BANDAS DE ENERGÍA EN SOLIDOS

Y TEORIA DE SEMICONDUCTORES
E L E C T R Ó N I C A A N A L O G I C A I

POR : WOLFFANG DAVID NIÑO

wolffang.nino@uptc.edu.co
SEMESTRE II 2022

Electrónica Analogica I Profesor : Ing. Wolffang David Niño Semestre II 2022

 Aislantes, Semiconductores, Metales
• A un mal conductor de la electricidad se le denomina aislante; un
conductor excelente es un metal, y las sustancias cuya conductividad
está entre estos dos extremos son denominadas semiconductoras.
Cualquier material puede clasificarse en una de estas tres clases,
dependiendo sobre todo de la estructura de su banda de energía.
 Conductor, no conductor y semiconductor:
Diferencias y definiciones
• A un mal conductor de la electricidad se le denomina aislante; un
conductor excelente es un metal, y las sustancias cuya conductividad
está entre estos dos extremos son denominadas semiconductoras.
Cualquier material puede clasificarse en una de estas tres clases,
dependiendo sobre todo de la estructura de su banda de energía.
 Conductores
• Los conductores por lo general son sustancias que tienen la propiedad
de transmitir diferentes tipos de energía. Entre estos tipos de energía se
encuentra la corriente eléctrica.
• Características :
1. Un conductor eléctrico es enormemente eficaz para transportar
partículas cargadas.
2. Tiene una alta densidad de portadores de carga de movimiento libre,
buena conductividad eléctrica y la menor resistencia eléctrica posible.
3. La conductividad eléctrica de un conductor es de al menos 104 S/cm
para los conductores eléctricos.
 Ejemplos de materiales conductores

Aluminio Hierro Cobre Zinc Oro Plata

Tabla Periódica de los elementos
 No Conductores o Aislantes
• Los materiales aislantes o no conductores, no tienen portadores libres
para los electrones o los iones. Esto impide el flujo de la corriente
eléctrica.
• Características :
1. Un no conductor ideal no conduce corrientes eléctricas en absoluto,
tienen una resistencia infinitamente alta y no tienen ningún portador de
carga que se mueva libremente. La conductividad es exactamente cero.
• La conductividad eléctrica de los no conductores es menor de 10-8
S/cm.
 Ejemplos de materiales Aislantes
Ámbar Caucho
Vidrio

Madera Plástico Cerámica

 Semiconductores
• Los semiconductores son materiales sólidos cuya conductividad
se encuentra entre la de los conductores y los no conductores.
Mediante el intercambio de electrones de átomos similares para
completar el octeto de electrones, se organizan en forma de una
estructura de rejilla
• Características :
1. Estos son sólidos con una conductividad eléctrica entre más
de 104 S/cm y menos de 10-8 S/cm.
2. El nivel de conductividad depende mucho de la
temperatura.
 Ejemplos de materiales semiconductores
Germanio Silicio Arseniuro de Galio
 Estructuras de Banda de Energía
Partículas Cargadas – Módelo del Átomo
 Estructuras de Banda de Energía
Estructura Electrónica de los Elementos
 Estructuras de Banda de Energía
Teoría de las Bandas de Energía de los cristales
 Estructuras de Banda de Energía
Aislantes, Semiconductores, Aislantes
 Estructuras de Banda de Energía
¿ Para qué se utilizan los Semiconductores?
• Procesador Intel
Core™ i7 (Extreme
Edition)

• Circuitos Integrados (IC)

• Raspberry Pi 4
Features Broadcom
BCM2711 Processor
 Estructuras de Banda de Energía
MATERIALES SEMICONDUCTORES
• La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de
estado sólido (estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un
material semiconductor de la más alta calidad.
• Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se
encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante
 Estructuras de Banda de Energía
MATERIALES SEMICONDUCTORES
• Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.

• En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases:

de un solo cristal y compuesto

• Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si)

tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el
arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN)
y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
 Estructuras de Banda de Energía
MATERIALES SEMICONDUCTORES
• Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de
dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
• Germanio :El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones
en su orbital de valencia. Hace años, el germanio era el único material adecuado
para la fabricación de dispositivos semiconductores. Sin embargo, estos
dispositivos de germanio presentaban una importante desventaja (su excesiva
corriente inversa, a la que los ingenieros no pudieron dar solución.

