El IGBT

El IGBT es un dispositivo que tiene las características de conducción de salida de un BJT pero es
controlado por voltaje como un MOSFET, y constituye una excelente opción para aplicaciones de
conmutación de alto voltaje. El IGBT tiene tres terminales: la compuerta, el colector y el emisor. En la
siguiente figura se muestra un símbolo común de circuito. Como se puede ver, es similar al símbolo
de BJT, excepto porque hay una barra extra que representa la estructura de la compuerta de un
MOSFET y no la de una base.

El IGBT tiene características de entrada de MOSFET y características de salida de BJT. Los BJT son
capaces de manejar corrientes más altas que los FET, pero los MOSFET no tienen corriente en la
compuerta debido a la estructura aislada de ésta. Los IGBT presentan un voltaje de saturación más
bajo que los MOSFET y tienen aproximadamente el mismo voltaje de saturación que los FET. Los
IGBT son superiores a los MOSFET en algunas aplicaciones porque pueden manejar voltajes en el
colector con respecto al emisor de más de 200V y exhiben menos voltaje de saturación cuando están
encendidos. Los IGBT son superiores a los BJT en algunas aplicaciones porque son capaces de
conmutar más rápido. En función de la velocidad de conmutación, los MOSFET conmutan más rápido;
les siguen los IGBT y luego los BJT, los más lentos. En la siguiente tabla se hace una comparación
general de los IGBT, los MOSFET y los BJT.
Operación
El voltaje de compuerta controla el IGBT exactamente como un MOSFET. En esencia, un IGBT puede
ser considerado como un BJT controlado por voltaje, pero con velocidades de conmutación más
rápidas. Debido a que es controlado por voltaje en la compuerta aislada, el IGBT en esencia no tiene
corriente de entrada y no carga la fuente de excitación. Un circuito equivalente simplificado de un IGBT
se muestra en la figura siguiente. El elemento de entrada es un MOSFET y el de salida es un transistor
bipolar. Cuando el voltaje en la compuerta con respecto al emisor es menor que un voltaje de umbral,
Vumbral, el dispositivo se apaga. El dispositivo se prende incrementando el voltaje en la compuerta a un
valor que excede el voltaje de umbral.

La estructura npnp del IGBT forma un transistor parásito y una resistencia parásita inherente dentro
del dispositivo, como se muestra en gris en la figura siguiente. Estos componentes parásitos no tienen
efecto durante operación normal. No obstante, si se excede la corriente máxima en el colector en
ciertas circunstancias, el transistor parásito, Qp, puede prenderse. Si Qp se prende, se combina
efectivamente con Q1 para formar un elemento parásito, como se muestra en la figura, en la cual se
puede presentar una condición de enganche en un estado. En la condición de enganche, el dispositivo
permanecerá encendido y no se puede controlar mediante el voltaje de la compuerta. Esta condición
puede ser evitada si se opera siempre dentro de los límites especificados del dispositivo.