ELECTRÓNICA GENERAL 1

SEMICONDUCTORES Y DIODOS MARZO 2022

RICARDO FLORES R.

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MATERIALES SEMICONDUCTORES

Tipos de materiales conductores:

Conductores: Semi-Conductores: Aislantes:
❑ Cobre ❑ Silicio ❑ Cerámicas
❑ Oro ❑ Germanio ❑ Vacío
❑ Plata ❑ Plásticos
≈ 10−6 [Ω] 10[Ω] ↔ 103 [Ω] ≈ 1012 [Ω]

Características del Silicio:

❑ Fácil manipulación
❑ Es posible lograr grandes grados de pureza
❑ Muy abundante
❑ Sensible a la temperatura y la luz (fuentes de energía) 2

Á𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑑𝑒 𝑆𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜
 ESTRUCTURA DE SILICIO
Recombinación par e--h+ electrón
agujero
Enlaces covalentes ‘débiles’
Generación par e--h+
❑ Algunos electrones abandonan los enlaces
cuando adquieren energía de una fuente externa
(generación par e--h+).
❑ Otros electrones cuando pierden energía usan
los agujeros dejados por el proceso de
generación (recombinación par e--h+).
❑ El nivel de electrones libres generados es muy
bajo, uno en varios millones.
Por lo tanto, no es muy buen conductor!
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 IMPUREZAS
Material tipo p:‘agujeros libres’ Material tipo n:‘electrones libres’
En ambos casos la carga neta del
Agrega un ‘agujero’ libre material se mantiene neutra. Agrega un electrón libre
por átomo de impureza por átomo de impureza.

Galio o Boro La cantidad de electrones libres (o agujeros) Fósforo o Arsénico 4

dependerá mayoritariamente de las
impurezas.
DIODO

5
DIODO

Material tipo p:‘agujeros libres’ Material tipo n:‘electrones libres’

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DIODO
𝐸𝑖𝑛𝑡
❑ Los electrones libres del material ‘n’ en la
frontera se recombinan con lo agujeros libres
del material ‘p’.

❑ Aparece una región sin portadores en la

frontera (los núcleos no se pueden mover).

❑ Se crea un campo que evita que la

recombinación sea completa.
𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜

Á𝑛𝑜𝑑𝑜 (𝐴) 𝐶á𝑡𝑜𝑑𝑜 (𝐾) 7

 POLARIZACIÓN DIRECTA:

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒

𝐸𝑖𝑛𝑡

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒
𝐸𝑒𝑥𝑡 𝐸𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠

❑ La aparición del campo externo, generado por una fuente externa, da energía a los electrones libres en el
semiconductor para pasar a través del campo interno, lo que genera una corriente. 8

❑ Recordar que estos electrones (y agujeros) son producto de las impurezas.

 POLARIZACIÓN INVERSA:

𝐸𝑖𝑛𝑡
𝐸𝑒𝑥𝑡
𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐸𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠

❑ En este caso el campo externo generado por la fuente esta en el mismo sentido que el campo interno,
por lo que se agranda la zona sin portadores, impidiendo el flujo de corriente. 9

❑ Solo algunos electrones de Silicio producto del proceso de generación par e--h+ generan una pequeña
corriente de fuga de algunos nano amperes.
DIODO: ANALOGIÁ

Ruptura de
la válvula

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 = 0
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 CURVA ESTÁTICA REAL

𝑖𝑑
Voltaje externo necesario para
vencer al campo interno
𝑖𝑑
Zona de
ruptura diodo
> 100 𝑉
Á𝑛𝑜𝑑𝑜 (𝐴)
0,7
𝑣𝑎𝑘 𝐶á𝑡𝑜𝑑𝑜 (𝐾)

Corriente de fuga 𝑣𝑎𝑘

≈ 𝜇𝐴

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MODELOS
𝑖𝑑
> 100 𝑉

≈ 𝜇𝐴 0,7
𝑣𝑎𝑘

𝐼𝑑𝑒𝑎𝑙: 𝑖𝑑

𝑣𝑎𝑘
12
MODELOS
𝑖𝑑
> 100 𝑉

≈ 𝜇𝐴 0,7
𝑣𝑎𝑘

𝑀𝑜𝑑𝑒𝑙𝑜 𝑉: 𝑖𝑑

0,7
𝑣𝑎𝑘
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MODELOS
𝑖𝑑
> 100 𝑉

≈ 𝜇𝐴 0,7
𝑣𝑎𝑘

𝑀𝑜𝑑𝑒𝑙𝑜 𝑅𝑉: 𝑖𝑑
1ൗ
1ൗ
𝑅𝑑
𝑅𝑑

0,5
𝑣𝑎𝑘
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