dpNV/dx
40
Densidad de

[mA/cm2]
corriente

20
jnP jpN
0 ATE-UO PN 47
 ¿Cómo calcular la corriente (V)?
¿Podemos conocer la corriente total a partir de la
corriente de minoritarios en las zonas“neutras”?
V=180mV
jnP jpN
Zona P Zona N
40
corriente [mA/cm2]
Densidad de

¿Qué pasa en la
20
jnP jpN zona de transición?
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]

Al
Alnonohaber
haberrecombinaciones
recombinacionesenenla
lazona
zonade
de
transición,
transición,no
nose
semodifican
modificanlas
lascorrientes
corrientes
ATE-UO PN 48
 ¿Cómo calcular la corriente (VI)?
V=180mV
jnP jpN

Zona P Zona N
jtotal
•En
•Enla
lazona
zonade
detransición:
transición:
80
jjtotal = j nP(0)
total = jnP (0)++jjpN (0)
pN(0)
60
jtotal = jnP(0) + jpN(0)
corriente [mA/cm2]

•En
•Enel
elresto
restodel
delcristal:
Densidad de

cristal:
40
jnP(0) La
Lacorriente
corrientetiene
tieneque
que
ser
serla
lamisma
misma
jpN(0)
20
jnP
jpN Muy, muy
0 importante
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 49
 1ª
1ª conclusión
conclusión importantísima:
importantísima:
Basta
Basta conocer
conocer la
la concentración
concentración de
de los
los minoritarios
minoritarios
en
en los
los bordes
bordes de de la
la zona
zona de
de transición
transición para
para
conocer
conocerla
lacorriente
corrientetotal.
total.

2ª
2ª conclusión
conclusión importantísima:
importantísima:
Polarización
Polarizacióndirecta:
directa:
•El
•Elgradiente
gradientede
dedicha
dichaconcentración
concentraciónesesbastante
bastante
grande
grandeÎ ÎCorriente
Corrientetotal
totalbastante
bastantegrande
grande

Polarización
Polarizacióninversa:
inversa:
•El
•Elgradiente
gradientedededicha
dichaconcentración
concentraciónes
esmuy
muypequeño
pequeño
ÎÎCorriente
Corrientetotal
totalmuy
muypequeña
pequeña
ATE-UO PN 50
Cálculo de la corriente debida a los mayoritarios (I)
V=180mV
En cada zona “neutra” ,
jnP jpN
todo lo que no es
Zona P Zona N corriente de minoritarios
jtotal es corriente de
mayoritarios
80

60
jtotal
corriente [mA/cm2]
Densidad de

jjpP
pP
=
= jj - j
total jnP
total - nP
40 jpP
jjnN
nN
=
= jj - j
total jpN
total - pN
20
jnP
jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 51
Cálculo de la corriente debida a los mayoritarios (II)
V=180mV
jnP jpN

Zona P Zona N
jtotal
80

60
jtotal
corriente [mA/cm2]
Densidad de

jpP
40 jnN
jpP
20

jnP jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm] ATE-UO PN 52
 Corrientes con polarización directa e inversa
jtotal jtotal
180mV 180mV

Zona P Zona N Zona P Zona N

60 0

corriente [mA/cm2]
corriente [mA/cm2]

jtotal jnP jpN

Densidad de
jpP jnN
Densidad de

40 -0.02

jpP jnN
20
jnP jpN -0.04
jtotal
0 -0.06

V=180mV (pol. directa) V=-180mV (pol. inversa)

Corriente positiva con la Corriente negativa con la
referencia tomada referencia tomada

Cambio
Cambiode
de1000
1000aa11al
alpasar
pasarde
de+180mV
+180mVaa-180mV
-180mV
ATE-UO PN 53
Cálculo de la corriente en función de la tensión (I)

1-
1-Se
Secalcula
calcula el
elsalto
saltode
deconcentración
concentraciónde decada
cadatipo
tipode
de
portador
portadorde
deun
unextremo
extremoalalotro
otrode
dela
lazona
zonade
detransición.
transición.
2-
2-Se
Secalcula
calculael
elexceso
exceso de
deminoritarios
minoritariosen
enlos
losbordes
bordes
externos
externosde
dela
lazona
zonade
detransición.
transición.
3-
3-Se
Secalcula
calculala
ladistribución
distribuciónexponencial
exponencialde
delos
losminoritarios
minoritarios
al
allo
lolargo
largode
delas
laszonas
zonasneutras.
neutras.
4-
4-Se
Secalcula
calculael
elgradiente
gradientede
dedicha
dichaconcentración
concentraciónjusto
justoen
en
los
losbordes
bordesde
delalazona
zonade
detransición.
transición.
5-
5-Se
Secalculan
calculanlas
lascorrientes
corrientesde
deminoritarios
minoritariosen
enlos
losbordes
bordes
de
delalazona
zonade
detransición
transición(corriente
(corrientede
dehuecos
huecosen en el
elborde
bordede
de
la
lazona
zonaNNyydedeelectrones
electronesenenel
elborde
bordede
dela
lazona
zonaP).
P).
6-
6-La
Lasuma
sumade
delas
lasdos
doscorrientes
corrientesanteriores
anterioreses
esla
lacorriente
corriente
total.
total.

ATE-UO PN 54
 Cálculo de la corriente en función de la tensión (II)
1-
1-Se
Secalcula
calcula el
elsalto
saltode
deconcentración
concentracióndedecada
cadatipo
tipode
deportador
portadorde
deunun
extremo
extremoal
alotro
otrodedela
lazona
zonade
detransición.
transición.Este
Estesalto
saltodepende
dependededeVVO-V
-V
O

2-
2-Se
Secalcula
calculael
elexceso
exceso de
deminoritarios
minoritariosen
enlos
losbordes
bordes
externos
externosde
dela
lazona
zonade
detransición.
transición.Este
Esteexceso
excesodepende
dependede
deVV

1016

pP
Portad./cm3

1014 pNV(x)
1012
pNV(0) pN(∞)
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] ATE-UO PN 55
 Cálculo de la corriente en función de la tensión (III)
3-
3-Se
Secalcula
calculalaladistribución
distribuciónexponencial
exponencialde
delos
los
minoritarios
minoritariosal
allo
lolargo
largode
delas
laszonas
zonasneutras.
neutras.

4-
4-Se
Secalcula
calculael
elgradiente
gradientedededicha
dichaconcentración
concentración
justo
justoen
enlos
losbordes
bordesdedela
lazona
zonade transición((tgα
detransición tgα).).

