Tema:

Propiedades eléctricas
Dr. Jesús Alonso Guerrero de León
 Estructura cristalina del SILICIO

Coordinación;
Tetraédrica

Estructura
FCC

Conducción
eléctrica
 Semiconductores Extrínsecos;
Semiconductores Tipo n (donadores)
Intrinsecos 8A

3A 4A 5A 6A 7A

Si Si
P Si

Si Si
Si

Exceso de un electrón por Átomo

 Semiconductores Extrínsecos; Tipo p (Aceptores)
8A

3A 4A 5A 6A 7A

Si Si
Al Si

Si Si Si

Exceso de un hueco por Átomo

Transistor Bipolar (npn)
0.5 V
- +

------ ---
------ ---
------ ---
Emisor ------ ---
Base

(N>>Nc) ------ --- Colector

Tipo n Tipo p Tipo n

5V
TRANSISTO
RES
BIPOLARES
 Transistor MOSfet

Metal; Puerta
V
SiO2 1 nm
-----------------------------
n ----------------------------- n
Fuente Drenaje
Sustrato p

40 nm
Proceso de fabricación
del MOSfet

Proceso difusivo
Diodos
Los dispositivos semiconductores más comunes dependen de las propiedades de la frontera
entre los materiales tipo p y tipo n y, en consecuencia, se examinarán algunas de las
características de esta frontera. Un diodo de unión np puede producirse haciendo crecer un
solo cristal de silicio intrínseco e impurificándolo primero con material de tipo n y después con
material de tipo p. Sin embargo, de manera más común, la unión np se produce por la difusión
en estado sólido de un tipo de impureza (por ejemplo, tipo p) en material tipo n existente.
Diodos emisores de luz (LED)
Semiconductor Banda prohibida Eg
InGaN 3.2

AlInGaP 3.4

ZnO 3.37

Emisión
lumínica
 𝐴 1 −1
𝜌= 𝑅 (Ω 𝑚) 𝜎 = (Ω𝑚)  
𝐿 𝜌
 Semiconductores intrínsecos
1
𝜎 =conductividad el é ctrica=
𝜎 =𝑛𝑖 𝑞 𝜇 𝑛 +𝑛𝑖 𝑞 𝜇 𝑝 𝜌
𝑛 , 𝑝=Concentraci ó n :huecos y electrones
𝜎 =𝑛𝑖 𝑞 (𝜇𝑛 +𝜇 𝑝 ) 𝜇𝑛 , 𝜇 𝑝 =Movilidad : huecos y electrones
𝑘=Constante=8.62× 10−5 𝑒𝑉 / 𝐾

[ ]
− 𝐸𝑔 𝑇 =Temperatura
𝜎 =𝜎 0 𝑒𝑥𝑝 𝐸𝑔 =Band gap
2 𝑘𝑇
𝑞=1.6 ×10 −19 𝐶

Ejercicio 1; Determine la resistividad intrínseca del silicio puro a =2.3 ×103 Ωm

temperatura ambiente (300 K).

Ejercicio 2. Calcule la conductividad eléctrica del silicio puro a 200°C =1.04 (Ωm)-1
(473 K).
𝜎=𝑛𝑖 𝑞 (𝜇𝑛+𝜇𝑝)=(1.5×10 )(1.6×10 𝐶 ) ( 0.135+0.048 ) =4.39×10 (Ω𝑚) 
16 −19 −4 −1

1
𝜌= =2276 (Ω 𝑚)
𝜎

[ ]
− 𝐸𝑔 𝜎 4.39× 10− 4 ( Ω𝑚)  −1
=𝜎 0= =7.57 ×105 ( Ω𝑚)  − 1
𝜎 =𝜎 0 𝑒𝑥𝑝
2 𝑘𝑇 𝑒𝑥𝑝 [ ]
− 𝐸𝑔
2 𝑘𝑇
𝑒𝑥𝑝
[
−1.1 𝑒𝑉
2 𝑘(300 𝐾 ) ]

𝜎 =𝜎 0 𝑒𝑥𝑝 [ ]
− 𝐸𝑔
2 𝑘𝑇
= 7.57 ×105 ( Ω𝑚) − 1 ( Ω𝑚 ) 𝑒𝑥𝑝
[
−1.1 𝑒𝑉
2𝑘 ( 473 𝐾 ) ]
=1.05 (Ω 𝑚)  −1
Semiconductores extrínsecos (tipo n)

𝝈 =𝒒𝒏𝒏 𝝁𝒏

1
𝜎 =conductividad el é ctrica=
Mayoritarios tipo 𝑛𝑛 =𝑁 𝑑 𝜌
n: electrones
2
𝑛𝑖
Minoritarios tipo 𝑛𝑝 = 𝜇𝑛 , 𝜇 𝑝 =Movilidad
p: huecos 𝑁𝑑
Ejercicio; En una oblea de silicio se impurifican 1021 átomos de fosforo (P)/m3. Determine:
la concentración de portadores mayoritarios y minoritarios y la resistividad eléctrica.
Analice el efecto en la conductividad debido a los portadores en exceso respecto al silicio
puro y a temperatura ambiente.