• Silicio : Después del oxígeno, el silicio es el elemento más abundante en la

Tierra. Sin embargo, cuando se empezó a trabajar con semiconductores existían
ciertos problemas que impedían el uso del silicio.
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
ENLANCE EN MATERIALES
CONDUCTORES
 ENLACE EN MATERIALES
CONDUCTORES
• El cobre es un buen conductor. La razón es evidente si se tiene en cuenta su
estructura atómica, la cual se muestra. El núcleo del átomo contiene 29 protones
(cargas positivas). Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra, quiere decir
que hay 29 electrones (cargas negativas) Los electrones se mueven en distintos
orbitales (también denominados capas). En el primer orbital hay 2 electrones, en
el segundo hay 8 electrones, en el tercero hay 18 electrones y 1 en el orbital más
externo.
 ENLACE EN MATERIALES
CONDUCTORES
• Orbitas estables : Cuanto más lejana es la órbita de un electrón, menor es la
atracción del núcleo. En los orbitales más alejados, los electrones se mueven más
lentamente, lo que da lugar a una fuerza centrífuga menor.
• Parte interna : el orbital exterior, el cual se denomina orbital de valencia. Este
orbital controla las propiedades eléctricas del átomo. Para destacar la importancia
del orbital de valencia, vamos a definir la parte interna de un átomo como el
núcleo más todos los orbitales internos. En un átomo de cobre, la parte interna es
el núcleo (+29) y los tres primeros orbitales (-28). La parte interna de un átomo
de cobre tiene una carga neta de +1, ya que contiene 29 protones y 28 electrones
internos.
• Electrón Libre : Dado que la atracción entre la parte interna y el electrón de
valencia es muy débil, una fuerza externa puede fácilmente arrancar este electrón
del átomo del cobre. electrón de valencia o electrón libre
 ENLACE EN MATERIALES
CONDUCTORES
• Ejemplo : Una fuerza externa libera el electrón de valencia de la de un átomo de
cobre. ¿Cuál es la carga resultante del átomo de cobre? ¿Cuál es la carga
resultante si un electrón exterior entre en el orbital de valencia ?

• Cuando se libera el electrón de valencia, la carga resultante del átomo pasa a ser
+1. Cuando un átomo pierde uno de sus electrones, se convierte en un átomo
cargado positivamente y recibe el nombre de ión positivo.
 ENLACE EN MATERIALES
CONDUCTORES
• Ejemplo : Una fuerza externa libera el electrón de valencia de la de un átomo de
cobre. ¿Cuál es la carga resultante del átomo de cobre? ¿Cuál es la carga
resultante si un electrón exterior entre en el orbital de valencia ?

• Cuando un electrón exterior entra en el orbital de valencia de la carga resultante

del átomo pasa a ser -1. Cuando un átomo tiene un electrón adicional en su
orbital de valencia, es un átomo cargado negativamente, un ion negativo.
 ENLACE COVALENTE EN
SEMICONDUCTORES
Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un electrón de valencia,
mientras que los mejores aislantes tienen ocho electrones de valencia. Un
semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor
y un aislante. los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
 ENLACE COVALENTE EN
SEMICONDUCTORES
Ejemplo : ¿Cuál es la carga resultante del átomo de silicio si pierde uno de sus
electrones de valencia? ¿Y si gana un electrón adicional en el orbital de valencia?

Si pierde un electrón, se convierte en un ión positivo con una carga de +1. Si gana
un electrón, se convierte en un ión negativo con una carga de -1.
 CRISTALES DE SILICIO

Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según un
patrón ordenado denominado cristal. Cada átomo de silicio comparte sus electrones
con cuatro átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho electrones en su orbital de
valencia.
 CRISTALES DE SILICIO

Saturación de Valencia : Cuando el orbital de valencia tiene ocho electrones, se

satura porque ya no puede entrar ningún electrón más en dicho orbital.
Estableciendo esto como ley, tenemos Saturación de valencia: . Dicho con palabras,
el orbital de valencia no puede contener más de ocho electrones.

Hueco : La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se

denomina hueco .Este hueco se comporta como una carga positiva porque la
pérdida del electrón da lugar a un ión positivo.