1016

pP
Portad./cm3

1014 pNV(x)
α
1012
pNV(0) pN(∞)
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] ATE-UO PN 56
Cálculo de la corriente en función de la tensión (IV)
5-
5-Se
Secalculan
calculanlas
lascorrientes
corrientesdedeminoritarios
minoritariosenenlos
losbordes
bordesdede
la
lazona
zonade
detransición
transición(corriente
(corrientede
dehuecos
huecosen en el
elborde
bordede
dela
la
zona
zonaNNyydedeelectrones
electronesenenel
elborde
bordede
delalazona
zonaP).
P).

80

6-
6-La
Lasuma
sumade delas
lasdos
jtotal = jnP(0) + jpN(0) corrientes
dos
60
corrientesanteriores
anteriores
corriente [mA/cm2]

es
esla
lacorriente
corrientetotal.
total.
Densidad de

40
jnP(0)
20
jpN(0)
jnP jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 57
Cálculo de la corriente en función de la tensión (V)
1- Salto de concentraciones
VO = VT·ln(pP/pN(∞)) (1) VO-V = VT·ln(pP/pNV(0)) (2)
2- Exceso de minoritarios en el borde
V = VT·ln(pNV(0) /pN(∞)) (3) pP
3- Distribución de los minoritarios pNV(0)
pNV(x) = pN(∞)+(pNV(0) -pN(∞))·e-x/LP (4) pNV(x)
4- Gradiente en el borde de la Z. T.
-(pNV(0) - pN(∞))·e-x/L p pN(∞)
∆
pNV(x)= (5)
Lp
-(pNV(0) - pN(∞))
[ ]
pNV(x) = (6)
∆
0
Lp ATE-UO PN 58
Cálculo de la corriente en función de la tensión (VI)
5- Corrientes de minoritarios
(pNV(0) -pN(∞))
jpN(0)=q·Dp· (7)
Lp
(nPV(0) -nP(∞))
jnP(0)=q·Dn· (8)
Ln
6-Corriente total (A es la sección)
i=A·jTotal=A·(jpN(0)+ jnP(0)) (9)
Usando la ecuación (3) para huecos y para
electrones, queda:
pN(0) -pN(∞) = pN(∞)·(eV/VT -1) (10)
nP(0) -nP(∞) = nP(∞)·(eV/VT -1) (11)
ATE-UO PN 59
Cálculo de la corriente en función de la tensión (VII)

Sustituyendo (10) y (11) en (7) y (8) y éstas en (9), queda:

i = A·q·(Dp·pN(∞)/Lp+Dn·nP(∞)/Ln)·(eV/VT -1) (12)

y como pN(∞)=ni2/ND y nP(∞)=ni2/NA , queda:

i = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp) + Dn/(NA·Ln))·(eV/VT -1) (13)

Esta ecuación se puede escribir como:

i=IS·(eV/VT -1) Muy, muy

importante
donde:

IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))
ATE-UO PN 60
Ecuación característica de una unión PN “larga”
V
Resumen: VT
i = IS·(e -1)
donde:
VT = k·T/q IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))

• Polarización directa con VO > V >> VT

V
i ≈ IS·e VT (dependencia exponencial)

Muy
• Polarización inversa con V << -VT importante

i ≈ -IS Corriente inversa de saturación

(constante)

ATE-UO PN 61
 Curva característica de una unión PN
“larga” a diferentes escalas

Unión de Ge (Ejemplo 1), i

sin efectos adicionales + P
V N

1
i [mA] -
(exponencial)

i [µA]

0 0
-0.25 0.25 V [Volt.] -0.5 V [Volt.]

-0.8
(constante)
ATE-UO PN 62
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (I)
Baja resistividad: Baja resistividad:
VP ≠ 0
VP ≈ 0 V N≈ ≠
V 0 0
N
Efecto de la
+- resistencia de las
Zona P Zona N zonas “neutras”

V
i ipequeña
grande i [mA]
30
•La tensión de contacto ya no es
VO - V
•La tensión de contacto siempre
tiene el signo indicado
•La tensión V puede ser mayor
que VO -4 0 1 V [Volt.]
ATE-UO PN 63
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (II)
+-
+- - Generación en la
zona de transición
+
-
+
Zona P
+- Zona N
- +
i
+ V - i [µA]
-40 V [Volt.]
•Habíamos supuesto que
0
no había generación de
pares electrón-hueco
•La corriente inversa -2
aumenta por efecto de
esta generación
ATE-UO PN 64
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (III)
- +
- + Avalancha
P + + - -+ primaria
-- + -
+ N
- +
i + V - i [µA]
La corriente aumenta fuertemente -40 V [Volt.]
si se producen pares electrón- 0
hueco adicionales, o bien por
choque o bien por otra causa.
Esto será estudiado después -2

ATE-UO PN 65
Curva característica de una unión PN en
escala de máximos valores de uso

i [mA]
30
En polarización directa,
la caída de tensión es
prácticamente nula

-20 0 5 V [Volt.]

En polarización inversa,
la corriente conducida es Muy
prácticamente nula importante

ATE-UO PN 66
 Concepto de diodo ideal (I)
•Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrónica física
•Definimos un nuevo componente ideal de teoría de circuitos

i
En polarización directa, la caída
i de tensión es nula, sea cual sea
Ánodo
+ el valor de la corriente directa
conducida

V
curva característica
Cátodo
- V
En polarización inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
Muy, muy de la tensión inversa aplicada
importante
ATE-UO PN 67
 Concepto de diodo ideal (II)

Circuito abierto: la i
corriente conducida es Diodo ideal
nula, sea cual sea el i
valor de la tensión
aplicada
Corto
V circuito
Corto circuito: la i
tensión soportada es
nula, sea cual sea el V
valor de la corriente
conducida Circuito abierto

V
ATE-UO PN 68
 Comparación entre el diodo ideal y
el comportamiento de una unión PN

Diodo ideal i Diodo real i [mA]

30

V [Volt.]
V -20 0 5

El
Elcomportamiento
comportamientode
deuna
unaunión
uniónPN
PNesesmuy
muy
semejante
semejanteal
alde
deun
undiodo
diodoideal
ideal

ATE-UO PN 69
El diodo semiconductor. Diodo de señal

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
N semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando
el cátodo
Cátodo Terminal

ATE-UO PN 70
 Diodos semiconductores

OA95
(Ge)

BY251
(Si)
1N4148
(Si)

BY229
BYS27-45 (Si)
1N4007 (Schottky Si)
(Si) ATE-UO PN 71
 Agrupación de diodos semiconductores
2 diodos en
Puente de diodos Anillo de diodos
cátodo común
∼ ∼ +
+ ∼ ∼ -
+ ∼ ∼
B380 C3700
(Si)