= 1021 portadores/m3

= 2.25×1011 portadores/m3

=0.0463 Ωm

= 21.6
Semiconductores extrínsecos (tipo p)

𝝈 =𝒒𝒏𝒑 𝝁 𝒑

1
𝜎 =conductividad el é ctrica=
Mayoritarios tipo 𝑛𝑝 =𝑁 𝑑 𝜌
p: huecos
𝑁 𝑑=Exceso 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠

Minoritarios tipo
𝑛𝑖2 𝜇𝑛 , 𝜇 𝑝 =Movilidad
𝑛𝑛 =
n: electrones 𝑁𝑑
Conductividad eléctrica en metales

1
𝜎 =𝑞𝑛 𝑛 𝜇𝑛 =
𝜌

Ejercicio; Calcule la movilidad de portadores en el Cu+1. R=44.2 cm2/V s

Considere que el cobre presenta una estructura cristalina
FCC con un parámetro de red de 3.61×10-8 cm
 1 𝑐𝑚3 (1 𝑐𝑒𝑙/𝑐𝑚3 )(4 𝑒𝑙𝑒) 22 3
𝑛𝑛 = =8.5 ×10 𝑒𝑙𝑒 /𝑐𝑚
(3.61×10 −8   cm)3

𝜎
𝜇𝑛 = =44.12   cm2 / V ∙ s
𝑞𝑛𝑛 𝐼=
𝑉 𝑉 𝐶
= =
𝑅 Ω 𝑠

𝑉 ∙ 𝑠=Ω∙ 𝐶

𝑐𝑚3 𝑐𝑚2 𝑐𝑚 2
[ 𝜇𝑛 ]= Ω 𝑐𝑚 𝐶 = Ω 𝐶   = 𝑉 ∙ 𝑠
Ejercicio 5: Determine el número de portadores y la movilidad de los
siguientes metales;
Material Conductivid Tipo Radio Electrones Número de Movilidad
ad (Ωcm)-1 de atómico de valencia Portadores/cm3 (cm2/V s)
celda (nm) ×1022
Aluminio 3.8 × 105 FCC 0.143 3 18.1 13.07
Acero al 0.6 × 105 BCC 0.124 2 17 2.2
carbón
Cobre 6.0 × 105 FCC 0.128 1 8.4 44.5
Oro 4.3 × 105 FCC 0.144 1 5.9 45.4
Hierro 1.0 × 105 BCC 0.124 2 17 3.7
Plata 6.8 × 105 FCC 0.144 1 5.9 71.8
 Conductividad eléctrica en metales; Temperatura

𝛼=𝑐𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑
𝜌 𝑟 =𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑎 0° 𝐶
𝜌 𝑇 =𝜌 𝑟 (1+𝛼 ∆ 𝑇 )
𝜌 𝑇 =𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑎𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎
∆𝑇=𝑑𝑖𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎
1 −1
𝜎 400° 𝐶 = =2.4 4 ×105 (Ω 𝑐 𝑚) 
4.10×10 −6 Ω   cm  

1 −1
𝜎 − 100° 𝐶 = =1.024 ×10 6(Ω 𝑐 𝑚) 
9.76×10 −7  Ω   cm  Ω   cm  

=4.1×10-6 Ω cm
Ejercicio; Determine la resistividad del cobre a 400 y -100°C.
= 9.76×10-7 Ω cm
Comportamiento eléctrico con la temperatura de algunos Metales
Calcule la resistividad eléctrica (en ohm-metros) de un alambre de plata de 15 cm de largo y 0.030 m de
diámetro a 160°C. [ Re (Fe a 0°C) = 0.191 Ω y un coeficiente de resistividad de 0.0045 (1/°C)]

¿A qué temperatura un alambre de hierro tendrá la misma resistividad eléctrica que uno de aluminio a
35°C?

La resistividad eléctrica del germanio puro es 0.46 Ω · m a 300 K. Calcule su conductividad

eléctrica a 425°C.
Bibliografía:

1. Donald R. Askeland “Essentials of Materials Science and Engineering” Second Edition”, Ed. Cengage
Learning, USA 2009.

2. William D. Callister, Jr. “Fundamentals of Materials Science and Engineering” Ed. John Wiley &
Sons, Inc. 2001

3. William F. Smith and Javad Hashemi “Fuandamentos de la ciencia e Ingeniería de los materiales” 5ta
edición, Editorial Mc Graw Hill, 2014.