A temperatura ambiente, la energía térmica sólo da lugar a que se creen unos pocos
huecos y electrones libres. Para aumentar el número de huecos y de electrones
libres, es necesario dopar el cristal.
 CRISTALES DE SILICIO
RECOMBINACIÓN
Recombinación y tiempo de vida
En un cristal de silicio puro, la energía térmica (calor) crea el mismo número de
electrones libres y huecos. Los electrones libres se mueven aleatoriamente a través
del cristal. Ocasionalmente, un electrón libre se aproximará a un hueco, será atraído
por éste y caerá en él. La recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco
 CRISTALES DE SILICIO
RECOMBINACIÓN
Ejemplo : Si un cristal de silicio puro contiene 1 millón de electrones libres,
¿cuántos huecos contendrá? ¿Qué ocurre con la cantidad de electrones libre y
huecos si la temperatura ambiente aumenta?

un cristal de silicio puro siempre tiene el mismo número de huecos que de

electrones libres, luego si tiene 1 millón de electrones libres, tendrá 1 millón de
huecos. Una temperatura mayor aumenta las vibraciones en el nivel atómico, lo
que significa que se crearán más electrones libres y huecos. No obstante,
independientemente de la temperatura, un cristal de silicio puro siempre tiene
el mismo número de electrones libres que de huecos.
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS

• Enlace Covalente del átomo de • Enlace covalente del cristal del

silicio GaAs.
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
• Aunque el enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de
valencia y su átomo padre, aún es posible que los electrones de valencia absorban
suficiente energía cinética proveniente de causas externas para romper el enlace
covalente y asumir el estado “libre”.
• El término libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la
estructura entrelazada fija y es muy sensible a cualquier campo eléctrico aplicado
como el establecido por fuentes de voltaje o por cualquier diferencia de
potencial.
• Las causas externas incluyen efectos como energía luminosa en forma de fotones
y energía térmica (calor) del medio circundante.
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
• Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se
conocen como portadores intrínsecos.
• El término intrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya
sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un
nivel muy bajo; en esencia, lo más puro posible que se pueda fabricar
utilizando tecnología actual.
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
• Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es
un semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A
temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante porque sólo
tiene unos pocos electrones libres y huecos producidos por el efecto de la energía
térmica.

• Flujo de Electrones • Flujo de Huecos?

libres?
 ENLACE COVALENTE Y
MATERIALES INTRÍNSECOS
• los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones opuestas. Se concibe
la corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos tipos de
flujos: el flujo de electrones libres en una dirección y el flujo de huecos en la
dirección opuesta. A menudo tanto los electrones huecos como los huecos se
denominan portadores, ya que transportan la carga de un lugar a otro.
 NIVELES DE ENERGÌA

• Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y
cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de
energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica. .
 DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR
• Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el
dopaje. El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco
con el fin de alterar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado se
denomina semiconductor extrínseco
SEMICONDUCTOR ESTRUCTURA
ATÓMICA TIPICA
CRISTALES DE SILICIO
 MATERIALES EXTRINSECOS :
MATERIALES TIPO n Y TIPO p
• Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce
como material extrínseco.

• Un material tipo n se crea introduciendo

elementos de impureza que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes), como el
antimonio, el arsénico y el fósforo. El efecto de
tales elementos de impureza se indica en la
figura (con antimonio como la impureza en una
base de silicio)
 MATERIALES EXTRINSECOS :
MATERIALES TIPO n Y TIPO p
• Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce
como material extrínseco.

• El material tipo p se forma dopando un cristal

de germanio o silicio puro con átomos de
impureza que tienen tres electrones de
valencia(trivalentes).Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e
indio. El efecto de uno de estos elementos, el
boro, en una base de silicio se indica en la
figura.
 FLUJO DE ELECTRONES CONTRA
FLUJO DE HUECOS
• Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce
como material extrínseco.
• Si un electrón de valencia adquiere
suficiente energía cinética para romper su
enlace covalente y llenar el vacío creado
por un hueco, entonces se creará un vacío
o hueco en la banda covalente que cedió
el electrón. Existe, por consiguiente, una
transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha.
 Dopado de un semiconductor
• Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, • Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio).
Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de
átomos de valencia 5. valencia 3.
 MOVIMIENTO EN UNA RED
CRISTALINA (ej. Metales)
• El electrón se mueve dentro de la red cristalina del metal con una velocidad
media.

: Intensidad del Campo Eléctrico

 MOVIMIENTO EN UNA RED
CRISTALINA (ej. Metales)
• La resistencia que opone la barra de metal al paso de la corriente la podemos
calcular de la siguiente forma:.

n° de electrones libres por

e: Carga del electrón , ( A , sección de la barra
,Conductividad del metal
,Resistividad del metal
R, Resistencia del metal
 DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR
• Ejemplo : Un semiconductor dopado tiene 10.000 millones de átomos de silicio
y 15 millones de átomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 25ºC,
¿cuántos electrones libres y huecos habrá en el interior del semiconductor?.

• Cada uno de los átomos pentavalentes contribuye con un electrón libre. Por
tanto, el semiconductor tiene 15 millones de electrones libres producidos por el
proceso de dopaje. Casi no habrá huecos, ya que los únicos huecos serán los
producidos por el efecto de la energía térmica.

