Funcionamiento

del GTO
 Tiristor GTO (Gate Turn-Off)
Un Tiristor GTO o Tiristor de puerta controlada es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G).
Funciona igual que el tiristor normal, pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente
negativa en el mismo terminal1.
Al igual que un SCR, un tiristor GTO puede activarse mediante la aplicación de una señal positiva de compuerta,
pero se puede desactivar mediante una señal negativa de compuerta.
Es un interruptor de semiconductor bidireccional (ambos sentidos) que puede ser operado hacia delante y
como en reversa.
Una de las principales ventajas del tiristor GTO es su capacidad de apagarse rápidamente. Esto lo hace ideal
para aplicaciones en las que se requiere una conmutación rápida, como en los accionamientos de motores,
donde es esencial un control preciso de la velocidad y la dirección del motor.
Los tiristores GTO pueden manejar corrientes de hasta varios miles de amperios, lo que los hace idóneos para
aplicaciones de alta potencia.
El tiristor GTO es de bajo costo en comparación con otros dispositivos de conmutación de alta potencia, como
los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y los transistores semiconductores de óxido metálico de
efecto campo (MOSFET).
Los tiristores GTO son más robustos y fiables que estos otros dispositivos, lo que los convierte en una opción
popular para aplicaciones industriales.
Estructura del GTO
Estructura del GTO
Conducción del GTO
Funcionamiento
del IGBT
 Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor que se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción
son como las del BJT.
Un IGBT es la suma de un transistor MOSFET con un BJT.
Se debe suministrar un voltaje en la terminal de la puerta (Gate) para que realice su función, el cual
fluye desde la terminal colectora hasta el emisor, tal como en los transistores BJT.
El IGBT puede generar grandes potencias con un mínimo de voltaje suministrado.
Para el encendido se da una tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos
a la región p de la puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación
de corriente colector-emisor.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular
en los variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de
potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
Tipos de Transistores IGBT
Circuito Equivalente
 Funcionamiento del IGBT

Si el voltaje entre la terminal puerta y el emisor es mayor al voltaje de umbral del

transistor, entonces se carga el capacitor interno del transistor y permite que la
corriente fluya a través del colector, por el transistor MOSFET y finalmente por el emisor
del transistor BJT.
 Funcionamiento del IGBT

Ya estando en esta condición, el transistor BJT tipo PNP deja circular la

corriente como se muestra.
Mientras mayor sea el voltaje aplicado a la compuerta del transistor MOSFET,
mayor será la corriente que fluya a través del transistor BJT tipo PNP.
 Características de conducción

VCES – voltaje colector emisor en región de corte.

I c – corriente de colector en región de conducción.
VCE – caída de voltaje colector-emisor en la región de saturación.
Graficas características de conducción
 Comparación de funcionamiento

MOSFET – alcanzan muy altas frecuencias superiores a los 200 Khz.

IGBT – alcanzan frecuencias menores a los 200 khz.
 Comparación de funcionamiento

IGBT – trabajan a corrientes y voltajes muy altos.

BJT – son controlados por corriente por eso son utilizados en amplificadores.
MOSFET – son controlados por voltaje, se utilizan en señales PWM y aquellos
circuitos de alta frecuencia que requieran de una conmutación rápida.