-
∼ +∼
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si) ATE-UO PN 72
 Curvas características y circuitos equivalentes
i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
Muy
0 Vγ importante

ideal
Circuito equivalente
rd
asintótico
real (asintótico) Vγ
ATE-UO PN 73
 Recordatorio del Teorema de Thévenin

A A
+
Circuito lineal vABO Circuito lineal iABS
-
B B

ZO
A
+
+ V = vABO
V = vABO
- - ZO = vABO/iABS
B
Equivalente Thévenin

ATE-UO PN 74
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 1º:
Un diodo ideal en un circuito en el que el resto
de los componentes son lineales
A
ideal
iAB +
Circuito de
Circuito lineal
partida vAB
-
B
Solución
Circuito no lineal

A Si vABO > 0 ⇒ diodo directamente

+ + ideal polarizado ⇒ v =0, i >0 (≠ 0)
Circuito Z
AB AB
-= lineal
O vABO
- v -
Si vABO < 0 ⇒ diodo inversamente
B
Equivalente Thévenin polarizado ⇒ iAB=0, vAB=vABO (≠ 0)
ATE-UO PN 75
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 2º:
Un diodo real (modelo asintótico) en un circuito en
el que el resto de los componentes son lineales
A A
+ +
iAB iAB ideal
real real
Circuito lineal Circuito lineal
vAB vAB rd
- - Vγ
B B
A
+ Si vABO > Vγ ⇒ diodo directamente
polarizado ⇒ vAB=Vγ+ rd·iAB
Circuito lineal
vABO
Si vABO < Vγ ⇒ diodo inversamente
- polarizado ⇒ iAB=0, vAB=vABO
B ATE-UO PN 76
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 3º:
Un diodo real (modelo exponencial) en un circuito
en el que el resto de los componentes son lineales
A
+
iAB
real
Circuito lineal
vAB
-
B
En circuito impone la condición vAB = F(iAB)
En diodo impone la condición iAB = IS·(eVAB/VT -1)
Hay
Hay que
que resolver
resolver este
este sistema,
sistema,
que
queno
notiene
tienesolución
soluciónexplícita
explícita
ATE-UO PN 77
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 4º:
Varios diodos ideales

A Al ser no lineal el
circuito que queda al
ideal eliminar el diodo D , no
Circuito lineal 1
pueden aplicarse los
D1 métodos anteriores
B
Circuito no lineal

Método
Método aa seguir:
seguir: Establecer
Establecer una una primera
primera hipótesis
hipótesis sobre
sobre el
el
estado
estado dede conducción
conducción de de cada
cada diodo.
diodo. AA continuación
continuación
resolver
resolver el
el circuito
circuito yy verificar
verificar sisi se
se llega
llega aa alguna
alguna situación
situación
incompatible
incompatible concon lala idealidad
idealidad de de los
los diodos.
diodos. En
En caso
caso
afirmativo,
afirmativo, repetir
repetir el
el proceso
proceso hasta
hasta queque sese llegue
llegue aa una
una
hipótesis
hipótesiscompatible
compatiblecon conlalaidealidad
idealidadde delos
losdiodos.
diodos.
ATE-UO PN 78
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 5º:
Varios diodos reales (modelo asintótico)
ideal rd Vγ
real
E F
C
A
Vγ
ideal
real
rd
real Circuito lineal rd
ideal
Vγ
D B
Circuito lineal
Circuito no lineal
ATE-UO PN 79
Igual
Igualque
queel
elcaso
casoanterior
anterior
 Resolución gráfica de circuitos con un
diodo, fuentes y resistencias
Circuito V, I, R
A iAB
+ vABO/RO
RO iAB
+
-= vAB
- vABO
- vAB
Eq. Thévenin
B 0 vABO
•En circuito impone la condición: vAB = vABO - RO·iAB
(recta de carga)
•En diodo impone la condición definida por su curva
característica

El
El punto
punto dede trabajo
trabajo está
está definido
definido por
por la
la intersección
intersección
de
delalarecta
rectade
decarga
cargayyla
lacurva
curvacaracterística
característica
ATE-UO PN 80
Efectos térmicos sobre la unión (I)
Polarización inversa: i ≈ -IS
siendo: IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))
(EFi - Ec)/kT Nc es una constante que
ni ≈ Nc· e depende de T3/2 (ver ATE-UO Sem 32)

La
Lacorriente
corrienteISISdepende
dependefuertemente
fuertementede
deTT(se
(sedobla
doblacada
cada10ºC)
10ºC)

Polarización directa: i ≈ IS·eq·V/(kT) Decrece con T

Crece con T

La
Lacorriente
corrienteiiaumenta
aumentacon
conTT(prevalece
(prevalecela
latendencia
tendenciade
deISIS))
ATE-UO PN 81
Efectos térmicos sobre la unión (II)
Polarización directa Polarización inversa
i

i [µA]
i [mA] + P
30
37ºC V N
-0.25 V [Volt.]
-
27ºC 27ºC
V [Volt.]
37ºC
0 0.3 -2

En
En ambos
ambos caso,
caso, para
para la
la misma
misma tensión,
tensión, la
la
corriente
corriente aumenta
aumenta con
con la
la temperatura
temperatura

Muy
importante ATE-UO PN 82
 Ejemplo 2: unión de Silicio
Datos del Si a 300ºK Zona P Zona N
Dp=12,5 cm2/s
Dn=35 cm2/s NA=1015 atm/cm3 ND=1015 atm/cm3
µp=480 cm2/V·s τp=100 ns τn=100 ns
µn=1350 cm2/V·s Lp=0,01 mm Ln=0,02 mm
ni=1010 port/cm3
εr=11,8 VO=0,596 V

Datos del Ejemplo 1 (Ge)

Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
µp=1900 cm2/V·s µn=3900 cm2/V·s εr=16
Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm τp= τn= 10 µs
NA=1016 atm/cm3 ND=1016 átm/cm2 VO=0,31 V
ATE-UO PN 83
 Comparación entre uniones de Silicio y Germanio

Ejemplo 2 (Si) con Ejemplo 1 (Ge) con

V=0,48 (i=544µA) V=0,18 (i=566µA)
Portad./cm3 Portad./cm3
1016
1016
1014 pP nN pP nN
1012 1014

1010 nPV nPV pNV

1012
pNV
108
1010
106 -3 -2 -1 0 1 2 3
104 Longitud [mm]
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]

ATE-UO PN 84
 Comparación Ge/Si: curvas características
i [mA]
i
i [mA] 30 Ge
+ 1
P
Ge Si Si
V N

- V [Volt.]

0 -4 0 1
- 0,25 0,25 0,5
V [Volt.]

i [µA] i [pA]
Ge:
Ge:mejor
mejoren
en
V [Volt.] V [Volt.]
0
conducción
conducción
-0,5 -0,5 0
Si:
Si:mejor
mejoren
en
Si
Ge bloqueo
bloqueo
-0,8 Muy -10
importante
ATE-UO PN 85
 Efectos dinámicos de las uniones PN

Al cambiar las condiciones de polarización,

¿cambia al instante la conducción?

No,
No, yaya que
que la la conducción
conducción estáestá ligada
ligada aa la la
concentración
concentración de de portadores
portadores de
de carga
carga enen los
los bordes
bordes
externos
externos dede la
la zona
zona de
de transición
transición yy al
al ancho
ancho de
de la
la
zona
zona de
de transición,
transición, siendo
siendo en
en ambos
ambos casos
casos necesario
necesario
crear,
crear, destruir
destruir oo mover
mover portadores
portadores de de carga
carga,,lo
lo
que requieretiempo.
querequiere tiempo.
Se caracterizan como:
•Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
•Tiempos de conmutación (en conmutación)
ATE-UO PN 86
Capacidades parásitas: capacidad de transición (I)
Es la dominante con polarización inversa

Zona P -- + Zona N
VV O+V
O+V+∆V

V + ∆V ρ(x)

Al producirse ∆V, hay que extraer portadores

de carga para generar esta carga espacial ATE-UO PN 87
Capacidades parásitas: capacidad de transición (II)

Unión PN Condensador

Con V Con V Con V + ∆V

P - + N
+ + + +++++
Con V + ∆V - - - -----
P - + N

Condensador:
Condensador:nuevas
nuevascargas
cargasaala
lamisma
mismadistancia
distancia(C=cte.)
(C=cte.)
Unión
UniónPN:
PN:nuevas
nuevascargas
cargasaadistinta
distintadistancia (C≠≠cte.)
distancia(C cte.)
ATE-UO PN 88
Capacidades parásitas: capacidad de transición (III)

dQ
Partiendo de :

-dQ Ctrans=dQ/dV=ε·A/LZT
LZT
2·ε·(NA+ND)·(VO-V)
LZT =
Ctrans q·NA·ND

Se obtiene:
V ε·q·NA·ND
Ctrans = A·
0 2·(NA+ND)·(VO-V)
Es
Esuna
unafunción
funcióndeldel Muy
tipo
tipoK·(V
K·(VOO-V)
-1/2
-V)-1/2 importante
ATE-UO PN 89
Capacidades parásitas: capacidad de transición (IV)
Los diodos varicap o varactores son diodos que se
utilizan como condensadores variables controlados por
por tensión.
•Se basan en la capacidad de transición de una unión PN
polarizada inversamente.
•Se utilizan frecuentemente en electrónica de
comunicaciones para realizar moduladores de frecuencia,
osciladores controlados por tensión, control automático
de sintonía, etc.
Símbolo Se usa polarizado
Muy inversamente
importante
ATE-UO PN 90
Capacidades parásitas: capacidad de difusión (I)
dominante con polarización directa

Ctrans

0 V
Polarización Polarización
inversa directa

En polarización directa, Ctrans crece mucho. Sin embargo,

carece de importancia porque aparece otro efecto capacitivo:
La capacidad de difusión.
Esta capacidad está ligada a la concentración de minoritarios en
los bordes externos de la zona de transición.
ATE-UO PN 91
 Capacidades parásitas: capacidad de difusión (II)

1016
pP nN Incremento de
Portad./cm3

1014 V=240mV
concentración de
nPV minoritarios debido
1012 pNV al aumento de
V=180mV tensión de 60mV.
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]

Al
Al incrementar
incrementar la
la tensión
tensión tiene
tiene que
que producirse
producirse un
un
aumento
aumento de de concentración
concentración de de minoritarios,
minoritarios, que
que
tarda
tarda tiempo
tiempo en
en producirse,
producirse, lolo que
que se
se asocia
asocia aa la
la
llamadacapacidad
llamada capacidad de de difusión
difusión
ATE-UO PN 92
 Tiempos de conmutación (I)

R
i
a b Transición de “a” a “b”
+ (apagado), en una escala
V2 V amplia (ms o s).
V1
-
i
V1/R
t
Comportamiento
Comportamiento
dinámicamente
dinámicamenteideal
ideal
V t

-V2
ATE-UO PN 93
 Tiempos de conmutación (II)
Transición de “a” a “b” (apagado), en una escala
detallada (µs o ns).
R
i
a b i V1/R
+
V2 V trr t
V1
- ts
ts = tiempo de almacenamiento -V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
(storage time )
tf = tiempo de caída (fall time ) V
trr = tiempo de recuperación
t
inversa (reverse recovery time )

-V2
Muy
importante
ATE-UO PN 94
 Tiempos de conmutación (III)
R ¿Por qué ocurre esto?
i
a b Porque no habrá capacidad de bloqeo
+ hasta que las concentraciones de
V2 V minoritarios sean menores que las de
V1 equilibrio
-
Portad./cm3
i V1/R
8·1013

t3 t4 t nPV pNV
4·1013
t0 t1 t2
t1 t0
-V2/R
0
V t2 t3 t4
t
-1 0 1
Longitud [mm]
-V2 ATE-UO PN 95
 R Tiempos de conmutación (IV)
i
a b Transición de “b” a “a”
+
V2 V (encendido)
V1
Portad./cm3
- 8·1013

i
0,9·V1/R nPV pNV
4·1013
t1 t4
0,1·V1/R t4 t3
t0
td t2 t3 0
tr t2 t1 t0
tfr
-1 0 1
td = tiempo de retraso (delay time )
Longitud [mm]
tr = tiempo de subida (rise time )
El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esmás
más
tfr = td + tr = tiempo de recuperación
rápido
rápidoque
queel
elapagado.
apagado.
directa (forward recovery time )
ATE-UO PN 96
 Diagramas de bandas en la unión PN (I)
Zonas P y N incomunicadas Barrera que impide la difusión

Zona P Zona N
(neutra) (neutra)

Ec Ec

EFi EF
EFi
EF
Ev Ev

ATE-UO PN 97
 Diagramas de bandas en la unión PN (II)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar (I)
Zona de transición
- +
Zona P - + Zona N
- + (neutra)
(neutra) - +
VO
Ec
VO·q
EFi Ec

EF EF
Ev EFi

Ev

ATE-UO PN 98
 Diagramas de bandas en la unión PN (III)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Representamos la distribución de los portadores