• En las mismas condiciones del ejemplo anterior, si se añaden 5 millones de

átomos trivalentes en lugar de los átomos pentavalentes, ¿cuántos huecos
habrá en el interior del semiconductor?
 PORTADORES MAYORITARIOS Y
MINORITARIOS
• En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y el hueco
portador minoritario.
• En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el
minoritario
 LA UNIÓN P-N
• Cuando un fabricante dopa un cristal de modo que una mitad sea tipo p y la otra
mitad tipo n, aparecen nuevas funcionalidades. El borde entre la zona de tipo p y
la zona de tipo n se denomina unión pn. La unión pn tiene tantas propiedades
útiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los que se incluyen los
diodos, los transistores y los circuitos integrados.
 LA UNIÓN P-N
• Un fabricante puede producir un cristal con material de tipo p en un lado y
material de tipo n en el otro lado, La unión es la frontera donde se encuentran las
regiones tipo p y tipo n, y el término diodo de unión también se emplea para
designar un cristal pn. La palabra diodo es una contracción de la expresión “dos
electrodos”, donde di significa “dos”.
 LA UNIÓN P-N, La zona de deplexión
• La creación de un dipolo hace que desaparezcan un electrón libre y un hueco. A
medida que el número de dipolos aumenta, la región próxima a la unión se vacía
de portadores. Esta región vacía de carga se conoce como zona de deplexión
 LA UNIÓN P-N, La Barrera de potencial
• El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada barrera de potencial. A 25ºC, la barrera de potencial es
aproximadamente igual a 0,3 V en los diodos de germanio y a 0,7 V en los diodos
de silicio.
LA UNIÓN P-N, La Barrera de potencial
 Polarización directa
Flujo de Electrones Libres
• La batería empuja a los huecos y electrones libres hacia la unión. Si la tensión de
la batería es menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen la
suficiente energía para atravesar la zona de deplexión. Cuando entran en esta
zona, los iones se ven empujados de vuelta a la región n, por lo que no circula
corriente a través del diodo.
 Polarización directa
Flujo de Electrones Libres
• Cuando la tensión de la fuente de corriente continua es mayor que la barrera de
potencial, la batería de nuevo empuja a huecos y electrones libres hacia la unión.
En este caso, los electrones libres tienen suficiente energía para atravesar la zona
de deplexión y recombinarse con los huecos
 Polarización directa
Flujo de Electrones Libres
• Cuando la tensión de la fuente de corriente continua es mayor que la barrera de
potencial, la batería de nuevo empuja a huecos y electrones libres hacia la unión.
En este caso, los electrones libres tienen suficiente energía para atravesar la zona
de deplexión y recombinarse con los huecos
 Polarización Inversa
Corriente de portadores minoritarios
• El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a
los electrones libres. Por tanto, huecos y electrones libres se alejan de la unión,
ensanchándose en consecuencia la zona de deplexión, a medida que la tensión
inversa aumenta, la anchura de la zona de deplexión también aumenta
 Polarización Inversa
Corriente de portadores minoritarios
• El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a
los electrones libres. Por tanto, huecos y electrones libres se alejan de la unión,
ensanchándose en consecuencia la zona de deplexión, a medida que la tensión
inversa aumenta, la anchura de la zona de deplexión también aumenta
 Polarización Inversa
Corriente de Saturación
• La corriente inversa causada por los portadores minoritarios producidos
térmicamente se denomina corriente de saturación. En las ecuaciones, la
corriente de saturación se expresa como . El nombre de esta corriente representa
el hecho de que no se puede obtener una corriente de portadores minoritarios
mayor que la producida por la energía térmica.
 Polarización Inversa
Corriente de Superficial de Fugas
• La corriente inversa total de un diodo consta de una corriente de portadores
minoritarios y una corriente superficial de fugas. En la mayoría de las
aplicaciones, la corriente inversa en un diodo de silicio es tan pequeña que no se
suele tener en cuenta.
Polarización del Diodo
Polarización del Diodo Semiconductor
Sin Polarización Aplicada( V = 0,0V)
Polarización del Diodo Semiconductor
Condición de polarización en inversa (VD<0 V)
Polarización del Diodo Semiconductor
Condición de polarización en directa (VD>0 V)
 Tensión de Disrupción
• Existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un
diodo sin correr el riesgo de destruirlo. Si se incrementa la tensión inversa
deforma continua, llegará un momento en que se alcanzará la tensión de
disrupción del diodo
Efecto de Avalancha
Efecto de Avalancha
Efecto Zener
 Niveles y bandas de energía
En un semiconductor intrínseco
Niveles de Energía (Juntura P-N)
Bandas de Energía n y Bandas de
Energía p
Barrera de Energía (Juntura P-N)
Barrera de Energía (Juntura P-N)
Barrera de Energía (Juntura P-N)
 Barrera de Potencial y Temperatura
• La temperatura de la unión: es la temperatura interna de un diodo,
exactamente en la unión pn. La temperatura ambiente es otra cosa: es la
temperatura del aire fuera del diodo, es decir, la temperatura del aire que rodea al
diodo. Cuando el diodo conduce, la temperatura de la unión es mayor que la
temperatura ambiente debido al calor producido por la recombinación.

