EXAMEN DE ELECTRONICA GENERAL - 1ER PERIODO

NOMBRE Y APELLIDOS : GIEL CCALACHUA CUYO

CODIGO :20170729

1. :¿Cuál es la diferencia entre los diferentes tipos de semiconductores extrínsecos?

SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
• El dopaje o la adición de impurezas no tienen lugar en semiconductores
intrínsecos.
• El número de electrones libres en la banda de conducción es igual al número de
agujeros en la banda de valencia.
• La conductividad eléctrica es baja.
• La conductividad eléctrica es una función de la temperatura solo.
• Forma cristalina de puro silicio y germanio.

SEMICONDUCTOR EXTRINSICO
• Una pequeña cantidad de impureza se impregna en un semiconductor puro para
preparar semiconductores extrínsecos.
• El número de electrones y agujeros no son iguales.
• La conductividad eléctrica es alta.
• La conductividad eléctrica depende de la temperatura, así como de la cantidad
de impurezas dopadas en el semiconductor puro
• Impurezas como As, Sb, P, In, Bi, Al, etc. están dopadas con germanio y átomo
de silicio.

2. Explique el principio de funcionamiento de un semiconductor tipo n

En un semiconductor de tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que

también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor
puro.
Las causas de estas disminuciónes se deben a que una parte de los electrones libres
llena algunos de los huecos existentes.

Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de
silicio, y la unión incompleta dará lugar a un hueco.
3. ¿Qué significa polarización directa e indirecta de diodo no polarizado?
En la polarización directa y inversa de un diodo no polariza, el terminal
negativo de la batería introduce mas electrones libres a la capa N lo que hace
que mucho pasen a través del as juntas de la 2 capas y llenen los espacios de la
capa P mientras que la polarización inversa es cuando la capa de tipo N de conecta
al positivo de la batería y la capa P al negativo

POLARIZACIÓN INVERSA: Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de la

batería y la capa P al negativo se dice que es una polarización inversa, y ocurre lo
siguiente a través de la juntura: Los electrones que salen del negativo de la batería
corren a llenar los vacios o espacios de la capa P, completando todos los átomos de
esta pastilla los 8 electrones (compartidos con el visitante); a partir de este momento
no reciben más corriente, dado que presentan alta resistencia.
POLARIZACIÓN DIRECTA: El terminal negativo de la batería introduce más
electrones libres a la capa N, lo que hace que muchos pasen a través de la JUNTURA
de las 2 capas y llenen los espacios de la capa P. Este flujo será permanente debido a
que el terminal positivo de la batería contínuamente toma electrones de alli, dejando
espacios para llenar por los electrones que pasen por la union.
4. Resolver:
Suponiendo una barrera de potencial de 0.7V a una temperatura ambiente de
25 °C, ¿Cuál es la barrera de potencial en un diodo de silicio cuando la
temperatura de la unión es de 100°C? ¿y si es de 0°C?

Cuando se incrementa la temperatura a 100ºC

(100-25).2Mv=150mV=0.15v
El valor de barrera potencial seria VB=0.7v.0.15v=0.55v
Cuando es 0ºC
(0.25).2mV=50mV=0.05V
El valor de la barra potencial seria VB=0.7-(-0.05)V=0.75V
5. Si la corriente superficial de fugas es de 2 nA para una tensión inversa de 25.
¿Cuál valor toma la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de
35 V?
6. En el siguiente circuito, utilizando el modelo de diodo con caída de voltaje
constante (v = 0.7 V)

a) Encontrar los valores de Vo para Vi variando entre -5 y +5 Voltios.

b) Encontrar la VTC del circuito (gráfica Vo de frente a Vi) en el rango anterior.
VƔ = 0,7V es la tensión de codo del diodo, es el voltaje que habrá en sus
extremos cuando el diodo está conduciendo.
7. Queremos construir un circuito estabilizador (Regulador) que entregue a la
salida una tensión de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una ILmáx = 100 mA,
siendo ILmín = 0 y que dispone de una alimentación que varía entre 9 V y 10 V.
Los diodos zener de que se dispone son:

Elegir el componente que corresponda y diseñar el circuito.

8. Calcule el circuito estabilizador mediante diodo zener de la figura. Obtenga la
corriente a través de la carga, teniendo en cuenta una corriente por el diodo
zener del 50 % de Izm, la corriente total solicitada a la fuente y la resistencia
limitadora del diodo zener.
9. Con los datos del ejercicio, calcule la tensión de la batería para que el circuito
de la figura funcione correctamente. Estime un valor adecuado de la corriente
por el zener.
10. En el rectificador de la siguiente figura, la carga es resistiva y de valor R
determinar: Vp = 𝑽𝒑 = √𝟐 𝒗𝒔 𝒔𝒆𝒏(𝒘𝒕)
• El rendimiento
• El factor de forma
• El factor de rizado
• El factor de utilización del transformador
• El pico inverso de tensión en el diodo DI