Zona P neutra Z. trans. Zona N neutra

Estados posibles para los electrones

(estados vacíos)
nP nN
Ec
EFi Ec
EF EF
Ev EFi
Ev
pP
Estados posibles para los huecos
pN
(electrones de valencia)

ATE-UO PN 99
 Diagramas de bandas en la unión PN (IV)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Valoración de las corrientes

Zona P neutra Z. trans. Zona N neutra

Estados posibles para los electrones

-jn difusión
Ec
nP -jn campo - + nN
EFi Ec
EF EF
Ev EFi
Ev
pP
- + jp campo pN
jp difusión
Estados posibles para los huecos

jn campo + jn difusión = 0 jp campo + jp difusión = 0

ATE-UO PN 100
 Diagramas de bandas en la unión PN (V)
Polarización inversa (V<0). Valoración de las corrientes
Sin polarizar

nP -jn campo - - ++ nN
Ec
EFi (VO-V)·q nN Ec
EF
EcEF
Ev EFi
EvEF
pP
- + pN
EFi

- + jp campo pN
Ev

jtotal ≈ jn campo + jp campo

Corriente total débil debida a campo eléctrico y que
no varía casi con la tensión inversa (V<0) aplicada
ATE-UO PN 101
 Diagramas de bandas en la unión PN (VI)
Polarización directa (V>0). Valoración de las corrientes
Sin polarizar

(VO-V)·q
-jn campo -jn difusión n
Ec
nP -- ++ nNN
Ec
EFi Ec
EF EF
EFi EF
Ev EFi
E

-- ++
jp difusión Evv
pP jp campo pN
pN

jtotal ≈ jn difusión + jp difusión

Corriente total fuerte debida a difusión, que varía
mucho con la tensión directa (V>0) aplicada
ATE-UO PN 102
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (I)
La tensión inversa máxima que puede soportar una
unión está limitada por una de estas 3 posibles causas:
•Perforación (punch-through)
•Ruptura por avalancha primaria
•Ruptura zener

Perforación: en uniones extremadamente cortas, la

zona de transición puede llegar a invadir toda la zona
neutra cuando se aumenta excesivamente la tensión
inversa aplicada. En estas condiciones la unión ya no
es capaz de soportar tensión inversa sin conducir.

ATE-UO PN 103
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (II)
i
- + V
0
- +
P + + +
-- + +- - - N
- +
i + V -

Ruptura por avalancha primaria: Como se comentó en ATE-UO PN

65, la corriente inversa aumenta fuertemente si se producen pares
electrón-hueco adicionales por choque. El fenómeno se vuelve
degenerativo si la intensidad del campo eléctrico aumenta
suficientemente.
El coeficiente de temperatura en este caso es positivo (al aumentar
la temperatura aumenta la tensión de ruptura.)
ATE-UO PN 104
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (III)
Valores de la longitud de la zona de transición LZTO y del campo
eléctrico máximo ΕmaxO sin polarizar (ver ATE-UO PN 27):

2·ε·(NA+ND)·VO 2·q·NA·ND·VO
LZTO = ΕmaxO=
q·NA·ND ε·(NA+ND)

Ruptura Zener: Dopando muy fuertemente ambas zonas se puede

conseguir que LZTO sea muy pequeña (<10-6 cm) y EmaxO muy grande
(≈106 volt/cm). En estas condiciones, con tensiones inversas
pequeñas (≈5 voltios) se puede dar la ruptura de la unión al
producirse conducción inversa por efecto tunel.
El coeficiente de temperatura en este caso es negativo (al aumentar la
temperatura disminuye la tensión de ruptura)

ATE-UO PN 105
 Efecto tunel
Energía Barrera de
- potencial ancha
-
Adsorbe Superación de
Cede una barrera sin
energía energía efecto tunel
- - -
Distancia
Energía
Barrera de potencial muy
estrecha (<10-6 cm)
Superación de
una barrera por
efecto tunel
- - -
Distancia ATE-UO PN 106
Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (IV). Efecto tunel
Zona P Zona N
nP
Ec

Ev
- - nN
pP
Ec
Electrones de valencia

Ev
pN
Corriente casi exclusivamente debida a electrones de
valencia que atraviesan la zona de transición por
efecto tunel
ATE-UO PN 107
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (V)
Comparación entre ruptura por avalancha y ruptura zener (I)

Similitudes:
•Pueden provocar la destrucción de la unión por aumento
de temperatura.
•En ambos casos, la tensión inversa máxima Vmax depende
del campo eléctrico aplicado que provoca la ruptura, Εrup.

2·q·NA·ND·(VO-Vmax) 2·q·NA·ND·(-Vmax)
Εrup= ≈
ε·(NA+ND) ε·(NA+ND)

(Vmax<0)
ATE-UO PN 108
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (VI)
Comparación entre ruptura por avalancha y ruptura zener (II)
Diferencias:
•Coeficiente de temperatura positivo en el caso de la
ruptura por avalancha y negativo en el caso ruptura zener.
¿Cuándo se produce cada una?
•Para el Si: si la tensión a la que se produce la ruptura es
menor de 4,5 voltios, la ruptura es tipo zener; si es mayor
que 9 voltios, es tipo avalancha; a tensiones entre 4,5 y 9
voltios es mixta.
•Para el Ge: lo mismo pero con 2,7 y 5,4 voltios.
Consecuencia importante: a tensiones intermedias
(≈6 voltios en Si) la tensión de ruptura varía poco
con la temperatura
ATE-UO PN 109
 Diodos zener (I)
Son diodos diseñados para trabajar en zona de ruptura,
cualquiera que sea la causa de ésta (zener o avalancha).

Símbolo Curva característica i

pend.=1/rd
i
+
V VZ
V
- 0

Vγ
pendiente=1/rZ
VZ = tensión zener o de ruptura
rZ = resistencia zener

ATE-UO PN 110
 Diodos zener (II)
Curva característica i
i
+ asintótica pend.=1/rd
V
- VZ
V
0
pend.=1/rZ
Vγ
A
VZ
ideal
A
Circuito equivalente rZ
asintótico rd
ideal
K Vγ
K ATE-UO PN 111
 Diodos zener (III)
Diodo zener ideal
i
Curva característica
i
+
V VZ
V
- 0

A
A VZ
ideal
Circuito
equivalente ideal

K K
ATE-UO PN 112
 Diodos zener (IV)
Aplicaciones de los diodos zener (I)
Circuito estabilizador con zener
i
RS R1 + i
V
- VZ
+ V
VB VRL 0
RL
- Muy
Queremos que importante
Fuente de VRL sea constante
tensión real

Si se diseña para que el punto de trabajo del zener

esté en la zona de ruptura (zona zener), la tensión en
el zener (y por tanto en la carga RL) será constante
ATE-UO PN 113
 Diodos zener (V)
Aplicaciones de los diodos zener (II)

Circuitos limitadores de tensión

R1
ve
VZ1
+ +
VZ1 + vs
t
ve vs
VZ2
- - -VZ2

salida de un Queremos que Vs

circuito esté acotada entre
+VZ1 y -VZ2 Muy
importante

ATE-UO PN 114
 Introducción a los contactos metal-
semiconductor (I)
Existen 4 posibilidades dependiendo de la naturaleza del metal y
del semiconductor (de la “función de trabajo” del metal y del
semiconductor):

Caso 1: El semiconductor N cede electrones al metal

Metal Zona N
-- + +
-- +
-- + + NN
- +
- + +
Electrones
(película estrecha)
Iones del donador
ATE-UO PN 115
 Introducción a los contactos metal-
semiconductor (II)
Caso 2: El semiconductor P roba electrones al metal

Metal Zona P
+ - -
+
+
+ - - P
P
+
+ - -
+
+ - -
Falta de electrones
(película estrecha) Iones del aceptador

En los casos 1 y 2 se crea una zona de transición en el

semiconductor. En ambos casos se forman las llamadas
“uniones rectificadoras” o “contactos rectificadores”.
ATE-UO PN 116
Intr. a los contactos metal-semiconductor (III)
Caso 3: El semiconductor N roba electrones al metal
Metal Zona N
+ -
+ -
Falta de electrones +- Electrones
+-
+-
N (película estrecha)
(película estrecha)
+-
+-
+-

Caso 4: El semiconductor P cede electrones al metal

Metal Zona P
-
- ++
- + Huecos
Electrones -
-
+ P (película
+
(película estrecha) - + estrecha)
- +
- +

En ambos casos se forman los llamados “contactos óhmicos”.

ATE-UO PN 117
 Contactos metal-semiconductor. Caso 1
(el semiconductor N cede electrones al metal)
LZTO
-- + +
-- +
-- + + N
Metal

- +
- + +
La longitud de la zona de transición, el campo eléctrico
y la capacidad de transición se calculan como en una
unión PN con la zona P infinitamente dopada.

2·ε·VO 2·q·ND·VO ε·q·ND

LZTO= ΕmaxO= Ctrans = A·
q·ND ε 2·VO

Para calcular la tensión de contacto y las corrientes

al polarizar, hay que introducir nuevos conceptos.
ATE-UO PN 118
 Revisión de la distribución de
electrones en un semiconductor
Electrones
Estados posibles
E
gc(E)
Ec
EF
Ev
huecos
gv(E)
f(E)
Estados posibles 0
Electrones 0,5 1
ATE-UO PN 119
 Distribución de electrones en un metal
E E
Estados
posibles
vacíos
EF
Electrones

f(E)
0 0,5 1
El nivel de Fermi determina la energía que con una
probabilidad 1/2 llegan a alcanzar los electrones. A
temperatura ambiente se puede admitir que el nivel de
Fermi es el nivel energético de los electrones del metal.
ATE-UO PN 120
 Conceptos de función de trabajo (q·Φ)
y afinidad electrónica (q·χ)
Nivel energético del vacío
q·χ
Estados q·Φm
vacíos Estados
q·Φs vacíos
EC
EFm Electrones

Electrones
EFs
EV
Electrones
Huecos

Los valores relativos de Φm y Φs y el tipo de semiconductor

determinan las propiedades de la unión.
ATE-UO PN 121
 Φm > Φs y semiconductor tipo N (I)
Nivel energético del vacío
Estados
vacíos
q·χ
Electrones q·Φs
q·Φm Estados EC
vacíos
EFs
EFm
EV
Electrones
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

N, el semiconductor cede electrones al metal. Es el
Caso 1.
ATE-UO PN 122
 Φm > Φs y semiconductor tipo N (II)
Nivel energético del vacío
q·(Φm- Φs)
Estados q·χ
vacíos
Electrones q·χ
q·Φm q·(Φm- Φs
Estados )
vacíos
EC q·Φs
Estados Electrones
vacíos EC
EFs
EFm EFs
EV
EV
Electrones
Electrones Electrones

--
Metal -- + + + + N
--
-- + + + +
Barrera de tensión: VO = Φm- Φs ATE-UO PN 123
 Φm > Φs y semiconductor tipo N (III)
Polarización directa
Nivel energético del vacío q·(Φm- Φs-V)
q·(Φm- Φs)
-j
Estados
vacíos n q·χ
q·(Φm- Φs) q·χ
q·Φm Estados Electrones q·Φs
vacíos ECEC
q·(Φm- Φs-V)

EFm E
EFs
Fs

EVV
Electrones Electrones
Electrones

-
--- ++ ++ + +
+ Metal --
-- ++ ++ + +
N -
Φmm--Φ
Φ Φss- V ATE-UO PN 124
 Φm > Φs y semiconductor tipo N (IV)
Polarización directa

•En polarización directa se

-jn establece una corriente de
Estados
electrones del semiconductor al
vacíos
metal (corriente eléctrica en
q·(Φm- Φs-V) sentido inverso).
EFs •La corriente crece mucho al
EFm
crecer la tensión V.
•La corriente eléctrica es sólo de
Electrones mayoritarios, por lo que en las
Electrones
conmutaciones no va a haber que
esperar a que se recombinen
minoritarios.
Muy
importante
ATE-UO PN 125
 Φm > Φs y semiconductor tipo N (V)
Polarización inversa (V<0)
Nivel energético del vacío
q·(Φm- ΦsNo ) hay casi
q·(Φ m- Φs-V)
Estados conducción
vacíos
q·(Φm- Φs) q·χ
q·Φm Estados Electrones q·Φs
vacíos q·χ
EC
q·(Φm- Φs-V) q·Φs
EFm E
ECFs
EV E
Fs
Electrones Electrones EV
Electrones Muy
importante
------ + + + +
---- ++++
- Metal ----- -
---- + + ++ ++ + +
N +
ΦΦmm--ΦΦss- V ATE-UO PN 126
 Φm < Φs y semiconductor tipo P
Nivel energético del vacío

Estados
q·Φm vacíos
q·χ
Estados
vacíos q·Φs
EC
EFm
EFs
Electrones EV
Huecos
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

P, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 2. Su comportamiento es similar al Caso 1.
ATE-UO PN 127
 Diodos Schottky
• Los casos 1 y 2 dan origen a un comportamiento de tipo
“unión semiconductora” (existe barrera de potencial que
evita la difusión y cuya altura se controla con la tensión
exterior aplicada), dando origen a los diodos Schottky.

Características
•Menor caída de tensión en conducción que un diodo
de unión.
•Mayor rapidez de conmutación (los minoritarios no
intervienen en la conducción).
•Mayor corriente inversa.
•Menor tensión inversa máxima. Símbolo
Muy
importante ATE-UO PN 128
 Φm < Φs y semiconductor tipo N (I)
Nivel energético del vacío

q·χ
q·Φm Estados Estados
vacíos vacíos q·Φs
Electrones
EFm EC

EFs
Electrones
EV
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

N, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 3.
ATE-UO PN 129
 Φm < Φs y semiconductor tipo N (II)
Nivel ener. del vacío q·χ
Estados Estados
vacíos vacíos q·Φs
q·Φm
Electrones

EC

EFm EFs
EV
Electrones Electrones

Los electrones pueden pasar libremente desde el metal al

semiconductor o viceversa. Con una tensión externa aplicada se
consigue desequilibrar este paso en un sentido o en otro,
simétricamente. Es un contacto óhmico.
ATE-UO PN 130
 Otras uniones metal- semiconductor con
comportamiento de contacto óhmico
•El caso 4: Φm > Φs y semiconductor tipo P
•Con contactos metal-N+-N o metal-P+-P

Estados Estados
vacíos vacíos

- - - -
EC
EFm EFs
EV

Electrones
Electrones
Electrones
Efecto tunel
-- + +
+ -
--- + +
+ --
Metal -- N+ N
+
+ + +
--
-
+ + + --
-- + + +
- + +

ATE-UO PN 131
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (I)
Efecto conocido ya: la zona de transición en la zona P+ es
mucho más estrecha que en la zona N-.
Análisis a realizar: ¿qué ocurre con las componentes de
corriente de huecos y de electrones?

Unión de Si P+N- VO=0,477 volt. V=0,3 volt.

NA=1015 atm/cm3 τp=100 ns Lp=0,01 mm
ND=1013 atm/cm3 τn=100 ns Ln=0,02 mm
Escala 1016
pP
Portad./cm3

logarítmica
1012 nN
nPV
108 pNV
104
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]
ATE-UO PN 132
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (II)
Escala lineal,
sólo minoritarios 1012
Unión

Portad./cm3
Gradiente
0.5·1012 Gradiente muy grande
muy pequeño
nP pN
0
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Calculamos las densidades
Longitud [mm]
de corriente de cada tipo de
portador. 3·10-3
corriente [A/cm2]

Zona P Zona N
Densidad de

2·10-3
jp
10-3
0
jn
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
ATE-UO PN 133 Longitud [mm]
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (III)
corriente [A/cm2]
3·10-3
Zona P Zona N
Densidad de

2·10-3
jp
10-3
jn La
0 Lacorriente
corrienteque
queatraviesa
atraviesa
la unión se debe
-0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3 la unión se debe
Longitud [mm] fundamentalmente
fundamentalmenteal al
mayoritario
mayoritariode
dela
lazona
zona
3·10-3
muy
muydopada
dopada
Zona P jTotal Zona N
corriente [A/cm2]

2·10-3
Densidad de

jp
10-3 Unión
Muy, muy
jn importante
0

-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5

Longitud [µm] ATE-UO PN 134
 Uniones “no largas” (I)

P + + +
+ N
+ + +
+ + + + + +
+ + + +
+ + + +

x XN
pN0
pN(x)
pN∞
x
La solución a la ecuación de continuidad es:
pN’(x) = C1·e-x/Lp + C2·ex/Lp
¿Qué pasa si la
Si XN>>Lp (unión “larga”), entonces:
unión no es larga?
pN(x) = pN∞ + (pN0- pN∞)·e-x/Lp

ATE-UO PN135
 Uniones “no largas” (II)

• Si no se cumple XN>>Lp (unión “ no larga”), y además

pN(0)=pN0 y pN(XN)=pN∞ entonces:
senh ((XN-x)/LP)
pN(x) = pN∞ + (pN0- pN∞)· +
senh (XN/LP) +
+ +
+ +
• Si XN<<Lp (“unión corta”) entonces: +
+ + +
senh (a) ≈ a y, por tanto:
XN
pN(x) = pN∞ + (pN0- pN∞)·(XN-x)/XN
pN0
pN(x)
Muy pN∞
importante x
XN
ATE-UO PN136
 Uniones cortas
pN0
pN(x) Como: pN(x)=pN∞+(pN0- pN∞)·(XN-x)/XN
pN∞ jpN=-q·Dp·dpN/dx = q·Dp·(pN0- pN∞)/XN
x
XN
Si comparamos este resultado con el de las
jpN uniones largas (jpN= q·Dp·(pN0- pN∞)/LP),
lo que cambia es el denominador.
La corriente total será:
i=IS·(eV/VT -1) donde:
IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·XN)+Dn/(NA·XP))

Muy En una unión larga era:

importante
IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·LP)+Dn/(NA·LN))

ATE-UO PN137
 Uniones largas comparadas con las cortas (I)
Unión larga Unión corta
V V

Zona P Zona N Zona P Zona N

jtotal jtotal
concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
Longitud Longitud
jtotal jtotal

jpP jnN jnP jnN

jnP jpN jpP jpN

0 0
Longitud Longitud
ATE-UO PN138
 Uniones largas comparadas con las cortas (II)
Unión larga Unión corta
V V

Zona P Zona N Zona P Zona N

concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
100µm Longitud 1µm Longitud

•Área grande ⇒ alto tiempo de •Área pequeña ⇒ bajo tiempo

recuperación (unión lenta) de recuperación (unión rápida)
•Larga zona neutra ⇒ alta •Corta zona neutra ⇒ baja
resistencia, pero sin peligro resistencia, pero peligro de
de perforación perforación

ATE-UO PN139
 Nivel de inyección en uniones PN
Bajo n. de inyección Alto n. de inyección
1016 nN(0+) 1016

Portad./cm3
nN(0+)
Portad./cm3

1012 pP 1012 pP
nN
nN
108 nP
pN(0+) pN
108
nP pN(0+) pN
104 104
-0.03 -0.02 -0.01 0 0.01 0.02 0.03 -0.03 -0.02 -0.01 0 0.01 0.02 0.03

Longitud [mm] Longitud [mm]

Hasta ahora hemos considerado que nN(0+)>> pN(0+),

lo que se llama “bajo nivel de inyección”.
“Alto nivel de inyección”: En una unión dopada asimétricamente
+ -
(P N ) muy polarizada directamente, la concentración de los
mayoritarios de la zona poco dopada llega a aumentar con respecto
al equilibrio, aumentando su conductividad (modulación de la
conductividad). ATE-UO PN140
 Uniones para soportar altas tensiones
con baja resistividad

P+ - + N- -+ N+

Zona poco dopada para soportar mucha tensión inversa,

según la fórmula:
E2aval· ε·(NA+ND)
Vinv max =
2·q·NA·ND

La
La resistencia
resistencia en
en conducción
conducción sese reduce
reduce por
por modulación
modulación
de
de lala conductividad
conductividad (aumento
(aumento en
en la
la concentración
concentración dede
mayoritarios por alta inyección desde P ++ y N++)
mayoritarios por alta inyección desde P y N )

ATE-UO PN141
 Zona P+ Zona intrínseca Zona N+ Diodos PIN
(P-intrínseco-N)
P+ - I + N+
•Alta capacidad de
soportar tensión
ρ(x) q·ND inversa.
Densidad
de carga
x •Baja resistencia con
polarización directa
-q·NA por modulación de la
Campo conductividad.
eléctrico Ε(x) x •Se emplean en
microondas como
-ΕmaxO atenuadores y
conmutadores.

campo máximo si fuera PN ATE-UO PN 142

 Efectos ópticos en la unión PN
La unión PN puede:
• Ser sensible a la luz ⇒ fotodiodos y células solares
• Emitir luz ⇒ Diodos Emisores de Luz (LED)

Efecto fotovoltaico (I) Luz (Eluz = h·ν)

- +
- +
P + - +
- -
+ N

Los pares electrón-hueco generados modifican las condiciones de

equilibrio térmico de la unión. Se llegará a otras condiciones de
equilibrio distintas. Por ejemplo, con la unión en circuito abierto,
disminuirá la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico y
la tensión en ella. Esto significa que aparecerá tensión directa en los
contactos metálicos, ya que es la misma situación que teníamos
cuando aplicábamos tensión directa externa.
ATE-UO PN 143
 Efecto fotovoltaico (II)

•Calculamos el exceso de minoritarios en ambas zonas

en condiciones estáticas según la ecuación de
continuidad:

0 = GL-pN’/τp+Dp·∂2pN’/∂x2
0 = GL-nP’/τn+Dn·∂2nP’/∂x2
•Suponiendo la unión larga, si repetimos la obtención
de la ecuación característica, se obtiene:

i=IS·(eV/VT -1) - Iopt

siendo: Iopt = q·A·GL·(LP + LN)

ATE-UO PN 144
 Efecto fotovoltaico (III)
Luz i=IS·(eV/VT -1) - Iopt
i
+ Iopt = q·A·GL·(LP + LN)
sin luz
P i
V N
¡¡Ojo!! la variación
- de temperatura no
v genera operación en
GL=0 el tercer cuadrante
GL1
GL2 i T2
GL3

Comportamiento Comportamiento T1
como fotodiodo como célula V
fotovoltaica o
célula solar
ATE-UO PN 145
 Células fotovoltaicas o solares
•Como Iopt = q·A·GL·(LP + LN), Lp=(Dp· τp)1/2 y Ln=(Dn· τn)1/2,
interesa que τp y τn sean grandes para que Iopt sea
grande.
•Para conseguirlo, debe haber pocos “centros de
recombinación”, lo que implica cristales muy perfectos.
i
Luz VCA v
0
P=v·i=cte.
P+
--------------- iCC Pmax
+ + + + + + + + + + + + + +`+
N
seccción A
Punto de máxima potencia.
Célula solar Interesa que la célula solar
trabaje en este punto
ATE-UO PN 146
 Paneles fotovoltaicos o solares
Paneles solares en
satélites de
comunicaciones

Fotodiodos (I)
i sin luz

A v
GL=0
GL1
K GL2

Símbolo GL3

zona de uso
ATE-UO PN 147
 Luz
Fotodiodos (II)
Uso como fotodetector
sin luz
Recta de carga i
-V1 v
i R+ GL=0
GL1
V1 VR GL2
-
i GL3

t
-V1/R
VR
Cuando
Cuandohayhayluz
luzsube
sube
t la
latensión
tensiónen
enRR(y(ypor
por
tanto
tantobaja
bajaen
enel
elfotodiodo)
fotodiodo)
ATE-UO PN 148
 Diodos Emisores de Luz (I)
Unión larga en Unión corta en
polarización directa polarización directa
concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
jtotal Longitud
jtotal Longitud

jpP jnN jnP jnN

jnP jpN jpP jpN

0 0
Longitud Longitud
No llegan al contacto metálico de Llegan al contacto metálico de la
la zona N la misma cantidad de zona N la misma cantidad de
huecos que partían del contacto huecos que partían del contacto
metálico de la zona P. Luego metálico de la zona P. Luego no
hay recombinaciones a lo hay recombinaciones a lo
largo de las zonas neutras. largo de las zonas neutras.
ATE-UO PN 149
 Diodos Emisores de Luz (II)
¿En qué se manifiesta la energía liberada en
las recombinaciones?
•En el Ge y en el Si las recombinaciones producen calor.

•En compuestos III-V pueden producir radiación luminosa.

•Compuestos Ga As1-x Px (siendo 0<x<1) sirven para generar
radiación desde el infrarrojo (Ga As, Eg=EC-EV=1,43eV) al verde
(Ga P, Eg=2,26eV). Con x=0,4 es rojo (Eg=1,9eV).
•Los dispositivos basados en este principio reciben el nombre de
Light Emitting Diodes (LED).

Símbolo
K ATE-UO PN 150
 Diodos Emisores de Luz (III)

R
i Zona P Zona N
b a i (en b)
ip in
V1
i (en a)
0
Longitud

•Cuando el interruptor pasa de “a” a “b”, el diodo LED

queda polarizado directamente.
•En cada sección del cristal hay distinto porcentaje de
corriente de huecos y de electrones, lo que significa que
hay recombinaciones en el proceso de conducción.
•Algunas de estas recombinaciones generan luz.
ATE-UO PN 151
 Diodos Emisores de Luz (IV)

f a
g b

e c
d
p.d.
A K Numeración
“Display” de 7
Diodo LED de los “8”
segmentos
segmentos

Indicador de “displays” de 7 segmentos

ATE-UO PN 152
 Diodos Emisores de Luz (V)
f a
g b “Display” de 7 segmentos
de ánodo común
e c
d Común
p.d.

a b c d e f g p. d.

“Display” de 7 segmentos de cátodo común

a b c d e f g p. d.

Común ATE-UO PN 153

 Diodos Emisores de Luz (VI)
“Display” de 7 segmentos
de ánodo común Común
R
a b c d e f g p. d.
V1
D1 D2 D3 D4 D5

a bcde f g p.d.

ATE-UO PN 154