• La barrera de potencial depende de la temperatura de la unión. Un

incremento de la temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos en
las regiones dopadas. Cuando estas cargas se difunden por la zona de deplexión,
ésta se hace más estrecha, lo que quiere decir que hay menos barrera de potencial
para temperaturas de la unión más altas.
 Barrera de Potencial y Temperatura
• La barrera de potencial de un diodo de silicio varía 2 mV por cada incremento
de un grado Celsius.

Reordenando la anterior expresión:

De este modo, podemos calcular la barrera de potencial para cualquier temperatura

de la unión.
 Barrera de Potencial y Temperatura
• Ejemplo : Suponiendo una barrera de potencial de a una temperatura ambiente de
, ¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de silicio cuando la temperatura de
la unión es de ? ¿Y a ?
• Cuando la temperatura de la unión es 100°C, la variación de la barrera de
potencial es:

La barrera de potencial disminuye 150 mV respecto de su valor a temperatura

ambiente. Por tanto, es igual a:
 Barrera de Potencial y Temperatura
• Ejemplo : Suponiendo una barrera de potencial de a una temperatura ambiente de
, ¿Cuál es la barrera de potencial de un diodo de silicio cuando la temperatura de
la unión es de ? ¿Y a ?
• Cuando la temperatura de la unión es de 0°C, la variación de la barrera de
potencial es:

la barrera de potencial aumenta 50 mV respecto de su valor a temperatura

ambiente:
 Diodo polarizado en inversa
• Corriente Transitoria : Cuando la tensión inversa aumenta, los huecos y los
electrones se alejan de la unión, dejando iones positivos y negativos tras ellos.
Por tanto, la zona de deplexión se hace más ancha. Cuanto mayor es la
polarización inversa, más ancha se hace la zona deplexión. Mientras la zona de
deplexión se ajusta a su nueva anchura, una corriente fluye al circuito externo.
• Corriente inversa de saturación: La polarización directa de un diodo hace que
la banda n se eleve y permite que los electrones libres atraviesen la unión. La
polarización inversa tiene el efecto contrario: hace que la zona de deplexión se
ensanche y que la banda n descienda.

• Cuanto mayor es la temperatura de la unión, mayor es la corriente de saturación.

 Diodo polarizado en inversa
• Corriente superficial de fugas: La corriente superficial de fugas es directamente
proporcional a la tensión inversa. Por ejemplo, si se duplica la tensión inversa, la
corriente superficial de fugas se duplica. Podemos definir la resistencia
superficial de fugas del siguiente modo:
 Diodo polarizado en inversa
• Ejemplo : Un diodo de silicio tiene una corriente de saturación de a . ¿Cuál será
la corriente de saturación a ?
• La variación de temperatura es:

La corriente inversa de saturación se duplica por cada aumento de 10

Por tanto, es igual a 10 nA a 35 , 20 nA a 45 , 40 nA a 55 , 80 nA a 65 , 160 nA a
75 , 320 nA a 85 , 640nA a 95 , 1,28 mA a 100
La corriente se duplica siete veces entre 25 y 95

Recuerde que la regla sólo es una aproximación. Para obtener mayor precisión se
puede emplear la regla del incremento del 7 por 100 por cada grado de aumento de
temperatura. En este caso,
 Diodo polarizado en inversa
• Ejemplo : Si la corriente superficial de fugas es de para una tensión inversa de ,
¿cuál será la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de ?
Calcular la resistencia superficial de fugas:

Se calcula la corriente superficial de fugas para 35 V como sigue:

 Diodo polarizado en inversa
• Ejemplo : Si la corriente superficial de fugas es de para una tensión inversa de ,
¿cuál será la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de ?
Calcular la resistencia superficial de fugas:

Dado que la corriente superficial de fugas es directamente proporcional a la tensión

inversa, tenemos: